北京航空航天大學(xué)《電子電路i》習(xí)題課1-2章-概念

1、第一章 集成電路元、器件基礎(chǔ)二極管：特性，用途，交流直流電阻三極管：特性曲線，工作區(qū)，電流間關(guān)系，微變等效模型FET：各種類型的FET特性曲線，特性方程10/4/20221精選PPT 二極管的伏安特性曲線：UI死區(qū)電壓 硅管0.6V,鍺管0.2V。導(dǎo)通壓降: 硅管0.60.8V,鍺管0.20.3V。反向擊穿電壓VBR10/4/20222精選PPT二極管的電阻直流等效電阻 RD：交流（動(dòng)態(tài)）電阻 rd：10/4/20223精選PPT共射（共E）BJT工作原理以發(fā)射極（E極）作為公共端，EB結(jié)正偏，CB結(jié)反偏。令：則：是共射BJT輸出交流短路下的交流電流增益10/4/20224精選PPT共射BJT

2、的伏安特性曲線共射BJT的輸出特性曲線10/4/20225精選PPTIC(mA )1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,VBEV(BR)后，iC開(kāi)始劇增的區(qū)域，iB=0對(duì)應(yīng)的V(BR)為V(BR)CEO；iE=0對(duì)應(yīng)的V(BR)為V(BR)CBO；V(BR)CBOV(BR)CEO。輸出特性上的擊穿都是集電結(jié)雪崩擊穿。參見(jiàn) P12 圖1.3.410/4/20227精選PPT3. 飽和區(qū)IC(mA )1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中VCEVBE,集電結(jié)正偏，IBIC，VCE0.3V

3、稱為飽和區(qū)。vCEvBEvCB0vCEvBE發(fā)射結(jié)合適正偏集電結(jié)反偏10/4/20229精選PPT 小信號(hào)等效模型是在小信號(hào)條件下，描述BJT極間交流（動(dòng)態(tài)）電壓與電流關(guān)系的線性電路。10/4/202210精選PPT考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)以后的JFET大信號(hào)特性方程：N溝道JFET：P溝道JFET：上面兩式適用于耗盡型JFET工作在恒流區(qū)。10/4/202211精選PPT第二章 模擬集成基本單元電路基礎(chǔ)直流交流通路分析方法電流源：輸出電流、輸出電阻三種組態(tài)放大電路：共射、共基、共集，共源、共柵、共漏Ri, Ro, Av, 微變等效電路差動(dòng)放大器：（差模、共模）Rid, Rod, Avd, Ric

4、, Roc, Acc, 乙類推挽放大器：工作原理，Po, Pe, 效率10/4/202212精選PPT直流通路通常的計(jì)算方法： 直流通路的計(jì)算主要用于確定半導(dǎo)體器件的工作點(diǎn)，從而為進(jìn)一步的小信號(hào)分析提供依據(jù)。 一般來(lái)說(shuō)，計(jì)算工作點(diǎn)是通過(guò)近似的方法得到的，通常可以近似（必須是在可以近似的條件下）的有： 二極管的PN結(jié)正向?qū)妷海?.60.7V 穩(wěn)壓管的兩端的電壓：穩(wěn)壓值 三極管的BE結(jié)正向?qū)妷海?.60.7V 三極管的Ib電流：忽略 三極管的Ie和Ic：近似相等 FET的柵級(jí)流入的電流：忽略 對(duì)于BJT，根據(jù)偏置（電阻和電流源）計(jì)算出三極管的Ic。 對(duì)于FET，根據(jù)偏置（Id, Vgs的傳

5、輸方程）計(jì)算出Id, Vgs10/4/202213精選PPT電流傳輸特性動(dòng)態(tài)輸出電阻基本電流鏡接入共集管的電流鏡串接電流鏡威爾遜電流源比例電流源微電流源主要鏡像電流源 書P7010/4/202214精選PPT三種基本組態(tài)放大電路特性與分析三種組態(tài)為：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共柵、共漏BJTFET差放共射共射（帶反饋Re）共集共基共源共漏共柵差模共模微變等效電路p74RiRoAv10/4/202215精選PPT共射小信號(hào)（微變）等效分析輸入電阻、輸出電阻和增益共射放大器的Ri一般比較大電壓放大倍數(shù)為負(fù)數(shù)（反向），一般比較大共射放大器的Ro一般比較小10/4/202216精選PPT

6、共集（射隨器）的微變等效分析共集放大器的Ri比共射大很多電壓放大倍數(shù)接近于1（小于1）因此稱為射隨器共集放大器的Ro比共射的小很多10/4/202217精選PPT共基小信號(hào)（微變）等效分析共基Ri比共射低很多，比較小vo和vi同相，其值和共射放大器的Av相同共基輸出電阻大于rce，比較大10/4/202218精選PPT串接放大電路與達(dá)林頓組態(tài)JFET 放大電路對(duì)應(yīng)存在三種組態(tài)：共源共射共柵共集共漏共基10/4/202219精選PPT基本共射差放理想對(duì)稱時(shí)的微變等效分析10/4/202220精選PPT共射對(duì)稱差放雙端輸出時(shí)的Avd等于半邊差模等效電路（即單管共射電路）的電壓增益。如果差放帶有負(fù)反饋電阻Re，分析方法和帶有負(fù)反饋電阻Re的共射放大器一樣單端時(shí)：低頻差模特性10/4/202221精選PPT可見(jiàn)，Rcm只對(duì)共模有很強(qiáng)的負(fù)反饋，對(duì)差模無(wú)負(fù)反饋故稱Rcm為共模負(fù)反饋電阻，Rcm越大共模干擾抑制能力越強(qiáng)，因此要盡量增大Rcm低頻共模特性共模-共模抑制比：10/4/202222精選PPTic1ic2vi