武漢理工單片機(jī)A

1、MOV42H,41H 參考答案：一1.0CH;12H;31H,32H.因?yàn)?031沒有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，所以P0口不能作為通用I/O,只能作為CPU的數(shù)據(jù)和低8位地址口（分時(shí)復(fù)用）;P2口也不能作為通用I/O口，只能作為高8位地址口。.MCS-51系列單片機(jī)的存儲(chǔ)器大體上可劃分程序存儲(chǔ)器（ROM）和內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（內(nèi)部RAM）和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（外部RAM）三個(gè)存儲(chǔ)空間。外部程序存儲(chǔ)器總?cè)萘繛?4KB,地址范圍都從0000H0FFFFH,內(nèi)部RAM總?cè)萘繛?28B或者256B,地址范圍從00H0FFH,外部RAM總?cè)萘繛?4KB,地址范圍為00000FFFFH。程序存儲(chǔ)器用來(lái)存放程序指令及數(shù)據(jù)表格

2、等；而內(nèi)部RAM則用做工作寄存器區(qū)，位尋址區(qū)用戶區(qū)和特殊功能寄存器區(qū)；外部RAM可以存放臨時(shí)數(shù)據(jù)和端口地址。.在8031系統(tǒng)中，有5個(gè)中斷入口，分別為外部中斷INT0,外部中斷INT1,定時(shí)器中斷T0,定時(shí)器中斷T1和串行口中斷5.1F6AH（8042）,0FF6AH（65386）,6AH（106）6.MOVXA,Ri;RD有效，即為低電平MOVXRi,A;WR有效，即為低電平MOVXA,DPTR;RD有效，即為低電平MOVXDPTR,A;WR有效，即為低電平二1.1)MOVA,R0MOVR1,AMOVR2,60HMOVDPTR,#1000HMOVXA,DPTRMOV60H,A4)5)2.1)

3、4)5)2.1)MOVDPTR,#1000HMOVXA,DPTRMOVR2,AMOVDPTR,#1000HMOVXA,DPTRMOVDPTR,#2000HMOVXDPTR,A(A)=60H(30H)=08H(40H)=40H(R1)=7FH1)(A)=2CH(40H)=0CH(A)=22H，CY=1，AC=1,P=0(A)=8EH(20H)=0EH(A)=0EFH，(20H)=08H(A)=3BH，(R0)=40H，(40H)=00H，(41H)=3BH,(42H)=3BH1)SETBACC.0JNBP1.0,LJBCP1.0,L三輸出波形的頻率為寄存器中的初值除以寄存器中的初值的整數(shù)倍所以要改變頻率應(yīng)改變這個(gè)比值；改變波幅只需修改焉存器中初值求得R2寄存器中的初值對(duì)R寄存器中初值的整數(shù)倍.當(dāng)1=1時(shí)可獲得最大鋸齒波周期。T=(255*(1+1+2)+1+2+1)*1us=1.024msT=(12*(1+1+2)+1+2+1)*1us=52us四ORG0000HAJMPMAINORG0100HMAIN:MOVR0,#20HMOVR1,#30HCLRCADDCA,R1DAAMOV40H,AINCR0INCR1MOVA,R0