MOS管失效的六大原因分析

1、【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】 MOS管失效的六大原因分析 雪崩失效的預(yù)防措施 雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。 1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)開(kāi)展選取。 2：合理的變壓器反射電壓。 3：合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì)。 4：大電流布線盡量采用粗、短的布局構(gòu)造，盡量減少布線寄生電感。 5：選擇合理的柵極電阻Rg。 6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)膮⒓覴C減震或齊納二極管開(kāi)展吸收。 SOA失效（電流失效） 再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效 SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)

2、異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)到達(dá)熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。 關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。 1：受限于額定電流及脈沖電流 2：受限于節(jié)溫下的RDSON。 3：受限于器件的耗散功率。 4：受限于單個(gè)脈沖電流。 5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū) 我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。 這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接，參考下。 SOA

3、失效的預(yù)防措施： 1：確保在差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。 2：將OCP功能一定要做細(xì)致。 在開(kāi)展OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比方0.7V開(kāi)始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)延遲時(shí)間、CISS對(duì)OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。 從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí)，有個(gè)下跌，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后，MOSFET本身也開(kāi)始執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái)，如果二次上升平臺(tái)過(guò)大，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)缺陷時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失