材料學(xué)基礎(chǔ)III結(jié)構(gòu)與性能_第1頁(yè)
材料學(xué)基礎(chǔ)III結(jié)構(gòu)與性能_第2頁(yè)
材料學(xué)基礎(chǔ)III結(jié)構(gòu)與性能_第3頁(yè)
材料學(xué)基礎(chǔ)III結(jié)構(gòu)與性能_第4頁(yè)
材料學(xué)基礎(chǔ)III結(jié)構(gòu)與性能_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩44頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、Section Structure-Property Relationship 晶體結(jié)構(gòu) - 性質(zhì):量子物理-固體物理 量子化學(xué)-固體化學(xué) nm 納米結(jié)構(gòu) -性能: “變色龍”m顯微結(jié)構(gòu) -性能:連續(xù)介質(zhì)理論1Chap.7 晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)關(guān)系1.結(jié)構(gòu)-電子輸運(yùn)性質(zhì) 金屬 半導(dǎo)體 絕緣體電導(dǎo)率: 106S/m 106 10-8S /m 2eVEgEg() B C N GaAs,InSb,GaP Al Si P GdTe Ga Ge As Se SiC,SiGe In Sn Sb Te Bi2Te2 Tl Pb Bi Po PbTe211b.氧化物半導(dǎo)體 氧化物離子鍵較強(qiáng) Eg2eV,大多數(shù)為絕緣體

2、 過(guò)渡金屬氧化物 ZnO1+x MnO1-x NiO1+x FeO1-x(有缺陷后 Eg下降)c.半導(dǎo)體摻雜EcEf(Fermi能級(jí)) 引入額外的能級(jí)Ev12雜質(zhì)能級(jí)靠近導(dǎo)帶的底部 Eg=Ec-Ed施主能級(jí)(donor) SiBEg=0.01eV nexp(-Ed/RT)EdEa受主能級(jí)(Acceptor)P型半導(dǎo)體SiP13對(duì)氧化物: eg. Ni1-xO-P型 O2 VNi+Oo VNi VNi + h VNiLiNi摻10%Ni, : 10-10s/m 10s/m P型的找P型的摻雜 N型的找N型的摻雜145)超導(dǎo)TcTc半導(dǎo)體金屬T 4K191173879023K36K70K156)

3、離子傳導(dǎo)Eg=0 離子遷移無(wú)規(guī)則,不會(huì)有 Nernst-Einstein:空位大傳導(dǎo)離子半徑小16陽(yáng)離子傳導(dǎo): H+ 質(zhì)子 , Ni-H電池,燃料電池 Li+ Li+ 離子導(dǎo)體 Na+(NaAl11O17-Na-Al2O3);Ag+(AgI-RbAgI)陰離子傳導(dǎo): F- : CaF2BaF2 O2-: ZrO2172.結(jié)構(gòu)-性質(zhì)運(yùn)算問(wèn)題尋找新材料什么是計(jì)算材料學(xué) 對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出明確的解釋 模擬試驗(yàn)過(guò)程 設(shè)計(jì)新材料材料的多層次,多尺度特性計(jì)算材料科學(xué)的多層次特征電子尺度計(jì)算原子-分子尺度計(jì)算18Chap.8 結(jié)構(gòu)性能關(guān)系 方法: (1) 經(jīng)驗(yàn)方法 : 混合法則 (2) 理論方法 : 物理方法

4、力學(xué)方法 數(shù)值方法191.混合法則(1)解釋、闡明實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象(2)指導(dǎo)、設(shè)計(jì)密度: 體積分?jǐn)?shù)統(tǒng)一起來(lái)流量 材料的性質(zhì) 場(chǎng)20Local: Macro:假定 場(chǎng)在每一點(diǎn)都相等 () ,() Voigt平均各相同性(立方) -并聯(lián)混合法則()()E21n=1, 三方 P1 0 0四方 0 P2 0六方 0 0 P3 無(wú)規(guī)則定向:對(duì)非1-3,2-2結(jié)構(gòu),并聯(lián) 近似結(jié)果,初級(jí)近似22(2)假定 Reuss 平均E各項(xiàng)同性/立方 串聯(lián)混合法則23上限是并聯(lián)混合法則下限是串聯(lián)混合法則對(duì)于其他材料來(lái)說(shuō)P介于兩者之間(3)推廣關(guān)系:一般的Mixture Rule m=1 并聯(lián)混合法則 m=-1 串聯(lián)混合法則 m

5、=0 對(duì)數(shù)混合法則 242.有效介質(zhì)理論(1)格林函數(shù)P0:均勻的與x無(wú)關(guān),此時(shí) J = P0E - 場(chǎng)方程(本構(gòu)方程)又因?yàn)?平衡方程(穩(wěn)態(tài),無(wú)內(nèi)源)LapLace方程25各相同性二維(膜)三維(塊)各相異性26(2)單顆粒問(wèn)題27G-調(diào)整格林函數(shù)28各向同性 Lii-退極因子(描述顆粒形狀的參數(shù)) d-空間維數(shù) P0-周圍介質(zhì)的P29各相異性對(duì)球: 30引入 t矩陣3132(3) 多顆粒問(wèn)題33所有顆粒的總和 二體相互作用三體相互作用34(4)近似解方法 P0的選擇: P0 相當(dāng) P0=Pm - 平均t-矩陣近似(ATA) P0= - 耦合勢(shì)近似(CPA)35(5)ATA公式Pm各向異性f

6、-體積分?jǐn)?shù)36(i)顆粒各向同性Lii:纖維或晶須 L11=L22=0.5;L33=037(ii) 薄片: L11=L22=0,L33=1(iii)近似球: L11=L22 = L33=1/338若為n相則39(iv) 近似球稀濃度近似 f 0Landau-Lifshitz公式積分嵌入原理每次增加一個(gè) f, Pm40(6) CPA公式Pm顆粒各相異性Pii異形, Lii無(wú)規(guī)則分布,定向 41(i)各向同性L11=L22=L33=1/3n=242(ii) P1/P2 0金 屬氧化物電導(dǎo)率之比 043MGBG0 1/3(對(duì)于塊體) f2MG公式只適用于為連通的材料BG較好的解決這個(gè)問(wèn)題,在1/3時(shí)有一突變,而MG未預(yù)測(cè)實(shí)際:fc=0.16突變,sher-Zallen不變量44(iii) 在滲流閾內(nèi)(iv)45(7)各相異性材料(i) ATA,46MG極限情況3311L11=L22=0, L33=1混合法則47(ii) CPABrugg

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論