晶瑞股份專題研究：守正出奇的半導(dǎo)體材料國產(chǎn)先行者

1、晶瑞股份專題研究：守正出奇的半導(dǎo)體材料國產(chǎn)先行者1 守正出奇的國內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍我們認(rèn)為半導(dǎo)體新材料企業(yè)的競爭力來自于三個方面：獨(dú)家工藝或設(shè)備、穩(wěn)定生產(chǎn)及穩(wěn)固的卡位。復(fù)盤公司，經(jīng)過二十余年投入，晶瑞股份成功研制出高純濃硫 酸、高純氨水及高純雙氧水的提純方法，同時(shí)不斷攻克光刻膠配方技術(shù)，成功打破 了國際壟斷，業(yè)已成為國內(nèi)諸多半導(dǎo)體下游廠商材料主供應(yīng)商之一。1.1 專注半導(dǎo)體領(lǐng)域新材料公司蘇州晶瑞化學(xué)股份有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的科技型新材料 公司，為國內(nèi)外新興科技領(lǐng)域提供關(guān)鍵材料和技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包括超凈高純試 劑、光刻膠、功能性材料、鋰電池材料等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、面板顯示、L

2、ED 等泛 半導(dǎo)體領(lǐng)域及鋰電池、太陽能光伏等新能源行業(yè)。公司經(jīng)過多年研發(fā)和積累，部分 超凈高純試劑達(dá)到國際最高純度等級（G5），打破了國外技術(shù)壟斷；光刻膠產(chǎn)品規(guī)模 化生產(chǎn) 24 年，達(dá)到國際中高級水準(zhǔn)，是國內(nèi)最早規(guī)模量產(chǎn)光刻膠的少數(shù)幾家企業(yè)之 一。公司實(shí)際控制人為羅培楠女士，通過新銀國際（BVI）持有晶瑞股份控股股東新 銀國際（香港）100%股權(quán)，通過內(nèi)生+外延的發(fā)展方式，集團(tuán)逐漸形成存量基礎(chǔ)業(yè)務(wù)、 并購賦能業(yè)務(wù)及新建業(yè)務(wù)和產(chǎn)能等三大架構(gòu)。2020 年公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 4.03 億元，較去年同期上升 135.06%；營業(yè)成本 3.27 億元，較去年同期上升 159.43%；歸屬于上市公司股東的

3、凈利潤 2303.03 萬元，比上年同期上升 441.19%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤 2092.32 萬元，比上年同期上升 2766.53%。營收增速迅猛的原因在于我國半導(dǎo)體材料行業(yè)國 產(chǎn)替代進(jìn)程提速、新能源行業(yè)高速發(fā)展，下游客戶對產(chǎn)品需求旺盛，公司充分把握 行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，積極開拓市場，同時(shí)隨著全球疫情影響修復(fù)，整 體經(jīng)濟(jì)環(huán)境復(fù)蘇，公司各類銷售訂單量價(jià)齊升，營業(yè)收入較去年同期大幅增長。1.2 助力國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)獨(dú)立公司已經(jīng)形成半導(dǎo)體+新能源雙輪驅(qū)動業(yè)務(wù)格局。為了打造電子級硫酸產(chǎn)業(yè)鏈， 公司正在投資建設(shè)年產(chǎn)9萬噸電子級硫酸改擴(kuò)建項(xiàng)目，一期3萬噸產(chǎn)線主體已

4、于2021 年 5 月已完成項(xiàng)目備案、環(huán)境影響評價(jià)批復(fù)等程序，未來將逐步改變我國目前半導(dǎo) 體級硫酸主要依賴進(jìn)口的局面，同時(shí)有利于滿足未來持續(xù)增長的半導(dǎo)體市場需求。 公司在眉山投資建設(shè) 8.7 萬噸光電顯示、半導(dǎo)體用新材料項(xiàng)目，有利于企業(yè)維護(hù)和 拓展優(yōu)質(zhì)客戶，充分發(fā)揮公司產(chǎn)品市場競爭力，開拓西南地區(qū)市場，進(jìn)一步擴(kuò)大市 場份額。公司產(chǎn)品等級不斷提升，在中高端客戶市場的客戶儲備和開拓也取得一定突破。光刻膠及配套材料方面，根據(jù) 2020 年報(bào)顯示，公司生產(chǎn)的 i 線光刻膠已向 合肥長鑫、士蘭微、揚(yáng)杰科技、福順微電子等行業(yè)頭部公司供貨。公司在 2016 年與日本三菱化學(xué)株式會社在蘇州設(shè)立了 LCD 用彩

5、色光刻膠共同研究所，并于 2019 年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。同時(shí)公司依托設(shè)立在公 司的國家CNAS實(shí)驗(yàn)室及江蘇省集成電路精細(xì)化學(xué)品工程技術(shù)中心等研發(fā)平 臺，開發(fā)了系列配套材料用于光刻膠產(chǎn)品配套，為客戶提供了完善的技術(shù) 解決方案，并向半導(dǎo)體公司實(shí)現(xiàn)批量供貨。超凈高純試劑方面，高純雙氧水、高純氨水及在建的高純硫酸等品質(zhì)已達(dá) SEMI 最高等級 G5 水準(zhǔn)，金屬雜質(zhì)含量均低于 10ppt，可基本解決高純化學(xué) 品這一大類芯片制造材料的本地化供應(yīng)。2020 年報(bào)顯示已投產(chǎn)主導(dǎo)產(chǎn)品獲 得中芯國際、華虹宏力、長江存儲、士蘭微等國內(nèi)知名半導(dǎo)體客戶的采購。 公司其他多種超凈高純試劑如 BOE、硝酸、鹽酸

6、、氫氟酸等產(chǎn)品品質(zhì)全面達(dá) 到 G3、G4 等級，可滿足平板顯示、LED、光伏太陽能等行業(yè)客戶需求。鋰電池材料方面，2020 年公司研發(fā)的 CMCLi 粘結(jié)劑生產(chǎn)線順利落成，并實(shí) 現(xiàn)量產(chǎn)，規(guī)模達(dá)千噸級，實(shí)現(xiàn)了我國在該領(lǐng)域零的突破，打破了高端市場 被國外企業(yè)壟斷的格局。同年公司順利完成對載元派爾森的收購，一舉進(jìn) 入三星環(huán)新的供應(yīng)體系，其主要產(chǎn)品 NMP 全年產(chǎn)銷兩旺，市場空間較大。2 打造半導(dǎo)體“過程材料”平臺型公司我們認(rèn)為全球半導(dǎo)體“不對稱競爭”是引發(fā)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獨(dú)立性變革的根本 原因，也是持續(xù)動力。同時(shí)制造、封裝等工藝的創(chuàng)新已達(dá)極限，未來半導(dǎo)體行業(yè)將 由“過程材料”從分子層面進(jìn)行支撐，“過程

7、材料”即生產(chǎn)過程中被消耗掉的、不遺 留在產(chǎn)品中的輔助材料。晶瑞股份有望將憑借自身在高純試劑領(lǐng)域品種齊全、領(lǐng)先的提純技術(shù)等特點(diǎn)， 未來持續(xù)擴(kuò)大濕化學(xué)品領(lǐng)域的市場。此外，鑒于當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域的風(fēng)向標(biāo)由光刻機(jī) 光源研發(fā)轉(zhuǎn)移至光刻膠的研發(fā)，晶瑞股份有望憑借技術(shù)先發(fā)及配方優(yōu)勢繼續(xù)鞏固光 刻膠行業(yè)領(lǐng)軍者地位。2.1 半導(dǎo)體“過程材料”從分子層面支撐整個產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自上而下可以分為設(shè)計(jì)、制造及封裝測試等三個環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材 料主要應(yīng)用在中游圓晶制造端。整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)流程可以歸納為，設(shè)計(jì)公司 設(shè)計(jì)出集成電路，然后委托晶圓制造公司進(jìn)行制造，最后再由封測廠商對集成電路 進(jìn)行封裝測試。在制造和封裝的過程中，還

8、會涉及到很多高精度的設(shè)備和高純度的 材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計(jì)、制造和封測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件 設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導(dǎo)體芯 片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)。廣義的半導(dǎo)體材料是指半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中用到的各種材料，例如前端芯片制造用 大尺寸硅片，晶片拋光用拋光液和拋光墊，貫穿半導(dǎo)體各個工藝制程的電子特種氣 體，IC 制作過程中用的光掩膜版、光刻膠等。典型的半導(dǎo)體材料是指電阻率在 10-3cm108cm、導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，主要包括半金屬、 元素半導(dǎo)體材料和化物半導(dǎo)體材料等。我國晶圓制造材料銷售額增速遠(yuǎn)超封裝材料增速。從占比

9、來看，2011 年我國晶 圓制造材料與封裝材料市場份額基本都在 50%左右，平分秋色。而到 2020 年我國晶 圓制造材料占比上升至63.11%，封裝材料下降至36.89%。從絕對數(shù)額來看，2016-2020年我國晶圓制造材料年均復(fù)合增速為 18.3%，封裝材料同期的復(fù)合增速為 9.18%，晶 圓制造材料的增速接近于封裝材料的兩倍，重要性日益提高。根據(jù)數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占 比為 32.9%。其次為氣體，占比為 14.1%，光掩膜排名第三，占比為 12.6%，其后分 別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為 7.2%、6.9%、6.1

10、%、4%和 3%。我們認(rèn)為未來，國內(nèi)圓晶廠商擴(kuò)建、技術(shù)革新增加用量、政策面推動、國家基 金支持及等五大因素將有力推動半導(dǎo)體“過程”材料市場的成長。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移推動國內(nèi)圓晶廠建設(shè)我國集成電路大部分依賴進(jìn)口。目前我國根據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2020 年中國進(jìn)口集成 電路 5435 億塊，同比增長 22.1%；進(jìn)口金額 3500.4 億美元，同比增長 14.6%。2020 年中國集成電路出口 2598 億塊，同比增長 18.8%，出口金額 1166 億美元，同比增長 14.8%。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步東移，國產(chǎn)化進(jìn)程加速?？傮w來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總共經(jīng)歷了三 次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是 20 世紀(jì) 70-80 年代，由美國

11、向日本轉(zhuǎn)移，日本借助家電產(chǎn)業(yè)和大型機(jī) DRAM 市場，實(shí)現(xiàn)了對美國的趕超；第二次在 20 世紀(jì) 80-90 年代， 由美國、日本向韓國和中國臺灣轉(zhuǎn)移，韓國借助 PC 及移動通信發(fā)展成為 DRAM 的主 要生產(chǎn)者，而中國臺灣則通過在晶圓代工、封裝測試領(lǐng)域的垂直分工奠定了半導(dǎo)體 代工領(lǐng)域的龍頭地位。第三次轉(zhuǎn)移逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，已成為主旋律。中國大陸圓晶廠產(chǎn)量占比全球總產(chǎn)量逐年提升。ESIA 將半導(dǎo)體產(chǎn)能歸一化為 200 毫米晶圓當(dāng)量后的統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，中國大陸圓晶廠產(chǎn)量從 1995 年占全球產(chǎn)量的 14.4%上升到 2020 年的 22.8%，同期歐洲從 9.4%下降到 7.2%。近五年，除中國大

12、陸 以外的所有半導(dǎo)體產(chǎn)區(qū)的份額均出現(xiàn)下降。美國從 2015 年的 12.6%下降到了 2020 年的 10.6%，中國臺灣地區(qū)也從 2015 年的 18.8%略降到了 2020 年的 17.8%。中國大陸晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，持續(xù)驅(qū)動晶圓制造材料板塊發(fā)展。截止 2020 年第四季 度，12 英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的 26 條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約 103 萬片，較 2019 年增長 15%，8 英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)的 24 條，合計(jì)裝機(jī)產(chǎn)能約 117 萬片，較 2019 年增長 17%；2020 年 在建未完工、開工建設(shè)或簽約的 12 英寸生產(chǎn)線有 15 條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá) 62 萬片；在 建未完工、開工建設(shè)或簽約

13、的 8 英寸生產(chǎn)線有 7 條，月規(guī)劃產(chǎn)能達(dá) 26 萬片。技術(shù)迭代增加濕化學(xué)品用量，同時(shí)催生更多品類光刻膠高純試劑主要用來清洗芯片制造過程中的沾污，隨著制程工藝精細(xì)化發(fā)展，所 需的高純試劑量也隨之增加。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行，如果在制造過程中， 有沾污現(xiàn)象，將影響芯片上器件的正常功能。據(jù)估計(jì)，80%的芯片電學(xué)失效都是由沾 污帶來的缺陷引起的。沾污雜質(zhì)是指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率 及電學(xué)性能的物質(zhì)，具體的沾污包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等，因而通 常采用高純酸堿及其混合溶液來進(jìn)行清洗。一般來說，工藝越精細(xì)對于控污的要求越高，而且難度越大，隨著半導(dǎo)體芯片 工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入

14、28 納米、14 納米等更先進(jìn)等級，工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，產(chǎn) 線成品率也會隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個原因就是先進(jìn)制程對雜質(zhì)的敏感度更 高，小尺寸污染物的高效清洗更困難，解決的方法主要是增加清洗步驟。在 80-60nm 制程中，清洗工藝大約 100 多個步驟，而到了 10nm 制程，增至 200 多個清洗步驟。 因而也需要更多的濕化學(xué)品。隨著光刻技術(shù)的不斷深入發(fā)展，光刻膠的品類也在逐漸增加。從 1959 年被發(fā) 明以來，光刻膠就是半導(dǎo)體工業(yè)最核心的工業(yè)材料之一， 在大規(guī)模集成電路的制造 過程中，光刻和刻蝕技術(shù)是精細(xì)線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小 特征尺寸，占芯片制造時(shí)間的 4

15、0-50%，占制造成本的 30%?，F(xiàn)代微電子（集成電路） 工業(yè)按照摩爾定律在不斷發(fā)展，即集成電路的集成度每 18 個月翻一番；芯片的特征 尺寸每 3 年縮小 2 倍，芯片面積增加 15 倍，芯片中的晶體管數(shù)增加約 4 倍，即每過 3 年便有一代新的集成電路產(chǎn)品問世。現(xiàn)在世界集成電路水平已由微米級（10）、 亞微米級（100.35）、深亞微米級（0.35以下）進(jìn)入到納米級（9065 ）階段，對光刻膠分辨率等性能的要求不斷提高。因?yàn)楣饪棠z的可分辨線寬 ，因此縮短曝光波長和提高透鏡的開口數(shù)（可提高光刻膠的分辨率）。光刻技術(shù)隨著集成電路的發(fā)展，光刻技術(shù)已經(jīng)經(jīng)歷了從紫外寬譜（300450nm），G 線(

16、436nm)，線（365nm），KrF（248nm），ARF（193nm） F2（157nm），到 EUV（13.5nm） 階段，用于滿足世界集成電路更高密度的堆積和更先進(jìn)的制程工藝。政策支持，相關(guān)利好政策推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體材料行業(yè)作為支撐半導(dǎo)體發(fā)展的上游行業(yè)，近年來得到了國家一系列相 關(guān)政策的支持。為實(shí)現(xiàn)集成電路跨越式的發(fā)展，2014 年國務(wù)院發(fā)布國家集成電路 發(fā)展推進(jìn)綱要，提出到 2020 年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平差距逐步縮??；到 2030 年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國際第一梯隊(duì) 的發(fā)展目標(biāo)。2016 年以后，大量政策開始出臺，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展

17、，為我 國集成電路產(chǎn)業(yè)帶來強(qiáng)力支撐，體現(xiàn)了國家對半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視。資金支持，大基金助力半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，主要為推進(jìn)中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而設(shè)立。大基金 一期主要投資于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，投資期為五年，累計(jì)投資約 60 家企業(yè)。大 基金二期主要投資方向?yàn)橐黄谕顿Y較少的半導(dǎo)體制造設(shè)備和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。二期 在資金規(guī)模上遠(yuǎn)超一期，一二期資金協(xié)同配合以完成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。迫在眉睫復(fù)盤日韓貿(mào)易沖突，光刻膠和高純試劑被列入日本對韓限制關(guān)鍵材料。2019 年 8 月，日本對韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行出口管制，其中包含氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純 氟化氫等三種半導(dǎo)體材料。韓國

18、貿(mào)易協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，日本企業(yè)生產(chǎn)的顯示器制造所 需的氟化多聚物和光刻膠，產(chǎn)量幾乎占到全球總供應(yīng)的 100%；氟化氫占全球供應(yīng)量 的近 70%。韓國從日本進(jìn)口的大部分是關(guān)鍵材料和零部件，這些材料和零部件主要用 于生產(chǎn)韓國主要出口產(chǎn)品，此次與日本的貿(mào)易爭端直接沖擊了韓國屏幕、芯片生產(chǎn) 和半導(dǎo)體行業(yè)。面對制裁，韓國不斷投入以尋求自我突破或研發(fā)替代材料。為減少對日本的依 賴，韓國政府推出了一項(xiàng)綜合研發(fā)計(jì)劃，包括在未來七年內(nèi)投入 64.8 億美元用于本 土材料、元器件等的研發(fā)，同時(shí)將投入 41.2 億美元提高關(guān)鍵工業(yè)材料的研發(fā)能力。氟化氫較快地實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，LG 在 9 月便宣布使用韓國生產(chǎn)的氟化氫替代

19、了日本進(jìn)口材料，Soulbrain 和 SK Materials 緊隨其后，擴(kuò)大了半導(dǎo)體氟 化氫的生產(chǎn)。除獨(dú)立生產(chǎn)外，韓國同時(shí)從中國大陸和中國臺灣省以及美國進(jìn)口 以替代日本產(chǎn)品。2020 年，韓國從日進(jìn)口氟化氫降至 93.8 億美元，是 17 年來首次低于 100 億美元，相較 2018 年 668.6 億美元的進(jìn)口額下降了 86%。光刻膠方面，韓國的解決措施更多依賴于與日本公司的合作，通過合資企 業(yè)繞開日本政府的限制。Taiyo Holdings 通過和其韓國子公司 Taiyo Ink 合營投資建設(shè) EUV 光刻膠產(chǎn)線，TOK 和三星合資設(shè)立的 TOK Advanced Materials

20、在韓生產(chǎn) EUV 光刻膠以供應(yīng)三星需求，三星同時(shí)從 JSR 在比利時(shí) 的合資企業(yè)進(jìn)口光刻膠。此外，據(jù)韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部，韓國從美國 吸引了價(jià)值 3000 億美元的 EUV 相關(guān)投資。2021 年 15 月，日本進(jìn)口光刻膠 占比 85.2%，相較 2019 年同期的 91.9%，下降了 6.7 個百分點(diǎn)。整體上看，韓國的不利局面并沒有得到根本的扭轉(zhuǎn)。文在寅在 2021 年 7 月的一次講話中提出韓國關(guān)鍵工業(yè)材料的獨(dú)立獨(dú)立自主取得了重大進(jìn)展，但韓國的去日化 依然遠(yuǎn)未成功。韓國對日貿(mào)易逆差額依然居高不下，僅在 2019 年出現(xiàn)下降，此后反 而呈擴(kuò)大態(tài)勢。據(jù) KITA 數(shù)據(jù)，2021 年 15 月

21、期間韓國對日貿(mào)易逆差達(dá)到 102 億美元， 相較去年同期大幅度增長 34%，其中進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備金額相較去年同期增長 55%，高 端化學(xué)品進(jìn)口額增長 12%。同時(shí) KITA 預(yù)測 2021 年韓國對日貿(mào)易逆差將超過 2020 年。我國半導(dǎo)體國產(chǎn)化率極低，以史為鑒，已迫在眉睫。根據(jù)中國電子工 業(yè)材料協(xié)會統(tǒng)計(jì)，全球微電子化學(xué)品市場主要被歐美、日本和亞太企業(yè)占據(jù)，目前 國際大型微電子化學(xué)廠商主要集中在歐洲、美國和日本等地區(qū)，主要包括日本的 TOK、 JSR、富士、信越化學(xué)、住友化學(xué)、，歐洲的 AZEM、 E.Merck 和韓國的東進(jìn)世美等。 隨著產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移、美國對中國科技技術(shù)的打壓和配套產(chǎn)業(yè)鏈的完

22、善，未來進(jìn)口 替代是趨勢所向，其中大部分中低端產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，國內(nèi)企業(yè)已在光刻膠等 高端產(chǎn)品進(jìn)口替代上取得突破，進(jìn)口替代趨勢愈加明顯。2.2 超高/高純試劑已成為中堅(jiān)力量公司超凈高純試劑主要應(yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程。隨著公司年產(chǎn) 9 萬噸超大 規(guī)模集成電路用半導(dǎo)體級高純硫酸技改項(xiàng)目的實(shí)施，部分硫酸產(chǎn)能將由基礎(chǔ)化工行 業(yè)類別轉(zhuǎn)化為超凈高純試劑行業(yè)類別，公司產(chǎn)品將進(jìn)一步朝著半導(dǎo)體材料領(lǐng)域傾斜。我們認(rèn)為種類豐富、品質(zhì)高及注重專利保護(hù)等三大因素助力公司脫穎而出。品類豐富可以滿足下游多樣化需求超凈高純試劑是控制顆粒和雜質(zhì)含量的電子工業(yè)用化學(xué)試劑。按性質(zhì)可劃分為： 酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其它類。晶瑞

23、股份的超凈高純試劑多款產(chǎn)品達(dá)到 G4 等級，其中超凈高純雙氧水、超凈高 純硫酸、超凈高純氨水三大類產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)整體技術(shù)突破，達(dá)到 G5 等級，是國內(nèi)唯一 一家同時(shí)供應(yīng)硫酸、雙氧水、氨水三種高純試劑的企業(yè)，適用于 4 納米以上集成電 路加工工藝。公司目前已投產(chǎn)產(chǎn)品已獲得上海華虹、中芯國際、長江存儲、合肥長 鑫等知名半導(dǎo)體客戶的采購或認(rèn)證。公司產(chǎn)品品質(zhì)極高，硫酸、氨水及雙氧水均為G5 級別 集成電路集成度越高，對高純試劑顆?？刂频囊笤絿?yán)格。一般認(rèn)為，產(chǎn)生集 成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的 1/4,產(chǎn)生腐蝕或漏電等化 學(xué)性故障的雜質(zhì)大小為最小線寬的 1/10。隨著集成電路線寬尺寸

24、減小，對專用化學(xué) 品中的金屬雜質(zhì)、塵埃含量、塵埃粒徑等指標(biāo)提出了更高的要求，對超凈高純試劑 的需求日益增加。晶瑞股份的超凈高純試劑品質(zhì)行業(yè)領(lǐng)先。1975 年國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織 (SEMI)制定了國際統(tǒng)一的超凈高純試劑標(biāo)準(zhǔn)，以對應(yīng)不同線寬的集成電路應(yīng)用。目 前我國大多數(shù)企業(yè)的工藝水平在 SEMIG1 至 G2 之間，較好的能達(dá)到 SEMIG3 級別，僅 有少數(shù)國內(nèi)企業(yè)部分產(chǎn)品能達(dá)到 SEMIG4 及以上的等級。其中晶瑞股份的濃硫酸、氨 水及雙氧水等三項(xiàng)產(chǎn)品的提純技術(shù)已經(jīng)能達(dá)到 SEMIG5 級別。公司注重專利申請以防止競爭者復(fù)刻通過多年創(chuàng)新，公司取得了一系列擁有自主知識產(chǎn)權(quán)并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

25、的科研 成果。公司擁有江蘇省工程技術(shù)中心，江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等省級研發(fā)平臺，擁有 國家 CNAS 認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室一個。近十年先后承擔(dān)了國家重大科技專項(xiàng)、863 計(jì)劃等一 大批國家科技項(xiàng)目。研發(fā)生產(chǎn)銷售微電子業(yè)用超純電子材料如電子級雙氧水、電子 級氨水、電子級硝酸等。2.3 半導(dǎo)體光刻膠有望成為未來支柱集成電路制造工藝繁多復(fù)雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導(dǎo)體制造三大核 心工藝。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光 刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。其中薄膜沉積工藝 主要功效是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，光刻技術(shù)主要功效是把光罩上的圖形 轉(zhuǎn)移到光刻

26、膠，刻蝕工藝主要功效是把光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，最后去除光刻膠 后，就完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。光刻膠的質(zhì)量決定著刻蝕的質(zhì)量。光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，由成膜劑、光敏劑、 溶劑和添加劑等主要化學(xué)品 成分和其他助劑組成，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微 細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。由于集成電路一般有十幾 層結(jié)構(gòu)，每層結(jié)構(gòu)加工則需要十幾個刻蝕步驟，只有每個刻蝕步驟的合格率均達(dá)到 99.99%，才能實(shí)現(xiàn)總體合格率 90%以上，因此高品質(zhì)光刻膠的作用不言而喻。過去光刻膠品類隨著光刻機(jī)迭代而更新，而光刻機(jī)的迭代實(shí)質(zhì)其實(shí)

27、是光源的迭代更新。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻 膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在 底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。簡單點(diǎn)來說，光刻機(jī) 就是放大的單反，光刻機(jī)就是將光罩上的設(shè)計(jì)好集成電路圖形通過光線的曝光印到 光感材料上，形成圖形。過去的幾十年中，光刻的曝光波長已從汞燈的 436nm 縮小到 356nm，進(jìn)而到深 紫外波長 248nm 的 KrF 準(zhǔn)分子激光，193nm 的 Ar F 準(zhǔn)分子激光和更短波長的 157nm F2 準(zhǔn)

28、分子激光。目前光源創(chuàng)新已達(dá)極致，未來光刻膠的研發(fā)將接棒光刻機(jī)的研發(fā)，占據(jù)推動整 個半導(dǎo)體行業(yè)的主導(dǎo)地位。根據(jù)瑞利公式，為了提高分辨率，獲得較窄的光刻線寬， 常用的方法有采用更短的曝光波長或更大的數(shù)值孔徑。然而，孔徑的增加會受到焦 深的限制。因此，提高分辨率的最直接辦法就是采用更短波長的光源。隨著特征尺寸的不斷變小，傳統(tǒng)的光學(xué)投影光刻已經(jīng)達(dá)到了物理極限，要研發(fā) 相應(yīng)的光刻設(shè)備所付出的技術(shù)和資金代價(jià)都十分高昂。目前正在研發(fā)的 EUV 光源有 激光等離子體源（LPP）技術(shù)和放電等離子體源（DPP）技術(shù)等兩種光源。LPP 技術(shù)是 采用高功率激光轟擊氙（Xe）或錫（Sn）等靶材產(chǎn)生等離子體，由等離子體釋

29、放極 紫外光。DPP 技術(shù)在放電氣體中加入脈沖高電壓，產(chǎn)生等離子釋放極紫外光。而 LPP 技術(shù)被認(rèn)為是 EUV 光源的最佳候選者，主要是因?yàn)?LPP EUV 光源發(fā)光區(qū)域小，發(fā)出 的極紫外輻射可以很好地收集，能達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)制造所需要的功率。而 DPP EUV 光源功率還達(dá)不到要求。LPP 技術(shù)的靶材由氙轉(zhuǎn)變?yōu)殄a后，具有更高的轉(zhuǎn)換效率（CE）。 因而 LPP EUV 光源是下一代光刻光源中最有希望的，進(jìn)而繼 193 nm 浸沒式光刻技術(shù) 后成為集成電路制造領(lǐng)域的主流光刻技術(shù)。我們認(rèn)為種類豐富、配方能力及注重專利保護(hù)等兩大因素助力公司在光刻膠產(chǎn)業(yè)脫穎而出。品類豐富，能滿足下游多樣需求蘇州瑞紅 1

30、993 年開始光刻膠生產(chǎn)，承擔(dān)并完成了國家 02 專項(xiàng)“i 線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。公司光刻膠產(chǎn)品序列齊全，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模、盈利能力均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，其中 i 線光刻膠已向國內(nèi)的知名大尺寸半導(dǎo)體廠商供貨， KrF（248nm 深紫外）光刻膠完成 中試，產(chǎn)品分辨率達(dá)到了 0.250.13m 的技術(shù)要求，建成了中試示范線。此外，公 司在 2016 年與日本三菱化學(xué)株式會社在蘇州設(shè)立了 LCD 用彩色光刻膠共同研究所， 為三菱化學(xué)的彩色光刻膠在國內(nèi)的檢測以及中國國內(nèi)客戶評定檢測服務(wù)，并于 2019 年開始批量生產(chǎn)供應(yīng)顯示面板廠家。公司于 2020 年下半年購買 ASML1900Gi 型光刻 機(jī)

31、設(shè)備， ArF 高端光刻膠研發(fā)工作正式啟動，旨在研發(fā)滿足 90-28nm 芯片制程的ArF(193nm)光刻膠，滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場需求。配方工藝為最核心工藝公司生產(chǎn)的光刻膠對應(yīng)的核心生產(chǎn)工藝為產(chǎn)品配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)和質(zhì)量控 制技術(shù)，其中配方技術(shù)為最核心工藝。公司擁有 100 級凈化灌裝線，生產(chǎn)人員在潔 凈環(huán)境下根據(jù)公司自主研發(fā)的產(chǎn)品配方對原材料進(jìn)行配比溶解，經(jīng)調(diào)整后，進(jìn)行精 密過濾，最后灌裝形成光刻膠成品；同時(shí)，公司擁有國內(nèi)一流的光刻膠檢測評價(jià)技 術(shù)，為了保證公司產(chǎn)品質(zhì)量，在每一步工藝流程后均會對公司產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量檢測分 析，以滿足客戶對光刻膠的分辨率、感光靈敏度等技術(shù)指標(biāo)要求。

32、以專利保護(hù)構(gòu)建護(hù)城河公司具有悠久的光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)歷史，具有較多的技術(shù)沉淀、應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)和市 場基礎(chǔ)，利于新品的研發(fā)和產(chǎn)品的推廣。公司生產(chǎn)工藝流程和設(shè)備完善、質(zhì)量控制 體系完善。光刻膠配套材料包括緩沖蝕刻液、鋁蝕刻液、清洗液、顯影液、稀釋劑、 剝離液、硅蝕刻液等十幾個品種，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路、液晶面板、 LED、觸摸屏、光伏電池、鋰電池等行業(yè)。2.4 對標(biāo)信越夯實(shí)領(lǐng)軍者地位信越化學(xué)工業(yè)株式會社成立于 1926 年，于 1949 年在東京證券交易所上市，是 日本最大的化工企業(yè)。信越化學(xué)是全球半導(dǎo)體材料巨頭，在半導(dǎo)體硅、光掩膜等領(lǐng) 域占據(jù)了全球最大的市場份額。公司主要業(yè)務(wù)包括 PVC/聚氯

33、乙烯、有機(jī)硅、特種化 學(xué)品、半導(dǎo)體硅和電子與功能性材料五個板塊。信越化學(xué)經(jīng)營風(fēng)格穩(wěn)健，長期保持著超過 80%的凈資產(chǎn)比。十年來公司營業(yè)收入 和歸母凈利潤穩(wěn)步上升。2020 財(cái)年（2020 年 4 月至 2021 年 3 月）受疫情影響，市 場形勢不佳，需求縮減，公司營收和歸母凈利潤出現(xiàn)小幅度下降，分別為 15435 億 日元（141.6 億美元）和 3140 億日元（28.8 億美元），同比下降 3%和 6%，證明公司 具有較強(qiáng)的風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)對能力。分業(yè)務(wù)板塊看，PVC/聚氯乙烯是公司最大的業(yè)務(wù)板塊，營業(yè)收入占比 31%。電子與 功能性材料板塊 2020 財(cái)年?duì)I業(yè)收入 2348 億日元，占比 16%

34、。在各個板塊中，電子與功 能性材料的營業(yè)利潤率始終保持在較高的水平，并呈現(xiàn)出緩慢增長的趨勢，半導(dǎo)體硅的 營業(yè)利潤率近年來出現(xiàn)了較大幅度的增長，從 2017 年的 22%增長到了 2020 年的 39%。信越及晶瑞半導(dǎo)體材料品類眾多，且貼近下游客戶信越公司半導(dǎo)體材料種類豐富，涵蓋高品質(zhì)硅片、光刻膠、切割拋光、樹脂密 封等等，完全覆蓋下游需求。信越光刻膠產(chǎn)品包括 SIPR、SEPR、SAIL 等六個系列， 覆蓋了 i 線、干式 ArF、浸沒式 ArF、KrF 和 EUV，主要用于半導(dǎo)體制造和磁頭制造。 SIPR 等 i 線產(chǎn)品主要用于半導(dǎo)體、GaAs（砷化鎵）、薄膜磁頭（thin-film mag

35、netic heads）、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）、凸塊制造（bump）等，KrF 和 ArF 產(chǎn)品用于半導(dǎo)體蝕 刻，此外，在前沿的微型化領(lǐng)域，公司也實(shí)現(xiàn)了多層光刻膠產(chǎn)品的量產(chǎn)。信越公司產(chǎn)地分布貼近下游圓晶廠，可以更及時(shí)服務(wù)客戶。信越光刻膠生產(chǎn)基 地布局在日本新潟縣和中國臺灣省云林縣。其中中國臺灣生產(chǎn)基地于 2018 年 11 月 設(shè)立，是信越在海外設(shè)立的首個光刻膠生產(chǎn)基地，該基地旨在利用中國臺灣作為主 要光刻膠需求地的區(qū)位優(yōu)勢。2020 年 10 月，信越宣布投資 300 億日元（2.85 億美 元）擴(kuò)張中國臺灣和日本的光刻膠產(chǎn)線，建設(shè)完成后中國臺灣工廠將增產(chǎn) 50%，并新 建 EUV 光刻膠

36、產(chǎn)能以滿足臺積電等客戶的需求，日本工廠將增產(chǎn) 20%。公司通過外延并購豐富產(chǎn)品類型，目前已形成高純半導(dǎo)體用試劑及光刻膠組合 拳產(chǎn)品。公司圍繞泛半導(dǎo)體材料和新能源材料兩個方向，通過并購行業(yè)優(yōu)質(zhì)資源來擴(kuò)充自身實(shí)力。2017 年收購蘇州瑞紅股份，完成光刻膠業(yè)務(wù)布局；2017 年及 2019 年分階段收購電子級硫酸公司江蘇陽恒，一舉增強(qiáng)了公司濕化學(xué)品研制能力；2019 年發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買載元派爾森，完成鋰電池行業(yè)布局；2021 年收購晶之瑞 （蘇州）微電子科技有限公司，進(jìn)一步豐富了自身的產(chǎn)品類型。未來，公司依然通過內(nèi)生增長和外延并購，將公司打造成產(chǎn)品種類全、技術(shù)水 平高，具有國際競爭力的微電子化

37、學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)。晶瑞股份生產(chǎn)基地基本選在我國圓晶廠密集地區(qū)。我國的晶圓廠，熟悉半導(dǎo)體 的朋友都會有所了解，我們在大陸有大量的晶圓廠正在建設(shè)，分布在不同的區(qū)域， 華北、華南、華中都有，華東的數(shù)量是最多的。信越憑借半導(dǎo)體器件卡位半導(dǎo)體市場，晶瑞則憑借光刻膠率先研發(fā)實(shí)現(xiàn)卡位信越化學(xué)以半導(dǎo)體器件迅速切入半導(dǎo)體市場，完成卡位后快速導(dǎo)入光刻膠及高 純度硅片產(chǎn)品。信越集團(tuán)于 1979 年便設(shè)立 S.E.H. America 公司，開始生產(chǎn) IC 掩膜 板用合成石英基板，隨后于 1984 年設(shè)立 S.E.H. Europe（英國），并完成鉭酸鋰（LT） 產(chǎn)品的生產(chǎn)，隨后十余年內(nèi)逐步開發(fā)出超高純氮化硼（PBN）成

38、型產(chǎn)品、超小型光隔 離器及光掩膜防塵用保護(hù)罩、蒙版，成功打入了美國及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。隨后公司于 1998 年實(shí)現(xiàn)了光刻膠生產(chǎn)商業(yè)化，并成功導(dǎo)入韓國三星等企業(yè)中。 根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020 年，信越化學(xué)在全球光刻膠市場占有約 13%的份額。 其中在目前光刻技術(shù)最前沿的 EUV 光刻領(lǐng)域，信越化學(xué)是全球?yàn)閿?shù)不多具備 EUV 光 刻膠生產(chǎn)能力的企業(yè)之一，和 JSR 共同占據(jù)了約 90%的市場份額。相比行業(yè)內(nèi)其他公司，晶瑞股份子公司蘇州瑞紅為國內(nèi)最早一批投入光刻膠研 發(fā)的企業(yè)。蘇州瑞紅 1993 年開始光刻膠的生產(chǎn)，是國內(nèi)最早規(guī)?；a(chǎn)光刻膠的 企業(yè)之一，承擔(dān)了國家重大科技項(xiàng)目 02 專項(xiàng)

39、“i 線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化” 項(xiàng)目，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)目前集成電路芯片制造領(lǐng)域大量使用的核心光刻膠的量產(chǎn)， 可以實(shí)現(xiàn) 0.35m 的分辨率，在業(yè)內(nèi)建立了較高技術(shù)聲譽(yù)。2021 年 6 月 22 日，晶 瑞股份在投資者互動平臺中表示，公司的KrF光刻膠完成中試，建成了中試示范線， 目前已進(jìn)入客戶測試階段，達(dá)到0.15m的分辨率，測試通過后即可進(jìn)入量產(chǎn)階段， 滿足當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料市場需求?？v觀行業(yè)其他公司，研發(fā)時(shí)間大多晚于 晶瑞股份，且相關(guān)配方已被公司申請專利保護(hù)，因而行業(yè)內(nèi)其他公司的研制路徑及 方式必然存在不同。雖然該領(lǐng)域產(chǎn)品通過下游驗(yàn)證后性能相似，但其配方及研制方 法均為各家企業(yè)獨(dú)創(chuàng)。

40、信越及晶瑞均十分重視研發(fā)投入及專利保護(hù)信越十分重視知識產(chǎn)權(quán)，從 90 年代開始大量布局光刻膠相關(guān)專利，到 2011 年 左右達(dá)到頂峰。同時(shí)公司也注重在海外的專利布局，其在韓國、中國大陸、中國臺灣和美國都擁有大量的專利。通過早期大規(guī)模布局，公司得以鞏固其技術(shù)壁壘。晶瑞股份取得了一大批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)并產(chǎn)業(yè)化的科研成果。2020 年公司研 發(fā)投入為 3384.7 萬元，穩(wěn)定的研發(fā)投入及優(yōu)秀的研發(fā)創(chuàng)新能力使公司擁有較強(qiáng)的技 術(shù)優(yōu)勢和競爭實(shí)力，將持續(xù)為公司帶來穩(wěn)定的經(jīng)濟(jì)效益。截至 2020 年期末，公司及 下屬子公司共擁有專利 72 項(xiàng)，其中發(fā)明專利 45 項(xiàng)。2.5 面板和光伏制造精度的“半導(dǎo)體化”

41、打開新篇章平板顯示工藝中，光刻的清洗和蝕刻環(huán)節(jié)需要大量超凈高純試劑，顯影和剝離 環(huán)節(jié)中需要顯影液、剝離液等功能性材料，光刻膠也是制作 TFT-LCD 關(guān)鍵器件彩色 濾光片的核心材料，約占 TFT-LCD 總成本的 4%。目前，國內(nèi)超凈高純試劑以及功 能性材料的技術(shù)儲備已經(jīng)基本達(dá)到平板顯示市場要求，隨著國內(nèi)平板顯示行業(yè)的增 長以及微電子化學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，超凈高純試劑及光刻膠市場需求將進(jìn)一步增大。濕化學(xué)品方面，濕電子化學(xué)品發(fā)揮顯影、光刻和清洗功效。濕電子化學(xué)品在液 晶顯示器（LCD） 生產(chǎn)過程中，主要用于面板制造中基板上顆粒和有機(jī)物的清洗、光刻膠的顯影 和去除、電極的刻蝕等，濕化學(xué)品中所含的金屬

42、離子和個別塵埃顆粒， 都會讓 面板產(chǎn)生極大缺陷，所以工藝化學(xué)品的純度和潔凈度對平板顯示器的成品率 有 著十分重要的影響。隨著中國政策的扶持和龍頭企業(yè)十幾年來的建設(shè)發(fā)展，國內(nèi) 高世代線紛紛建成投產(chǎn)，顯示產(chǎn)業(yè)已經(jīng)由日韓向中國轉(zhuǎn)移，中國在全球平板顯示產(chǎn) 業(yè)中的地位逐步穩(wěn)固，根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2020 年我國 LCD 產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的 50%， 穩(wěn)居全球第一，OLED 領(lǐng)域產(chǎn)能也在不斷釋放，未來增長可期。從全球 TFT-LCD 產(chǎn)業(yè)格局來看，韓國、中國臺灣、日本是全球主要的 TFT-LCD 生產(chǎn)地，中國大陸 TFT-LCD 產(chǎn)業(yè)正在快速崛起。隨著中國高世代線的加快建設(shè)，中 國大陸在全球平板顯示產(chǎn)業(yè)中的

43、地位將會快速提升。液晶面板產(chǎn)業(yè)為國家重點(diǎn)戰(zhàn)略 扶持產(chǎn)業(yè)，近年來得到高速發(fā)展，國內(nèi)龍頭面板企業(yè)已經(jīng)建設(shè)了全球領(lǐng)先的高世代 液晶面板生產(chǎn)線。根據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)， 2020 年中國大陸 LCD 面板、 OLED 面板產(chǎn)能分別達(dá) 1.69 億平米、1509 萬平米。按照 80%的產(chǎn)能利用率， 測算 2020 年 LCD、 OLED 面板制造對微電子化學(xué)品的需求量分別達(dá) 42 萬噸、27 萬噸，行業(yè)總需求為 69 萬噸，2014-2020 年復(fù)合增長率為 28.15%，預(yù)計(jì)未來三年 將保持 25%以上的增速。光刻膠方面，根據(jù)法國知名調(diào)研機(jī)構(gòu)-Reportlinker 于 2020 年 7

44、 月公布的數(shù)據(jù) 顯示，2019 年，全球光刻膠在面板顯示(LCD)領(lǐng)域的應(yīng)用占比最大，約 27.8%;而在 PCB 和半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用比例分別為 23%和 21.9%。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2020 年，全球光刻膠整體市場規(guī)模約 87 億美元。據(jù) Reportlinker 機(jī)構(gòu)的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示， 2019-2026 年全球光刻膠市場的復(fù)合年增長率為 6.3%，前瞻據(jù)此以 6%左右的增速測 算，至 2026 年，全球光刻膠行業(yè)市場規(guī)模將突破 120 億美元，面板光刻膠市場規(guī)模 將達(dá) 27 億美元。光伏電池是通過光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。按照基體材質(zhì)的不同，太 陽能電池可分為晶體硅太陽能電池

45、和薄膜太陽能電池。以高純度硅材料作為主要原 料的晶體硅太陽能電池一直是市場主流產(chǎn)品，占據(jù)著光伏發(fā)電市場的優(yōu)勢地位。公司產(chǎn)品超凈高純試劑、功能性材料主要應(yīng)用于上游多晶硅、單晶硅、硅片以 及中游的電池片制造工藝中清洗、蝕刻等環(huán)節(jié)。近年來，受歐洲市場對光伏電池的 需求拉動，我國光伏太陽能電池制造主要用于向境外出口。經(jīng)過多年快速發(fā)展，我 國目前已成為全球最大的晶體硅太陽能電池生產(chǎn)國之一。太陽能發(fā)展“十三五”規(guī) 劃中明確提出，到 2020 年底，太陽能發(fā)電裝機(jī)達(dá)到 1.1 億千瓦以上，其中，光伏 發(fā)電裝機(jī)達(dá)到 1.05 億千瓦以上，在“十二五”基礎(chǔ)上每年保持穩(wěn)定的發(fā)展規(guī)模;太 陽能熱發(fā)電裝機(jī)達(dá)到 500 萬千瓦。太陽能熱利用集熱面積達(dá)到 8 億平方米。到 2020 年，太陽能年利用量達(dá)到 1.4 億噸標(biāo)準(zhǔn)煤以上。由此可見，光伏發(fā)電仍將是我國電 力生產(chǎn)行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展方向。太陽能利用規(guī)模的擴(kuò)大會帶動太陽能電池需求的增長。 自 531 新政發(fā)布以來，光伏產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)價(jià)格已降低了 30%-40%，光伏平價(jià)上網(wǎng)加速 推進(jìn)中。同時(shí)受下游光伏企業(yè)對光伏電池降本增效的需求，以及高效太陽能電池片 技術(shù)驅(qū)動的影響，電池