半導體激光器

1、半導體激光器第1頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 主要內(nèi)容半導體激光器的工作原理半導體激光器的基本結構第2頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 半導體激光器工作原理 半導體激光器是向半導體PN結注入電流，實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，產(chǎn)生受激輻射，并利用光學諧振腔的正反饋實現(xiàn)光放大而產(chǎn)生激光。 第3頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 半導體激光器工作原理光與物質(zhì)相互作用的三種基本方式粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 激光振蕩和光學諧振腔 第4頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 光與物質(zhì)相互作用的三種基本方式自發(fā)輻射無外界激勵而高能級電

2、子自發(fā)躍遷到低能級，同時釋放出光子。受激輻射高能級電子受到外來光作用，被迫躍遷到低能級，同時釋放出光子，且產(chǎn)生的新光子與外來激勵光子同頻同方向，為相干光。受激吸收低能級電子在外來光作用下吸收光能量而躍遷到高能級。 第5頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 E2 E1 E2 E1 hf12 hf12 hf12 hf12 初態(tài) 終態(tài)(b)自發(fā)輻射(c)受激輻射(a)受激吸收 能級與電子躍遷示意圖第6頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布 設在單位物質(zhì)中低能級電子數(shù)和高能級電子數(shù)分別為N1和N2物質(zhì)在正常狀態(tài)下N1N2，受激吸收與受激輻射的速率分

3、別比例于N1和N2且比例系數(shù)相等，此時光通過該物質(zhì)時，光強會衰減，物質(zhì)為吸收物質(zhì)。若N2N1，受激吸收小于受激輻射，光通過該物質(zhì)時，光強會放大，該物質(zhì)成為激活物質(zhì)。N2N1的分布與正常狀態(tài)相反，故稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。第7頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 半導體的能帶和電子分布 能量價帶價帶EgEfEf/2Ef/2EgEfEeEvEvEeEgEfEeEv(a)本征半導體(b)N型半導體(c)P型半導體空穴電子第8頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二能帶電子所處的能態(tài)擴展成的連續(xù)分布的能級。價帶能量低的能帶。導帶能量高的能帶。禁帶Eg導帶底的能量Ee 和

4、價帶頂能量Ev間的能量差在熱平衡狀態(tài)下，能量為E的能級被電子占據(jù)的概率為費米分布 費米能級 用于描述半導體中各能級被電子占據(jù)的狀態(tài)，在費米能級，被電子占據(jù)和空穴占據(jù)的概率相同。在本征半導體中， 位于禁帶中央；N型半導體中 增大；在P型半導體中 減小。第9頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 PN結的能帶和電子分布 PN結空間電場區(qū)P區(qū)N區(qū)+ + + + + + Ef能量EePEVPEeNEVNP區(qū)N區(qū)EVPEePEeNEVNEfNEfPhfhf第10頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 PN結界面上由于多數(shù)載流子擴散運動形成內(nèi)部空間電場區(qū)，該電場導致載流

5、子的漂移運動，無外加電壓時，兩種運動處于平衡狀態(tài)，能帶發(fā)生傾斜。當外加正向電壓時，內(nèi)部電場被削弱，擴散運動加強，能帶傾斜減小，在PN結形成一個增益區(qū)（粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布區(qū)）可產(chǎn)生自發(fā)輻射。第11頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 光學諧振腔 光學諧振腔由兩個反射率分別為R1和R2的平行反射鏡構成。腔內(nèi)物質(zhì)具備粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，可用其產(chǎn)生的自發(fā)輻射光作入射光，經(jīng)反射鏡反射沿軸線方向傳播的光被放大，沿非軸線方向傳播的光被減弱，反射光經(jīng)反射鏡多次反射不斷被放大，方向性不斷改善，使增益大幅度提高。第12頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 激光振蕩激活物質(zhì)在被置于光

6、學諧振腔后，能對光的頻率和方向進行選擇，可獲得連續(xù)的光放大和激光振蕩輸出激光起振閾值條件：腔內(nèi)增益與損耗相當時開始建立穩(wěn)定的激光振蕩，閾值條件為： 是閾值增益系數(shù)； 是諧振腔內(nèi)激活物質(zhì)的損耗系數(shù)； 為諧振腔長度激光振蕩的相位條件為： 或第13頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 半導體激光器的基本結構同質(zhì)結單異質(zhì)結（LH）雙異質(zhì)結（DH） 第14頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 雙異質(zhì)結（DH)LD的結構限制層GayAl1-yAs有源層GaAs限制層GaXAl1-XAsGaAs襯底光輻射金屬接觸第15頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 雙異質(zhì)結（DH)LD的工作原理示意圖P GayAl1-yAsP GaAsN GaXAl1-XAsE能量N折射率P光功率電子復合異質(zhì)勢壘空穴5%+(b)(a)(d)(c)第16頁，共17頁，2022年，5月20日，1點51分，星期二 雙異質(zhì)結（DH)LD的工作原理 雙異質(zhì)結（DH)LD由三層不同類型的半導體材料構成，不同材料發(fā)不同的波長。結構中間一層窄帶隙P型半導體為有