電子行業(yè)投資策略：5G電子創(chuàng)新與新型終端投資機(jī)會

1、目錄 15G手機(jī)有望進(jìn)入快速滲透期 25G手機(jī)帶動產(chǎn)業(yè)升級，看好天線、射頻前端領(lǐng)域 35G新型終端帶來產(chǎn)業(yè)鏈增量機(jī)會 45G管道上游：高頻高速PCB與CCL確定受益 5投資策略與個股 1.1 5G全面帶動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新一個完整的行業(yè)創(chuàng)新周期可以分為創(chuàng)新期、滲透期和穩(wěn)定期。從歷史上看，每一輪電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新周期均主要由通信代際升級驅(qū)動，歷時5-8年。我們認(rèn)為2017-18年為4G時代 的穩(wěn)定成熟期，而進(jìn)入2019年，運營商加速投入5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，電子終端產(chǎn)品亦有望在運營商、品牌廠等推動下， 迎來新一輪創(chuàng)新周期。電子行業(yè)創(chuàng)新周期模型資料來源： 消費電子行業(yè)已進(jìn)入新的創(chuàng)新周期資料來源： 1.2 5G標(biāo)準(zhǔn)、運營商

2、、芯片、終端進(jìn)展加快2018年，4G LTE網(wǎng)絡(luò)已進(jìn)入十年部署的后半程。隨著LTE-A和LTE-A Pro網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)，通信網(wǎng)絡(luò)已從4.5G逐漸過渡到Pre-5G時代。通信網(wǎng)絡(luò)的升級將極大提高用戶體驗，拓展應(yīng)用場景。此外，5G還將在物聯(lián)網(wǎng)和關(guān)鍵任務(wù)服務(wù)上擴(kuò)展應(yīng)用場景。2017-2023年全球網(wǎng)絡(luò)連接量和數(shù)據(jù)需求量全球統(tǒng)計數(shù)據(jù)單位2017 年2023 年CAGR移動網(wǎng)絡(luò)連接量億78892%智能手機(jī)連接量億43729%移動寬帶連接量億53838%LTE 網(wǎng)絡(luò)連接量億275512%月流量/智能手機(jī)GB3.41731%總移動數(shù)據(jù)月流量EB1510739%資料來源：Ericsson， 蜂窩通信網(wǎng)絡(luò)已進(jìn)入P

3、re-5G時代 HYPERLINK / 資料來源：YOLE，中信建投證券研究發(fā)展部45G網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范正逐步完成，預(yù)標(biāo)準(zhǔn)的5G商用部署將更早啟動。全球來看，美國四大運營商已宣布于2018年 底至2019年中提供5G服務(wù)，韓國、日本、中國也將于2019年部署早期5G網(wǎng)絡(luò)，而5G網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模部署則將于2020年啟動。我們認(rèn)為，5G商用將分階段影響電子行業(yè)。從商用階段來看，5G網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)先行，芯片其后，終端的研發(fā)測試最 后。目前階段，運營商、終端廠商、芯片廠商已經(jīng)進(jìn)入原型測試密集期，5G商用進(jìn)入全方位沖刺階段。5G標(biāo)準(zhǔn)制定進(jìn)展全球運營商5G進(jìn)展和規(guī)劃中國移動 2019 年 5G 試商用，2020 年實現(xiàn)

4、正式商用，2021 年大規(guī)模商用中國中國聯(lián)通 2018 年已開展商用試點工作，2019 年預(yù)商用，2020 年提供商用服務(wù)，2021 年大規(guī)模商用中國電信 2018 年已開展商用試點工作，2020 年提供商用服務(wù)，2021 年大規(guī)模商用5G 商用進(jìn)展國家/地區(qū)AT&T 預(yù)期在 2018 年底前進(jìn)行商業(yè)部署Verizon 于 2018 年 10 月推出 5G 固定無線服務(wù)，2019 年提供 5G 移動無線服務(wù)，2020 年大規(guī)模商用美國T-Mobile 計劃在 2019 年部署，到 2020 年將實施全國性部署Sprint 計劃在 2019 年末商業(yè)部署 5G 網(wǎng)絡(luò) 日本KDDI、Softban

5、k 和 NT T DoCoMo 都計劃在 2020 年實施商業(yè)部署KT 計劃在 2018 年的平昌冬奧會上進(jìn)行 5G 外場測試，并將商業(yè)部署計劃提前到 2019 年韓國SKT 今年將進(jìn)行現(xiàn)場測試，并計劃于 2019 年下半年進(jìn)行商業(yè)部署 歐洲大規(guī)模商業(yè)引入的計劃在 2020 年，到 2025 年主要城市和運輸路線將會覆蓋 5G資料來源：中國信通院， 資料來源：中國信通院， 資料來源：Ericsson， 5G終端商用進(jìn)入沖刺階段，2019年將是5G手機(jī)商用元年。手機(jī)方面，預(yù)計業(yè)界將于2019上半年推出支持中頻段的5G商用機(jī)，2019年中或下半年推出支持毫 米波的5G商用機(jī)。預(yù)計2020年將首次商

6、用支持工業(yè)監(jiān)控的超低延遲5G物聯(lián)網(wǎng)模組。網(wǎng)絡(luò)連接量方面，預(yù)計5G終端將 于2020-2023年迎來快速增長，預(yù)計2023年全球?qū)⒂?0億個支持5G增強(qiáng)移動寬帶的終端設(shè)備。 1.3 5G商用將縮短換機(jī)周期，預(yù)計2020-2023年開啟新一輪換機(jī)潮回顧歷代通信終端升級歷史，我們發(fā)現(xiàn)在新一代通信終端首次投入使用后的第2-5年是其增長最快的時期。2007-2018年全球智能手機(jī)出貨量 HYPERLINK / 資料來源：IHS，中信建投證券研究發(fā)展部 1.3 5G商用將縮短換機(jī)周期，預(yù)計2020-2023年開啟新一輪換機(jī)潮后4G時代換機(jī)周期延長，而5G將縮短換機(jī)周期。2019年將是5G手機(jī)創(chuàng)新元年，5G

7、+AI+折疊屏創(chuàng)新將燃起新一輪換機(jī)需求。由于2019年處于5G預(yù)商用階段，技 術(shù)和服務(wù)尚在摸索階段，因此5G手機(jī)出貨量有限。我們預(yù)計2020-2023年將開啟新一輪換機(jī)潮。2019-2023年全球智能手機(jī)出貨量預(yù)測全球智能機(jī)出貨（百萬部）20182019E2020E2021E2022E2023E3G81.156.143.734.334.328.14G1318.91322.01284.61212.91156.81106.95G0.012.596.7224.5318.0399.1合計YoY Growth-4.1%-0.8%2.8%3.2%2.2%1.6%5G滲透率0.0%0.9%6.8%15.3%

8、21.1%26.0%5G手機(jī)YoY675.0%132.3%41.7%25.5%1600.01400.0Shipments Milions1200.01000.0800.0600.0400.0200.00.05G手機(jī)有望在2020年快速起量，2021年初步規(guī)模20182019E2020E2021E2022E2023E30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%3G4G5G 合計YoY Growth5G滲透率資料來源：IDC， 資料來源：IDC， 目錄 25G手機(jī)帶動產(chǎn)業(yè)升級，看好天線、射頻前端領(lǐng)域 15G手機(jī)有望進(jìn)入快速滲透期 35G新型終端帶來產(chǎn)業(yè)鏈增量機(jī)會 45G管道上游：高頻高速P

9、CB與CCL確定受益 5投資策略與個股 2.1 LCP/MPI天線：受益5G高頻高速和小型化趨勢iPhone X/8/8Plus使用的LCP天線和LCP軟板資料來源：Fomalhaut， iPhone XS/XS Max使用的3片LCP天線2017年蘋果首次在iPhone X/8/8Plus中使用LCP天線，開啟LCP在電子設(shè)備的商用熱潮。傳統(tǒng)天線軟板使用PI基材，而iPhone X使用LCP基材（液晶聚合物） 天線，可提高天線的高頻高速性能并減小空間占用。我們認(rèn)為，iPhone X首度使用LCP軟板意義重大，可解讀為蘋果為5G 的布局和驗證；對于電子行業(yè)層面，LCP軟板正成為高頻高速和小型化

10、趨勢下新的軟板技術(shù)浪潮。 HYPERLINK / 資料來源：Fomalhaut，中信建投證券研究發(fā)展部10 2.1 LCP/MPI天線：受益5G高頻高速和小型化趨勢出于供應(yīng)商生態(tài)、產(chǎn)能、良率和成本考慮，我們預(yù)計19年蘋果可能局部采用MPI，包括集成了下天線（LAT）與DOCK的軟板模塊等。對于與DOCK無關(guān)的天線模組（上天線UAT等），我們判斷仍將繼續(xù)使用LCP。從用量上看，LCP 仍是19年iPhone的主角。19年iPhone下天線與DOCK的集成模組預(yù)計采用MPI軟板 HYPERLINK / 資料來源：Fomalhaut，中信建投證券研究發(fā)展部 2.1 LCP/MPI天線：受益5G高頻高

11、速和小型化趨勢隨著高頻高速應(yīng)用趨勢的興起，LCP/MPI將替代PI成為新的軟板工藝。5G時代LCP/MPI有望共存，但LCP才是主角。LCP/MPI軟板相較傳統(tǒng)PI軟板具有更低損耗資料來源：藤倉電子， LCP/MPI軟板更能滿足高頻高速和小型化需求軟板傳輸損耗可彎折性尺寸穩(wěn)定性吸濕性耐熱性成本PI較差較差較差較高較好1 倍MPI一般一般一般一般一般1-2 倍LCP較好較好較好較低較差2-2.5 倍意義LCP 適合高頻高速LCP 適合小型化LCP 可靠性好LCP 性能更穩(wěn)LCP 難加工LCP 更昂貴資料來源：印制電路信息， 2.1 LCP/MPI天線：受益5G高頻高速和小型化趨勢LCP/MPI軟

12、板替代同軸電纜可實現(xiàn)更高的空間利用率關(guān)鍵參數(shù)同軸電纜LCP/MPI 軟板厚度490um250um多個功能或多根天線整合不可以可以連接器需要可以直接 SMT資料來源：杜邦， LCP/MPI電子元器件的價值提升路線LCP/MPI軟板替代PI軟板和同軸電纜，可實現(xiàn)更高程度的小型化。5G時代LCP/MPI有望共存，但LCP 才是主角。LCP可實現(xiàn)射頻電路的柔性埋置封裝，具有更高價值，有望成為5G 射頻電路的最佳封裝方案。我們認(rèn)為，LCP從軟板到封裝模組已經(jīng)發(fā)生質(zhì)的變化，其產(chǎn)品屬性已從早期的天線和傳輸線擴(kuò)展至具有模組封裝能力的柔性載板，產(chǎn)品附加值將得到大幅提升。資料來源： LCP封裝在天線和射頻電路封裝

13、方面極有前景 HYPERLINK / 資料來源：微波雜志，IEEE，中信建投證券研究發(fā)展部 2.1 LCP/MPI天線：受益5G高頻高速和小型化趨勢LCP/MPI軟板市場的短期、中期、長期需求邏輯資料來源： 2017-2021年手機(jī)LCP/MPI天線滲透率將從6提升到25，市場空間有望從3.7億美元提升到29.2億美元，年均復(fù)合增長57。2018款iPhone XS/XS Max/XR各使用3/3/2個LCP天線，滲透繼續(xù)提升。價值方面，iPhone XS/XS Max/XR LCP天線每根2.5-4.5美元，單機(jī)價值6-10 美元。預(yù)計2019款iPhone LCP/MPI天線合計單機(jī)價值約

14、8 美元。2017-2019年iPhone LCP/MPI天線市場為4.30、9.55、11.20億美元。智能手機(jī)出貨量與LCP/MPI天線滲透率預(yù)測智能手機(jī)LCP/MPI天線市場空間預(yù)測（億美元） HYPERLINK / 資料來源：IDC，中信建投證券研究發(fā)展部資料來源： LCP/MPI電子元器件從原材料到模組的生產(chǎn)流程資料來源：INTECH，Murata， 蘋果LCP天線供應(yīng)鏈蘋果MPI供應(yīng)鏈預(yù)測 我們認(rèn)為，從需求釋放來看，國產(chǎn)機(jī)會整體可按模組、軟板、FCCL、膜、材料自后向前挖掘。從時間角度看， 2018-2020年將是需求和產(chǎn)業(yè)鏈形成早期階段，2020年后5G Sub-6GHz和毫米波

15、頻段在終端設(shè)備的規(guī)模商用將是本土產(chǎn)業(yè)鏈集中受益期。投資建議：模組環(huán)節(jié)，我們看好立訊精密、信維通信，建議關(guān)注碩貝德、電連技術(shù)、瑞聲科技； 軟板環(huán)節(jié)，看好鵬鼎控股、景旺電子等；FCCL環(huán)節(jié)，看好生益科技；材料和膜環(huán)節(jié)，建議關(guān)注沃特股份、普利特等。簡化的射頻前端示意圖資料來源：Qualcomm， 射頻前端是通信設(shè)備核心，具有收發(fā)射頻信 號的重要作用，并決定了通信質(zhì)量、信號功 率、信號帶寬、網(wǎng)絡(luò)連接速度諸多通信指標(biāo)。對于智能手機(jī)等通信終端設(shè)備，位于天線和 射頻收發(fā)器之間的所有組件統(tǒng)稱為射頻前端。射頻前端分立元器件及其工藝Component元器件工藝功能Filter濾波器SAW、BAW、FBAR、IPD

16、、 對發(fā)射/接收的射頻信號濾波，通常用作雙工器或雙SMD、LTCC工器組成單元，用來組合或分離多個頻帶Duplexer雙工器SAW、BAW、FBAR、IPD、PA功放GaAs HBT/GaN將低功率射頻信號轉(zhuǎn)換為高功率射頻信號smd、LTCC允許單個路徑雙向通信，并隔離發(fā)射和接收信號， 由兩組不同頻率的帶阻濾波器組成RF Switch射頻開關(guān)GaAs pHEMT、SOS、SOI、MEMS、HR-SOI選擇天線和哪個發(fā)射/接收器或收發(fā)器連通GaN、CMOS通過控制電壓以最小化功耗的技術(shù)中信建投證券研究發(fā)展部 HYPERLINK / ET包絡(luò)芯片 HYPERLINK / 資料來源：Qualcomm

17、，Skyworks，LNA低噪放SOI保證信噪比的前提下對小功率信號進(jìn)行放大Antenna Tuner天線調(diào)諧MEMS、BST連接天線和收發(fā)器，匹配阻抗以提升傳輸功率iPhone X擁有高度模組化的射頻前端iPhone X使用6-7個前端模組實現(xiàn)高中低頻全覆蓋，模組化程度空前提高。 iPhone射頻前端ASP 已達(dá)30美元，未來還將持續(xù)增長。資料來源：SystemPlus， 發(fā)布年機(jī)型單機(jī)價值濾波器射頻器件價值分布開關(guān)PA其他供應(yīng)商價值分布Broadcom SkyworksQorvo其他20135s/c14.75.63.24.51.43.313.554.463.3820146/Plus19.9

18、10.83.93.32.07.704.664.083.4720156S/Plus21.311.93.63.72.16.645.105.344.2220167/Plus26.413.26.63.72.610.844.457.743.3820178/Plus/X28.614.27.43.92.813.127.165.163.1516.07.43.43.013.317.986.312.59歷代iPhone射頻前端單機(jī)價值及其分布（美元） HYPERLINK / 2018XR/XS/Max30.2 HYPERLINK / 資料來源：TechInsights，YOLE， 我們認(rèn)為，射頻前端價值增長主要來

19、自數(shù)據(jù)需求提升和網(wǎng)絡(luò)升級，5G創(chuàng)新趨勢下， 其價值還將持續(xù)保持增長。 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時射頻前端價值分布不均，濾波器、射頻開關(guān)、PA合占9成。隨著MIMO升級和5G射頻前端重構(gòu)，以及高發(fā)射功率對功耗要求的提高，天線調(diào)諧、LNA、包絡(luò)芯片 的需求也迎來增長，單機(jī)價值合計達(dá)2-3美元。典型中高端智能手機(jī)射頻前端所需的器件數(shù)量和單機(jī)價值射頻前端器件單機(jī)數(shù)量單機(jī)價值（美元）平均價值占比濾波器40-1007-1450%PA2-53-725%射頻開關(guān)2-82-415%天線調(diào)諧2-41-27%LNA2-40.4-0.82%包絡(luò)芯片0-10.2-0.51%合計48-12

20、214-28100%資料來源：行業(yè)數(shù)據(jù)， 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時前端器件20172023CAGR驅(qū)動因素射頻前端細(xì)分市場預(yù)測及其驅(qū)動因素（億美元）濾波器是射頻前端最大且增長最快的子市場，其增長主要來自四個方面：（1）5G NR2019-2023年射頻前端的增長主要分兩個階段：濾波器8022519%定義的超高頻推動高端 BAW 濾波器滲透率提升，（2）Wi-Fi 分集天線隔離頻帶對共存濾波器的需求，（3）天線數(shù)量增加，（4）多載波聚合增加濾波器需求。（1）早期增長來自LTE- A Pro對射頻前端的創(chuàng)新盡管多模多頻減少 PA 用量，但高端的高頻和超高頻 PA

21、市場的增長將彌補(bǔ) 2G/3GPA50706%市場的萎縮。PAMiD 是目前價值最高的前端模組，有望提高 PA 價值量。射頻開關(guān)市場的增長主要來自 4x4 MIMO 新增射頻路徑對分集開關(guān)的需求，以及天射頻開關(guān)103020%線和頻段增加對天線開關(guān)的需求。天線調(diào)諧的增長主要來自 4X4 MIMO 滲透提升，而 2018-2020 年 4X4 MIMO 有望天線調(diào)諧4.631014%逐步普及。另外，主天線和分集天線的增長也將提升天線調(diào)諧需求。高頻化趨勢下，LNA 面臨更高線性度要求，其工藝有望轉(zhuǎn)向高級 SOI 先進(jìn)工藝。LNA2.466.0216%合計16035214%5G 趨勢下，網(wǎng)絡(luò)高頻化、前端

22、模組化以及通信技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動射頻前端價值增長。LNA 市場的增長主要來自分集模組的應(yīng)用，PA 模組集成以及新增天線的應(yīng)用。5G趨勢推動智能手機(jī)射頻前端ASP提升 2017-2023年射頻前端細(xì)分市場保持高增長需求，但最主要的增長來自中期的5G NSA。2017年底3GPP R15中定義的5G NSA將5G NR（新頻譜）納入LTE網(wǎng)絡(luò)， 從而構(gòu)建5G過渡網(wǎng)絡(luò)， 因此其建設(shè)的雙網(wǎng)絡(luò)連接將更大程度地推動射頻前端構(gòu)架創(chuàng)新。 HYPERLINK / 資料來源：YOLE，中信建投證券研究發(fā)展部（2）5G頻段將分階段從LTE 頻 段 提 高 到 Sub- 6GHz，未來還將提升至毫米波頻段，因此市場將在原有

23、基礎(chǔ)上新增毫米波射頻前端。據(jù)YOLE 預(yù)測，2023年用于毫米波段的射頻前端模組市場空間將達(dá)4.23億美元。 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時5G頻譜全面提升，射頻前端轉(zhuǎn)向超高頻和毫米波段射頻前端模組按高、中、低三種集成度分類5G頻譜劃斷全面提升，高頻化推動前端工藝演變。射頻前端復(fù)雜度持續(xù)提升， 模組化趨勢顯著。集成度模組集成的器件低集成度ASM集成天線和開關(guān)低集成度FEM集成開關(guān)和濾波器中集成度Div FEM集成 FEM 的分集模組中集成度FEMiD集成 ASM 和雙工/濾波器中集成度PAiD集成 PA 和雙工中集成度SMMB PA（3G/4G）支持單模式多頻帶的

24、PA 模組中集成度MMMB PA（3G/4G）支持多模式多頻帶的 PA 模組中集成度Tx Module（2G）集成 PA 和開關(guān)的發(fā)射模組高集成度PAMiD集成 MMMB PA 和 FEMiD集成 Div FEM 和 LNA HYPERLINK / 高集成度LNA Div FEM HYPERLINK / 資料來源：維基百科，Skyworks，Qorvo，中信建投證券研究發(fā)展 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時不同機(jī)型的射頻前端單機(jī)平均價值中高端機(jī)型滲透提升推高射頻前端市場資料來源：YOLE，Qorvo， 中高端機(jī)型模組化程度更高，其射頻前端具更高價值。隨著智能機(jī)支持的頻

25、帶數(shù)量急劇增長，疊加不同地區(qū)對通信模式和頻段要求不同，多機(jī)型成為終端廠商的產(chǎn)品策略。旗艦機(jī)傾向于支持全球頻段，因此擁有高度模組化的射頻前端；而中端機(jī)為了優(yōu)化成本通常采用區(qū)域性機(jī)型，具有較低的模組化程度。價值方面，射頻前端的價值和其模組化程度成正相關(guān)，例如2012款Galaxy S III 中射頻模組用量6，占成本26 ；2017款Galaxy S8 Plus射頻模組用量則提升至32，而成本占比達(dá)到87。 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時2012-2017年射頻前端模組和器件營收份額2016Q1-2018Q1射頻前端模組營收份額資料來源：Strategy Analyti

26、cs， 資料來源：TechInsights， 全球 82%的市場份額被 Murata、TKD、TAIYO 瓜分SAW 濾波器市場格局射頻器件主要射頻前端分立器件市場格局PA全球 93%的市場份額被 Skyworks、Qorvo、Broadcom 瓜分BAW 濾波器全球 95%市場份額被 Broadcom 和 Qorvo 瓜分天線調(diào)諧全球 70%以上的市場份額被 Qorvo 把控射頻開關(guān)國內(nèi) SOI 射頻開關(guān)公司已有 20-30 家，價格戰(zhàn)進(jìn)入白熱化射頻 GaNSkyworks、Qorvo、Broadcom 分別占據(jù) 32.3%、25.5%、7.8%市場份額 HYPERLINK / 資料來源：B

27、roadcom，Qorvo，Skyworks，中信建投證券研究發(fā)展部并購整合后美日廠商形成寡頭壟斷，合占近9成市場份額。我們認(rèn)為，由于高端產(chǎn)品的技術(shù)壁壘較高，在蘋果等旗艦機(jī)射頻前端領(lǐng)域，供應(yīng)格局相對穩(wěn)定，短時間內(nèi)不會有較大變化。 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時公司國/地類型模組濾波器PALNA開關(guān)調(diào)諧包絡(luò)基帶Qualcomm美國fablessBroadcom美國IDMQorvo美國IDMSkyworks美國IDMMurata日本IDMTDK日本fablessTaiyo Yuden日本fablessMTK臺灣fabless紫光展銳中國fabless主要射頻前端廠商擁有

28、較完整的產(chǎn)品線前端市場已形成模組和器件兩個陣營，模組廠商贏家通吃前端廠商分為產(chǎn)線齊全和產(chǎn)線單一、有無基帶話語權(quán)、IDM和fabless、有無模組能力等陣營。產(chǎn)線齊全構(gòu)筑首層壁壘。由于基帶與射頻前端的協(xié)同至關(guān)重要，因此基帶廠商對前端市場有較大影響力，基帶話語權(quán)形成第二層壁壘。射頻前端作為半導(dǎo)體子行業(yè)， 業(yè)態(tài)仍以IDM為主，制造和 封測能力為第三層壁壘。我 們認(rèn)為，擁有制造能力或有 可靠fab合作伙伴的國產(chǎn)廠商在市場中將更具競爭力。模組廠商贏家通吃，模組能力構(gòu)筑第四層壁壘。 HYPERLINK / 資料來源：YOLE，中信建投證券研究發(fā)展部24公司射頻產(chǎn)品公司及業(yè)務(wù)概況紫光展銳基帶、RFIC、PA

29、、濾波器紫光展銳是紫光旗下的全球領(lǐng)先芯片設(shè)計企業(yè)，由展訊、銳迪科合并而成。公司著力移動通信和物聯(lián)網(wǎng)核心芯片領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋 2G/3G/4G 移動通信基帶芯片、射頻芯片、射頻前端（PA 模組和濾波器為主）等。2017 年，公司營收超 100 億元，占手機(jī)基帶芯片市場27%份額，位列全球第 3，是全球第十大 Fabless 廠商，是國內(nèi)領(lǐng)先 5G 芯片企業(yè)。 2.2 射頻前端：5G商用之際，射頻前端芯片國產(chǎn)化正當(dāng)其時濾波器、PA、 三安光電是 LED 外延及芯片生產(chǎn)廠商。在集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持下，三安光電通過三三安光電GaAsGaN安集成和泉州三安兩家子公司進(jìn)入射頻前端領(lǐng)域（主要是濾波器、PA

30、及其代工），并已5G重新洗牌射頻前端市場，Sub-射代工具備 GaAsGaN 芯片代工能力，有望復(fù)制其在 LED 芯片制造領(lǐng)域的成功經(jīng)驗。6GHz領(lǐng)域國際龍頭率先調(diào)整戰(zhàn)略，頻 信維通信端前天線、濾波器等信維通信以天線為起點，通過外延逐步多元化，現(xiàn)已成長為全球領(lǐng)先的音、射頻技術(shù)零部件解決方案供應(yīng)商。目前公司已從 2G/3G/4G 終端天線擴(kuò)展至 NFC、無線充電、射頻連接器、隔離器件、射頻前端（濾波器為主）等高附加值產(chǎn)品，射頻服務(wù)平臺已形成。聚焦高端市場，從而使本土廠商迎來替代機(jī)會。濾波器、麥捷科技國LTCC 器件產(chǎn) 好達(dá)電子濾波器化濾波器及其麥捷科技是 LTCC 射頻器件和片式電感領(lǐng)先廠商，致

31、力于成為亞洲頂尖被動元器件廠商。公司已進(jìn)入海外低端濾波器市場，通過國內(nèi)部分廠商認(rèn)證，未來有望導(dǎo)入更多國內(nèi)客戶。 好達(dá)電子是國內(nèi)知名聲表器件廠商，主要產(chǎn)品包括聲表面波濾波器、雙工器、諧振器等。 公司聲表器件產(chǎn)量國內(nèi)名例前茅，質(zhì)量及技術(shù)指標(biāo)已處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，接近國際水平。 天通股份是集科研、制造、銷售于一體的高新企業(yè)，已形成電子材料、電子部品、智能未來模組化趨勢確定，預(yù)計國內(nèi)公司相互合作、并購的案例將大幅增加。主 天通股份受要裝備和產(chǎn)業(yè)投資四大業(yè)務(wù)板塊。公司擁有聲學(xué)波濾波器器件產(chǎn)品，以及用于制造 SAW 和材料BAW 濾波器的壓電晶體材料鉭酸鋰、鈮酸鋰，在濾波器領(lǐng)域具有材料、設(shè)備和制造優(yōu)勢。中電

32、 26 所（重慶聲光電）是國內(nèi)唯一同時具有 SAW、TC-SAW、FBAR 研發(fā)生產(chǎn)的單位，26 所濾波器從事表面波及體聲波研發(fā) 40 余年，提供軍工產(chǎn)品，是華為、中興 SAW 濾波器供應(yīng)商。我們看好射頻模組龍頭立訊精密、55 所開關(guān)PA、物聯(lián)網(wǎng)芯漢天下片的企業(yè)，主要產(chǎn)品為濾波器和射頻開關(guān)；開關(guān)年出貨 2 億只，用于華為、中興終端產(chǎn)品。漢天下是國內(nèi)領(lǐng)先 2/3/4G 射頻前端和 SoC 芯片供應(yīng)商，芯片年出貨量達(dá) 7 億顆。公司產(chǎn)品包括手機(jī)射頻前端/PA、物聯(lián)網(wǎng)芯片等，支持高通、聯(lián)發(fā)科、展訊、英特爾等基帶平臺。 PA 出貨超 7000 萬顆/月，2G PA 超 4000 萬/月，占全球 63%

33、份額；3G PA 超 1100 萬/月。益濾波器、射頻公司概況飛驤科技PA、前端模組中電 55 所（德清華瑩）是國內(nèi)較早研制生產(chǎn)鉭酸鋰、鈮酸鋰壓電晶體材料和聲學(xué)濾波器國民飛驤由國民技術(shù)射頻事業(yè)部獨立而來，公司深耕 PA 領(lǐng)域，擁有 8 年多射頻經(jīng)驗，產(chǎn)品應(yīng)用遍及國內(nèi)外主流廠家，客戶包括小米、酷派、中興、魅族等。目前國民飛驤已擁有國內(nèi)最完整的 4G 射頻方案，覆蓋 MTK、高通、展訊、聯(lián)芯、Marvell 等平臺。射頻開關(guān)領(lǐng)域領(lǐng)先并積極布局前端模組的卓勝微、化合物半導(dǎo)體 制造龍頭三安光電、射頻方案平 臺廠商信維通信，射頻器件廠商 韋爾股份、天通股份、麥捷科技， 非上市公司建議關(guān)注紫光展銳、唯捷創(chuàng)

34、芯是專注于射頻與高端模擬 IC 研發(fā)的集成電路設(shè)計公司，主要產(chǎn)品是 GaAs PA，唯捷創(chuàng)芯PA廣泛應(yīng)用于 2G/3G/4G 手機(jī)及其它智能移動終端?；壑俏⒂汕?Skyworks 技術(shù)海歸創(chuàng)立，是全球首家量產(chǎn)可重構(gòu)多頻多模射頻前端的芯片公中科漢天下、飛驤科技、唯捷創(chuàng)芯、好達(dá)電子、26所、55所等?；壑俏A中普微PA司，擁有可重構(gòu) SOI+GaAs 混合工藝，產(chǎn)品包括 MMMB PA、物聯(lián)網(wǎng)/WiFi 射頻前端。中普微主要從事射頻 PA 設(shè)計、研發(fā)及銷售，提供 2G/3G/4G 全面的射頻前端解決方案。公司產(chǎn)品以其高性價比的優(yōu)勢在市場上備受歡迎，客戶以 TCL、天瓏、西可和海派為主。射頻開關(guān)、

35、卓勝微是具有頂尖技術(shù)實 HYPERLINK / 卓勝微 HYPERLINK / LNALNA 領(lǐng)先品牌，其產(chǎn)品應(yīng) HYPERLINK / 射頻開關(guān)、韋爾股份是國內(nèi)領(lǐng)先的半韋爾股份LNA、天線調(diào) 電源管理器件、模擬開關(guān) HYPERLINK / 諧諧。公司業(yè)績連續(xù)多年保力和強(qiáng)大競爭力的射頻 IC 設(shè)計公司，是國內(nèi)智能機(jī)射頻開關(guān)、用于三星、小米、華為、聯(lián)想、魅族、TCL 等終端廠商。導(dǎo)體器件設(shè)計和銷售公司，主營產(chǎn)品包括保護(hù)器件、功率器件、 等四條產(chǎn)品線，射頻前端產(chǎn)品主要是射頻開關(guān)、LNA、天線調(diào)持穩(wěn)定增長，正逐步成為國際知名的半導(dǎo)體器件廠商。資料來源：公司官網(wǎng)，公司財報， 25 2.3 5G商用助推

36、硬件創(chuàng)新，零組件龍頭公司持續(xù)受益5G智能手機(jī)配置變化2019年為5G創(chuàng)新元年， 而2020年以后，隨著產(chǎn)業(yè)成熟度提升，初期成 本及價格過高的問題將 逐步解決，5G設(shè)備滲透率進(jìn)入快速提升階段， 圍繞5G硬件升級的電子零組件龍頭有望持續(xù)受 益，業(yè)績彈性逐步顯現(xiàn)。目前來看，5G手機(jī)的配置變化主要來自射頻（天線/射頻前端）、光學(xué)（攝像頭）、材料（機(jī)殼/PCB/散熱）等。我們最為看好天線、射頻前端、高頻高速材料/PCB、3D光學(xué)等細(xì)分領(lǐng)域。 HYPERLINK / 資料來源：中信建投證券研究發(fā)展部26目錄 15G手機(jī)有望進(jìn)入快速滲透期 35G新型終端帶來產(chǎn)業(yè)鏈增量機(jī)會 25G手機(jī)帶動產(chǎn)業(yè)升級，看好天線、

37、射頻前端領(lǐng)域 45G管道上游：高頻高速PCB與CCL確定受益 5投資策略與個股 HYPERLINK / 資料來源：中國信通院，中信建投證券研究發(fā)展部 5G網(wǎng)絡(luò)/應(yīng)用體系及其對下游行業(yè)的帶動5G應(yīng)用圍繞四層體系展開，從終端智能化，到網(wǎng)絡(luò)高效化，到信息數(shù)據(jù)化，最終與傳統(tǒng)行業(yè)緊密融合、孕育基于5G的新興信息產(chǎn)品和服務(wù)，重塑產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式。5G構(gòu)建的四層應(yīng)用體系 HYPERLINK / 資料來源：Qualcomm，中信建投證券研究發(fā)展部 5G網(wǎng)絡(luò)/應(yīng)用體系及其對下游行業(yè)的帶動5G可實現(xiàn)增強(qiáng)型移動寬帶、海量物聯(lián)網(wǎng)、關(guān)鍵任務(wù)型服務(wù)三大類服務(wù)，將極大擴(kuò)展無線通信的應(yīng)用場景。根據(jù)IHS Markit估計，203

38、5年5G在全球創(chuàng)造的潛在銷售活動將達(dá)12.3萬億美元，約占2035 年全球?qū)嶋H總產(chǎn)出的4.6，并將跨越多個產(chǎn)業(yè)部門。5G三大服務(wù)將極大擴(kuò)展下游應(yīng)用場景2035年5G將在全球驅(qū)動12.3萬億美元經(jīng)濟(jì)活動資料來源：IHS， HYPERLINK / 資料來源：YOLE，中信建投證券研究發(fā)展部 5G網(wǎng)絡(luò)/應(yīng)用體系及其對下游行業(yè)的帶動5G生態(tài)是一個有機(jī)整體，但5G三大頻段具有不同應(yīng)用場景和電子系統(tǒng)設(shè)計。5G頻率和網(wǎng)速提升對電子行業(yè)的影響 3.1 5G驅(qū)動ADAS與車聯(lián)網(wǎng)滲透，帶動汽車電子化程度提升5G高速率、低時延的優(yōu)勢同樣使得車輛互聯(lián)，即V2X得以實現(xiàn)，結(jié)合車輛配備的ADAS系統(tǒng)，使得自動駕駛成為可能

39、。同時由于節(jié)能減排與智能化的發(fā)展趨勢，汽車電子化、電動化的程度也正在提升。智能化電動化車聯(lián)網(wǎng)等加速滲透，帶動汽車硅含量提升中計算能力需求高云服務(wù)中心低無中央計算模塊逆變器/變流器高壓蓄電池充電水平低壓功率分配模塊左側(cè)車身控制高壓交流系統(tǒng)門窗鎖右側(cè)車身控制高壓交流系統(tǒng)門窗鎖動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)制動模塊左側(cè)攝像頭控制 前視攝像頭 控制右側(cè)攝像頭 控制觸控屏裝置高壓功率分電動配模塊座椅電池模塊控電動制(x4)車窗電動座椅后視攝像頭雷達(dá)控制電動車窗超聲波傳感器 HYPERLINK / 動力系統(tǒng) HYPERLINK / 資料來源：行業(yè)資料，中信建投證券車身控制ADAS/安全信息娛樂 3.1 5G驅(qū)動ADAS與車

40、聯(lián)網(wǎng)滲透，帶動汽車電子化程度提升汽車的自動駕駛和電動化趨勢，推動ADAS和動力系統(tǒng)增速明顯，單車半導(dǎo)體價值量持續(xù)增加。到2022年，平均單車半導(dǎo)體價值量有望增至481美金，其中動力系統(tǒng)和ADAS市場規(guī)模分別在122億和91 億美金，對應(yīng)復(fù)合增速為7%和21%，ADAS相關(guān)市場規(guī)模高速增長，需求強(qiáng)勁。具體器件類型方面，與自動駕駛感知相關(guān)的光學(xué)器件，傳感器&雷達(dá)增速為10%、6%，市場規(guī)模分別 為43億、66億美金；與計算相關(guān)的微組件IC、存儲、邏輯器件等也增速明顯，分別為10%、8%、7%， 對應(yīng)市場規(guī)模為115億、41億、27億美金。因此，我們看好自動駕駛和電動化趨勢下，汽車半導(dǎo)體中功率器件、

41、傳感器（含CIS）、計算處理芯片等細(xì)分領(lǐng)域的成長機(jī)會，國內(nèi)相關(guān)廠商有望實現(xiàn)汽車供應(yīng)鏈的突破，打開新空間。自動駕駛/電動化推動ADAS和動力系統(tǒng)增速明顯自動駕駛推動傳感器和計算相關(guān)半導(dǎo)體增速明顯十億美金CAGR 17-2221%7%6%6%5%3%605040302010020142015201620172018201920202021202250045040035030060十億美金50403020100CAGR 17-2210%10%8%7%6%6%6% HYPERLINK / 舒適便捷動力系統(tǒng) HYPERLINK / 單車半導(dǎo)體價值(右軸) HYPERLINK / 資料來源：IHS，中信建

42、投證券究研究發(fā)展底盤與安全其他汽車卡車等信息娛樂ADAS2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022模擬IC傳感器&雷達(dá)分立器件邏輯器件存儲器件光學(xué)半導(dǎo)體器件微組件IC HYPERLINK / 總計（model 3單車硅價值量）1 HYPERLINK / 資料來源：行業(yè)資料，中信建投 3.1 5G驅(qū)動ADAS與車聯(lián)網(wǎng)滲透，帶動汽車電子化程度提升 特斯拉半導(dǎo)體器件拆解與成本特斯拉model 3按照功能分解的硅價值量子系統(tǒng)/組件價值量（$）描述資訊娛樂&評論147中央控制&資訊娛樂面板122中央控制面板使用英特爾的酷睿處理器為汽車運行主操作系統(tǒng)。顯示/觸

43、屏集成19觸屏控制器和顯卡驅(qū)動用于顯示主要的資訊娛樂。LTE模塊7為汽車提供LTE連接。ADAS系統(tǒng)510ADAS處理模塊433使用中央計算性能運行自動駕駛的計算程序，包含優(yōu)化后英偉達(dá)自動駕駛平臺。ADAS攝像38個人操作面板和攝像機(jī)的圖像傳感器。雷達(dá)組件40雷達(dá)傳感器組件。車身控制155左車身模組33控制左邊攝像機(jī)，座椅位置，座位加熱以及其他高級功能。右車身模組57控制右邊攝像機(jī)，座椅位置，座位加熱以及其他高級功能。鑰匙卡傳感器9為汽車開鎖的鑰匙卡傳感器。HVAC（暖通空調(diào)）控制器15供暖通風(fēng)和空氣調(diào)節(jié)面板。門控照明燈控制器2控制中央門控照明燈。電源分配107充電監(jiān)測器16為高壓蓄電池的電量

44、進(jìn)行監(jiān)測。低壓配電92汽車非動力傳動系統(tǒng)要求最多的12V電源分配。電力傳動系統(tǒng)639電池監(jiān)控板（x4）69監(jiān)控，控制電池以確保安全運行與放電。高壓系統(tǒng)控制器53高壓系統(tǒng)控制器接收電池監(jiān)控板輸入電路，控制整個系統(tǒng)的交流與車載充電器。車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器128用于轉(zhuǎn)換為電池充電的，由交流電變?yōu)橹绷麟姷碾娔?，也包含了DC-DC轉(zhuǎn)換器為電力系統(tǒng)提供的12V 輸出電路。逆變器組件和控制板387把馬達(dá)出來的直流電轉(zhuǎn)換成交流電為馬達(dá)充電，以及在制動逆流時為電池充電。方案包括SiC MOSFET和門驅(qū)動器等。516 3.1 5G驅(qū)動ADAS與車聯(lián)網(wǎng)滲透，帶動汽車電子化程度提升特斯拉半導(dǎo)體器件主要供應(yīng)商

45、分別為，意法半導(dǎo)體、英偉達(dá)、德州儀器、安森美、三星、英飛凌等，對應(yīng)單車價值量為475、200、192、94、56，53美金，價值量較大。按照應(yīng)用拆分，電力管理（電力傳動系統(tǒng)+電源分配）價值占比約49%，占比約一半（746美金），ADAS 系統(tǒng)占比約34%（510美金），車身控制占比10%，對應(yīng)155美金，信息娛樂占比7%，對應(yīng)147美金。電力相關(guān)和ADAS相關(guān)系統(tǒng)成為特斯拉半導(dǎo)體器件中占比最大應(yīng)用。500450400350300250200150100500特斯拉單車硅器件各供應(yīng)商價值量（美金）特斯拉硅價值量按照應(yīng)用拆分10%42%34%7%7%資訊娛樂&評論ADAS系統(tǒng)車身控制器電源分配電力

46、傳動系統(tǒng)47531194565344392923192200 HYPERLINK / 特斯拉model 3單車硅器件 HYPERLINK / 資料來源：行業(yè)資料，中信建投證券究研主要供應(yīng)商價值量（美金）究發(fā)展部資料來源：行業(yè)資料，中信建投證券究研究發(fā)展部汽車電動化程度提升，帶動功率器件單車價值數(shù)倍提升。普通燃油車功率器件價值量為17美金；中度混動汽車（Mild hybrid/48V）則增至47美金；而插電式混動（PHEV）、混動（HEV）又增至270美金；到純電動汽車（EV），單車功率器件價值量高達(dá)387美元，是普通燃油車的23倍，占整車半導(dǎo)體成本超50%。主要增量來自引入電動力系統(tǒng)，輔助（混

47、動）或者完全替代（純電動）燃油動力系統(tǒng)，帶動MOSFET、IGBT 等功率器件價值量大增。預(yù)計2025年中度混動、PHEV/EHV、EV對應(yīng)的功率器件規(guī)模為5.2億、28.4億、23.2億美金。國內(nèi)揚杰科技、捷捷微電、士蘭微、韋爾股份等功率器件廠商初具實力，未來有望切入車用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。電機(jī)控制系統(tǒng) 車身控制系統(tǒng)驅(qū)動IC傳感器IGBTMCUSBC前大燈控制 MOSFET室內(nèi)燈控制 功率IC MOSFET附件控制 MOSFET傳感器 驅(qū)動控制系統(tǒng) 功率IC制動控制功率IC轉(zhuǎn)向控制減速箱控制電池管理系統(tǒng)SBCMOSFET傳感器 功率IC MCU模擬IC隨著汽車電動化程度提升功率器件使用量增多功率

48、器件在純電動車中單車價值有望達(dá)400美金單位：美金800167001460050012400103008200100604Mild hybrid/48VPHEV/HEVEV內(nèi)燃機(jī)功率器件傳感器C其他2025年數(shù)量（百萬輛） HYPERLINK / 資料來源：行業(yè)資料，中信建投證券究研究 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力發(fā)展部資料來源：Infineon， 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力特斯拉是第一家在其Model 3中集成全SiC功率模塊的車企，工程設(shè)計部門直接與意法半導(dǎo)體的合作，特斯拉逆變器由24個1-in-1功率模塊組成，這些模塊組裝在針翅式

49、散熱器上。相較于硅IGBT與MOSFET器件，碳化硅MOSFET性能優(yōu)勢明顯。對比硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更低的開關(guān)損耗，且開關(guān)損耗不隨溫度升高而升高，可以實現(xiàn)器件的小型化；同時碳化硅MOSFET有更高的開關(guān)頻率，解決了硅IGBT不能在高頻條件下驅(qū)動的問題。碳化硅MOSFET目前主要集中在1200V及以上的應(yīng)用領(lǐng)域，相比硅IGBT可以減少50%能耗，且在小型化和工作效率方面具有顯著優(yōu)勢，在光伏逆變器、電動車直流充電以及電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域具有廣闊的市場空間， 但受限于成本問題，目前尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。特斯拉采用大量IGBT、碳化硅等高端功率器件碳化硅材料屬性決定了制成功率器件后性能優(yōu)勢明顯物

50、理性質(zhì)器件性能系統(tǒng)優(yōu)勢強(qiáng) 低損耗高效率 率 簡化外圍組件 降低系統(tǒng)成本度 高電子遷移率高電子飽和漂移速度功率器件小型化可在高電流下運行可在高頻環(huán)境下運行減小系統(tǒng)體積簡化散熱系統(tǒng)可在高溫環(huán)境下運行寬禁帶器件輕薄，降低導(dǎo)通損耗，提高耐壓能力特斯拉Model X電控系統(tǒng)中共使用132個IGBT管部Model 3中集成全SiC功率模塊 高擊穿場 高熱導(dǎo) 高電子密 HYPERLINK / 資料來源：互聯(lián)網(wǎng)，中信建投證券研究發(fā)展資料來源：行業(yè)資料， 36 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力目前，碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到廣泛認(rèn)可，但成本較高依然是限制碳化硅產(chǎn)品形成規(guī)模替代的最大

51、障礙：規(guī)格相同條件下，碳化硅器件的成本約是硅器件的5-6倍。近年來生產(chǎn)工藝的不斷提升以及4寸線向6寸線過渡，碳化硅功率器件的成本正以每年10%的速度下降。2016年全球碳化硅功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約2.48億美元，預(yù)計2016-2020年CAGR約28%，到2020年將增至5.57億美元；隨著良率和滲透率持續(xù)提升，碳化硅功率半導(dǎo)體將在2020-2022年迎來爆發(fā)，對應(yīng)CAGR約40%，2022年市場規(guī)模將達(dá)到10.84億美元。新能源汽車（含車載充電器）與汽車充電樁是驅(qū)動SiC規(guī)模高速增長的領(lǐng)域，份額有望從2017年的2.0% 和0.4%，增至2022年的13.5%和10.8%，合計占比約24.3%

52、，僅次于光伏的28.4%。碳化硅器件成本下降后有望滲透加速 單位：美元碳化硅器件開始實現(xiàn)替代效應(yīng)876平均售價/$543210201220132014201620192022 HYPERLINK / 資料來源：IHS，中信建投證券研究發(fā)展部碳化硅SBD碳化硅JEFT碳化硅BJT碳化硅MOSFET1,2001,0008006004002000碳化硅器件未來有望高速增長 單位：百萬美元20162017E2018E2019E2020E2021E2022EUPS電機(jī)驅(qū)動光伏風(fēng)力發(fā)電新能源汽車（含車載充電器）新能源汽車充電PFC軌道交通其他資料來源：Yole， 37券研究發(fā)展部同時，英飛凌、Cree、意

53、法半導(dǎo)體和Rohm等全球功率半導(dǎo)體龍頭均已率先進(jìn)入碳化硅領(lǐng)域，并將碳化硅二極管和碳化硅MOSFET等功率器件成功產(chǎn)業(yè)化。歐美日等發(fā)達(dá)國家地區(qū)提前布局及國際功率器件大廠推動SiC產(chǎn)業(yè)化，雙重驗證了碳化硅功率器件的發(fā)展意義與廣闊前景。從全球產(chǎn)業(yè)鏈看，主要以歐美日廠商為主，絕大多數(shù)廠商均布局從襯底、設(shè)計制造封裝，到模塊和應(yīng)用的部分或者全部環(huán)節(jié)。碳化硅襯底主要有Wolfspeed（Cree）與SiCrystal（羅姆），掌握上游核心材料環(huán)節(jié)，此外Cree與羅姆具備從襯底到模組的制造全整合能力，實力最強(qiáng)；而三菱、東芝、松下等形成了從設(shè)計到系統(tǒng)應(yīng)用的能力，直面終端客戶；英飛凌、意法、安森美、瑞能等具備從設(shè)

54、計到模組的能力；西門子、華為、陽光電源等廠商則聚焦碳化硅在終端系統(tǒng)的應(yīng)用。 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈以歐美日為主，國內(nèi)揚杰、瑞能、泰科天潤等廠商有所布局 HYPERLINK / 資料來源：Yole，中信建投證38 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力目前碳化硅器件領(lǐng)域海外公司實力領(lǐng)先，國內(nèi)市場自給率較低。Cree、英飛凌和Rohm三家公司占據(jù)了近全球碳化硅市場約70%的份額，而全球碳化硅晶圓市場幾乎由Cree一家主導(dǎo)，牢牢把握原材料環(huán)節(jié)。整個SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、日、歐三足鼎立的競爭格局，前五大廠商份額約90%。中國目前是碳化硅最

55、大的應(yīng)用市場，消耗全球約一半的使用量，國內(nèi)依賴進(jìn)口，SiC器件的國產(chǎn)替代需求強(qiáng)烈。我國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已初具規(guī)模，是國際上為數(shù)不多的在各環(huán)節(jié)均緊跟先進(jìn)水平的國家，具備將碳化硅產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ)。梳理國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈，單晶襯底有天科合達(dá)、山東天岳等廠商；外延生長有瀚天天成、天域半導(dǎo)體等，器件與模塊應(yīng)用環(huán)節(jié)有泰科天潤、嘉興斯達(dá)、中國南車、揚杰科技、瑞能、中電55所、西安電子科技大學(xué)等；北京世紀(jì)金光則具備SiC器件全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力。15年碳化硅器件市場以國際大廠為主國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂韱尉бr底外延生長碳化硅器件模塊應(yīng)用其他, 7%富士電機(jī), 3%意法半導(dǎo)體, 9%英飛凌, 23%三菱電機(jī), 11%羅姆, 20%科銳

56、, 27% HYPERLINK / 資料來源：Yole，中信建投證券研究發(fā)展部資料來源：行業(yè)資料， 39功率半導(dǎo)體板塊是半導(dǎo)體板塊里面，突破機(jī)會較為確定的領(lǐng)域。國內(nèi)廠商已經(jīng)具備一定競爭力，二極管雖然比較成熟，但國產(chǎn)化率仍然不足10%，至于MOSFET和IGBT等國產(chǎn)率更低。全球功率器件市場規(guī)模在1300億元，國產(chǎn)替代空間巨大。在貿(mào)易摩擦日?；尘跋?，功率器件國產(chǎn)替代正在加速，國內(nèi)有望從二極管向上突破到MOSFET等中低壓產(chǎn)品領(lǐng)域。聞泰科技（安世半導(dǎo)體）、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、華微電子等功率器件IDM廠商，以及中芯國際、華虹半導(dǎo)體、華潤微等代工廠，韋爾股份等功率器件設(shè)計企業(yè)，均有望迎來突破

57、機(jī)會。 3.1.1 汽車功率器件價值量提升明顯，國內(nèi)廠商初具實力國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商梳理士蘭微IDM超級結(jié)高壓MOSFET、耗盡型高壓MOS、高壓MOSFET、 開關(guān)電源、電源轉(zhuǎn)換器、充電器、馬達(dá)驅(qū)動、功率MOS管柵極公司類型產(chǎn)品下游應(yīng)用揚杰科技IDM光伏二極管、FRD、硅整流二極管、整流橋、MOSFET、大功率模塊、DFN/QFN小信號產(chǎn)品、SiC JBS等電池保護(hù)、負(fù)載開關(guān)、電源管理、DC/DC、AC/DC、適配器、充電器、電機(jī)驅(qū)動、接線盒、智能電表等捷捷微電IDM 600-1600V雙向可控硅、600-2200V單向可控硅、低結(jié)電容放電管、TVS、高壓整流二極管、功率型開關(guān)晶體管等家用電器

58、、漏電斷路器，無功補(bǔ)償裝置、電力模塊，防雷擊和防靜電保護(hù)中低壓功率MOSFET等驅(qū)動、適配器，電視機(jī)電源韋爾股份設(shè)計20V-650V MOSFET產(chǎn)品平板電腦、機(jī)頂盒、穿戴設(shè)備、移動支付安世半導(dǎo)體IDM20-200V MOSFET，汽車MOSFET產(chǎn)品便攜設(shè)備充電開關(guān)、電源管理、LED驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、汽車、繼電器驅(qū)動器、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、一般工業(yè)應(yīng)用、UPS、逆變器中環(huán)股份IDM200V-900V MOSFET產(chǎn)品高頻電源開關(guān)、PDP、電源適配器 HYPERLINK / 華微電子IDM 200V以下、200V- HYPERLINK / 800V系列MOSFET HYPERLINK

59、 / 資料來源：中信建投證券研究發(fā)展部500V系列、600V-700V系列、大于光源領(lǐng)域、PC電源領(lǐng)域、逆變器、LCD、LED電視領(lǐng)域、適配器；符合軍工要求MOSFET產(chǎn)品40 3.1.2 ADAS帶動傳感器需求提升，圖像傳感器受益機(jī)會確定ADAS系統(tǒng)原理，包括環(huán)境感知等環(huán)節(jié)各種類型傳感器配合使用，可實現(xiàn)多種ADAS功能 HYPERLINK / 資料來源：36氪，中信建投證券研究發(fā)展部 環(huán)境感知 地圖數(shù)據(jù)計算芯片車聯(lián)網(wǎng)通訊 決策+規(guī)劃 決策規(guī)劃 人機(jī)交互車內(nèi)輔助倒車輔助主動控制感知預(yù)警執(zhí)行系統(tǒng)隨著現(xiàn)代社會對于駕駛安全性的要求越來越高，基于高級駕駛輔助系統(tǒng)ADAS的自動駕駛，或者終極版本無人輔助

60、駕駛和無人駕駛，成為人們越來越關(guān)注的汽車功能。ADAS的基本原理，就是通過攝像頭、激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá)、超聲傳感器、GPS等多種車載傳感器來收集數(shù)據(jù)，通過算法軟件來辨識汽車所處的環(huán)境和狀態(tài)，并根據(jù)所獲得的道路信息、交通信號信息、車輛位置和障礙物信息做出自動化決策規(guī)劃，并執(zhí)行感知預(yù)警、主動控制、倒車輔助、車內(nèi)輔助等操作，從而實現(xiàn)ADAS和無人駕駛。資料來源：互聯(lián)網(wǎng)， 41研究發(fā)展部 3.1.2 ADAS帶動傳感器需求提升，圖像傳感器受益機(jī)會確定ADAS可以提供包括車道偏離預(yù)警（LDW）、前向碰撞預(yù)警（FCW）、交通標(biāo)志識別（TSR）、車道保持輔助（LKA）、行人碰撞預(yù)警（PCW）、自動緊急剎車（