鈣鈦礦太陽能電池材料_第1頁
鈣鈦礦太陽能電池材料_第2頁
鈣鈦礦太陽能電池材料_第3頁
鈣鈦礦太陽能電池材料_第4頁
鈣鈦礦太陽能電池材料_第5頁
已閱讀5頁,還剩11頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、在能源緊缺的現(xiàn)代社會,為了維持人類的可持續(xù)發(fā)展,科學(xué)家們一直致力于新能源的研究,其中至少在幾十億年內(nèi)都取之不盡的太陽能便成了熱門的研究對象。太陽能電池大家都不陌生,它通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能。鈣鈦礦材料我們也很熟悉,就是一類有著與鈦酸鈣(CaTiO3相同晶體結(jié)構(gòu)的材料,其結(jié)構(gòu)式一般為ABX3其中A和B是兩種陽離子,X是陰離子。但鈣鈦礦太陽能電池卻是一個(gè)比較新的概念。2009年日本桐蔭橫濱大學(xué)的宮坂力教授將碘化鉛甲胺和溴化鉛甲胺應(yīng)用于染料敏化太陽能電池,獲得了最高3.8%的光電轉(zhuǎn)化效率,此為鈣鈦礦光伏技術(shù)的起點(diǎn)但它直到2014年左右才被人們重視起來。是因?yàn)樵诙潭處啄觊g其效率

2、一直在顯著提升,這是NRELh實(shí)驗(yàn)室最高電池效率的圖,我們可以看出鈣鈦礦材料的效率上升速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其他同類型材料。鈣鈦礦材料被認(rèn)為是最有可能取代硅晶材料作為太陽能電池的材料概述鈣鈦礦太陽電池一般采用有機(jī)無機(jī)混合結(jié)晶材料一一如有機(jī)金屬三鹵化物CH3NH3PbX3X=CI,Br,I)作為光吸收材料。該材料具有合適的能帶結(jié)構(gòu),其禁帶寬度為1.5eV,因與太陽光譜匹配而具有良好的光吸收性能,很薄的厚度就能夠吸收幾乎全部的可見光并用于光電轉(zhuǎn)換。如圖所示,這是鈣鈦礦太陽能電池的一般結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu),由上到下分別為玻璃、1FTO電子傳輸層(ETM、鈣鈦礦光敏層、空穴傳輸層(HTM和金屬電極。其中電子傳輸層常常用T

3、iO2鈣鈦礦電池一個(gè)顯著的特點(diǎn)是IV曲線(伏安曲線)的滯后(l-Vhysteresis)(通常叫滯后現(xiàn)象或遲滯現(xiàn)象),一般從反向掃描(開路電壓-短路電流)得到的曲線比正向掃描(短路電流一開路電壓)看起來好很多。現(xiàn)在對鈣鈦礦的這種現(xiàn)象還沒有一個(gè)很好的解釋,目前比較合理的解釋是:鈣鈦礦材料具有很強(qiáng)的鐵電性能(ferroelectricity)以及巨大的介電常數(shù),導(dǎo)致電池的低頻電容很大,比其他任何一種光伏電池都顯著。文獻(xiàn)我選取了五篇有關(guān)鈣鈦礦太陽能電池的文獻(xiàn),第一篇是篇綜述,主要內(nèi)容是現(xiàn)在有機(jī)夾層在有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池中的研究進(jìn)展;第二三篇分別從滯后現(xiàn)象以及離子移動的機(jī)理上進(jìn)行分析;第四五

4、篇主要從介紹了的某個(gè)鈣鈦礦太陽能電池材料。有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池(PSC是最有希望的第三代太陽能電池。它們具有良好的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE且能耗更低。為了提高PSC的效率和長期穩(wěn)定性,有機(jī)分子經(jīng)常用作“夾層”。以改變太陽能電池中特定界面提高性能。該篇文獻(xiàn)回顧了使用夾層來優(yōu)化PSC性能的最新進(jìn)展。本文分為三個(gè)部分。第一部分著重于介紹為什么有機(jī)分子夾層能夠提高太陽能電池的性能;第二部分討論常用的分子中間層;在最后一部分,討論了制作薄均勻夾層的方法。這張圖展現(xiàn)了在有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池中四種可能加入夾層的位置而作為夾層的材料可能是有機(jī)小分子,高聚物,金屬氧化物等文獻(xiàn)中提到通過控制薄膜的

5、結(jié)晶度、厚度和粗糙度,鈣鈦礦型吸收層的形態(tài)是生產(chǎn)高效率PSC的關(guān)鍵。圖二a,b是表面改性引起的形貌變化的掃描電鏡圖像。氧化鋅的表面能可以通過改變親水基團(tuán)(-NH2)和疏水基團(tuán)(-CH3)的混合比例進(jìn)行有效地調(diào)整。隨基質(zhì)表面能的減小有機(jī)夾層的表面的缺陷也有所減少,從而導(dǎo)致了電池性能的提升。圖二c,d表現(xiàn)了(c3-sam)自組裝單分子層作為ch3nh3pbi3鈣鈦礦層和ZnO電子選擇層間夾層的影響。最終結(jié)果是,所制備的電池的PCE增加了31%從9.8提高到14.2%。同時(shí),該分子的氨基末端還參與了鈣鈦礦的結(jié)晶,改善了薄膜的形貌有機(jī)分子夾層作用機(jī)制(圖三,圖四)在PSC中,晶體結(jié)構(gòu)的缺陷和化學(xué)雜質(zhì)會

6、產(chǎn)生陷阱態(tài)從而增加電子與空穴的重新復(fù)合(導(dǎo)帶與價(jià)帶的能量差減小了),導(dǎo)致電壓下降。而有機(jī)分子可以使表面鈍化以減少在表面的陷阱態(tài)/缺陷。小分子通過發(fā)生化學(xué)反應(yīng),可以與表面非鍵原子或表面的懸掛鍵結(jié)合,降低表面缺陷數(shù)以減小陷阱態(tài)的作用??梢宰越M裝的分子,通過自組裝在金屬氧化物上形成單分子膜,也可以改變表面能。由于表面復(fù)合的減少和形態(tài)的改善,電池的性能可以得到改善。X-和Pb2+可以形成陷阱態(tài)而作為復(fù)合中心(鹵素陰離子作為空穴陷阱和鉛離子作為電子陷阱),可以分別用路易斯酸和路易斯堿結(jié)合。如圖所示,在表面上未飽和成鍵的I-用路易斯酸結(jié)合,未飽和成鍵的Pb2+用路易斯堿結(jié)合實(shí)驗(yàn)證明,用噻吩和吡啶處理鈣鈦礦

7、層后,效率從13勉高到15.3%和16.5%。文獻(xiàn)第二部分主要介紹了常用的一些有機(jī)分子夾層,其中PCE較高的有對氯苯甲酸,B-氨基丙酸,乙醇胺等小分子,這里具體的細(xì)節(jié)就不過多敘述。文獻(xiàn)第三部分介紹了制作夾層的方法夾層可以通過溶液處理或氣相沉積來制備。所選擇的方法取決于所沉積材料的性質(zhì)和沉積的表面。圖五說明了用于制備薄層的三種最常用的方法,即浸涂、旋涂和熱蒸發(fā)。值得注意的是,當(dāng)使用溶液處理的方法時(shí),需要考慮溶劑對層間形態(tài)的影響。夾層在沉積層的溶劑中的穩(wěn)定性也很重要。圖六展現(xiàn)了通過緩慢從液體中提取底物,可以得到均勻的分子層的過程第一個(gè)運(yùn)用了朗格繆爾-布洛杰特技術(shù),基層侵入兩親分子溶液中,親水的基團(tuán)

8、在基質(zhì)的表面聚集并結(jié)合,經(jīng)過沖洗干燥后可以得到單分子層。第二個(gè)是自組裝分子,用于固定的頭部基團(tuán)與基質(zhì)的表面結(jié)合,尾部的功能基團(tuán)還可以和下一個(gè)分子的頭部基團(tuán)結(jié)合,從而可以得到單分子或多分子層。這篇文獻(xiàn)主要調(diào)查了最近在PSC上使用有機(jī)分子進(jìn)行界面改性的進(jìn)展。有很多例子證明了有機(jī)分子層可以增加PCE以及鈣鈦礦太陽能電池裝置的長期穩(wěn)定性。文章最后總結(jié)到低成本、易于設(shè)計(jì)、修飾和純化的小分子使它們成為進(jìn)行界面工程的理想候選者。但分子需要慎重選擇,要確保他們在長時(shí)間內(nèi)能保持穩(wěn)定,以保持設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。2選取的第二篇文獻(xiàn)研究了可調(diào)控的滯后效應(yīng)IV曲線的滯后是鈣鈦礦太陽能電池(PSCS一大特點(diǎn),他將導(dǎo)致設(shè)備效率

9、的計(jì)算不準(zhǔn)確。目前已經(jīng)有許多對遲滯效應(yīng)出現(xiàn)的機(jī)理的研究。普遍認(rèn)為離子遷移,電荷捕獲/逃脫和電荷積累是解釋遲滯效應(yīng)的理論基礎(chǔ)。然而,遲滯效應(yīng)的真正起因卻仍未明晰。該文獻(xiàn)作者通過調(diào)整c-TiO2(致密TiO2)層的噴涂沉積次數(shù)并用紫外臭氧處理,實(shí)現(xiàn)了正常滯后效應(yīng),無滯后效應(yīng),反轉(zhuǎn)滯后效應(yīng)的PSCs下圖為典型介觀鈣鈦礦電池的結(jié)構(gòu)及工作機(jī)理FTO(摻雜氟的SnO2透明導(dǎo)電玻璃)/C-tio2/mp-tio2(介孔二氧化鈦層”氧化鋯/碳/鈣鈦礦設(shè)備的結(jié)構(gòu)。鈣鈦礦通過簡單的滴注法滲透到mp-tio2,氧化鋯和碳的介孔層間。圖b顯示了鈣鈦礦電池的工作機(jī)理。鈣鈦礦吸收電子并輸送到mp-tio2和C-Tio2層

10、,而產(chǎn)生的空穴轉(zhuǎn)移到孔碳層從而實(shí)現(xiàn)電子空穴對的分離。這是調(diào)整c-TiO2(致密TiO2)層的噴涂沉積次數(shù)得到的鈣鈦礦太陽能電池的不同遲滯效應(yīng)的J-V曲線當(dāng)C-TiO2層噴涂次數(shù)為三次或四次時(shí),可以觀察到典型遲滯效應(yīng)器件的J-V曲線,反掃的性能優(yōu)于正掃性能;當(dāng)減少兩個(gè)噴涂次數(shù)的時(shí)候,觀察到無遲滯效應(yīng)器件的J-V曲線,正反掃性能一致;當(dāng)只有一個(gè)噴涂次數(shù)的時(shí)候,觀察到反轉(zhuǎn)遲滯效應(yīng)器件的J-V曲線,反掃性能低于正掃性能。除了掃描方向,作者還改變了掃描速率圖3:不同遲滯效應(yīng)器件的性能隨掃速的變化關(guān)系典型遲滯效應(yīng)器件;無遲滯效應(yīng)器件;反轉(zhuǎn)遲滯效應(yīng)器件。從圖中可以看到,掃描速率也對滯后效應(yīng)一定的影響,其中在

11、某些數(shù)值上約有10%勺變化,但總體上說,掃描速率的影響不大(VOC開路電壓,Jsc:短路電流,FF:填充因子,pce功率轉(zhuǎn)換效率)下面的兩張圖很清楚的總結(jié)了滯后效應(yīng)指數(shù)與c-TiO2噴涂次數(shù)以及掃描速率的關(guān)系,c-TiO2噴涂次數(shù)減少導(dǎo)致滯后效應(yīng)指數(shù)下降,但掃描速率基本無影響。遲滯效應(yīng)指數(shù)與c-TiO2噴涂次數(shù)的關(guān)系曲線;遲滯效應(yīng)指數(shù)與掃描速率的關(guān)系曲線。圖7提供了界面處電荷積累和偏振特征的圖像。無偏壓下c-TiO2/鈣鈦礦界面層的能帶圖;小偏壓下c-TiO2/鈣鈦礦界面層的能帶圖;大偏壓下c-TiO2/鈣鈦礦界面層的能帶圖。表現(xiàn)了能帶及電荷復(fù)合的過程偏壓增大的情況下,界面因?yàn)闃O化逐漸向相反的

12、方向彎曲,同時(shí)導(dǎo)致了空穴的積累,這種在C-tio2/鈣鈦礦型界面穩(wěn)定積累的陽離子和電子空穴,提高了W同時(shí)這些空穴和陽離子會與來自接觸面的二氧化鈦的電子在表面結(jié)合。作者認(rèn)為這種電荷積累緩慢的動態(tài)變化導(dǎo)致了所觀察到的不同的滯后效應(yīng)。由于較薄的C-tio2表面能增大,有著更大的功函數(shù),使得在給定的正向掃描電壓下可以有更多的電荷積累,因此電壓可以繼續(xù)增大,而反掃電壓是逐漸減小的,就沒有這樣的表現(xiàn),反應(yīng)在伏安特性曲線上就是反轉(zhuǎn)的滯后效應(yīng)通過對這種可調(diào)的滯后效應(yīng)的研究,作者認(rèn)為是TiO2/鈣鈦礦界面的極化導(dǎo)致這種可調(diào)節(jié)滯后現(xiàn)象,這種極化可以可逆地累積正電荷。對滯后效應(yīng)成功地調(diào)整,證明了C-TiO2/鈣鈦礦

13、界面在控制滯后趨勢的重要性。為鈣鈦礦電池的遲滯效應(yīng)提供了重要的見解。第三篇文獻(xiàn)離子移動是有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦中的熱門話題。它和鈣鈦礦太陽能電池的反常光伏效應(yīng),鈣鈦礦材料的巨介電常數(shù)等特殊性能密切相關(guān)。在鈣鈦礦太陽能電池中,一般認(rèn)為離子應(yīng)該去除,因?yàn)榇罅侩x子移動會帶來材料相分離和電池穩(wěn)定性差的問題。很少有人關(guān)注離子移動帶來的優(yōu)點(diǎn)。本篇文獻(xiàn)的作者通過在鈣鈦礦骨架中引入少量小的鋰離子和外來碘離子,借助于外電場中外來離子的移動,闡明一定的離子移動/聚集在鈣鈦礦材料中形成了外來的n/p型摻雜。這種外來非本征摻雜有助于電池內(nèi)建電場的提高以及載流子的迅速抽取。離子移動示意圖及電化學(xué)性能測試。外來離子在鈣鈦礦骨

14、架中移動;鈣鈦礦離子電導(dǎo)隨鋰離子增多而增大;反式鈣鈦礦太陽能電池中NiO/鈣鈦礦界面電子抽取,含離子的抽取變快實(shí)驗(yàn)表明,LiI添加劑不會改變鈣鈦礦晶型。Li+最可能在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的空隙中轉(zhuǎn)移并停留,而I-通常組成八面體的結(jié)構(gòu)形成空隙。這個(gè)曲線表明隨著鈣鈦礦中鋰離子的增多,鈣鈦礦的電導(dǎo)隨之增大因?yàn)長iI摻雜使導(dǎo)電性增加,從而會加快從鈣鈦礦到NiO的界面電荷轉(zhuǎn)移,使反式鈣鈦礦太陽能電池中NiO/鈣鈦礦界面電子抽取,含Li2+離子的抽取速率變快圖2.能級測量原理及摻雜類型。這是設(shè)計(jì)的使用原子力顯微鏡表面電勢測試鈣鈦礦/FTO以及鈣鈦礦界面的能級的裝置(一半涂有FTQ巴拉巴拉)通過對FTO加不同偏壓,在

15、界面形成離子聚集,測試得到表面電勢在沒有偏壓的情況下,含Li+2%摻雜的電勢差要小于不含Li摻雜的,VN的減小意味著在界面所損耗的能量會減少,從而促進(jìn)電子從li+2%進(jìn)入FTO4由圖所示,0.5V的偏壓下LI2%勺表面電位比li-0低約40mV而-0.5V的偏壓下LI2%的表面電位比li-0高約50mV。理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,Li+離子在陰極附近的積累將引起n型摻雜,而I-陽極附近形成p型摻雜。正偏壓下I-聚集在FTQ因?yàn)镮-不易失去電子,所以產(chǎn)生的空穴容易積累形成p型摻雜,同理負(fù)偏壓下Li+聚集在FTQ而Li+不易得到電子,容易使電子積累形成n型摻雜。圖3.性能表征少量離子摻雜有助于電池效

16、率提升,并減小遲滯效應(yīng);(li-0有明顯的遲滯效應(yīng),而摻雜了5%勺Li以后正掃反掃的伏安特性曲線基本重合,摻雜li2%,5%的短路電流和開路電壓都大于無li摻雜的)夕卜來離子在界面聚集使得電池內(nèi)建電場增強(qiáng),使電壓增大,從而提高電池性能。不同于鈣鈦礦自身本征的離子移動將會帶來大量的缺陷態(tài),但這種外來的離子移動不會形成相分離。因而對鈣鈦礦太陽能電池性能提高以及保持器件穩(wěn)定性有積極作用。第四篇文獻(xiàn)有機(jī)-無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池(PSC中吸收層的形成和組成有助于實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換效率(PCE20%。鈣鈦礦太陽能電池由上到下分別為玻璃、FTO電子傳輸層(ETM、鈣鈦礦光敏層、空穴傳輸層(HTM和金屬電極。目前較高

17、效率的鈣鈦礦太陽能電池保留TO層,并使用螺-OMeTAD或聚合物的PTTA作為空穴傳輸材料(HTM。然而,這些成本對于大規(guī)模應(yīng)用來說是非常高的。各種無機(jī)HTMS!中,CuSC是一個(gè)極其廉價(jià)的、可以量產(chǎn)的P型半導(dǎo)體材料,具有高的空穴遷移率、良好的熱穩(wěn)定性,和均衡的工作性能。作者通過動態(tài)沉積的方法制得CuSCb薄膜。圖一,涂覆在玻璃和鈣鈦礦上CuSCN薄膜的結(jié)構(gòu)表征CuSCN晶體一般在兩個(gè)多晶型,a-CuSCN和B-CuSCN,X射線衍射數(shù)據(jù)(圖1A)表明動態(tài)沉積的方法制得的是B-CuSCN圖一b,c是CuSCF和CuSCN鈣鈦礦薄膜掠入射廣角X射線散射(GIWAXS的圖像??梢钥吹酵坑蠧uSCN

18、t反射變得更加強(qiáng)烈。圖d,e表明了CuSCNM子的排布方向,銅原子和硫原子構(gòu)成了一個(gè)個(gè)分子層骨架,而碳原子和氮原子將層與層之間連接起來。(紅色、銅原子、黃色、硫原子、灰色、碳原子、藍(lán)色、氮原子)掃描電子顯微鏡(SEIM獲得的鈣鈦礦薄膜圖像表明CuSCNg沉積是均勻覆蓋的,在金與鈣鈦礦層之間。從穩(wěn)態(tài)和隨時(shí)間的光致發(fā)光光譜中看到CuseN丐鈦礦層無論是發(fā)光強(qiáng)度還是穩(wěn)定性都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于其他層。同時(shí)即使CuSCh設(shè)備在85C下長時(shí)間加熱,也沒有觀察到明顯的降解,證明其有較好的熱穩(wěn)定性。圖三,基于螺-OMeTAD口CuSC空穴傳輸層的器件的光伏特性可以看到用CuSCN作為空穴傳輸層的器件與目前性能較優(yōu)越的用

19、螺-OMeTAD作為空穴傳輸層的器件光伏特性差別很小,曲線幾乎重合,證明有CuSCb涂層的器件性能較好。使用CuSCN作為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池,有著較好的運(yùn)行穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,同時(shí)也有著較高的功率轉(zhuǎn)換效率,加上價(jià)格低廉,有著很好的應(yīng)用前景。第五篇文獻(xiàn)除了有機(jī)-無機(jī)鹵化物鈣鈦礦,有些純無機(jī)鹵化物鈣鈦礦也適合做太陽能電池。在那些純無機(jī)鹵化物鈣鈦礦中,a-CaPbl3有著最合適應(yīng)用于串聯(lián)太陽能電池的帶隙,但它有著在一些環(huán)境條件下不穩(wěn)定的問題,在室溫條件下將自發(fā)地轉(zhuǎn)變?yōu)榈腟-CaPbI3相。作者發(fā)現(xiàn)含少量乙二胺(EDA陽離子的二維(2D)EDAPbl4鈣鈦礦可以使a-由此產(chǎn)生的a-CaPbI3

20、結(jié)CaPbI3穩(wěn)定,避免了非鈣鈦礦S相的不穩(wěn)定構(gòu)造構(gòu)在室溫下可以保持幾個(gè)月的穩(wěn)定性,即使在經(jīng)過100OC的熱處理一周后也能保持原來的相。作者一開始用Pbl2+Csl或PbI2XHI+Csl作為前驅(qū)物制備a-CaPbl3通過將等當(dāng)量的Pbl2+Csl或PbI2xHI+Csl溶于DMF中一步沉積制備CsPbb薄膜圖一是CsPbl3薄膜的光譜、結(jié)構(gòu)表征以及電池性能、穩(wěn)定性測試紫外可見吸收光譜XRD圖譜;基于a-CsPbl3鈣鈦礦太陽能電池的l-V曲線通過Pbl2xHl+Csl制備的CsPbl3薄膜退火前后的XRD和薄膜顏色變化從圖中可以看到,由Pbl2+Csl制備a-CsPbl3鈣鈦礦的的UV-vi

21、s在414nm處有吸收峰和在X射線衍射圖譜(XRD中9.78處有峰表明有多余非鈣鈦礦S-CaPbI3相的形成。雖然用Pbl2xHl+Csl制備的棕色CsPbl3薄膜在一開始通過X射線衍射圖譜(XRD可以證明是純的a-CaPbI3相,但長時(shí)間下也有不穩(wěn)定的問題,由圖D可以看到在十二小時(shí)之后棕色的a-cspbi3薄膜轉(zhuǎn)變成了黃色的S-cspbi3薄膜。圖二:EDAPbl和CsPbl3xEDAPbl薄膜的結(jié)構(gòu)表征和光譜研究作者之后嘗試了添加EDAPb4EDAPb4是一種二維材料,從下圖可以看到,其XRD有位于29=6的峰,UV-vis中有420nm的吸收峰但通過XRD和cspbi3xedapbi4樣

22、品紫外-可見光譜(C和D)可以看到。不論他們的edapbi4含量(X),所有的XRD圖譜都只有a-cspbi3鈣鈦礦相的特征峰。沒有edapbi4相對應(yīng)的信號(低于29=10峰),這表明沒有的edapbi4晶相或極細(xì)的edapbi4層或晶體的形成。之后對其的I-V曲線進(jìn)行表征又可以看到與純的cspbi3的曲線有明顯不同,說明有這些薄膜中有EDA陽離子的存在。(圖三)由CsPbbxEDAPb前驅(qū)體(x=0,0.0125,0.025,和0.05)獲得的鈣鈦礦薄膜的AFM圖SEM圖掃描電子顯微鏡(SEM和原子力顯微鏡圖像(AFM)(圖3,A和B)表明,cspbi3xedapbi4晶粒尺寸隨著edap

23、bi4含量增加而顯著減小,大約從300nm(x=0)減小到35nm(x=0.025)CsPbIaxEDAPb鈣鈦礦太陽能電池的I-V特征曲線CsPbI30.025EDAPb鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定輸出基于CsPbb0.025EDAPb鈣鈦礦的IPCE32個(gè)CsPbI30.025EDAPb鈣鈦礦太陽能電池的效率分布從J-V曲線提取光伏參數(shù)(圖4A)列于表1。發(fā)現(xiàn),cspbi3xedapbi4(x=0.0125到0.05)的設(shè)備比那些基于純cspbi3有更好的性能。所有的光電參數(shù)(JSC,VOC,andFF)都有所增強(qiáng),其中從表中數(shù)據(jù)可以看出x=0,025時(shí),CsPbbxEDAPbl鈣鈦礦太陽能電池性能最好圖b(基本穩(wěn)定在10%圖c(光電轉(zhuǎn)化效率在波長350nm-600nm之間有60%以上,400-500nm達(dá)到了80%最咼有86%圖d(主要分布在10%-11%圖5、基于CsPbb0.025EDAPb器件和薄膜的穩(wěn)定性測試最佳CsPbb0.025EDAPb電池效率隨時(shí)間

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論