GB∕T 24580-2009 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５８０—２００９

重摻狀型硅襯底中硼沾污的

二次離子質(zhì)譜檢測方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犅狅狉狅狀犮狅狀狋犪犿犻狀犪狋犻狅狀犻狀犺犲犪狏犻犾狔犱狅狆犲犱狀狋狔狆犲

狊犻犾犻犮狅狀狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫狔狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜２４５８０—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４《用二次離子質(zhì)譜法測量重攙雜Ｎ型硅襯底中的硼污染的方

法》。本標準對ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４格式進行了相應調(diào)整。為了方便比較，在資料性附錄Ｂ中列出了

本標準章條和ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４章條對照一覽表。并對ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４條款的修改處用垂直

單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４相比，主要技術(shù)差異如下：

———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”；

———將實際測試得到的單一試驗室的精密度結(jié)果代替原標準中的精度和偏差部分，并將原標準中

的精度和偏差部分作為資料性附錄Ａ。

本標準附錄Ａ和附錄Ｂ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研

究所。

本標準主要起草人：馬農(nóng)農(nóng)、何友琴、丁麗。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５８０—２００９

重摻狀型硅襯底中硼沾污的

二次離子質(zhì)譜檢測方法

１范圍

１．１本標準規(guī)定了重摻ｎ型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜測試方法。本標準適用于二次離子質(zhì)譜

法（ＳＩＭＳ）對重摻ｎ型硅襯底單晶體材料中痕量硼沾污（總量）的測試。

１．２本標準適用于對銻、砷、磷的摻雜濃度＜０．２％（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料中硼濃度的檢測。

特別適用于硼為非故意摻雜的ｐ型雜質(zhì)，且其濃度為痕量水平（＜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料的

測試。

１．３本標準適用于檢測硼沾污濃度大于ＳＩＭＳ儀器檢測限（根據(jù)儀器的型號不同，檢測限大約在

５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）兩倍的硅材料。

１．４原則上，本標準對于不同表面情況的樣品都適用，但是本標準中的精度估算值是從表面拋光樣品

的測試數(shù)據(jù)中得到的。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＡＳＴＭＥ１２２評價一批產(chǎn)品或一個工藝過程質(zhì)量的樣品大小的選擇規(guī)范

３術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標準。

３．１

離子質(zhì)譜犻狅狀犿犪狊狊

根據(jù)質(zhì)荷比的不同將離子分開并計數(shù)。

３．２

一次離子狆狉犻犿犪狉狔犻狅狀

由離子槍產(chǎn)生的離子，聚焦到樣品表面，濺射并離化樣品表面原子。

３．３

二次離子質(zhì)譜狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔

對樣品表面濺射出來的二次離子進行質(zhì)譜分析。

３．４

二次離子狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀

在一次離子束的濺射下，樣品表面原子離化