內(nèi)層沖影蝕板工藝教材

1、沖影&蝕板工藝技術(shù)沖影的作用將未曝光之干膜或油墨沖去,已曝光的部分那么被保管下來,初步構(gòu)成內(nèi)層線路.沖影原理干膜(油墨)中未曝光部分的活性基團(tuán)與稀堿溶液反響生成可溶性物質(zhì)而溶解下來，沖影時(shí)活性基團(tuán)羧基-COOH 與無水碳酸鉀(或碳酸鈉)中的K+作用，生成親水性集團(tuán) -COOK。從而把未曝光的部分溶解下來，曝光部分的干膜由于有一定的抗堿性不被溶解。-COOH+K+ - COOK顯影時(shí)間的控制顯影時(shí)間經(jīng)過顯影點(diǎn)來控制。顯影點(diǎn)是指沒有曝光的干膜從印制板上被沖掉之點(diǎn)。顯影點(diǎn)必需堅(jiān)持在沖影段總長度的一個(gè)恒定百分比上，公司內(nèi)層沖影(干膜)顯影點(diǎn)控制在60-65%。假設(shè)顯影點(diǎn)離顯影段出口太近，未聚合的干膜得

2、不到充分的顯影，呵斥顯影不清，部分干膜碎能夠殘留在板面上。假設(shè)顯影點(diǎn)離顯影段入口太近， 呵斥顯影過度。沖影流程沖 影水 洗烘 干沖影藥液成分弱堿性溶液，K2CO3或Na2CO3作用進(jìn)展顯影反響，將未經(jīng)發(fā)生光聚合反響的干膜顯影掉水洗藥液成分自來水作用將顯影后產(chǎn)生的膜碎及板面上的殘留液洗去。烘干方法用熱風(fēng)吹作用將殘留在板面上的水分吹干。蝕刻質(zhì)量目的側(cè)蝕(under-cut)：發(fā)生在抗蝕層圖形下面導(dǎo)線側(cè)壁的蝕刻(用X表示)，側(cè)蝕量的大小是指最大側(cè)向蝕刻寬度，其值愈小愈佳。側(cè)蝕與蝕刻液類型、組成及所用的蝕刻工藝及設(shè)備有關(guān)側(cè)蝕(under-cut)：發(fā)生在抗蝕層圖形下面導(dǎo)線側(cè)壁的蝕刻(用X表示)，側(cè)蝕量

3、的大小是指最大側(cè)向蝕刻寬度，其值愈小愈佳。側(cè)蝕與蝕刻液類型、組成及所用的蝕刻工藝及設(shè)備有關(guān)菲林上導(dǎo)線寬度X抗蝕層側(cè)蝕基板蝕刻質(zhì)量目的蝕刻系數(shù)(etchfactor)：以T/X表示(T 為線路銅層厚度)此數(shù)據(jù)與蝕刻液的特性、蝕刻方法、溫度有關(guān)。蝕刻系數(shù)越大，側(cè)蝕越小。過蝕(over etch):指蝕刻過度，使導(dǎo)線變細(xì)或嚴(yán)重的側(cè)蝕菲林上導(dǎo)線寬度X抗蝕層W (過蝕) T (銅層厚度) 基板蝕刻液的選擇蝕刻液需具備的主要條件蝕刻系數(shù)大、側(cè)蝕小溶銅量大、溶液壽命長反響平穩(wěn)蝕刻液的種類主要有三氯化鐵蝕刻液鉻酸、過硫酸銨蝕刻液(過硫酸銨易自行分解反響，溶液壽命短，且反響猛烈發(fā)熱所以采用的較少) ，此種蝕刻液

4、適宜錫鉛合金、錫鍍層。氨堿性氯化銅蝕刻液(本公司采用)雙氧水-硫酸系列以及后來開展起來的硝酸系列酸性氯化銅蝕刻液酸性氯化銅蝕刻液特性蝕刻速率易控制，蝕刻液在穩(wěn)定的形狀下，能達(dá)高的蝕刻質(zhì)量蝕刻液易回收，減少污染化學(xué)組成酸性氯化銅蝕刻原理在蝕刻過程中，氯化銅中的二價(jià)銅具有氧化性，將電路板銅面上的銅氧化成一價(jià)銅,其化學(xué)反響如下：Cu+CuCL2 Cu2CL2Cu2CL2+4CL- 2CuCL32-堿性氯化銅蝕刻液特性蝕刻速率快，側(cè)蝕小，溶銅才干強(qiáng)，蝕刻速率易于控制蝕刻液可延續(xù)再生循環(huán)運(yùn)用，本錢低?；瘜W(xué)組分堿性氯化銅蝕刻原理在氯化銅溶液中參與氨水，發(fā)生絡(luò)合反響： CuCL2 + 4NH3 Cu(NH3

5、)4CL2在蝕刻過程中，基板上的銅被Cu(NH3)42+絡(luò)離子氧化，其反響如下 Cu(NH3)4CL2 + Cu 2Cu(NH3)2CL 以上反響所生成的Cu(NH3)2+2具有蝕刻才干。堿性氯化銅蝕刻原理 Cu(NH3)4CL2 + Cu 2Cu(NH3)2CL 以上反響所生成的Cu(NH3)2+1不具有蝕刻才干,在過量的氨水各氯離子存在的情況下，能很快地被空氣中的氧所氧化，生成具有蝕刻才干的 Cu(NH3)42+絡(luò)離子，其再生反響如下： 2Cu(NH3)2CL + 2 NH4CL+2NH3 +1/2 O2 2Cu(NH3)4CL2 +H2O 從上述反響可看出，每蝕刻1克分子銅需求耗費(fèi)2克分

6、子氨和2克分子氯化氨。因此在蝕刻過程中，隨著銅的溶解，應(yīng)不斷補(bǔ)充氨水和氯化銨影響蝕刻速率的要素二價(jià)銅離子濃度的影響(因二價(jià)銅離子是氧化劑，所以其濃度是影響蝕刻速率的主要要素)在自動控制蝕刻系統(tǒng)中，銅離子濃度采用比重來控制，當(dāng)比重超越一定值時(shí)，控制系統(tǒng)就會自動補(bǔ)加氨水和氯化銨的水溶液，以調(diào)整比重在規(guī)定的范圍內(nèi)。二價(jià)銅離子濃度必需維持在一定的濃度程度，太高或太低都會減慢蝕刻速度影響蝕刻速率的要素溶液PH值的影響當(dāng)PH值小于8以下時(shí)，對金屬抗蝕層不利；蝕刻液中的銅不能完全被絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子，導(dǎo)致溶液中出現(xiàn)沉淀在槽底，構(gòu)成泥狀沉淀。當(dāng)PH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨揮發(fā)呵斥大氣污染，同時(shí)也會增大側(cè)

7、蝕的程度，從而影響蝕刻的精度，通常將此值堅(jiān)持在8.0-8.8之間影響蝕刻速率的要素氯化銨含量的影響蝕刻液再生反響 2Cu(NH3)2CL + 2 NH4CL+2NH3 +1/2 O2 2Cu(NH3)4CL2 +H2O 從蝕刻液再生的化學(xué)反響中可知， Cu(NH3)21 +再生需求過量氨水和氯化銨的存在。假設(shè)相反蝕刻速率就會下降，以致失去蝕刻才干。但假設(shè)當(dāng)蝕刻液中氯離子含量過高時(shí)，會呵斥抗蝕鍍層被浸蝕。在蝕刻液中，普通控制氯化銨量在150克/升左右影響蝕刻速率的要素溫度的影響普通來說，蝕刻速率會隨著溫度的升高而加快,如以下圖當(dāng)蝕刻液溫度低于40度時(shí)，蝕刻速率減慢，導(dǎo)致側(cè)蝕量增大，溫度高于60度

8、時(shí)，蝕刻速率明顯增大，但易呵斥氨的揮發(fā)量大，污染環(huán)境并使蝕刻液化學(xué)組分比例失調(diào)，所以通?？刂圃?5-55度之間蝕刻 速率(分)溫度影響蝕刻速率的要素除了以上各項(xiàng)影響蝕刻速率的要素外，還有其它一些要素，如抽風(fēng)量、蝕板壓力等蝕板流程蝕 刻水 洗退 膜烘 干水 洗蝕刻藥液成分：蝕刻液，主要為蝕板鹽及氨水作用： 將基板上裸露的銅蝕去，構(gòu)成初步電路圖形。水洗藥液成分：自來水作用：將殘留在板面上的殘留液沖洗掉，以避帶入退膜缸中。退 膜藥液成分：強(qiáng)堿，公司現(xiàn)用KOH作用：將銅面上的抗蝕層(干膜或油墨層)用化學(xué)反響的方式除去，從而顯顯露完好的內(nèi)層線路.水 洗藥液成分：自來水作用：將殘留在板面上的膜碎及殘液沖洗掉。烘 干方法：熱風(fēng)吹作用：將板面上的水份吹干，以防止發(fā)生板面氧化。蝕板設(shè)備引見-友大機(jī)優(yōu)點(diǎn)性能較穩(wěn)定，壞機(jī)頻率低。缺陷蝕刻均勻性差傳動輪