光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法與流程

1、光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法與流程本發(fā)明涉及光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法。背景技術(shù)：在采用光刻工藝生產(chǎn)存儲(chǔ)器件時(shí)，第二功能層圖形與第一功能圖形之間 需要保持精確的對(duì)位，才能確保器件正常的工作。為實(shí)現(xiàn)上述精確對(duì)位 的目標(biāo)，在第一功能圖形掩膜版上方攵置對(duì)位標(biāo)記，通過(guò)第一功能圖形光 刻和刻蝕把相應(yīng)對(duì)位標(biāo)記留在硅片上，在后續(xù)的第二功能層光刻工藝過(guò) 程中通過(guò)偵測(cè)第一功能圖形的對(duì)位標(biāo)記的位置完成上下層圖形的對(duì)準(zhǔn)。 在該工藝過(guò)程中，由于第一功能圖形的對(duì)位標(biāo)記圖形已經(jīng)通過(guò)化學(xué)機(jī)械 拋光工藝進(jìn)行平坦化，非透明的第二功能層金屬薄膜沉積后，第二功能 層光刻曝光工藝時(shí)光刻機(jī)無(wú)法偵測(cè)到BE的對(duì)位標(biāo)記光學(xué)信號(hào)，

2、最終導(dǎo) 致無(wú)法完成第二功能層光刻工藝。為解決上述問(wèn)題，通常在沉積磁隧道薄膜之前，增加一張過(guò)渡掩膜，把 對(duì)位標(biāo)記和套刻標(biāo)記制作到氧化物介質(zhì)中，第二功能層薄膜沉積之后， 上述標(biāo)記處仍然保持表面凹凸結(jié)構(gòu)，因此可以為第二功能層光刻時(shí)提供 對(duì)準(zhǔn)信號(hào)和套刻信號(hào)。但上述方法存在兩個(gè)明顯的缺陷：一是第二功能 層與第一功能圖形的對(duì)位無(wú)法直接監(jiān)測(cè)，只能通過(guò)第二功能層，過(guò)渡掩 膜和第一功能圖形之間的相對(duì)位置來(lái)間接完成，增加了套刻性能的不穩(wěn) 定性和在線控制的復(fù)雜性；二是因?yàn)檫^(guò)渡掩膜起到第二功能層和第一功 能圖形之間的橋梁作用，要求過(guò)渡掩膜需要具備較高的掩膜等級(jí)和工藝 要求，普通的I線光刻機(jī)無(wú)法滿足工藝要求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要

3、素：本發(fā)明提供的光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法，能夠精確的實(shí)現(xiàn)光刻工藝中的對(duì) 準(zhǔn)。第一方面，本發(fā)明提供一種光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法，包括：提供第一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記以及用于填充第一功能圖形和對(duì)位標(biāo)記之 間間隙的填充介質(zhì)，所述第一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的上表面 均在第一平面內(nèi)；在所述填充介質(zhì)上形成凹槽，所述凹槽用于暴露所述對(duì)位標(biāo)記的側(cè)壁；在所述第一平面上形成第二功能層，所述第二功能層在所述凹槽上形成 隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；依據(jù)所述隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)偵測(cè)所述對(duì)位標(biāo)記，完成對(duì)所述第二功能層的光 刻和刻蝕?？蛇x地，在第一平面上形成光刻膠；對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成標(biāo)記區(qū)域；所述標(biāo)記區(qū)域完全覆蓋 所述對(duì)位標(biāo)記；將所述標(biāo)記區(qū)

4、域除對(duì)位標(biāo)記外的部分刻蝕，以在所述填充介質(zhì)上形成圍 繞所述標(biāo)記區(qū)域的凹槽?？蛇x地，刻蝕時(shí)，利用對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的刻蝕選擇比進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)刻 蝕。可選地，所述凹槽的深度大于所述第二功能圖形的厚度?？蛇x地，形成第二功能層的材料為不透明材料?？蛇x地，所述對(duì)位標(biāo)記包括光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和套刻標(biāo)記?？蛇x地，所述第二功能層光刻過(guò)程中，利用所述第二功能層對(duì)應(yīng)所述凹 槽處的隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的反射光源偵測(cè)對(duì)位標(biāo)記?？蛇x地，所述第一功能圖形和對(duì)位標(biāo)記通過(guò)刻蝕或剝離工藝形成在襯底 上?？蛇x地，所述凹槽的邊緣與所述對(duì)位標(biāo)記的邊緣之間的距離不小于0.5 微米。本發(fā)明光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法中，在對(duì)位標(biāo)記的周圍形成凹槽，在第二功 能層形

5、成時(shí)，會(huì)在凹槽上形成隨形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這樣，通過(guò)偵測(cè)該隨形 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)即可確定對(duì)位標(biāo)記的位置，從而第二功能層與第一功能圖形之 間可以實(shí)現(xiàn)直接對(duì)準(zhǔn)和套刻監(jiān)控，大大降低了工藝控制的復(fù)雜程度，提 高了套刻精度和穩(wěn)定性；另外，本發(fā)明中在凹槽的形成過(guò)程中，工藝要 求低，可以在I線機(jī)臺(tái)上實(shí)現(xiàn)，極大降低了工藝成本。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明一實(shí)施例光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法中覆蓋標(biāo)記掩膜的示意圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法對(duì)填充介質(zhì)刻蝕形成溝槽后 的示意圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法形成第二功能層后的示意圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法覆蓋第二掩膜的示意圖；圖5為本發(fā)明一實(shí)施例光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法對(duì)第二

6、功能層刻蝕完成的示 意圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā) 明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描 述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的 實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造 性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1本發(fā)明實(shí)施例提供一種光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法，如圖1-5所示，包括：S1，提供第一功能圖形2、對(duì)位標(biāo)記1以及用于填充第一功能圖形和對(duì) 位標(biāo)記之間間隙的填充介質(zhì)3，所述第一功能圖形2、對(duì)位標(biāo)記1和填 充介質(zhì)3的上表面均在第一平面內(nèi)；在上述步驟S1

7、中，進(jìn)一步包括如下步驟：S11：提供一襯底，在襯底上形成第一功能層；在本實(shí)施例中，第一功能層為底電極層；S12：在第一功能層上涂光刻膠；S13:采用具有與對(duì)位標(biāo)記1和第一功能圖形2對(duì)應(yīng)圖形的第一掩膜對(duì) 光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，在光刻膠上形成與對(duì)位標(biāo)記1和第一功能圖形 2對(duì)應(yīng)的圖形；本實(shí)施例中，曝光方式可以選用接觸式曝光、接近式曝光或者投影式曝 光。本實(shí)施例中，第一功能圖形2即為底電極圖形?？蛇x地，本實(shí)施例中的對(duì)位標(biāo)記包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo)記。:對(duì)第一功能層進(jìn)行刻蝕并去除光刻膠，此時(shí)第一功能層僅剩余第 一功能圖形2和對(duì)位標(biāo)記1；在本實(shí)施例中，第一功能圖形2為底電極圖形；:將填充介質(zhì)3填充在第一功能圖

8、形2和對(duì)位標(biāo)記1之外的區(qū)域， 并對(duì)第一功能圖形2、對(duì)位標(biāo)記1和填充介質(zhì)3進(jìn)行平坦化，使第一功 能圖形2、對(duì)位標(biāo)記1和填充介質(zhì)3的上表面在第一平面內(nèi)，形成基底。在本實(shí)施例中，填充介質(zhì)3可以選用氧化硅、氮化硅或氧化鋁。上述三 種填充介質(zhì)3可以選用其中一種，也可以選用多種的混合物，或者，還 可以在不同區(qū)域采用不同填充介質(zhì)3進(jìn)行填充。S2，在所述填充介質(zhì)3上形成凹槽31，所述凹槽31用于暴露所述對(duì) 位標(biāo)記1的側(cè)壁；上述S2步驟進(jìn)一步包括如下步驟：S21:在所述第一表面涂光刻膠；S22:采用一標(biāo)記掩膜4覆蓋光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，以形 成標(biāo)記區(qū)域；所述標(biāo)記區(qū)域完全覆蓋所述對(duì)位標(biāo)記； 在本步驟中，

9、將光刻膠進(jìn)行曝光顯影處理，使光刻膠對(duì)應(yīng)對(duì)位標(biāo)記1處 出現(xiàn)一標(biāo)記區(qū)域。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，所述對(duì)位標(biāo)記1包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo) 記。S23:對(duì)標(biāo)記區(qū)域的填充介質(zhì)3進(jìn)行刻蝕，使標(biāo)記區(qū)域圍繞對(duì)位標(biāo)記1 形成凹槽31；對(duì)標(biāo)記區(qū)域填充介質(zhì)3進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用干法刻蝕，也可以采用濕 法刻蝕。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，刻蝕時(shí)，利用對(duì)位標(biāo)記1和填充介質(zhì)3 的刻蝕選擇比進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)刻蝕。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，凹槽的邊緣與對(duì)位標(biāo)記的邊緣之間的距 離不小于0.5微米。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，控制所述凹槽31的刻蝕深度大于所述 第二功能層5的厚度。該實(shí)施方式下，當(dāng)完成第二功能層5的層疊時(shí)， 第二功能

10、層5能在凹槽31處形成良好的隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有利于對(duì)對(duì)位 標(biāo)記1的識(shí)別。S24:在完成刻蝕后，將剩余的光刻膠進(jìn)行剝離和去除。S3，在所述第一平面上形成第二功能層5，所述第二功能層5在所述凹 槽31上形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)51；在本步驟中，在第一平面上堆疊第二功能層5,由于填充介質(zhì)3上有開(kāi) 口在第一平面的凹槽31，第二功能層5在堆疊后會(huì)形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 51，即也會(huì)形成凹槽。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，形成第二功能層5的材料為不透明材 料。例如，在本實(shí)施例中采用第二功能層5為磁隧道結(jié)層。S4，依據(jù)所述隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)51偵測(cè)所述對(duì)位標(biāo)記1，完成對(duì)所述第二 功能層5的刻蝕；上述S4步驟進(jìn)一步包括如下步驟：S4

11、1：在第二功能層5上涂光刻膠，:通過(guò)偵測(cè)隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)51，即偵測(cè)第二功能層5的凹槽，將具有 第二功能層5圖形的第二掩膜6進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)；作為可選實(shí)施方式，利用所述第二功能層5對(duì)應(yīng)所述凹槽31處的隨形 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)51的反射光源偵測(cè)對(duì)位標(biāo)記1。:對(duì)第二功能層5上的光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，使光刻膠上出現(xiàn)第 二功能層5的圖形。本步驟中的對(duì)光刻膠的曝光同樣可以根據(jù)需要選擇接觸曝光、接近曝光 或投影曝光。S44:依據(jù)光刻膠上的圖形對(duì)第二功能層5進(jìn)行刻蝕，刻蝕完成后第二 功能層5僅剩余第二功能圖形52部分。在本步驟中，刻蝕過(guò)程中可以選擇干法刻蝕，也可以選擇濕法刻蝕。本實(shí)施例提供的光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法中，在對(duì)位標(biāo)記1的周

12、圍形成凹槽 31，在第二功能層5形成時(shí)，會(huì)在凹槽31上形成隨形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這 樣，通過(guò)偵測(cè)該隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)51即可確定對(duì)位標(biāo)記1的位置，從而第 二功能層5與第一功能圖形2之間可以實(shí)現(xiàn)直接對(duì)準(zhǔn)和套刻監(jiān)控，大大 降低了工藝控制的復(fù)雜程度，提高了套刻精度和穩(wěn)定性；另外，本實(shí)施 例中在凹槽31的形成過(guò)程中，工藝要求低，可以在I線機(jī)臺(tái)上實(shí)現(xiàn)， 極大降低了工藝成本。實(shí)施例2本實(shí)施例提供一種光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法，以磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的頂電極進(jìn) 行光刻的過(guò)程為例進(jìn)行說(shuō)明，包括：S1，提供一基底,所述基底包括襯底以及在襯底上形成的第一功能圖形、 對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)，所述第一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的上表 面均在第一

13、平面內(nèi)；上述S1步驟進(jìn)一步包括如下步驟：S11：提供一襯底，在襯底上形成第一功能層;在本實(shí)施例中，襯底為包括了底電極圖形以及用于承托底電極的承托器 件。而本實(shí)施例的第一功能層即為磁隧道結(jié)層。:在第一功能層上涂光刻膠；:采用具有對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形的第一掩膜對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光 和顯影，在光刻膠上形成對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形的；本實(shí)施例中，曝光方式可以選用接觸式曝光、接近式曝光或者投影式曝 光。本實(shí)施例中，第一功能圖形即為磁隧道結(jié)圖形?？蛇x地，本實(shí)施例中的對(duì)位標(biāo)記包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo)記。:對(duì)第一功能層進(jìn)行刻蝕并去除光刻膠，此時(shí)第一功能層僅剩余第 一功能圖形和對(duì)位標(biāo)記；在本實(shí)施例中，第一功能圖形為磁隧

14、道結(jié)圖形；:將填充介質(zhì)填充在第一功能圖形和對(duì)位標(biāo)記之外的區(qū)域，并對(duì)第 一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)進(jìn)行平坦化，使第一功能圖形、對(duì)位 標(biāo)記和填充介質(zhì)的上表面在第一平面內(nèi)即形成基底。在本實(shí)施例中，填充介質(zhì)可以選用氧化硅、氮化硅或氧化鋁。上述三種 填充介質(zhì)可以選用其中一種，也可以選用多種的混合物，或者，還可以 在不同區(qū)域采用不同填充介質(zhì)進(jìn)行填充。S2，在所述填充介質(zhì)上形成凹槽，所述凹槽用于暴露所述對(duì)位標(biāo)記的側(cè) 壁；上述S2步驟進(jìn)一步包括如下步驟：:在所述第一表面涂光刻膠；:對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，以在光刻膠表面形成一標(biāo)記區(qū)域；標(biāo) 記區(qū)域完全覆蓋對(duì)位標(biāo)記在本步驟中，將光刻膠進(jìn)行曝光顯影處理，使光刻膠

15、對(duì)應(yīng)對(duì)位標(biāo)記處出 現(xiàn)一標(biāo)記區(qū)域。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，所述對(duì)位標(biāo)記包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo) 記。:對(duì)標(biāo)記區(qū)域的填充介質(zhì)進(jìn)行刻蝕以形成圍繞對(duì)位標(biāo)記的凹槽31；對(duì)標(biāo)記區(qū)域填充介質(zhì)進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用干法刻蝕，也可以采用濕法 刻蝕。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，刻蝕時(shí)，利用對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的刻 蝕選擇比進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)刻蝕。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，所述凹槽的邊緣與所述對(duì)位標(biāo)記的邊緣 之間的距離不小于0.5微米。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，控制所述凹槽的刻蝕深度大于所述第二 功能層的厚度。該實(shí)施方式下，當(dāng)完成第二功能層的層疊時(shí)，第二功能 層在凹槽處能夠形成良好的隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有利于對(duì)對(duì)位標(biāo)記的識(shí)別。S

16、24:在完成刻蝕后，將剩余的光刻膠進(jìn)行剝離和去除。S3，在所述第一平面上形成第二功能層，所述第二功能層在所述凹槽上 形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；在本步驟中，在第一平面上堆疊第二功能層，由于填充介質(zhì)3上有開(kāi)口 在第一平面的凹槽，第二功能層在堆疊后會(huì)形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即也會(huì) 形成凹槽。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，形成第二功能層的材料為不透明材料。 例如，在本實(shí)施例中采用第二功能層為頂電極層。S4，依據(jù)所述隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)偵測(cè)所述對(duì)位標(biāo)記，完成對(duì)所述第二功能層 的光刻和刻蝕；上述S4步驟進(jìn)一步包括如下步驟：S41：在第二功能層上涂光刻膠，S42:通過(guò)偵測(cè)隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即偵測(cè)第二功能層的凹槽，將具有第二 功能層圖形

17、的第二掩膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)； 作為可選實(shí)施方式，利用所述第二功能層對(duì)應(yīng)所述凹槽處的隨形拓?fù)浣Y(jié) 構(gòu)的反射光源偵測(cè)對(duì)位標(biāo)記。:對(duì)第二功能層上的光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，使光刻膠上出現(xiàn)第二 功能層的圖形。本步驟中的對(duì)光刻膠的曝光同樣可以根據(jù)需要選擇接觸曝光、接近曝光 或投影曝光。:依據(jù)光刻膠上的圖形對(duì)第二功能層進(jìn)行刻蝕，刻蝕完成后第二功 能層僅剩余第二功能圖形部分。在本步驟中，刻蝕過(guò)程中可以選擇干法刻蝕，也可以選擇濕法刻蝕。本實(shí)施例光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法中，在對(duì)位標(biāo)記的周圍形成凹槽，在第二 功能層形成時(shí)，會(huì)在凹槽上形成隨形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這樣，通過(guò)偵測(cè)該隨 形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)即可確定對(duì)位標(biāo)記的位置，從而第二功能層與第一功能圖形

18、 之間可以實(shí)現(xiàn)直接對(duì)準(zhǔn)和套刻監(jiān)控，大大降低了工藝控制的復(fù)雜程度， 提高了套刻精度和穩(wěn)定性；另外，本實(shí)施例中在凹槽的形成過(guò)程中，工 藝要求低，可以在I線機(jī)臺(tái)上實(shí)現(xiàn)，極大降低了工藝成本。實(shí)施例3本發(fā)明實(shí)施例提供一種光刻工藝的對(duì)準(zhǔn)方法，包括：S1才是供一基底，所述基底包括襯底以及在襯底上形成的第一功能圖形、 對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)，所述第一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的上表 面均在第一平面內(nèi)；上述S1步驟進(jìn)一步包括如下步驟：:提供一襯底，在襯底上涂光刻膠；:采用具有對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形的第一掩膜對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光 和顯影，對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形處的光刻膠被去除；本實(shí)施例中，曝光方式可以選用接觸式曝光、接

19、近式曝光或者投影式曝 光。本實(shí)施例中，第一功能圖形即為底電極圖形?？蛇x地，本實(shí)施例中的對(duì)位標(biāo)記包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo)記。:在光刻膠層上形成第一功能層，只有在對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形 處區(qū)域的第一功能層與襯底形成接觸；在本實(shí)施例中，第一功能圖形為底電極圖形；:將光刻膠進(jìn)行剝離，在對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形之外的部分的一 功能層也被剝離，從而在襯底上僅剩對(duì)位標(biāo)記和第一功能圖形。S15:將填充介質(zhì)填充在第一功能圖形和對(duì)位標(biāo)記之外的區(qū)域，并對(duì)第 一功能圖形、對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)進(jìn)行平坦化，使第一功能圖形、對(duì)位 標(biāo)記和填充介質(zhì)的上表面在第一平面內(nèi)，形成基底。在本實(shí)施例中，填充介質(zhì)可以選用氧化硅、氮化硅或氧化鋁。上

20、述三種 填充介質(zhì)可以選用其中一種，也可以選用多種的混合物，或者，還可以 在不同區(qū)域采用不同填充介質(zhì)進(jìn)行填充。S2，在所述填充介質(zhì)上形成凹槽，所述凹槽用于暴露所述對(duì)位標(biāo)記的側(cè) 壁；上述S2步驟進(jìn)一步包括如下步驟：:在所述第一表面涂光刻膠；:對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，在光刻膠表面形成一標(biāo)記區(qū)域；標(biāo)記 區(qū)域完全覆蓋對(duì)位標(biāo)記；在本步驟中，將光刻膠進(jìn)行曝光顯影處理，使光刻膠對(duì)應(yīng)對(duì)位標(biāo)記處出 現(xiàn)一標(biāo)記區(qū)域。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，所述對(duì)位標(biāo)記包括光刻標(biāo)記和套刻標(biāo) 記。S23:對(duì)標(biāo)記區(qū)域的填充介質(zhì)進(jìn)行刻蝕，以形成圍繞對(duì)位標(biāo)記的凹槽;對(duì)標(biāo)記區(qū)域填充介質(zhì)進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用干法刻蝕，也可以采用濕法 刻蝕。作為

21、本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，刻蝕時(shí)，利用對(duì)位標(biāo)記和填充介質(zhì)的刻 蝕選擇比進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)刻蝕。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，所述凹槽的邊緣與所述對(duì)位標(biāo)記的邊緣 之間的距離不小于0.5微米。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，控制所述凹槽的刻蝕深度大于所述第二 功能層的厚度。該實(shí)施方式下，當(dāng)完成第二功能層的層疊時(shí)，第二功能 層在凹槽處能形成良好的隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，有利于對(duì)對(duì)位標(biāo)記的識(shí)別。S24:在完成刻蝕后，將剩余的光刻膠進(jìn)行剝離和去除。S3，在所述第一平面上形成第二功能層，所述第二功能層在所述凹槽上 形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；在本步驟中，在第一平面上堆疊第二功能層，由于填充介質(zhì)上有開(kāi)口在 第一平面的凹槽，第二功能層在堆疊后會(huì)形成隨形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即也會(huì)形 成凹槽。作為本實(shí)施例的可選實(shí)施方式，形