5G時(shí)代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展報(bào)告課件

1、下一個時(shí)代：5G+AI5G時(shí)代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展報(bào)告第1頁，共54頁。半導(dǎo)體：新需求拉動疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇2第2頁，共54頁。3.1半導(dǎo)體周期正在從單一應(yīng)用驅(qū)動轉(zhuǎn)向多元數(shù)據(jù)驅(qū)動，周期減弱，應(yīng)用多元，龍頭公司集中度進(jìn)一步提升。2018年半導(dǎo)體市場規(guī)模4779.36億美金，新一輪周期由數(shù)據(jù)（存儲）驅(qū)動，CAGR接近2位數(shù)：（1）19942004，市場規(guī)模達(dá)2130.27億美金：10年CAGR 7.31%，由

2、 PC/laptop 市場驅(qū)動（2） 20042013，市場規(guī)模達(dá)3055.84億美金：9年CAGR 4.09%，由智能手機(jī)市場驅(qū)動（3） 20132017，市場規(guī)模達(dá)4122.21億美金：5年CAGE達(dá)9.36%，由數(shù)據(jù)（存儲器）市場驅(qū)動新一輪數(shù)據(jù)驅(qū)動下，半導(dǎo)體波動周期減弱，與經(jīng)濟(jì)周期關(guān)聯(lián)度減弱。60010年9年5年50405003040020300100200-10100-200-301994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

3、 2015 2016 2017 2018-30-20-10010203040500100200300400500600199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201810年9年5年CAGR=7.31%CAGR=4.09%CAGR=9.36%-4-3-2-1013456-30-20-10010203040199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012

4、201320142015201620172018半導(dǎo)體增速（%,左軸）美國GDP增速（%,右軸） 經(jīng)濟(jì)周期關(guān) 聯(lián)度減弱經(jīng)濟(jì)波3數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、2 動區(qū)間半 導(dǎo) 體 區(qū) 間數(shù)據(jù)驅(qū)動下的4000億新平臺，行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱第3頁，共54頁。數(shù)據(jù)驅(qū)動下半導(dǎo)體周期減弱，應(yīng)用多元化。2018年移動設(shè)備、服務(wù)器、PC位元需求占比分別為41.7%、20.6%與16.6%，應(yīng)用的多元化導(dǎo)致存儲器周期減弱，20世紀(jì)以來四次周期 下滑幅度逐次減弱。從終端應(yīng)用角度，2018年全球總數(shù)據(jù)量2ZB，機(jī)器產(chǎn)生占比 達(dá)56%，首次超過人類。3.14數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、行業(yè)

5、變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱第4頁，共54頁。行業(yè)集中度從2008年期開始顯著提升。CR5從30%提升至43%，CR10從45%提升至59%，CR25從67%提升至79%。3.15數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱第5頁，共54頁。行業(yè)集中度提升的主要因素是存儲器公司占比提升。PC時(shí)代龍頭 ：2008到2017，Intel維持14%市占率，最高達(dá)到16%。手機(jī)時(shí)代龍頭：高通從2%占比提升至4%，最高達(dá)到6%；聯(lián)發(fā)科從1.5%提升至2%，最高達(dá)到3%。存儲器龍頭：2008到2017，三星市占率從不到6%提升至15%，鎂光與SK海力士從2%分別提升至3.

6、8%與4.2%。3.16數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、行業(yè)變局：需求多元，龍頭集中，周期減弱第6頁，共54頁。3半導(dǎo)體：新需求拉動疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇7第7頁，共54頁。需求：手機(jī)增速下滑但單機(jī)半導(dǎo)體用量提高，多元化應(yīng)用拉動未來半導(dǎo)體成長2018年全球智能手機(jī)銷售14.09億臺，銷量同比下降3.69%；手機(jī)攝像頭單攝到多攝演變，單機(jī)攝像頭數(shù)量增多，拉動CIS芯片需求；智能手機(jī)DRAM位元需求逐漸拉

7、升；手機(jī)射頻前端模塊在中高端手機(jī)中價(jià)格和用量持續(xù)增長。60%50%40%30%20%10%0% 手機(jī)出貨季度同比增速（%）雙攝各品牌滲透率0%10%30%20%50%40%0501001502014201520162017E2018E智能手機(jī)位元需求（十億Gb）其他設(shè)備位元需求（十億Gb）總體位元需求年增長率（%）智能手機(jī)位元需求年增長率（%）2014-2018年 DRAM 位元需求手機(jī)射頻前端芯片價(jià)格和出貨量走勢數(shù)據(jù)來源：IC Insights，數(shù)據(jù)來源：IC Insights、數(shù)據(jù)來源：Qorvo，100.00 80.00 60.00 40.0020.00 0.00-20.003.28供需

8、格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動第8頁，共54頁。114數(shù)據(jù)來源：IC Insights，需求：手機(jī)增速下滑但單機(jī)半導(dǎo)體用量提高，多元化應(yīng)用拉動未來半導(dǎo)體成長2018-2022關(guān)鍵細(xì)分市場的半導(dǎo)體收入 （單位：USD）3.2供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動第9頁，共54頁。403530252015供給：全球半導(dǎo)體庫存處于較高水平，以模擬芯片為例，全球庫存周轉(zhuǎn)率（3.5）位于中值以（3.65）以下。（1）2010年后【汽車+工控】占比顯著提升，帶來模擬芯片庫存周期周轉(zhuǎn)率中樞下移。（2）庫存周轉(zhuǎn)率與芯片毛利率高度相關(guān)：高庫存/低庫存周轉(zhuǎn)率去庫存周期降價(jià)清貨毛利率下降（下滑1-3個點(diǎn)）模擬芯片毛利率

9、和存貨周轉(zhuǎn)率模擬芯片下游結(jié)構(gòu)2010年變化較大20072008200920102011201220132014201520162017消費(fèi)類汽車、工控?cái)?shù)據(jù)來源： Wind、數(shù)據(jù)來源： Wind、3.210供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動第10頁，共54頁。供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動下游需求旺盛分銷商訂 單旺盛模擬芯片 公司產(chǎn)能 偏緊芯片公司 擴(kuò)產(chǎn)/分 銷商囤貨產(chǎn)能釋放， 供不應(yīng)求產(chǎn)業(yè)鏈景 氣度下滑重復(fù)下單產(chǎn)品價(jià) 格提振渠道拋貨芯片庫存調(diào)整反應(yīng)滯后一個季度，且具有產(chǎn)業(yè)鏈放大效應(yīng)（模擬芯片標(biāo)準(zhǔn)差：0.2，分銷商標(biāo)準(zhǔn)差0.44）分銷商和模擬芯片庫存周轉(zhuǎn)率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈庫存調(diào)整模式數(shù)據(jù)來源：

10、數(shù)據(jù)來源： Wind、3.211第11頁，共54頁。117供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動忽視短期的因素，以十年的庫存大周期角度來看我們認(rèn)為本輪調(diào)整是補(bǔ)庫存長周期的回踩。我們可以看到09-14年即是一個去庫存的大周期，而16-17年是補(bǔ)庫存大周期。而18年該指標(biāo)出現(xiàn)回踩，到18Q3達(dá)到57%的水平，也是近10 年首次三季度該指標(biāo)環(huán)比二季度下滑。生產(chǎn)廠商已經(jīng)開始調(diào)節(jié)，按照歷史經(jīng)驗(yàn)兩個季度調(diào)整可以回歸。另一方面半導(dǎo)體需求已經(jīng)多元化，對于緩解庫存或者景氣度周期調(diào)節(jié)至關(guān)重要，這一點(diǎn)在存儲器周期可以得到充分驗(yàn)證。數(shù)據(jù)來源： Wind、50556065807570半成品存貨占比（%）2009201620

11、1720102011 20122013201420152018歷史少 有三季 度環(huán)比 二季度下滑3.2第12頁，共54頁。數(shù)據(jù)來源：WSTS等， 數(shù)據(jù)來源：WSTS等， 14.0014.0014.9014.9016.307.508.007.707.405.90GartnerWSTSHIS MarkitIC IsightsVLS-ICCowen LRA7.0015.70中期 初始單位：%0-6-4-5-3-21-1234567HIS Markit（18年7月）Gartner（18年7月）IDC（18年9月）WSTS（18年8月）Cowan LRA（18年8月）IC Insights（18年3月）

12、VLSI-IC（18年6月）7%-3.4%5.2%5%4%4%0.7%3.2供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動全球頂尖咨詢機(jī)構(gòu)對2018年半導(dǎo)體增速預(yù)測年初平均值為7.3%，年中調(diào)高至15%。一方面是由于DRAM存儲器價(jià)格下滑較預(yù) 期弱，另一方面是多元需求拉動編輯成長，保持2018年兩位數(shù)增速。各咨詢機(jī)構(gòu)對2019年半導(dǎo)體增速預(yù)測較2018年有所下調(diào)，平均值在3.19%，主要是由于庫存壓力所致，考慮到2個季度去庫存 周期，預(yù)計(jì)2019H1保持低個位數(shù)增長，2019H2保持兩位數(shù)增長。咨詢機(jī)構(gòu)調(diào)高對半導(dǎo)體市場18年增速預(yù)測咨詢機(jī)構(gòu)對2019年半導(dǎo)體增速預(yù)測較2018年進(jìn)一步保守13第13頁，共5

13、4頁。3半導(dǎo)體：新需求拉動疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇14第14頁，共54頁。120供給端需求端短期高水位庫存致盈利能力 下滑，指數(shù)估值處于歷 史低位。中美貿(mào)易戰(zhàn)下半導(dǎo)體行業(yè)“三重承壓”，需求下降。中長期產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、進(jìn)口替代主 旋律，千億設(shè)備需求， 代工成本下降拓寬設(shè)計(jì) 毛利。IoT/5G/AI，長期拉動行業(yè)新增長短期庫存承壓，資本市場估值 下移中長期產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移持續(xù)看好設(shè)計(jì)業(yè)制造業(yè)/設(shè)備業(yè)設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展拉動制造業(yè)/設(shè)

14、備業(yè)大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求下游需求刺激芯片設(shè)計(jì)發(fā)展代工制造國產(chǎn)化同時(shí)抬高設(shè)計(jì)毛利高水位庫存致使盈利能力下滑貿(mào)易戰(zhàn)進(jìn)出口受限影響器件/設(shè)備發(fā)展中長期 短期高水位庫存致使盈利能力下滑 貿(mào)易戰(zhàn)進(jìn)出口受限制約設(shè)計(jì)發(fā)展數(shù)據(jù)來源：3.3大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢第15頁，共54頁。大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢0%20%40%60%80%1975198019851990以史為鑒，日美貿(mào)易戰(zhàn)是日本半導(dǎo)體沒落的催化劑和轉(zhuǎn)折點(diǎn)，但并非決定因素貿(mào)易戰(zhàn)引入的價(jià)格監(jiān)督制度導(dǎo)致日產(chǎn)DRAM價(jià)格上升，出口競爭力下降1985年廣場協(xié)議簽訂后日元大幅貶值，其后三年間集成電路

15、出口持續(xù)下降，而半導(dǎo)體協(xié)議開放日本市場的要求使集成電路進(jìn)口份額逐年提升日本集成電路出口額及日元兌美元匯率日本集成電路內(nèi)需及進(jìn)口份額變化1975-1990年DRAM全球份額變化情況100%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%0.00.51.01.52.02.53.0197519801985集成電路內(nèi)需（萬億日元）19901995進(jìn)口份額（%）0501001502002503003500.00.51.01.52.02.53.019751980198519901995集成電路出口額(萬億日元)日元兌美元匯率（日元）數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、日本美國韓國歐洲數(shù)據(jù)來源： 日本

16、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、數(shù)據(jù)來源： 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展篇、3.316第16頁，共54頁。“潛在”禁運(yùn)效應(yīng)下國外核心芯片、設(shè)備、原材料進(jìn)口受制，短期國內(nèi)供應(yīng)商與國外互補(bǔ)關(guān)系國內(nèi)半導(dǎo)體 上游供應(yīng)商國外半導(dǎo)體 上游供應(yīng)商國內(nèi)芯片 供應(yīng)商國內(nèi)終端產(chǎn)品 制造商國外終端產(chǎn)品 需求商國內(nèi)終端產(chǎn)品 需求商短期非核心芯片 中長期核心芯片器件/設(shè)備/材料終端產(chǎn)品終端產(chǎn)品關(guān)稅貿(mào)易戰(zhàn)器件/設(shè)備/材料進(jìn)口限制貿(mào)易戰(zhàn)國外芯片 供應(yīng)商核心芯片進(jìn)口限制貿(mào)易戰(zhàn)短期 互補(bǔ)關(guān)系短期互補(bǔ)關(guān)系國產(chǎn)化率3.317大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢短期內(nèi)，貿(mào)易戰(zhàn)對需求端造成一定壓力，如有緩解將釋放需求壓力貿(mào)易關(guān)稅降低半導(dǎo)體終端產(chǎn)

17、品出口需求，造成供應(yīng)鏈端的放大效應(yīng)第17頁，共54頁。大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢供給端：大陸半導(dǎo)體18Q4庫存水位較高。大陸半導(dǎo)體存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)2018Q3達(dá)92天，和18Q2基本持平，而歷史上 三季度是一年中庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)的相對低點(diǎn)（下圖紅色圈標(biāo)出為歷年的三季度，均處于年度內(nèi)的較低點(diǎn)并相對二季度環(huán) 比下降），表明三季度大陸半導(dǎo)體也存在庫存壓力。大陸半導(dǎo)體存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)數(shù)據(jù)來源： Wind、3.318第18頁，共54頁。中長期來看產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和進(jìn)口替代是主旋律半導(dǎo)體史上有三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移歷程，分別是從美到日，從日到韓臺，以及當(dāng)前的向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。第一次是二十世紀(jì)70年代， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

18、從美國轉(zhuǎn)移到日本；到上世紀(jì)80年代末開始，韓國和中國臺灣逐漸成為全球又一半導(dǎo)體制造基地；最近十余 年正發(fā)生著全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的第三次轉(zhuǎn)移，即向中國大陸、東南亞等新興市場的轉(zhuǎn)移。數(shù)據(jù)來源： Wind、3.3大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢19第19頁，共54頁。數(shù)據(jù)來源： Wind、大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢對標(biāo)日韓臺成功經(jīng)驗(yàn)，推出構(gòu)建中國式“官產(chǎn)學(xué)”一體化發(fā)展模式日本：通產(chǎn)省聯(lián)合五大企業(yè)、三大研究所，推出VLSI項(xiàng)目，重點(diǎn)突破DRAM領(lǐng)域。韓國：國家電子科學(xué)院牽頭，三星、LG、現(xiàn)代電子和國內(nèi)六所大學(xué)成立韓國電子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（EIAK）。臺灣：以工研院為首，聯(lián)

19、合私人高技術(shù)公司、島內(nèi)大學(xué)形成三角生態(tài)圈。構(gòu)建中國式“官產(chǎn)學(xué)”一體化制度，就是加強(qiáng)政策扶持、加大資本投入、增強(qiáng)人才培養(yǎng)。地區(qū)發(fā)展重心發(fā)展經(jīng)驗(yàn)結(jié)果日本存儲DRAM啟動VLSI研究項(xiàng)目，重點(diǎn)進(jìn)攻兆級 大容量DRAM，打造官產(chǎn)學(xué)一體化 體系。誕生出NEC為首的存儲巨無霸，至86年 占據(jù)了存儲器市場的80%份額。韓國存儲DRAM依托美國指導(dǎo)，打造韓式管產(chǎn)學(xué)一 體化制度（韓國電子聯(lián)盟EIAK）， 積極擴(kuò)展產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。取代日本在存儲器市場的位置，涌現(xiàn)出 三星等半導(dǎo)體IDM巨頭，三星更是在17 年超越英特爾，成為最大半導(dǎo)體廠商。臺灣垂直分工模式政策資金雙驅(qū)動，成立工研院，專 注分工鏈中各環(huán)節(jié)形成垂直分工模式下

20、各環(huán)節(jié)的巨頭，如 制造臺積電，封測日月光3.320第20頁，共54頁。126大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存擾動不改加速發(fā)展大趨勢從產(chǎn)品端，大陸半導(dǎo)體銷售額達(dá)1600億美金，占比達(dá)35%，較2014年水平提高近10個點(diǎn)。從供給端，大陸晶圓投資額2018年預(yù)計(jì)達(dá)124.4億美金，占全球總投資20%，較2015年提高7個點(diǎn)。預(yù)計(jì)2020年總投資達(dá)186.5億美金，占25%。2527293133353702004006001,0008001,200全球半導(dǎo)體銷售額（億美金）大陸占比（%）3.3中國大陸半導(dǎo)體銷售額（億美金）數(shù)據(jù)來源： SEMI，第21頁，共54頁。設(shè)計(jì)海外制造大陸梁孟松（研發(fā)部總經(jīng)理）袁

21、帝文（手機(jī)芯片最高主管）合肥長鑫湯強(qiáng)（高級工程 師）蔣尚義（共同運(yùn)營長）孫世偉（執(zhí)行 陳正坤長（）副總裁）施能煌（副總經(jīng)理）高啟全（董事長）存儲器（IDM)長江存儲控股劉大維（副總 工程師集裁體）跳槽華亞科進(jìn)入貿(mào)易戰(zhàn)糾紛產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的背后是人才的加速回流3.322大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢第22頁，共54頁。3半導(dǎo)體：新需求拉動疊加進(jìn)口替代，行業(yè)迎來黃金機(jī)遇行業(yè)變局：需求多元、龍頭集中、周期減弱供需格局：庫存主導(dǎo)行業(yè)短期景氣波動大陸半導(dǎo)體行業(yè)：貿(mào)易戰(zhàn)和庫存短期擾動不改加速發(fā)展大趨勢產(chǎn)業(yè)鏈分析：建廠潮拉動設(shè)備材料、5G+AI帶來設(shè)計(jì)領(lǐng)域新機(jī)遇23第23頁，共54頁。3.4

22、數(shù)據(jù)來源： SEMI ，數(shù)據(jù)來源： SEMI，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動設(shè)備、材料需求未來幾年，全球新建晶圓廠近一半在大陸，預(yù)計(jì)2020年大陸產(chǎn)能將達(dá)到全球總產(chǎn)能的20%以上。2019年大陸是晶圓資本支出增幅最大年度，較2018年提升25%。24第24頁，共54頁。130性質(zhì)公司應(yīng)用制程月產(chǎn)能投產(chǎn)時(shí)間總投資額（億元）2018-2020年設(shè)備投資額（億元）2018設(shè)備投 資額（億元）2019投資額（億元）2020投資額（億元）華虹eNVM, RF, powermanagement90/65nm4萬片2019年下半年157.5119.759.8559.850存儲長江存儲3D NAND20萬片2018

23、年下半年151256756700合肥長鑫DRAM12.5萬片2018年底453.6340.2100100100中芯國際Logic14nm3.5萬片約2020年645.12483.840241.92241.92中芯國際IoT65/55nm4萬片約2020年1068004040內(nèi)資代工華虹無錫Logic90-65 /55 nm4萬片2019年底一期達(dá) 產(chǎn)68917270100100華力微Logic28/20/14nm4萬片2018年試生產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)387290585858其他士蘭微MEMS90nm8萬片2020年7052.5026.2526.25士蘭微90/65nm10075252525內(nèi)資

24、合計(jì)3431.222008.241050.05451.02391.17存儲三星3D-NAND8萬片約2020年441330.75110.25110.25110.25英特爾3D NAND7萬片201912694.56300臺積電Logic16nm/14nm2萬片2018年下半年18969.369.300外資（合資）代工格羅方德Logic，PMIC一期180nm/130nm，二期22nm一期2萬片， 二期8.5萬片一期2018年投產(chǎn)， 二期2019年投產(chǎn)630453.6226.8226.80晶合（合資）面板驅(qū)動150/110/90nm4萬片2017年9月量產(chǎn)128.1100503020其他萬國半導(dǎo)

25、體功率半導(dǎo)體5萬片制造、1250KK封測2018年下半年6328.3514.17514.1750外資合計(jì)19111102.5546.525414.225110.25歷年設(shè)備投資額（億元）1597865501內(nèi)資建廠需求占比（%）65.8%52.1%78.0%數(shù)據(jù)來源：Gartner, 3.4半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動設(shè)備、材料需求第25頁，共54頁。131數(shù)據(jù)來源：IC Insights、8英寸12英寸互聯(lián)網(wǎng) 泡沫產(chǎn)業(yè)亞 太轉(zhuǎn)移經(jīng)濟(jì)危機(jī)02產(chǎn)業(yè)大陸轉(zhuǎn)移+存儲器投資制造環(huán)節(jié)對產(chǎn)業(yè)鏈拉動作用明顯。日本半導(dǎo)體制造從80年全球占比不到30%提升至1989年51%，材料設(shè)備占比從20%不到 迅速提升至40

26、%和70%。從設(shè)備和材料40年歷史分析，一共經(jīng)歷4次快速成長期，分別是20世紀(jì)8090年代產(chǎn)業(yè)鏈向亞太轉(zhuǎn)移疊加8英寸上量，世紀(jì) 交界互聯(lián)網(wǎng)泡沫，20042006 12英寸設(shè)備上量及2015今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向大陸轉(zhuǎn)移疊加存儲器投資熱潮。且由于設(shè)備lead time周期較材料長半年以及IC設(shè)備價(jià)格持續(xù)提高，IC設(shè)備市場較材料波動顯著。3.4半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動設(shè)備、材料需求第26頁，共54頁。132半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：建廠潮拉動設(shè)備、材料需求18Q3大陸躍升成為全球第一大設(shè)備市場2018Q3大陸首次超越韓國成為全球半導(dǎo)體設(shè)備第一大市場。2018年規(guī)模120億美金，預(yù)計(jì)2019年達(dá)142億美金。資本開支

27、中設(shè)備投資占75-80%，設(shè)備投資中晶圓制造設(shè)備約占80%，測試設(shè)備占比9%，封裝設(shè)備6%光刻設(shè)備 LITHOGRAP HY, 30%刻蝕設(shè)備ETCH, 20%物理氣象 沉積設(shè)備 PVD, 15%化學(xué)氣象沉 積設(shè)備CVD, 10%離子注入設(shè) 備IMPLANT, 5%量測設(shè)備 METROLOG Y, 10%5%18Q3大陸超過韓國成為全球第一大IC設(shè)備市場晶圓生產(chǎn)線各類設(shè)備投資占比拋光設(shè)備擴(kuò)散設(shè)備CMP, 5% DIFFUSION, 3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、第27頁，共54頁。133雖然中國設(shè)備市場占比逐年增加，但目前主要生產(chǎn)企業(yè)主要集中于歐美、日本、韓國和臺灣等國家和地區(qū)。細(xì)分領(lǐng)域中，龍頭

28、集中的現(xiàn)象依然明顯。全球IC裝備市場高度壟斷國產(chǎn)設(shè)備持續(xù)突破18年銷售額 (億美元)市占率相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用材料96.5923.5%原子層沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電 鍍、侵蝕、離子注入、快速熱處理、化學(xué)機(jī)械拋 光、測量和硅片檢測等ASML80.1419.5%光刻機(jī)東京電子71.5717.4%成膜設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)等泛林63.7515.5%薄膜設(shè)備、沉積設(shè)備、 等離子蝕刻、剝離、清洗 設(shè)備科磊29.847.2%缺陷檢測設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)、晶圓測量設(shè)備、掩膜板制造設(shè)備DNS18.124.4%晶圓清洗設(shè)備、退火設(shè)備等愛德萬13.963.4%測試設(shè)備等泰瑞達(dá)17.534.3%測試設(shè)備等日立高新11

29、.972.9%干法刻蝕設(shè)備等尼康8.342.0%光刻機(jī)合計(jì)(億美元)412.40公司17年半導(dǎo)體設(shè) 備收入(億)占國產(chǎn)市 場份額主要產(chǎn)品中電科集團(tuán)(包含 41/45/48所、北京中 科信、北京中電科)9.2819.8%離子注入機(jī)、退火爐等IC裝備；擴(kuò)散爐、 刻蝕機(jī)、PECVD、高溫?zé)Y(jié)爐等光伏裝備晶盛機(jī)電6.7514.4%單晶爐等晶體生長設(shè)備捷佳偉創(chuàng)新能源7.1115.1%晶硅電池設(shè)備、硅片清洗設(shè)備北方華創(chuàng)8.1317.3%刻蝕設(shè)備、CVD設(shè)備、晶片清洗、封裝 設(shè)備中微半導(dǎo)體4.8510.3%高端刻蝕機(jī)、部分成膜設(shè)備上海微電子2.96.2%光刻機(jī)、晶圓檢測設(shè)備北京京運(yùn)通2.685.7%多晶硅鑄

30、錠爐、單晶爐等晶體生長設(shè)備天通吉成2.144.6%粉末成形機(jī)盛美半導(dǎo)體1.643.5%晶圓清洗設(shè)備深圳格蘭達(dá)1.53.2%激光打標(biāo)機(jī)、光檢機(jī)等自動化設(shè)備合計(jì)46.983.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求，內(nèi)資需求逐年升高國際集中國內(nèi)分散，國產(chǎn)設(shè)備繼續(xù)突破第28頁，共54頁。1342010年開始國產(chǎn)設(shè)備逐步進(jìn)入大陸大線，經(jīng)歷了嚴(yán)格的四個階段的考核驗(yàn)證，部分設(shè)備歷經(jīng)8年持續(xù)提升，主要技術(shù)指標(biāo)與進(jìn)口 設(shè)備相當(dāng)。工藝覆蓋率較低，細(xì)分領(lǐng)域中，龍頭集中的現(xiàn)象依然明顯。國產(chǎn)機(jī)臺覆蓋率17%。國內(nèi)龍頭中微半導(dǎo)體CCP刻蝕機(jī)在大陸晶圓 廠市場占比為25%。國產(chǎn)設(shè)備不斷通過驗(yàn)證中微半導(dǎo)體CCP刻

31、蝕機(jī)國產(chǎn)化率已達(dá)25%3.4數(shù)據(jù)來源：Qorvo，數(shù)據(jù)來源：Qorvo，大陸建廠潮帶來千億設(shè)備需求，國產(chǎn)設(shè)備迎來機(jī)遇第29頁，共54頁。從目前主流產(chǎn)線來看，目前典型產(chǎn)線設(shè)備國產(chǎn)化率平均達(dá)到7%，存儲產(chǎn)線國產(chǎn)化率最高突破兩位數(shù)。其中長江存儲國產(chǎn)化率最高，達(dá) 到12%；其次是華虹fab6，國產(chǎn)化率為8%。國產(chǎn)化率逐漸提高，在建的長江存儲和華虹fab6的國產(chǎn)化率高于已量產(chǎn)的華虹fab5和fab1-3，其中fab5國產(chǎn)化率僅為4%，僅為fab6國產(chǎn)化率的一半。落后工藝產(chǎn)線國產(chǎn)化率較高?？傮w來看，日本設(shè)備占比最高（35%），美國次之（33%），而后是中國（7%）和瑞士（6%）。3.4大陸建廠潮帶來千億設(shè)

32、備需求，國產(chǎn)設(shè)備迎來機(jī)遇30第30頁，共54頁。 20182019國內(nèi)主要廠商PVD3.84.2北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備15.39.7中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)CVD19.211.4中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)量測設(shè)備12.87.6睿勵科學(xué)儀器離子注入設(shè)備12.87.6四十八所、中科信拋光設(shè)備6.43.8華海清科、盛美半導(dǎo)體擴(kuò)散設(shè)備6.43.8北方華創(chuàng) 光刻設(shè)備6.43.8上海微電子合計(jì)83.051.9201820192020設(shè)備投資額（億元）1050.05451.02391.17內(nèi)資國產(chǎn)化率12%20%40%國產(chǎn)設(shè)備投資額（億元）126.090.2156.5設(shè)備投資額（億元）546.53414.23110.25外

33、資國產(chǎn)化率6%7%12%國產(chǎn)設(shè)備投資額（億元）32.829.013國產(chǎn)設(shè)備設(shè)備總投資額（億元）158.8119.2169.7根據(jù)我們測算，以現(xiàn)有產(chǎn)線投資計(jì)劃來看，2018-2020年大陸設(shè)備投資額分別超過1597億，865 億和501 億，共計(jì)3110 億元，未來隨著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的進(jìn)行，相信將會有更大的銷售規(guī)模。半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率目標(biāo)：2020年之前，9032納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到50%。在2025年之前，2014納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到30%，實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國產(chǎn)化。 前道設(shè)備需求市場規(guī)模 歷年國內(nèi)設(shè)備需求超百億313.4數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，大陸建廠潮帶來數(shù)千億

34、設(shè)備需求，內(nèi)資需求升高第31頁，共54頁。大陸已經(jīng)成為全球第一大設(shè)備市場半導(dǎo)體材料貫穿制造，封裝全工藝半導(dǎo)體材料市場規(guī)模巨大（單位：億美元）光刻CVD拋光光刻電鍍PVD金屬化 測試封裝硅拋光片硅外延片區(qū)熔硅片SOI晶片化合物半導(dǎo)體晶片清洗氧化超凈高純化學(xué)品特種電子氣體MO源High-K前驅(qū)體ALD前驅(qū)體CMP拋光液CMP拋光墊CMP拋光盤CMP后清洗液特種電子氣體 及前驅(qū)體刻蝕清洗摻雜超凈高純化學(xué)品光掩模光刻膠光刻膠配套涂層材料光刻膠配套試劑光刻用特殊氣體銅電鍍液及添加液劑晶圓減薄晶圓切割表面貼裝 倒裝芯片貼裝 鍵合塑封焊球 封裝基板晶圓減薄切割膠膜芯片粘結(jié)膠膜芯片粘結(jié)膠引線框架鍵合膠鍵合金絲

35、鍵合合金絲環(huán)氧模塑料焊球晶圓制造封裝201620172018前端(晶圓制造材料)硅片94.68113.62124.98SOI硅片4.184.605.06光掩膜36.4140.0544.06光刻膠15.4016.9418.63光刻膠配套試劑19.5821.5423.69試劑12.3213.5514.91電子氣體39.1643.0847.38靶材7.047.748.52CMP材料18.4820.3322.36其他材料34.9838.4842.33合計(jì)282.23283.23284.23引線架38.2842.1146.32有機(jī)封裝90.2099.22109.14陶瓷封裝材料23.7626.1428.

36、75鍵合絲35.8639.4543.39包封材料32.1235.3338.87芯片粘結(jié)材料8.038.839.72其他材料4.955.455.99合計(jì)233.20256.52282.17半導(dǎo)體材料市場合計(jì)市場規(guī)模515.43576.44634.09半導(dǎo)體材料種類繁多，從晶圓制造到封測包括晶圓、光刻膠、電子氣體、高純化學(xué)試劑等。2018年市場規(guī)模超600億美金3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、32第32頁，共54頁。半導(dǎo)體材料壁壘較高，市場格局“分散與集中”并存較高的壁壘與繁多的種類，造成了半導(dǎo)體材料市場“分散與集中”并存的市場格局，并主要由日本壟斷半導(dǎo)體材料種類主要廠商前四大公司市占率硅片日本信越、

37、日本SUMCO、德國Siltronic、韓國SunEdision74%特種氣體美國氣體化工、美國普萊克斯、日本昭和電工、英國BOC75%歐美BASF、霍尼韋爾、ATMI、杜邦37%超凈高純試劑日本公司關(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)34%臺灣地區(qū)和韓國公司東應(yīng)化、臉仕電子、鑫林科技、東友17%光刻膠日本合成橡膠、東京日化、美國羅門哈斯、日本信越80%靶材JX/Nikko、Praxair、Honeywell、Tosoh80%拋光拋光墊美國陶氏化學(xué)、美國Cabot、InnoPad、Thomas West90%拋光液美國Cabot、美國陶氏化學(xué)、Hitachi Chemical、美國氣體化工9

38、0%信越化學(xué)SUMCO凸版印刷株式會社印刷株式會社JSR株式會社TOK株式會社三菱瓦斯化學(xué)株式會社半導(dǎo)體材料貫穿工藝全環(huán)節(jié)，種類繁多，不同材料物理、化學(xué)性能差異巨大，造成無法一家獨(dú)大的格局。但又由于較高的技術(shù)壁壘，并且準(zhǔn)入周期較長，每一種半導(dǎo)體材料又都有寡頭壟斷。日本供應(yīng)商占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈主導(dǎo)領(lǐng)先地位。日本半導(dǎo)體材料市場版圖：龍頭齊聚半導(dǎo)體材料競爭格局獨(dú)特：分散與集中并存硅片掩膜版光刻膠半導(dǎo)體制造用化學(xué)藥品半導(dǎo)體封裝材料新光電氣工業(yè)株式會社住友金屬礦山株式會社全球市占率 第一全球市占率 第二半導(dǎo)體材料 綜合制造商昭和電工住友化學(xué)株式會社3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、33第33頁，共54頁。半導(dǎo)體材料國

39、產(chǎn)化率逐步提升量產(chǎn)階段測試階段研發(fā)階段0.25m0.18m0.13m90nm65nm45nm28nm14nm10nm7nm硅材料掩膜版光刻膠工藝化學(xué)品特殊氣體拋光液&墊靶材現(xiàn)階段各材料工藝節(jié)點(diǎn)全球半導(dǎo)體制造業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢對于半導(dǎo)體材料市場同樣適用，推動作用預(yù)計(jì)會相當(dāng)明顯。日本20世紀(jì)80年代半導(dǎo)體制造業(yè)增速和同期硅材料增速擬合度高。到2020年，除光刻膠等少數(shù)材料，半導(dǎo)體材料工藝將從現(xiàn)階段m級向14nm邁進(jìn)，半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化將加速進(jìn)行，市場具有重 大投資機(jī)會。日本硅材料產(chǎn)量增速與制造業(yè)增速1982-1989完全擬合我國2020年半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)國產(chǎn)化情況300%250%200%150%100%50

40、%0%19821983198419851986198719881989日本制造業(yè)產(chǎn)值增速（%）3.434日本Si材料生產(chǎn)量增速（%）數(shù)據(jù)來源： SEMI、數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，第34頁，共54頁。國產(chǎn)材料市場超百億美金國內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商通過利基市場滲透國內(nèi)半導(dǎo)體材料高速增長半導(dǎo)體材料不存在一家通吃，大者恒大的局面。而半導(dǎo)體材料的多元化市場結(jié)構(gòu)造成了利基市場空間，從而為國產(chǎn)材料公司通過 聚焦戰(zhàn)略突破某種或某幾種材料成為可能。根據(jù)CSIA，2015年大陸半導(dǎo)體材料市場空間590億元，2020年達(dá)到1120億元，復(fù)合增長率13.68%；同期國內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)能 增長更為迅猛，從2015年230億元

41、增長到2020年1000億元，復(fù)合增長率高達(dá)34.16%。20082009201020112012201320142015Cu陽極68%94%96%97%200mm TI靶60%80%82%83%200mm Al及合金靶61%76%76%80%銅拋光液69%72%74%73%100%Ta組件67%80%88%87%68%200mm Ta靶78%65%70%83%77%76%六氟化鎢 WF6100%100%100%100%100%100%阻擋層拋光液64%70%79%82%88%88%100%三氟化氮 NF3100%100%100%100%100%100%100%100%1硫酸銅電鍍液10 88

42、%四氟化碳 CF478%銅連線蝕刻后清洗72%三氟甲烷 CHF356%氮?dú)?N286%100%300mm Al及合金靶60%76%過氧化氫300mm TI靶300mm Ni 合金靶通過利基市場六氟乙烷 C2F6獲得突破100%100%100%88%100%100%68%71%95%66%76%87%0%10%20%30%40%50%60%020406080100120201520162017201820192020大陸市場空間（十億元，左軸）國內(nèi)產(chǎn)能規(guī)模（十億元，左軸）國內(nèi)產(chǎn)能增長率（%，右軸）高速成長期3.4數(shù)據(jù)來源： SEMI、數(shù)據(jù)來源： SEMI、35第35頁，共54頁。141根據(jù)臺積電

43、數(shù)據(jù)，資本支出增長率與ASP增長率反向變動，且這種影響具有滯后性，滯后期約為兩年。因此大陸建廠潮 下，隨著代工廠資本支出不斷增加，產(chǎn)能增多加劇芯片代工制造的競爭，芯片代工價(jià)格將迎來下行期。2018年臺積電芯 片ASP價(jià)格微有下降；同時(shí)臺積電宣布19年一季度將采取價(jià)格優(yōu)惠策略吸引客戶。代工價(jià)格的下降將帶來Fabless芯片設(shè)計(jì)廠商毛利率的提升。未來上游設(shè)計(jì)業(yè)受益于成本的降低，盈利能力將大幅提高， 本土設(shè)計(jì)廠商將迎來蓬勃發(fā)展。資本支出提升，芯片ASP迎來下行期Fabless設(shè)計(jì)廠商毛利率與代工價(jià)格呈負(fù)相關(guān)建廠潮驅(qū)使代工ASP下降，上游設(shè)計(jì)業(yè)盈利能力有望增強(qiáng)建廠潮資本支出提升，抑制代工價(jià)格增長，從而

44、設(shè)計(jì)業(yè)毛利率有望提升數(shù)據(jù)來源：Bloomberg、3500300025002000150010005006260585654525048462008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017部分Fabless設(shè)計(jì)廠商毛利率（%,左軸) 臺積電單價(jià)（美元/個,右軸）-50050100150201020112012201320142015201620172018臺積電單價(jià)增長率（%）臺積電資本支出增長率（滯后2期）（%）數(shù)據(jù)來源：Bloomberg、3.4第36頁，共54頁。1425G終端射頻前端芯片復(fù)雜度提升、ASP將持續(xù)攀升5G射頻芯片日趨復(fù)雜，

45、量價(jià)齊升5G時(shí)代下，智能手機(jī)需要支持的頻段數(shù)越來越多，單片射頻芯片包含元器件 數(shù)越來越多，其結(jié)構(gòu)也越來越復(fù)雜。通常4G手機(jī)要支持2G/3G頻段，5G手機(jī) 同時(shí)要兼容2G/3G/4G頻段，從而增加射頻前端芯片的復(fù)雜性。5G射頻芯片相對于4G射頻芯片更加復(fù)雜射頻芯片包含元器件數(shù)增多數(shù)據(jù)來源：Qorvo，數(shù)據(jù)來源：Qorvo類別功放雙工器濾波器開關(guān)2G10203G34104G437410185010050403020604G4.5G5G射頻芯片單價(jià)逐漸提升（美元）3.4第37頁，共54頁。14310050015020030025020172018202120222G/3G/4G20192020LTE

46、 Advanced/Pro5G全球射頻前端芯片市場快速增長5G射頻前端芯片占比逐漸提高151413121110983002502001501005002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018E2019E2020E2021E2022E射頻前端芯片(億美元，左軸)增長率（%，右軸）數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息，所全球射頻前端芯片電各子組行成業(yè)部2分0市19場年春季投資策略數(shù)據(jù)來源：Qorvo，所數(shù)據(jù)來源：Yole，所5G射頻前端芯片市場規(guī)模5G推動下，全球射頻前端芯片市場快速增長全球射頻前端芯片市場保持快速增長。2017年，全球手機(jī)射頻芯片市場達(dá)到138美

47、元，增速13%。根據(jù)Yole預(yù) 測，2022年，市場規(guī)模預(yù)計(jì)將突破250億美元。5G射頻前端芯片占比快速提高。預(yù)計(jì)2022年， 5G射頻前端芯片占比達(dá)到25%。第38頁，共54頁。144數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)半導(dǎo)體 材料Si、Ge第一代GaAs、InP第二代SiC、GaN第三代4000億美金50-100美金170億美金光電 器件功率器件占比10%-15%化合物半導(dǎo)體太陽電池、半導(dǎo)體照 明、激光器、探測器微波 射頻功率放大器IGBT化合物半導(dǎo)體指兩種或兩種以上元素形成的半導(dǎo)體材料，包括第二代半導(dǎo)體材料（GaAs、InP等）和第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN 等）。市場整體規(guī)模仍較小但增長迅猛：

48、從銷售額來看，2018年半導(dǎo)體市場規(guī)模4779.36億美金，化合物半導(dǎo)體約200-300億美元（占比5%），根據(jù)SEMI預(yù)測，未來五年將保持20%以上的復(fù)合增速（20172022）；從襯底來看，硅襯底銷售額約87億美元，GaAs、GaN、SiC襯底銷售額約12億美元?；衔锇雽?dǎo)體年主要增長點(diǎn)為5G、軍工、汽車。化合物半導(dǎo)體材料及應(yīng)用未來化合物半導(dǎo)體份額將逐步增加數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，3.4射頻功率放大器是化合物半導(dǎo)體的新機(jī)遇第39頁，共54頁。145數(shù)據(jù)來源：SEMI，設(shè)計(jì)外延襯底晶圓制備Sumitomo、Freiberg、 AXT、SciocsIQE、VPEC諸多領(lǐng)域均高度集中，且行業(yè)龍

49、頭均為國外企業(yè)。襯底領(lǐng)域，前四大廠商占據(jù)市場90%份額；外延領(lǐng)域，IQE一家獨(dú)大，占 比60%；GaAs領(lǐng)域Skyworks、Qorvo兩家占據(jù)約60%份額。國內(nèi)布局來看，設(shè)計(jì)廠商包括RDA、漢天下等，目前已經(jīng)部 分占據(jù)了中低端的2G/3G/4G/WiFi領(lǐng)域；制造領(lǐng)域三安光電為首家規(guī)模量產(chǎn)GaAs、GaN的本土企業(yè)?；衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈垂直分工IDMMicrosemi、RDA穩(wěn)懋、宏捷科技全智、日月光Skyworks、Qorvo、三安制造封測3.4化合物半導(dǎo)體：寡頭競爭格局，日美歐龍頭企業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈第40頁，共54頁。146基帶芯片是手機(jī)通信部分的核心部件，決定著通信數(shù)據(jù)的傳輸質(zhì)量。ARM架構(gòu)

50、IP授權(quán)使用模式使移動設(shè)備CPU的設(shè)計(jì)門檻降低，SoC 上其余芯片的性能差異化便決定了SoC的競爭力。基帶芯片的作用是合成即將發(fā)射的基帶信號，或?qū)邮盏降幕鶐盘栠M(jìn)行解碼；同時(shí)負(fù)責(zé)地址信息（手機(jī)號、網(wǎng)站地址）、文字信息（短訊文字、網(wǎng)站文字）、圖片信息的編譯。基帶芯片主要由CPU處理器、信道編碼器、數(shù)字信號處理器、調(diào)制解調(diào)器和接口模塊組 成。一款高通SoC芯片含有多個子模塊手機(jī)芯片種類、復(fù)雜型日益提升數(shù)據(jù)來源：一種適合5G的新型多載波技術(shù)數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)3.4基帶芯片：5G時(shí)代迎來新機(jī)遇第41頁，共54頁。147數(shù)據(jù)來源：高通，1443227.479.187.5148LTE Cat 417.7

51、LTE Cat 648.5LTE Cat 981LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave4.14.13.73.51.92.11.90.9LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave隨著通信制式的提升，移動終端設(shè)備無線性能不斷提高，對基帶芯片的要求日益提高從低端的LTE Cat4到高端的Cat20移動終端無限性能不斷提升Data rate(Mbps）Download Latency（ms）MIMO RankSpectral Effi

52、ciency（bps/Hz）53464589896150263LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave2221.91.21.11.21.1LTE Cat 4LTE Cat 6LTE Cat 9LTE Cat 12LTE Cat 16LTE Cat 18LTE Cat 205G mmWave3.4基帶芯片：5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升第42頁，共54頁。148數(shù)據(jù)來源：傳感器技術(shù)5G時(shí)代，模式和頻段的增加帶來基帶芯片復(fù)雜度提升。目前， 3GPP已指定的5G NR頻譜有約29個頻段；同時(shí)各國家

53、和地 區(qū)的頻段也不同。多頻段兼容性，使得基帶芯片日益復(fù)雜。如高通于2018年12月最新發(fā)布的驍龍855移動平臺，同時(shí)具有5G和4G模塊，向下兼容3G/2G。不同國家5G頻段不同5G Modem（ Snapdragon X50 5G Modem ）5G NR （sub-6 GHz and mm Wave）4G Modem （ Snapdragon X24 LTE modem ）4G/3G/2G數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)，Qualcomm Snapdragon 855 Mobile Platform向下兼容是邁進(jìn)5G的關(guān)鍵3.4基帶芯片：5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升第43頁，共54頁。數(shù)據(jù)來源：高通官網(wǎng)，0%1

54、0%20%30%40%50%60%0102030405060201620172018201920202021移動端數(shù)據(jù)量（Exabytes per month，左軸）增速（%，右軸）數(shù)據(jù)來源：Cisco，3.6 14.4284.8 42 8100 150 150 150 300 300 300 450 62000100012000050000100020003000400050006000Gobi系列X5 X6 X7 X8 X9 X10X12X16X20X24X50X系列3G3G+4G LTE/4G LTE Adv.4.5G5G/4G2016-2021年移動端數(shù)據(jù)量不斷擴(kuò)大高通歷代基帶芯片數(shù)據(jù)

55、傳輸速率不斷提升（Mb/s）5G時(shí)代移動端數(shù)據(jù)量爆發(fā)式提升。根據(jù)Cisco預(yù)測，2021年移動端數(shù)據(jù)量將達(dá)到49 Eb/月，為2016年的7倍。隨著通信制式的要求以及數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長，基帶芯片數(shù)據(jù)傳輸速度不斷提升。3.444基帶芯片：5G時(shí)代設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升第44頁，共54頁。從2G/3G/4G芯片的單價(jià)對比來看，芯片單價(jià)為上一代的2-5倍，預(yù)計(jì)5G芯片也不例外，同時(shí)5G的技術(shù)革命使得未來5G基帶 芯片的均價(jià)有望飆高，預(yù)計(jì)在40美元（取4G均價(jià)的2倍）；同時(shí)規(guī)模效應(yīng)使得芯片價(jià)格往往在試用期偏高，之后逐年下降，因 此合理預(yù)計(jì)19年或20年試用期內(nèi)5G基帶芯片將迎來價(jià)格高峰。2010-2016年2

56、G/3G/4G芯片平均價(jià)格2010-2016年芯片均價(jià)下降資料來源：Strategy Analytics，資料來源：Strategy Analytics ，1.878.2319.820.005.0010.0015.0020.0025.002G3G4G45.0040.0035.0030.0025.0020.0015.0010.005.000.00201220132014201020112G基帶芯片均價(jià)3G基帶芯片均價(jià)201520164G基帶芯片均價(jià)4.5倍2.5倍3.445基帶芯片：ASP提升5G基帶芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度提升，推動芯片單價(jià)上升第45頁，共54頁。根據(jù)歷史周期，通信制式的變化帶來50億美

57、金增量新市場。每次通信標(biāo)準(zhǔn)革新都將為全球基帶產(chǎn)業(yè)帶來50億美元的新增市場（百萬美元）高通業(yè)績受益于兩次通信技術(shù)轉(zhuǎn)換資料來源： Wind，資料來源： IHS，3.446基帶芯片：50億美金增量市場爆發(fā)在即第46頁，共54頁。152單車汽車電子需求增大，單車價(jià)值量穩(wěn)步增長（1）汽車產(chǎn)業(yè)中電子器件應(yīng)用快速擴(kuò)大，市場整體呈上升趨勢。中國增速超過全球。（2）2000年一臺車需要10 顆芯片，目前需要100顆芯片，隨著機(jī)械 式向電子的轉(zhuǎn)變，2022年一臺汽車大約需要1000顆芯片。（3）自動化，安全性等需求對數(shù)據(jù)收集、處理能力要求不斷升級，拉 動汽車高性能ECU價(jià)值增長。單位汽車ECU穩(wěn)步提升（美元）汽車

58、電子市場規(guī)模預(yù)計(jì)快速增長（億元）數(shù)據(jù)來源：聞泰科技官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：IC Insights，汽車對芯片需求增加數(shù)據(jù)來源：IC Insights，3.4汽車電子化加速進(jìn)行，ECU價(jià)值增長帶來增量市場第47頁，共54頁。15345%40%35%30%25%20%15%10%5%0%1400012000100008000600040002000020102011201220132014201520162017IoT：多樣化應(yīng)用驅(qū)動百億級增量市場物聯(lián)網(wǎng)市場逐步興起，涉及芯片種類繁多，帶來百億級藍(lán)海需求（1）物聯(lián)網(wǎng)在智能家居、車聯(lián)網(wǎng)、智能交通、智能建筑等場景已有爆發(fā)端倪；（2）物聯(lián)網(wǎng)會給安全芯片、工業(yè)用物聯(lián)

59、網(wǎng)芯片、通訊射頻芯片、身份識別芯片、傳感器等帶來巨大的發(fā)展空間。（3）根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息數(shù)據(jù)，2017年中國物聯(lián)網(wǎng)芯片市場達(dá)到259億元，增速實(shí)現(xiàn)70.39%。中國物聯(lián)網(wǎng)市場空間廣闊中國物聯(lián)網(wǎng)芯片市場規(guī)模逐年增長80.0070.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.004003503002502001501005002015201620172018(E)2019(E)2020(E)物聯(lián)網(wǎng)芯片（億元）增速（%）數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息，數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息，3.4第48頁，共54頁。154短期公司業(yè)績壓力來源于行業(yè)去庫存影響，而18Q4公司庫存已經(jīng)調(diào)節(jié)預(yù)計(jì)19Q1景氣

60、見底，逐季度提升。當(dāng)前臺積電一家獨(dú)大的產(chǎn)業(yè)格局存在被打破的可能性，中芯國際可能成長為晶圓代工第二巨頭。公司14nm19Q3正式生產(chǎn)（19Q2設(shè)備move in），12nm pdk ready，N+1(FinFET下一代制程）穩(wěn)定推進(jìn)。中芯國際有望成為先進(jìn)制程潛在第二供應(yīng)商數(shù)據(jù)來源：wind,中芯國際庫存19Q4已經(jīng)自發(fā)調(diào)節(jié)3.4【0981.HK】中芯國際：先進(jìn)制程潛在第二供應(yīng)商因行業(yè)景氣度公司業(yè)績進(jìn)入低谷期，靜待產(chǎn)業(yè)回轉(zhuǎn)和下一代FinFET制程布局第49頁，共54頁。下游晶圓建廠周期向上，順利進(jìn)入業(yè)績釋放期2018年預(yù)計(jì)收入30億+，利潤2.3-2.5億，YOY 82%98%，進(jìn)入業(yè)績釋放期。