實驗報告1(二極管器件仿真)

1、學(xué)生實驗報告院別課程名稱器件仿真與工藝綜合設(shè)計班級實驗（一）二極管器件仿真姓名實驗時間學(xué)號指導(dǎo)教師成績批改時間報告內(nèi)容一、實驗?zāi)康暮腿蝿?wù)1、掌握二極管基本結(jié)構(gòu)原理，二極管電流電壓特性；2、掌握SilvacoTCAD器件仿真設(shè)計流程及器件仿真器Atlas語法規(guī)則；3、分析二極管結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對主要電學(xué)特性的影響。、實驗原理1、二極管的結(jié)構(gòu)與原理2、二極管的IV特性3、二極管擊穿特性4、Atlas器件仿真流程三、實驗設(shè)備1、工作站或微機終端1臺2、局域網(wǎng)3、Untitled-Deckbuild仿真軟件1套四、實驗內(nèi)容（一）、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計設(shè)計個長15um、寬1um的PN形二極官，其中P區(qū)長5um，寬1

2、um；N區(qū)長10um，寬1um。圖二定義材料為硅A.TLJU：fewdl-MiO2O.m：E-即It.4.Sl-lO.TO.i0.electrodetopname=cathode#定義top電極為陰極，名稱為cathodeelectrodebottomname=anode#定義bottom電極為陽極，名稱為anode圖三定義電極JITUUTvIditwtlJlTiWaiXr-Idrt4.LO.J!4.34.4.SO.0T4.4Umnpdopinguniformconc=5e17p.type#定義p區(qū)摻雜濃度，設(shè)為均勻摻雜圖四P區(qū)摻雜3.40.1D.1.1D-2t.4D_1dopingunifo

3、rmn.typeconc=1e20 xl=0 xr=1yt=00yb=50#定義n區(qū)摻雜濃度與所在空間范圍圖五N區(qū)、P區(qū)皆摻雜saveoutf=diodeex02_0str#存儲結(jié)構(gòu)信息（2）為擊穿仿真設(shè)置模型modelssrhconmobbgnaugerfldmob#擊穿仿真設(shè)置模型impactcrowell#激活crowell模型（3）曲線追蹤參數(shù)的設(shè)置solveinit#解初始化solvevcathode=01#設(shè)置要進行曲線追蹤的電極methodnewtontrapmaxtrap=10climit=1e-4#設(shè)置數(shù)值方法（4）反向電壓曲線追蹤仿真logoutf=diodeex02.log#設(shè)置輸出文件solvevcathode=025vstep=025vfinal=10name=cathode#陰極電壓從0.25V加到10V,步長0.25Vtonyplotdiodeex02.logtonyplotdiodeex02_0str#繪圖語句（三）器件結(jié)構(gòu)與雜質(zhì)分布（1）表1不同P區(qū)濃度下器件結(jié)