光伏電池設(shè)備持續(xù)增長的黃金賽道

1、目錄3一、為什么說HIT是面向未來的平臺型技術(shù)二、何時有性價比：已具有性價比，HIT建設(shè)正當(dāng)時三、空間有多大：25年HIT電池設(shè)備空間達300億四、HIT搶先布局：邁為股份、捷佳偉創(chuàng)五、投資建議及風(fēng)險提示4光伏電池的發(fā)展路線資料來源：中國光伏發(fā)展路線圖（2018年版），方正證券研究所過去5年技術(shù)變革使光伏成為成本最低的可再生能源之一：單晶替代多晶，Perc替代BSF是過去光伏降本增效的重要原動力。目前P-PERC電池仍是主流的高效電池技術(shù)，但由于其提效潛力有限，其他電池路線逐漸進入人們視野,其中量產(chǎn)希望較大的是TOPcon和HIT 技術(shù)。圖表1：光伏電池各種技術(shù)路徑現(xiàn)狀PERCN-PERTN-

2、TOPConHITIBC量產(chǎn)效率22.5%-23.5%21.5%-23.2%23.5%-24.5%23.5%-24.%22.8%-25%實驗室效率24%以上23%以上24.6%以上26%25%以上量產(chǎn)企業(yè)愛旭、通威中來、林洋LGREC松下、晉能Sunpower、LG優(yōu)點 量產(chǎn)性性價比高 非常成熟可從現(xiàn)有產(chǎn)線升級 已可量產(chǎn)有機會從現(xiàn)有產(chǎn)線升 級已可量產(chǎn)工序少 已可量產(chǎn)效率高國內(nèi)尚未有量產(chǎn)實績技術(shù)難度容易較容易難度很高難度高難度極高工序少較少多最少非常高設(shè)備投資少較少貴貴非常高與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容性已有許多產(chǎn)能可用現(xiàn)有設(shè)備升級有機會由新產(chǎn)線升級完全不兼容幾乎不兼容目前問題后續(xù)提效路線不明朗 與雙面P-P

3、ERC相比較 量化難度高，效率提 與現(xiàn)有設(shè)備不兼容， 難度高，成本也遠高 有性價比優(yōu)勢升空間可能略低于HIT設(shè)備投資成本高于前述技術(shù)5提效潛力遠大于Perc，HIT是連接多結(jié)電池的平臺型技術(shù)資料來源：NREL，方正證券研究所當(dāng)前時點看，Perc效率天花板在24%左右，而HIT電池的P-n結(jié)在非晶硅和晶體硅材料之間形成，導(dǎo)致其提效潛力高于Perc，HIT是單節(jié) 時代效率次高的技術(shù)，實驗室效率26%+。多結(jié)電池利用多種材料對于太陽光譜不同的波段吸收，可實現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率。 HIT加上鈣鈦礦的疊層是多節(jié)時代入門級技術(shù)，因此認(rèn)為 HIT是一個承上啟下的平臺型技術(shù)。圖表2：光伏電池各種技術(shù)路徑轉(zhuǎn)換效率資料

4、來源：SOLARZOOM，方正證券研究所6HIT電池的發(fā)展歷史異質(zhì)結(jié)（HIT）太陽能電池自90年代由三洋量產(chǎn)，但由于成本原因未成為主流。近年來，隨著技術(shù)進步，HIT的轉(zhuǎn)換效率、生產(chǎn)成本不斷改善。HIT的結(jié)構(gòu)：HIT呈對稱結(jié)構(gòu)，以N型單晶硅片為襯底，正面依次沉積本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜 ，背面依次沉積本征非晶硅薄膜、P型非 晶硅薄膜，摻雜非晶硅薄膜兩側(cè)分別沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜（TCO），在TCO兩側(cè)頂層形成金屬電極。1951-19601991-19971968-19741951年異質(zhì)結(jié)（HIT）電池的概念被首次提出，1960年首次成功制造HIT器件1968年首次實現(xiàn)非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)，

5、1974年 首次實現(xiàn)氫化非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)器件1991年日本三洋（后被松下收購）將本征非晶硅 薄膜用于非晶硅/晶體硅HIT光伏電池，1997年實 現(xiàn)HIT電池量產(chǎn)2016-2019Kaneka于2016年9月實現(xiàn)26.3%的HIT電池實驗 室轉(zhuǎn)換效率記錄，漢能于2019年11月實現(xiàn)25.1% 的全尺寸HIT電池轉(zhuǎn)換效率記錄N型硅基體透明導(dǎo)電氧化層透明導(dǎo)電氧化層P型非晶硅本征非晶硅本征非晶硅N型非晶硅金屬電極圖表4：HIT電池結(jié)構(gòu)圖表3：HIT電池發(fā)展歷史7HIT電池為對稱結(jié)構(gòu)，制備流程少相較于Perc電池，HIT電池主要工藝流程僅4步，工藝流程減少的結(jié)果是生產(chǎn)良率提升較容易。HIT電池與Pe

6、rc電池主要的設(shè)備差異在第二、三道工序，主要是用于非晶硅沉積的PECVD設(shè)備以及用于制備TCO的PVD/RPD設(shè)備。PRECHIT清洗制絨減反射膜清洗制絨擴散/摻雜激光開槽非晶硅沉積邊絕緣絲網(wǎng)印刷TCO導(dǎo)電膜沉積PSG刻蝕燒結(jié)絲網(wǎng)印刷背部鈍化資料來源：SOLARZOOM，方正證券研究所工藝流程清洗制絨非晶硅沉積TCO鍍膜絲網(wǎng)印刷核心設(shè)備清洗制絨機板式PECVDPVD/RPD絲網(wǎng)印刷機、燒 結(jié)爐主要原料KOH、添加劑、 雙氧水、鹽酸硅烷、氫氣、磷 烷、硼烷ITO/IWO低溫銀漿、網(wǎng)版作用去損傷+表面織 構(gòu)+清洗制作PN結(jié)+表面 鈍化減反射+橫向?qū)щ娛占娏髋cPERC的 區(qū)別基本相同1高溫工藝低

7、溫工藝2管式設(shè)備板 式設(shè)備3氮化硅及氧化 鋁鈍化本征非晶硅鈍化1管式設(shè)備板 式設(shè)備2氮化硅減反射ITO減反射 3擴散層導(dǎo)電TCO層導(dǎo)電1高溫?zé)Y(jié)低 溫固化2漿料燒穿絕緣 的氮化硅漿料附著于導(dǎo)電 的ITO圖表6：HIT電池工藝流程圖表5：HIT和PERC工藝對比8HIT的具體工藝流程（1）清洗制絨清洗：清洗是加工晶硅電池的預(yù)備工作。經(jīng)切片、研磨、倒角、拋光等多道工序加工成的半導(dǎo)體薄片，其表面已吸附了各種雜質(zhì)，如顆粒、金屬粒子、硅粉粉塵及有機雜質(zhì)，在進行擴散前需要進行清洗，消除各類污染物， 且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可 靠率。工藝：（1）去除半導(dǎo)體薄片表面的機械損傷層；（2）對半導(dǎo)

8、體薄片的表面進行/凹凸面（金字塔絨面）處理，增加光在太陽電池片表面的折射次數(shù)，利于太陽電池片對光的吸收，以達到電池片對太陽能價值的最大利用率（3）清除表面硅酸鈉、氧化物、油污以及金屬離子雜質(zhì)。單晶硅制絨：利用堿對單晶硅表面的各向異性腐蝕，在硅表面形成無數(shù)的四面方錐體。目前工業(yè)化生產(chǎn)中通常是根據(jù)單晶硅片的各項異性 特點采用堿與醇的混合溶液對晶面進行腐蝕，從而在單晶硅片表面形成類似“金字塔”狀的絨面。資料來源：捷佳偉創(chuàng)官網(wǎng)，SOLARZOOM，方正證券研究所圖表8：金屬雜質(zhì)對電池性能的影響圖表7：捷佳偉創(chuàng)HIT清洗制絨設(shè)備圖表9：單晶硅片制絨前后的表面反射率對比9HIT的具體工藝流程（2）非晶硅沉

9、積非晶硅沉積作用：為了提高晶體硅太陽能發(fā)電的效率，通常除了需要減少太陽能電池正表面的反射，還需要對晶體硅表面進行鈍化處理， 以降低表面缺陷對于少數(shù)載流子的復(fù)合作用。主流方法：在HIT制備方法中，一般采用PECVD法。PECVD借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而 等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。資料來源：CNKI，湖南紅太陽光電科技，方正證券研究所圖表10：PECVD設(shè)備示意圖圖表11：湖南紅太陽板式PECVD智能車間10對PECVD未來的發(fā)展要求1、非晶硅各膜層的關(guān)鍵氫含量和微晶相含量都有各自的最優(yōu)化工藝窗口，對PECVD設(shè)備

10、鍍膜過程中的各最優(yōu)工藝邊界條件要求高。2、HIT非晶硅工藝要求越來越高：摻雜層多層膜工藝能更有效地提升電池轉(zhuǎn)換效率，隨著效率目標(biāo)越來越高，膜層數(shù)量和精細(xì)結(jié)構(gòu)調(diào)整越來 越重要。3、設(shè)備要求同步提升：腔體結(jié)構(gòu)升級：1）功能腔專業(yè)化：裝在、卸載、預(yù)熱、工藝：2）傳輸速度提升：3）腔體優(yōu)化設(shè)計，容量降低，工藝上減少氣氛變化載板面積增大：1）兼顧傳輸需求、加熱需求和大硅片平面接觸需求；2）成本低廉，經(jīng)久耐用；3）保證鍍膜均勻性；4）滿足以上條件 的前提下，愈大愈好（3）工藝腔鍍膜時間占比增加。HIT的具體工藝流程（2）非晶硅沉積資料來源：理想萬里暉官網(wǎng)，中科院太陽電池技術(shù)研究部，方正證券研究所圖表12：

11、理想PECVD設(shè)備11HIT的具體工藝流程（3）TCO鍍膜PVDRPD工藝路線磁控濺射電子束蒸發(fā)靶材成膜 的原因靶材原子因被轟擊濺射到硅 片上形成TCO靶材因被轟擊產(chǎn)生局部高溫（1600）而升華發(fā)生離 子化依附到硅片上形成TCO靶材類型ITO、SCOT、AZOIWO資料來源：新型TCO材料在光伏產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用前景，SOLARZOOMTCO的作用：由于非晶硅層晶體呈無序結(jié)構(gòu)，電子與空穴遷徙率較低，且橫向?qū)щ娦暂^差，不利于光生載流子的收集。因此需要積一層 TCO，用于收集載流子并向電極傳輸，TCO同時可以減少光學(xué)反射。TCO的技術(shù)路徑：主要分為PVD和RPD。（二者均為物理鍍膜法）從已有設(shè)備選型來看，

12、由于RPD設(shè)備及靶材成本偏高，市場主流選擇 為PVD設(shè)備。僅有成都通威、愛康、晉能、新日光選擇了RPD設(shè)備路徑。PVD：即物理化學(xué)氣象沉積（Physical Vapor Deposition），目前為主流路線，在電子行業(yè)早已成熟。RPD：即反應(yīng)等離子體沉積（Reactive Plasma Deposition）圖表14：TCO工藝流程圖表13：PVD和RPD對比12PVD的原理：在電場和磁場作用下，使工藝氣體 Ar 電離成 Ar+，形成等離子體，被加速的高能粒子（Ar+）獲得高能量并轟擊靶材，靶 材表面的原子脫離原晶格而逸出，濺射粒子沉積到襯底表面與氧原子發(fā)生反應(yīng)而生成氧化物薄膜。PVD的優(yōu)點

13、：（1）較低的制備溫度（可室溫沉積）；（2）可控性好，具有較高的沉積速率；（3）可濺射沉積具有不同蒸汽壓的合金與化合物；（4）成 本較低，重復(fù)性好，可實現(xiàn)規(guī)?；竺娣e生產(chǎn)PVD的缺點：鍍膜質(zhì)量較差，影響轉(zhuǎn)換效率較ITO靶材更高效的SCOT靶材尚未國產(chǎn)化HIT的具體工藝流程（3）TCO鍍膜PVD圖表16：PVD設(shè)備構(gòu)成圖表15：PVD設(shè)備示意圖資料來源：阿波羅光伏，方正證券研究所13RPD的原理： Ar（氬）通過等離子槍產(chǎn)生的等離子體進入到工藝腔體內(nèi)，然后在磁場作用下打到靶材上，靶材產(chǎn)生局部高溫（1600），膜材升華沉積至襯底上的鍍膜方法。RPD的優(yōu)點：（1）對襯底的低轟擊損傷，RPD鍍膜本質(zhì)上

14、可認(rèn)為是一種離子輔助蒸發(fā)技 術(shù)，鍍膜過程中粒子能量小，幾乎不存在高能粒子，低能量的粒子 避免了對襯底表面的損傷；（2）可低溫獲得高質(zhì)量薄膜，RPD沉積過程的特殊性使得低溫條件下也可以獲得高質(zhì)量的薄膜；（3）源材料利用 率高，RPD鍍膜可控制到達坩堝的等離子束功率密度，最終提高蒸發(fā)源材料的利用率，遠遠高于濺射靶材料的利用率；RPD的缺點：（1）當(dāng)前的RPD鍍膜設(shè)備普遍存在掉粉現(xiàn)象，設(shè)備工作時游離于設(shè)備腔體內(nèi)的TCO粉塵經(jīng)工藝氣體吹掃吸附到硅片表面，造成了效率與良率 的損失（2）由于需要經(jīng)常開腔清潔維護等原因，生產(chǎn)效率較低。HIT的具體工藝流程（3）TCO鍍膜RPD圖表17：RPD結(jié)構(gòu)示意圖圖表1

15、8：捷佳偉創(chuàng)RPD設(shè)備資料來源：CNKI，捷佳偉創(chuàng)官網(wǎng)，方正證券研究所14絲網(wǎng)印刷：制作太陽電池的一種方法，例如使?jié){料（銀漿、鋁漿等）透過已制好柵線圖形的網(wǎng)膜漏印在已擴散過的硅片上形成上、下電極，加熱后使?jié){料中有機溶劑揮發(fā)，形成太陽電池電極。相較于Perc只有正銀，HIT電池兩面都有電極，因此在HIT時代，降銀耗是絲網(wǎng)印刷發(fā)展的重點： 降銀耗方法1：多主柵邁為股份通過提高焊帶的焊接精度，設(shè)計更低濕重和更小遮擋的電池主柵，將銀漿耗量由200mg+降低至130mg左右，同時CTM提升至 99.5%。HIT的具體工藝流程（4）絲網(wǎng)印刷資料來源：邁為股份產(chǎn)品發(fā)布會，方正證券研究所圖表19：多主柵耗銀量

16、低圖表20：多主柵CTM高一次印刷（KE 359）分布印刷銀包銅細(xì)柵細(xì)柵主柵銀含量90-9490-9489-9358-62體電阻率5-74-57-96-8拉力0.5-1-2-印刷速度100-150300-350300300-35015資料來源：邁為股份產(chǎn)品發(fā)布會，方正證券研究所降銀耗方法2：銀包銅銅亦具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，且價格低廉，與銀相比，具有巨大的價格優(yōu)勢。但是銅抗氧化能力差，特別是微米、亞微米銅粉，化學(xué)不穩(wěn)定，在潮濕、高溫時更加明顯，不能滿足光伏漿料的要求。早期銀包銅存在包覆致密性差，不耐高溫、包覆層結(jié)合不強等問題，但隨著技術(shù)的進步，銀包銅在HIT電池上具有可行性：1、 HIT的低

17、溫工藝不會導(dǎo)致銅的氧化失效2、用于HIT電池的銀包銅漿料不會承載大電流3、HIT電池結(jié)構(gòu)抑制了銅在硅中的電遷移效應(yīng)銀包銅細(xì)柵銀含量約60%，相較于之前柵線90%左右的銀含量，銀耗下降明顯。圖表21：銀包銅降銀HIT的具體工藝流程（4）絲網(wǎng)印刷目錄16一、為什么說HIT是面向未來的平臺型技術(shù)二、何時有性價比：已具有性價比，HIT建設(shè)正當(dāng)時三、空間有多大：25年HIT電池設(shè)備空間達300億四、HIT搶先布局：邁為股份、捷佳偉創(chuàng)五、投資建議及風(fēng)險提示17HIT電池的四大特性使其發(fā)電量高于Perc電池HIT電池在pn結(jié)成結(jié)的同時完成了單晶硅的表面鈍化， 大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率，轉(zhuǎn)換

18、效 率相比傳統(tǒng)晶硅電池提升10%到20%電池片雙面吸光，可封裝成雙玻組件，實現(xiàn)雙面發(fā)電；背 面增益可增加發(fā)電量10%-20%電池片功率系數(shù)低于-0.28%，相較于傳統(tǒng)晶硅電池片， 溫度系數(shù)降低40%；高溫環(huán)境下，發(fā)電可增加發(fā)電量6-9%理論研究表明非品硅薄膜晶態(tài)硅HIT中的非晶硅薄膜沒 有發(fā)現(xiàn)StaeblerWronski效應(yīng)，較傳統(tǒng)晶硅電池片，光 效衰減率降低50%高轉(zhuǎn)換效率雙面發(fā)電高溫特性低衰減性資料來源：eefocus，方正證券研究所18HIT發(fā)電量優(yōu)勢明顯，合理溢價0.35元/W由于在轉(zhuǎn)換效率，溫度系數(shù)、光衰、雙面率上占有優(yōu)勢，HIT電池發(fā)電量可較Perc電池高10%以上，合理溢價0.

19、35元以上。轉(zhuǎn)換效率：HIT電池由于是在晶體硅和摻雜薄膜硅之間插入了本征薄膜i-a-Si:H,它能有效地鈍化晶體硅表面的缺陷，因而HIT電池的開路電 壓比常規(guī)電池要高許多從而能夠獲得高的光電轉(zhuǎn)換效率。高效率可節(jié)約BOS，1%的效率差對應(yīng)至少6-8分/W的溢價，由于HIT效率高 1.5%，對應(yīng)約0.1元/W溢價。溫度系數(shù)：HIT電池結(jié)構(gòu)中的非晶硅薄膜/晶體硅HIT，其溫度特性更為優(yōu)異，低溫工藝制造其溫度系數(shù)為-0.25%/，僅為晶體硅電池的 溫度系數(shù)-0.45%/的一半左右。額定參數(shù)標(biāo)定均在25條件下測量，而組件工作溫度可達到50以上，HIT發(fā)電量至少多5%，理論溢 價0.1元/W+。HIT采用

20、N型硅片，PID衰減少，實驗數(shù)據(jù)全生命周期發(fā)電量多5%+，溢價0.1元/W+。高雙面率：HIT雙面率90%，Perc雙面率70%，假設(shè)背面輻照10%，較雙面Perc發(fā)電量多1%-2%,溢價0.03-0.07元/W+。溢價（元/W）轉(zhuǎn)換效率0.1+溫度系數(shù)0.1+低衰減0.1高雙面率0.03-0.07合計0.35資料來源：硅基HIT太陽電池物理與器件，方正證券研究所圖表22：不同時刻相對輸出功率圖表23：HIT各因素溢價19PercHIT參數(shù)電池片效率22.70%24.00%良品率98.90%98.50%M6每片W數(shù)6.22W/片6.58W/片電池片厚度170m170m電池片連接技術(shù)12BBM6

21、電池片銀漿耗量正銀90mg/片200mg/片(M2 180mg)靶材耗量-168mg/片靶材耗量說明-未考慮回收，雙面使用 ITO價格M6硅片含稅價格3.25元/片3.575元/片(N型硅片溢 價8%)銀漿含稅價格6500元/kg8500元/kg(低溫溢價2000元/kg)靶材含稅價格2500元/kg生產(chǎn)設(shè)備投資價格2億元/GW4.5億元/GW廠房1億/GW2億/GW元/WPercHIT1.硅片成本0.4620.4812.1漿料0.0830.2292.2靶材無0.0572.3折舊0.0300.0652.4其他0.1200.1202.非硅成本(E)0.2330.4713.生產(chǎn)成本0.6960.9

22、52資料來源：SOLARZOOM，方正證券研究所生產(chǎn)成本對比:當(dāng)前時點，測算HIT生產(chǎn)成本相較于Perc高約0.25元圖表24：HIT、PERC當(dāng)下成本對比20HIT耗材降本展望硅成本：硅片成本：HIT使用N型硅片，目前同等厚度下N型硅片價格比P型高約7%-10%。HIT是低溫工藝，可以使用更薄的硅片，硅片可以薄到100微米（松下已實 現(xiàn)），預(yù)計兩年N型硅片厚度在130-140微米。薄片化之后（150微米左右）N型和P型硅片價格趨同，預(yù)計130nm N型硅片價格便宜約10%。四環(huán)節(jié)對應(yīng)原材料：清洗制絨：KOH、HCL、H2O2、HF、添加劑等，價格較穩(wěn)定。 PECVD：主要是TMB等氣體，成本

23、可以忽略。PVD靶材成本：靶材核心成分是氧化銦，質(zhì)量占比在90%以上，剩余10%是氧化錫、氧化鎢、氧化鈰、氧化鈦等金屬氧化物，之前主要用在面板行業(yè)。靶材 價格在2500-3000元/千克左右，消耗量約168毫克/片（已有企業(yè)稱降至140毫克），目前靶材成本約6分/瓦?？紤]沉積腔室回收、背面使用銦含量低的 AZO靶材后，預(yù)計22年消耗量可降低至50毫克/左右，假設(shè)靶材價格上漲至6000元/千克，未來靶材成本有望降到4分/瓦。絲印銀漿成本：HIT所用銀漿為低溫銀漿，當(dāng)前價格較高溫銀漿更高，主要是量小無規(guī)模效應(yīng)，放量后，價差預(yù)計很?。ǖ蜏劂y漿技術(shù)無太大壁壘）。單耗方面，HIT要求雙面刷銀電極，Per

24、c為一面銀電極一面鋁電極。以MBB印刷，單耗180毫克/片（Perc 約90mg），使用梅耶博格的SMWT單耗可達95毫 克/片左右。按當(dāng)前銀漿價格計算，HIT的銀漿成本0.23元/瓦，后期使用無主柵等技術(shù)，銀漿成本0.076元/瓦，銀漿為降本最關(guān)鍵一項成本。設(shè)備成本：設(shè)備主要差異在PECVD和PVD上。HIT整線設(shè)備成本從2019年的約10億元/GW下降至最新的4.5億元/GW，關(guān)鍵在于節(jié)拍數(shù)的提升。PECVD、PVD都是早 已成熟的技術(shù)，之前廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域，技術(shù)上不存在絕對壁壘，在光伏場景的關(guān)鍵是如何做大通量。資料來源：SOLARZOOM，方正證券研究所212022年P(guān)ERC（E）20

25、22年HIT（E）參數(shù)電池片效率23.70%25.00%良品率98.90%98.0%(薄片)M6每片W數(shù)6.49W/片6.85W/片電池片厚度170m130m電池片連接技術(shù)無主柵無主柵M6電池片銀漿耗量正銀45mg/片90mg/片靶材耗量50.4mg/片靶材耗量說明考慮銦的回收，且背面采 用AZO替代價格假設(shè)M6硅片含稅價格2元/片1.89元/片(N型硅片溢價5%，但薄片折價10%)銀漿含稅價格6500元/kg6500元/kg靶材含稅價格6000元/kg(已充分考慮銦 的漲價)生產(chǎn)設(shè)備投資價格1.5億元/GW4億元/GW廠房1億/GW2億/GW2022(E):PERC2022(E):HIT1.

26、硅片成本0.270.242.1銀漿0.0400.0762.2靶材無0.0392.3折舊0.0250.0602.4其他0.1200.1202.非硅成本(E)0.1850.2953.生產(chǎn)成本合計0.460.54資料來源：SOLARZOOM，方正證券研究所預(yù)計22年HIT生產(chǎn)成本與Perc相差0.1元/W元之內(nèi)圖表25：HIT降本路徑目錄22一、為什么說HIT是面向未來的平臺型技術(shù)二、何時有性價比：已具有性價比，HIT建設(shè)正當(dāng)時三、空間有多大：25年HIT電池設(shè)備空間達300億四、HIT搶先布局：邁為股份、捷佳偉創(chuàng)五、投資建議及風(fēng)險提示方正電新方正電新23光伏十年降本82%，發(fā)電經(jīng)濟性凸顯資料來源：

27、IRENA，CPIA，方正證券研究所光伏是過去十年降本幅度最大的可再生能源。根據(jù)IRENA測算，2010年至2019年，全球光伏發(fā)電加權(quán)平均LCOE從0.378$/kWh迅速下滑至 0.068$/kWh，降幅高達82%,在可再生能源中降幅最大。光伏發(fā)電已具經(jīng)濟性，行業(yè)的周期性弱化，成長性凸顯。光伏發(fā)電仍有較大降本空間。隨著HIT、雙面組件、跟蹤器等技術(shù)設(shè)備應(yīng)用，光伏發(fā)電站運維能力提高，行業(yè)規(guī)模效應(yīng)進一步加強，光伏度 電成本有望持續(xù)下降，根據(jù)CPIA預(yù)測，2021年后光伏地面電站在大部分地區(qū)可實現(xiàn)與煤電基準(zhǔn)價同價，預(yù)計工商業(yè)分布式光伏發(fā)電未來 2021前也可實現(xiàn)居民用電側(cè)平價。圖表26：近十年全

28、球清潔能源度電成本變化圖表27：2019-2025 年我國電站運維成本變化趨勢（單位：元/W/年）方正電新方正電新24新能源發(fā)電星辰大海 光伏大潮流已經(jīng)來臨資料來源：CPIA，BP，方正證券研究所近期各國均將可再生能源發(fā)展上升到戰(zhàn)略高度，對氣候變化重視程度迅速提升。中國、德國、印度等大國均提出碳排放目標(biāo)，強調(diào)將提升可再 生能源發(fā)電占比，引領(lǐng)全球走向“碳中和”目標(biāo)。截至2019年，光伏發(fā)電量全球占比2.7%，相較于煤電的36.4%。天然氣的23.3%仍有較大 差距，相較于其他能源，光伏行業(yè)內(nèi)生降本能力強，十年間度電成本下降87%，預(yù)計未來光伏發(fā)電占比將大幅提升。據(jù)CPIA樂觀預(yù)測，未來5 年全球

29、年均光伏新增裝機量可達287GW。圖表28：世界光伏新增裝機規(guī)模圖表29： 世界電力結(jié)構(gòu)25空間有多大：20年P(guān)erc設(shè)備市場規(guī)模逾百億Perc電池片國外廠商國內(nèi)廠商市占率清洗、制絨RENA、 YAC捷佳偉創(chuàng)、上 海思恩捷佳偉創(chuàng)市占 率70%擴散爐TS、 CP等捷佳偉創(chuàng)、豐 盛裝備捷佳偉創(chuàng)市占 率50%PECVDM.B捷佳偉創(chuàng)捷佳偉創(chuàng)市占 率50%+絲印Baccini邁為股份、 隆科威邁為市占率 70%+激光消融A.M帝爾激光、邁 為股份帝爾激光市占 率70%資料來源：CPIA，智匯光伏，惠能微電網(wǎng)，華夏能源網(wǎng)、進擊的光伏、光伏測試網(wǎng)、捷佳偉創(chuàng)招股說明書，方正證券研究所圖表30：PERC設(shè)備市

30、場規(guī)模14%13%10%6% 11%17%29%清洗制絨 PECVD激光擴散刻蝕 退火設(shè)備 絲網(wǎng)印刷 背鈍化-20%0%20%40%60%80%0501001502002016201720182019圖表32：PERC各環(huán)節(jié)價值占比2020EPERC市場規(guī)模（億元）yoy654321001020304050602017201820192020E圖表33：PERC各環(huán)節(jié)市場格局圖表31：PERC新增產(chǎn)能 Perc設(shè)備新增產(chǎn)能（GW）Perc設(shè)備單GW價格（億元）26空間有多大：預(yù)計25年HIT設(shè)備市場規(guī)?？蛇_300億(較保守）、HIT電池片主要廠商清洗制絨捷佳偉創(chuàng)、YACPECVD捷佳偉創(chuàng)、邁為

31、股份、鈞石、理想、金辰M.BTCO(PVD)捷佳偉創(chuàng)、邁為股份TCO(RPD)捷佳偉創(chuàng)絲印邁為股份、隆科威、捷佳偉創(chuàng)、帝爾激光資料來源：SOLARZOOM，邁為招股書，中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，方正證券研究所圖表34：HIT設(shè)備市場規(guī)模預(yù)測圖表35：HIT產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測圖表36：HIT各環(huán)節(jié)價值占比圖表37：HIT各環(huán)節(jié)市場格局01002002020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年300 HIT新增產(chǎn)能（GW）HIT累計產(chǎn)能（GW）654321001002003004002020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年HIT市場規(guī)模（億元） HIT設(shè)備利

32、潤（億元） HIT設(shè)備單價（億元）55%31%9% 5%清洗制絨PECVDRPD絲網(wǎng)印刷目錄27一、為什么說HIT是面向未來的平臺型技術(shù)二、何時有性價比：已具有性價比，HIT建設(shè)正當(dāng)時三、空間有多大：25年HIT電池設(shè)備空間達300億四、HIT搶先布局：邁為股份、捷佳偉創(chuàng)五、投資建議及風(fēng)險提示方正電新方正電新28邁為股份:絲網(wǎng)印刷龍頭資料來源：wind，邁為股份官網(wǎng)，方正證券研究所主營業(yè)務(wù)：公司是絲網(wǎng)印刷龍頭，主營產(chǎn)品為太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線成套設(shè)備，包括核心設(shè)備全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷機和自動 上片機、紅外線干燥爐等生產(chǎn)線配套設(shè)備。業(yè)務(wù)占比：絲網(wǎng)印刷作為公司的拳頭產(chǎn)品，是公司的主要收入來源

33、。2019年公司營業(yè)收入中，絲網(wǎng)印刷成套設(shè)備占比82.19%，絲網(wǎng)印 刷單機占比13.25%，配件及其他占比4.57% 。圖表38：邁為股份收入結(jié)構(gòu)圖表39：邁為股份產(chǎn)品方正電新方正電新圖表40：邁為股份營業(yè)收入29邁為股份：業(yè)績保持高增長公司營收迅速增長，2017年到2019年的營收增長速度分別為37.97%、65.55%和82.49%，公司營收規(guī)模加速壯大，2019年度，公司實 現(xiàn)營業(yè)收入14.38億元。盈利能力方面，公司近3年來同樣以加速的狀態(tài)提高盈利能力，2019年實現(xiàn)歸母凈利潤2.48億元，同比增長44.82%。收入增速快于利潤增速主要是由于部分產(chǎn)品降價，凈利率有所下降。資料來源：w

34、ind，方正證券研究所圖表41：邁為股份歸母凈利潤0%20%40%60%80%100%0510152016201720182019營業(yè)收入（億元）yoy0%10%20%30%40%50%00.511.522.532016201720182019歸母凈利潤（億元）yoy方正電新方正電新30邁為股份：公司毛利率優(yōu)于行業(yè)2016年起毛利率開始下滑，主要原因在于：1、現(xiàn)在客戶基本均要求公司代為采購?fù)赓徳O(shè)備，由于外購設(shè)備的毛利率較公司自制設(shè)備的毛利率低，從而導(dǎo)致成套設(shè)備的整體毛利率有所下 滑。但外購的設(shè)備為整線中部分非核心部件，如太陽模擬器等。2、為了迎合光伏行業(yè)降本增效的政策，以及進一步鞏固市場占有率

35、，穩(wěn)定市場龍頭地位，公司產(chǎn)品售價未有較大幅度調(diào)整，但隨著產(chǎn)品技術(shù) 迭代，導(dǎo)致成本有所上升，因此毛利率有所下降。毛利率仍然較高：盡管毛利率開始下滑，但公司毛利率仍然保持在40%左右，且凈利率保持在20%左右，優(yōu)于同業(yè)公司，原因在于公司產(chǎn)品性能領(lǐng)先于國際水平，與Baccini等公司分庭抗禮，因此有較高的議價權(quán)。資料來源：邁為招股說明書，wind，方正證券研究所圖表42：邁為股份利潤率高圖表43：邁為股份核心技術(shù)核心技術(shù)先進性新型圖像算法及高速高精軟件控 制技術(shù)公司自主研發(fā)了7 相機坐標(biāo)系構(gòu)建算法及標(biāo)定方法和8 電機同 步高速控制方案及相應(yīng)軟件，大大提高了印刷效率和印刷精度高精度柵線印刷定位及二次印

36、刷 技術(shù)公司開創(chuàng)性地采用 5 個攝像頭對電池片高精度定位的方法，使 得第二次印刷的柵線準(zhǔn)確定位在第一條柵線上面，提高了印刷 精度。高產(chǎn)能雙頭雙軌技術(shù)公司采用雙印刷頭雙傳輸軌道，減小了生產(chǎn)車間空間的限制， 并通過機架和部分電氣件的共用，降低了成本，從而提高了印 刷效率。絲網(wǎng)角度調(diào)整技術(shù)公司采用弧形導(dǎo)軌固定基座的創(chuàng)新方法，實現(xiàn)了絲網(wǎng)角度調(diào)整 精度的提升和無間隙傳送，提高了印刷精度。卷紙柔性傳輸技術(shù)公司采用卷紙作運輸材料取代鋁合金材料，傳輸速度更快，更 穩(wěn)定，同時傳送帶與硅片接觸更柔性，碎片率更低，提高了印 刷效率。第三代高速恒壓力印刷技術(shù)公司首創(chuàng)了電機運動特性與氣缸壓力特性相結(jié)合的雙模式裝置 實現(xiàn)

37、了高速刮刀升降和恒壓力印刷，提高了印刷質(zhì)量和效率， 減少了碎片率。3120092012201320152018201020112016研發(fā)出國內(nèi)首臺太陽 能電池絲網(wǎng)印刷設(shè)備首臺印刷機工程樣機試 制完成，吳江邁為技術(shù) 有限公司正式成立，獲 得首套生產(chǎn)線合同布局HIT電池及OLED 激光切割設(shè)備進入天合光能、阿特斯、晶科等主流廠商供應(yīng) 鏈企業(yè)被評為高新技術(shù)企業(yè)，取得第一項發(fā)明專利形成軟件著作權(quán)邁為 太陽能電池絲網(wǎng)印刷控 制系統(tǒng)軟件V1.0公司產(chǎn)品被平穩(wěn)江蘇 省首臺套重大設(shè)備雙頭雙規(guī)絲印技術(shù)， 性能達國際領(lǐng)先資料來源：邁為招股說明書，邁為股份官網(wǎng)，方正證券研究所邁為股份：歷史沿革2007年，創(chuàng)始人周

38、劍（董事長）和王正根（總經(jīng)理）組建研發(fā)團隊，于2009年成功研發(fā)處國內(nèi)首臺太陽能電池絲網(wǎng)印刷設(shè)備，2010年公 司成立。自公司成立以來，公司始終聚焦太陽能絲網(wǎng)印刷產(chǎn)線的開發(fā)，其產(chǎn)品也歷經(jīng)單頭單軌絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、雙頭雙軌絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線 等眾多突破性發(fā)展。 現(xiàn)已與光伏行業(yè)巨頭通威太陽能、晶科能源、隆基樂葉、協(xié)鑫、阿特斯、天合光能等建立了長期合作關(guān)系。2018 年 11 月 9 日，邁為股份登陸創(chuàng)業(yè)板， 絲網(wǎng)印刷設(shè)備產(chǎn)能實現(xiàn)重大突破，單軌產(chǎn)能提升至 3400 片/小時，雙軌產(chǎn)能提升至 6800 片/小時， 占據(jù)國內(nèi)新增市場份額首位。2019年公司充分發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)線優(yōu)勢，布局HIT電池項目以及OL

39、ED激光切割設(shè)備，圍繞核心技術(shù)不斷開拓新下游市場。圖表44：邁為股份歷史沿革32邁為股份：股權(quán)結(jié)構(gòu)資料來源：邁為招股說明書，方正證券研究所圖表45：邁為股份股權(quán)結(jié)構(gòu)方正電新方正電新33邁為股份：管理層團隊穩(wěn)定，業(yè)界經(jīng)驗豐富姓名職位學(xué)歷經(jīng)歷周劍董事長本科曾任美國科視達公司銷售工程師、南杰星實業(yè)有限公司執(zhí)行董事，09年 邁為正式涉足設(shè)備行業(yè)王正根董事大專曾在深圳泰豐電子、邦深電子、傲天宏、南杰星實業(yè)有限等公司任職， 10年加入公司，任總經(jīng)理施政輝研發(fā)總監(jiān)碩士曾任大族數(shù)控工程師，深圳市冰?？萍紮C械主管，09年加入邁為劉瓊董秘、CFO碩士曾在多家公司任會計、財務(wù)經(jīng)理連建軍副總經(jīng)理本科先后在天元電子、超

40、盟科技、康必達自動化工作，09年任邁為電氣主管2009年，公司初創(chuàng)團隊成立，其中，周劍負(fù)責(zé)銷售和太陽能工藝，王正根負(fù)責(zé)供應(yīng) 鏈和生產(chǎn)，施政輝負(fù)責(zé)機械設(shè)計，連 建軍負(fù)責(zé)電氣和軟件控制。周劍（20.3%）與王正根（15.7%）為公司實際控制人與一致行動人，自02年開始合作，已形成一致的工作方式與經(jīng)營理 念。施政輝（2.8%）與連建軍（0.65%)為公司 核心技術(shù)人員，負(fù)責(zé)機械/電氣/軟件研發(fā)團隊。公司管理團隊較穩(wěn)定。資料來源：邁為招股說明書，方正證券研究所圖表46：邁為股份管理層與技術(shù)人員經(jīng)歷方正電新方正電新34邁為股份：最早實現(xiàn)絲網(wǎng)印刷國產(chǎn)替代2 0 1 1至2014SL（Single Lane

41、）即傳統(tǒng)單頭單軌太陽能電池絲網(wǎng)印 刷生產(chǎn)線，是國產(chǎn)設(shè)備在太陽能電 池絲網(wǎng)印刷領(lǐng)域的一大進步，技術(shù) 水平屬于國內(nèi)領(lǐng)先。.DL（Dual Lane）即雙頭雙軌太陽能電池絲網(wǎng)印刷生 產(chǎn)線，該生產(chǎn)線建立在SL平臺的基 礎(chǔ)上，實現(xiàn)雙通道傳送和雙頭印刷，技術(shù)水平屬于國際領(lǐng)先。SL-DP（Single Lane-Double Printing）即帶有二次印刷功能的單頭單 軌太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線，實現(xiàn)了國產(chǎn)設(shè)備在太陽能電 池二次印刷領(lǐng)域的空白，技術(shù) 水平屬于國際先進。FDL（Fast Dual Lane）即雙頭雙軌太陽能電池絲網(wǎng)印刷超 級線，該生產(chǎn)線是DL系列產(chǎn)品的 升級，其產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性較DL 均有所

42、提高，技術(shù)水平屬于國際領(lǐng) 先。2 0 1 4年 至今2 0 1 6年 至今2 0 1 6年 底至今資料來源：邁為招股說明書，方正證券研究所圖表47：邁為股份產(chǎn)品進化歷程方正電新方正電新35邁為股份：下游客戶優(yōu)質(zhì)，在手訂單充足公司在太陽能電池絲網(wǎng)印刷設(shè)備領(lǐng)域有多年的技術(shù)積累和經(jīng)驗，熟悉太陽能電池的生產(chǎn)工藝和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠為客戶提供設(shè)備布局、安裝 調(diào)試、遠程維護、適應(yīng)工藝更新的全方位服務(wù)。憑借在技術(shù)研發(fā)、性能品質(zhì)和綜合服務(wù)方面的優(yōu)勢， 公司多年來與天合光能、晶科能源、阿特斯、隆基樂葉等主流光伏企業(yè)保持合作， 與客戶之間建立了穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。公司的客戶以光伏行業(yè)中的大中型企業(yè)為 主，應(yīng)對行業(yè)

43、波動性的能力較強，業(yè)務(wù)規(guī)模擴張的需求較大，有助于未來公司的持續(xù)發(fā)展，因此公司具備一定的客戶優(yōu)勢。我們統(tǒng)計了2019年公司的部分訂單，公司與通威、隆基新簽訂單超過10億元，在手訂單充足，將保障未來業(yè)績持續(xù)增長。資料來源：邁為股份官網(wǎng)，邁為股份公告，方正證券研究所簽署時間交易對手合同金額 （萬元）2019年第一季度隆基系29,663.452019 年第二季度隆基系175.092019年第三季度隆基系5,128.632019年第四季度（2019年10月16日止）隆基系2,134.002019年10月17日至2019年12月19日隆基系54,390.002019年第一季度通威系19.482019年第二

44、季度通威系19,928.002019年第三季度通威系1,818.002019年第四季度（2019 年11月16日止）通威系19,960.00圖表48：邁為股份下游客戶圖表49：邁為股份部分訂單方正電新方正電新36邁為股份：HIT進展情況邁為新發(fā)布的PECVD和PVD具有行業(yè)領(lǐng)先的優(yōu)異性能，8000片/小時的產(chǎn)能可以大幅度提高生產(chǎn)效率。新型的PECVD設(shè)備有4個預(yù)熱腔、8個工藝腔和2個出料腔，采用一個工藝腔只沉積一種膜層的工藝，省去了大量的抽換氣時間，尤其適 合HIT非晶硅沉積鍍膜腔利用率高 相較于1代利用率由40%-70%。多層鈍化和摻雜膜層在不同工藝腔內(nèi)快速沉積本征腔和摻雜搶之間有 隔離腔，

45、杜絕交叉污染，預(yù)計提效0.15%。資料來源：邁為產(chǎn)品發(fā)布會，方正證券研究所參數(shù)類型PECVD：MV-LH05C硅片尺寸M6-M12載板材質(zhì)碳復(fù)合材料載板規(guī)格8x8（M6）產(chǎn)能8000片/小時載板清洗方式RPSC/36小時清洗時間2.5小時設(shè)備稼動率90%碎片率（含自動化）0.25%150m節(jié)拍時間29s片內(nèi)膜厚均勻性5%片間膜厚均勻性10%鍍膜腔利用率70%i-in-p轉(zhuǎn)換效率24.61%參數(shù)類型PVD：MVP8K硅片尺寸采用不同托盤設(shè)計，兼容 M2-M12載板材質(zhì)不銹鋼載板規(guī)格9x12（M6）產(chǎn)能8000片/小時有效鍍膜面積占比80%設(shè)備稼動率90%碎片率（含自動化）0.2%節(jié)拍時間49s真

46、空低壓1*10-6mbarPU數(shù)8圖表50：邁為股份PECVD設(shè)備參數(shù)圖表51：邁為股份PVD設(shè)備參數(shù)方正電新方正電新37捷佳偉創(chuàng)：歷史沿革200320042005200820102013201720182019深圳捷佳創(chuàng)精密設(shè) 備有限公司成立于 廣東省深圳市寶安 區(qū)捷佳有限通過重組深圳 捷佳創(chuàng)晶體硅太陽能電 池制絨、清洗設(shè)備資產(chǎn) 業(yè)務(wù)和收購常州捷佳創(chuàng)，全面整合公司業(yè)務(wù)深圳捷佳創(chuàng)開始進入硅料 硅芯硅棒清洗設(shè)備制造領(lǐng) 域，并成功研發(fā)出獨特的轉(zhuǎn) 籃清洗技術(shù)和真空干燥技術(shù)公司注重自動化方面 的研發(fā)，成功推出自 動化系列產(chǎn)品捷佳偉創(chuàng)公司在創(chuàng)業(yè)板成功 上市；槽式堿拋光設(shè)備量產(chǎn)；進入土耳其、埃及市場黑硅制

47、絨設(shè)備量產(chǎn)；HIT 制絨設(shè)備量產(chǎn)；引進歐洲 先進技術(shù)合作制造ALD設(shè) 備常州捷佳創(chuàng)智能裝備有限公司 成立；新一代全自動絲網(wǎng)印刷 線研發(fā)成功；管式等離子體氧 化鋁淀積爐量產(chǎn)深圳捷佳創(chuàng)自主研制成 功本公司首臺單晶槽式 制絨酸洗設(shè)備正式進軍光伏行業(yè)，推出 SC- DC16300-B 型單晶槽式制絨 酸洗設(shè)備資料來源：捷佳偉創(chuàng)招股說明書，方正證券研究所公司成立于2007年，前身為深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設(shè)備有限公司。自設(shè)立以來，公司一直聚焦光伏領(lǐng)域，2005年正式進軍光伏行業(yè)，推 出SC-DC16300-B 型單晶槽式制絨酸洗設(shè)備，2008年公司進入硅料硅芯硅棒清洗設(shè)備制造領(lǐng)域，2018年公司槽式堿拋光設(shè)

48、備量產(chǎn)， 2019年管式PECVD設(shè)備量產(chǎn)。迄今為止已為全球200多家光伏電池生產(chǎn)企業(yè)近900條電池生產(chǎn)線提供設(shè)備和服務(wù)，在Perc時代，捷佳偉 創(chuàng)主要專注于清洗制絨、PECVD等前道設(shè)備，各類設(shè)備市占率超過50%，是全球領(lǐng)先的晶體硅太陽能電池設(shè)備供應(yīng)商。圖表52：捷佳偉創(chuàng)歷史沿革新方正電方正電新3858.02%56.12%68.20%27%26%17%100%80%60%40%20%0%2017年2018年2019年半導(dǎo)體摻雜沉積光伏設(shè)備濕法工藝光伏設(shè)備自動化配套設(shè)備配件及其他資料來源：wind，捷佳偉創(chuàng)公司官網(wǎng)，方正證券研究所捷佳偉創(chuàng)：擁有完整的PERC產(chǎn)線供應(yīng)方案公司主營單/多晶制絨設(shè)備

49、、管式擴散氧化退火爐、酸拋光及堿拋光設(shè)備、管式等離子體淀積爐、智能自動化設(shè)備、全自動絲網(wǎng)印刷設(shè)備 等晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝流程中的主要設(shè)備的研發(fā)、制造和銷售。2019年，公司的半導(dǎo)體摻雜沉積光伏設(shè)備、濕法工藝光伏設(shè)備以及自動化配套設(shè)備收入分別為17.2億元、4.3億元及2.8億元，占總營收 比分別達 68.2%、16.9%及 11.2%，半導(dǎo)體摻雜沉積光伏設(shè)備業(yè)務(wù)是公司最大的業(yè)務(wù)板塊，市占率超 50%。其中用于減反膜的PECVD設(shè) 備是公司主要產(chǎn)品，近年占總收入比 40%左右。圖表53：捷佳偉創(chuàng)收入結(jié)構(gòu)圖表54：捷佳偉創(chuàng)產(chǎn)品39公司業(yè)績持續(xù)增長，毛利率保持在30%以上營業(yè)收入和歸母凈利潤均保

50、持穩(wěn)定增長：受益于光伏行業(yè)發(fā)展和持續(xù)擴張產(chǎn)品線，公司營業(yè)收入從2015年的3.5億元增長到2019年的 25.27億元，復(fù)合增長率達48.5%，歸母凈利潤從2015年的0.4億元增長到2019年的3.74億元，復(fù)合增長率達56.%。公司毛利率和凈利率整體提升：公司毛利率從2015年的31%提升到2018年的40%，凈利率從2015年的11.4%提升至2018年的20.5%。 2019年公司的毛利率和凈利率出現(xiàn)下滑主要因為在于國家光伏“531政策”的影響，公司為了保持市場降低了產(chǎn)品售價，同時境外設(shè)備訂 單出現(xiàn)下滑。預(yù)計隨著公司持續(xù)推出新產(chǎn)品，如在研的RPD+PVD一體機，將會帶動公司利潤率的回升

51、資料來源：wind，方正證券研究所50%40%30%20%10%0%2015年2016年2017年2018年2019 年 2020 年 Q3圖表56：捷佳偉創(chuàng)利潤率銷售凈利率銷售毛利率300%250%200%150%100%50%0% 30252015105020152016201720182019圖表55：捷佳偉創(chuàng)營收與凈利潤 營業(yè)收入（億元） 歸母凈利潤（億元） 350%yoyyoy捷佳偉創(chuàng)：股權(quán)結(jié)構(gòu)40資料來源：wind，方正證券研究所圖表57：捷佳偉創(chuàng)股權(quán)結(jié)構(gòu)41資料來源：捷佳偉創(chuàng)招股說明書，方正證券研究所捷佳偉創(chuàng)：高管及核心技術(shù)人員姓名職位學(xué)歷經(jīng)歷余仲董事長本科03年出任深圳捷佳創(chuàng)項

52、目經(jīng)理，07年出資創(chuàng)建捷佳有限李時俊總經(jīng)理碩士曾任職于電子工業(yè)部、長城信息，10年加入公司梁美珍董事高中為公司創(chuàng)始人、前公司董事長蔣柳健配偶左國軍董事、副總經(jīng)理大專03年出任深圳捷佳創(chuàng)生產(chǎn)總監(jiān)、副總經(jīng)理，07年出資創(chuàng)建捷佳有限伍波董事、副總經(jīng)理本科曾任職于電子工業(yè)部、晶澳太陽能，08年出任捷佳有限副總經(jīng)理汪愈康董事會秘書、副總經(jīng)理本科曾任職于電子工業(yè)部、深圳日匯、深圳安華磨建新研發(fā)中心副總監(jiān)、第一研發(fā)部經(jīng)理本科先后在廣西第一機床廠、桂林昌鑫機械、三水福茂崗石、馬來西亞 AGROSTONG(MALAYSIA)SDN.BHD等公司 工作，2009年任捷佳有限研發(fā)部經(jīng)理羅偉斌第二研發(fā)部經(jīng)理本科先后在

53、湖南汽車車橋廠、豐安五金機械、廣州歐特士傳動設(shè)備、廣東東松三雄電器等公司工作，2008年任捷佳 有限研發(fā)部經(jīng)理王晨光第四研發(fā)部經(jīng)理本科曾任職于晶澳太陽能，2009年任捷佳有限高級工程師李國慶第五研發(fā)部經(jīng)理本科先后在晶澳太陽能、海潤光伏、江陰愛多光伏科技等公司工作，2011年任捷佳有限第五研發(fā)部經(jīng)理公司日常經(jīng)營管理由管理團隊運營，自股份公司成立以來公司的高管結(jié)構(gòu)沒有出現(xiàn)重大調(diào)整，其日常運營長期保持平穩(wěn)。公司核心技術(shù)人員有豐富的從業(yè)經(jīng)驗，且曾在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的光伏公司中擔(dān)任過要職。截至2017年6月末，公司共有研發(fā)人員 177人，約占公司總?cè)藬?shù)的 17.00%，其中核心技術(shù)人員 4 名，分別為磨建新、羅

54、偉斌、王晨光和李國慶。圖表58：捷佳偉創(chuàng)管理層與技術(shù)人員經(jīng)歷方正電新方正電新42捷佳偉創(chuàng):產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先，已進入核心客戶供應(yīng)鏈從產(chǎn)品性能指標(biāo)看，公司主要產(chǎn)品性能指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進。在2018年中國電子專用設(shè)備行業(yè)十強單位和2018年中國半導(dǎo)體設(shè)備行 業(yè)十強單位排行榜中，捷佳偉創(chuàng)公司分別位列第六名和第四名。公司憑借技術(shù)產(chǎn)品及服務(wù)質(zhì)量方面的優(yōu)勢，與主流光伏電池生產(chǎn)企業(yè)達成了長期合作關(guān)系。核心客戶包括天合集團、 通威股份、隆基股 份、晶科能源、阿特斯等一線光伏電池及組件生產(chǎn)企業(yè)。資料來源：捷佳偉創(chuàng)招股說明書，捷佳偉創(chuàng)官網(wǎng)，方正證券研究所單晶槽式制絨設(shè)備關(guān)鍵性能指標(biāo)國際同類設(shè)備商捷佳偉創(chuàng)國內(nèi)同類設(shè)備

55、商產(chǎn)能（片/h）330036002400-3300控溫精度112碎片率0.05%0.05%0.05%-0.1%單晶制絨及反射 率8%8%12.50%自動配補液精度3%1%5%機械手移動速率1200mm/s1500mm/s700mm/s- 1500mm/s機械手定位精度1mm1mm1-5mm圖表59：捷佳偉創(chuàng)制絨設(shè)備參數(shù)圖表60：捷佳偉創(chuàng)下游客戶方正電新方正電新43捷佳偉創(chuàng)：HIT布局情況資料來源：SOLARZOOM，方正證券研究所功能項目原住友RPD捷佳偉創(chuàng) RPD5500A提升/效果量產(chǎn)產(chǎn)能1920片/小時（M6）5500片/小時（M6）+2.86倍載板硅片載運數(shù) 目35張/載板=5*710

56、0張/載板=10*10+2.85倍托面面損1.43%0.02%0.35%加熱板無有工藝更具彈性深冷水氣捕集泵無有水氣控制氣體管道與控制氬+氧單一點位 注入氬+氧+氬/氫（或氫；或水氣 五點位注入）工藝更具彈性型號 ModelRPD5500A硅片尺寸158.75(G1)/166(M6)開機率90%破片率0.05%外形尺寸38000(L)8200(W)2300(H)(含兩側(cè)走道、含自動化incl,walkway and automation)產(chǎn)能每小時產(chǎn)5500張硅片，Gross Throughput 5500pcs/h膜厚均勻度5%載子遷移率80cm2/Vs功率消耗464KW銦解離率80%捷佳偉

57、創(chuàng)新推出的PRD5500A的優(yōu)點：（1）能夠達到5500片的毛產(chǎn)能，符合大產(chǎn)量HIT電池的量產(chǎn)；（2）提供更寬的參數(shù)控制與更穩(wěn)定的量產(chǎn)捷佳偉創(chuàng)2020年11月27日發(fā)布的定增公告中，準(zhǔn)備募集建設(shè)二合一透明導(dǎo)電膜設(shè)備（PAR）產(chǎn)業(yè)化項目。該項目計劃建設(shè)期為 2 年，完全達產(chǎn)后每年新增 50 套 HIT 電池鍍膜設(shè)備（PAR） 該設(shè)備正面用RPD鍍IWO，背面用PVD鍍ITO，能夠?qū)傻拦ば蛉跒橐?道設(shè)備。圖表61：捷佳偉RPD設(shè)備參數(shù)圖表62：RPD設(shè)備參數(shù)對比方正電新方正電新44各公司Perc時代市占率比較資料來源：邁為、捷佳偉創(chuàng)、金辰等招股說明書，方正證券研究所捷佳偉創(chuàng)和邁為股份分別為光伏電

58、池前后道設(shè)備龍頭，其中邁為是絲網(wǎng)印刷的龍頭，市占率80%以上；捷佳偉創(chuàng)則在擴散爐和 PECVD等前道環(huán)節(jié)市占率過半。圖表63：邁為、捷佳偉創(chuàng)為關(guān)鍵環(huán)節(jié)龍頭目錄45一、為什么說HIT是面向未來的平臺型技術(shù)二、何時有性價比：已具有性價比，HIT建設(shè)正當(dāng)時三、空間有多大：25年HIT電池設(shè)備空間達300億四、HIT搶先布局：邁為股份、捷佳偉創(chuàng)五、投資建議及風(fēng)險提示46短期業(yè)績確定-大尺寸推動電池設(shè)備企業(yè)業(yè)績增長大硅片可有效降低度電成本，漸漸成為主流。無論是上182還是210，電池片產(chǎn)線均需更換，帶來需求的設(shè)備更換旺盛。2019年底，捷佳偉創(chuàng)預(yù)收款為22億元，按照常規(guī)的3331結(jié)算模式可以推算，公司在

59、手訂單金額在36.773.3億區(qū)間，假設(shè)光伏行業(yè)的收 入確認(rèn)周期為一年半左右，以平均值估計公司2020年收入37億-40億元左右。旺盛的需求已體現(xiàn)在龍頭公司財報上，捷佳偉創(chuàng)20Q3預(yù)收賬款（合同負(fù)債）環(huán)比提升約7億元至33億元，邁為股份公司20Q3預(yù)收賬款（ 合同負(fù)債）同比提升約40%至16億元，光伏電池設(shè)備公司短期業(yè)績高增長確定。資料來源：捷佳偉創(chuàng)招股說明書，北極星太陽能光伏網(wǎng)，wind，方正證券研究所圖表64：Perc生產(chǎn)工序圖302520151050352018-06-30 2018-09-30 2018-12-31 2019-03-31 2019-06-30 2019-09-30 20

60、19-12-31 2020-03-31 2020-06-30 2020-09-30圖表65：捷佳偉創(chuàng)、邁為股份預(yù)收款項捷佳偉創(chuàng)預(yù)收款項（億元）邁為股份預(yù)收款項（億元）47中長期看，電池轉(zhuǎn)換效率將持續(xù)提升，電池更新需求不會停止當(dāng)前全球光伏電池研發(fā)不斷進展，技術(shù)進步遠未停止。化合物電池如多節(jié)Ga-As電池實驗室研發(fā)效率可達40%+。目前的perc、HIT電池都屬 于單結(jié)晶硅電池，單結(jié)效率極限（HIT+IBC）預(yù)計在27%左右，再往上提升需進入多結(jié)電池時代。HIT作為新一代技術(shù)，目前仍在持續(xù)提效，仍可通過工藝、材料改進提升效率。HIT作為承上啟下的平臺，未來還可在HIT上增加鈣鈦礦疊層， 實驗室轉(zhuǎn)換