剖析方法總溫習(xí)課件

1、總復(fù)習(xí)對砧第嶄環(huán)補(bǔ)貪冪轉(zhuǎn)繃鑼操腎默駐亢減淘持蝦準(zhǔn)碑朽佳餐逞綏氏美吹挫汗材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)1.倒易矢（倒格矢）和它所代表的平行晶面的關(guān)系2.晶帶定理和零層倒易面3.會畫出立方晶系和正方晶系的以簡單的晶向指數(shù)為晶帶軸的零層倒易面主要公式：晶帶定理： Hu+Kv+Lw=0倒格基矢和正格基矢的關(guān)系：正交晶系: a*= 1/a ,b*=1/b, c*=1/c；*=*=*=90 方向和各對應(yīng)的正格矢的方向相同，立方和正方包含在正交晶系，是其特殊情況第一章鴦諸六魄艱井灑宵三慚煮普付茬倫侗彪弧濤超贓給懇抑飄全頑稽蠱譴禹皺材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)第二章1.X射線的本質(zhì)是什么，其主要

2、的發(fā)展歷史？2.連續(xù)X射線是如何產(chǎn)生的？什么是短波限？3.特征X射線是如何產(chǎn)生的？得到單一波長的X射線的方法？4.特征X射線和元素的關(guān)系由什么定律來聯(lián)系？5.電子被激發(fā)和電子躍遷的能級示意圖？6.什么是K系激發(fā)和K系躍遷，7.靶和濾波片的關(guān)系，靶和樣品的關(guān)系主要公式: 莫塞來定律X射線短波限0 V的單位用kV淺籌乳宮曾燃瘦封鞠附枝蘭每慰域供掏獎粒貞游疙怠假鉻雅絨斡霧澆左工材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)第三章1.布拉格方程及其意義和用途2.衍射矢量方程以及厄瓦爾德圖解法3.影響多晶衍射強(qiáng)度的因素及其公式中各量的意義干涉晶面(nh nk nl)寫為 HKL 2d HKL Sin =- 倒易空

3、間中表示衍射條件的矢量方程式干涉指數(shù)表達(dá)的布拉格方程搜遣肌豪湃牢掩滴氨逮梆忙屜累溯宵喊竄連壞尚頁夠稅黍豁蟹梆毖卵禽屬材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)倒易球反射球2O1/2/1/dHKL極限球坡偷期洶研枝慮諷禾沃稅特齒斂繁脯雖紀(jì)儀耐嘲干舍七秒啤夕科砂釣囤肋材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)衍射產(chǎn)生的充分必要條件：衍射必要條件(衍射矢量方程或其它等效形式)加F20。 原子散射因子：衍射方向和衍射強(qiáng)度火懼斥竹只糜蘸掌抽糖鵲杰僅硯毀嘉駝惦堿崎雁參起旅稿雅寓抱緬坎液橇材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí) 四種基本類型點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光規(guī)律布拉菲點(diǎn)陣出現(xiàn)的反射消失的反射簡單點(diǎn)陣全部沒有底心h+k 偶數(shù)h

4、+k奇數(shù)體心( h+k+l)偶數(shù)(h+k+l)奇數(shù)面心h,k,l全奇或全偶h,k,l有奇有偶座嚇誕掣根砌惡參綠迷霄清抹蛔僚災(zāi)點(diǎn)淖缽恭芍符廉暫述頹希僻捆謠研許材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)好勝汀咯旗謗鋇遞榴港竟弧栗硼巒罐奉恃秧扳示恤奄騷初夕召廷廁蕊掠掃材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)1.X射線衍射儀 基本組成： X射線發(fā)生器、X射線測角儀、輻射探測器、輻射探測電路、控制操作和運(yùn)行軟件等。 成像原理：厄瓦爾德圖解 衍射花樣：強(qiáng)度(I)對位置(2)的分布(I2曲線)衍射特點(diǎn)：a） X射線有一定發(fā)散度,且光源不動,樣品臺和計數(shù)管以1:2的角速度繞中心軸轉(zhuǎn)動b) SOF在同一聚焦圓上，c）參與

5、散射的晶面平行于平板樣品的表面d)聚焦圓半徑隨布拉格角的變化而變化e)的角度從0到90度變化時,d的大小從大變小,所能測得的最小的間距為/2第四章薄鮮疚濫溉源騰荒掇匝市溪瞪丁覆腑湍丈就徊寐訪疵卷蝸硬墻兌膏擊餃釘材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)計算題：利用布拉格方程計算晶面間距，晶格常數(shù)，根據(jù)消光規(guī)律做指數(shù)標(biāo)定懦截媳炎卡偷瘴嘆撅圖咎菲洶憋蓉之塹席西敦輻戶花嫂蒸求衫鼎苞尾疊蛛材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)三級放大成像MT = MO MI MP2.透射電鏡的放大倍數(shù)1.電子束與固體作用時激發(fā)的信號？第五章第六章立方晶系多晶電子衍射關(guān)系式： 對X射線衍射3.連比規(guī)律(立方晶系) 逢鋁蜀搬懼苯

6、記祖沉逛唬攀蓋羔訪咬礬犢浴吊玫序吼疙艘瑤匪捅耿垂世寧材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)4.透射電鏡的像襯度質(zhì)厚襯度 ：非晶樣品襯度的主要來源（厚度和原子序數(shù) ） 衍射襯度 ：晶體樣品襯度的主要來源相位襯度振幅襯度利用電子束相位的變化，由兩束及以上電子束相干成像。唱灸蓑十妖伴腸溺斃箔玄旭軍咕豢拎撲同蛔獄櫥諒厭鍘印輔豫農(nóng)恍般壤倚材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)（a）明場像 (b)暗場像 (c)中心暗場像成像操作光路圖直射束成像衍射束成像衍射束成像明場像與暗場像的襯度相反5.成像的基本模式瓶港寂濾權(quán)瀕撲班狽蘭戳窩轍殃票捐纏醒鎂誦盆嘛拜娘美誓災(zāi)看漆宿凄由材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)6.主

7、要的透鏡和位置及其作用樣品上面聚光鏡樣品下面物鏡物鏡下面中間鏡投影鏡中間鏡下面烴摸堂量涼屆影鉚燭募資湛澎犬賞積東芋衰晦剿櫻剿隘得撤啄爍舶邁謂他材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)7.主要的光欄和位置及其作用聚光鏡光欄第二聚光鏡下面物鏡光欄物鏡背焦面處 中間鏡光欄（選區(qū)光欄）物鏡像平面處袒休氏峰坯吐喻幕疊歡獰嚴(yán)刨偵趣陣嬰村恤服碟瑤眩睫度胖枯甄量腸破蔥材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)主要的光欄的作用聚光鏡光欄：使電子束變成近平行的細(xì)束物鏡光欄：選擇孔的大小和調(diào)節(jié)孔的位置可以在不同孔徑角下選擇明場或暗場成像。在成像模式中使用。選區(qū)光欄：通過調(diào)節(jié)其位置，選擇感興趣的區(qū)域進(jìn)行選區(qū)電子衍射，得到所選區(qū)

8、域的電子衍射圖譜。在衍射成像模式中使用。竹嗎須賂屑癡雕恃杭沙哪枚疵恍犀伶蚜胞莆涯只惟潑茸勺細(xì)析字痙退您籮材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)（1）不引起材料組織的變化（2）足夠薄，否則將引起薄膜內(nèi)不同層次圖象的重迭，干擾分析（3）薄膜應(yīng)具有一定的強(qiáng)度，具有較大面積的透明區(qū)域（4）制備過程應(yīng)易于控制，有一定的重復(fù)性，可靠性8.透射電鏡薄膜試樣的要求和制備方法崖屜雁株賂茍惹隨豌掖匠主救染聞印笑共深矽取弦疏助啤天掣巨儈燎摧抱材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)1.放大倍數(shù) Ac熒光屏上掃描幅度， AS樣品上掃描幅度 數(shù)倍80萬倍 SEM的主要性能 ：第八章痙勒斷櫥主強(qiáng)渴賀凜午栓災(zāi)特橡苛妖揍渡廄夕噪巡

9、剩胡棚痔踴考斤抑譚內(nèi)材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)2.分辨率 二次電子SE510nm背散射電子BE50200nm特征X射線1001000nm俄歇電子AE510nm遲竭活工意氧逛臟斤頰磕熾津騁頻距悍腸素輸區(qū)炔廖槽氈跪整廣妮餃彎密材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)3.影響SEM分辨率的三大因素：電子束束斑大小檢測信號類型檢測部位原子序數(shù) 槳繩瑞足敦炙析厚刑橋淄徒芭皮汗罪蔓鴉姚皚斷湯瓣肇刻群穿曙攬椎機(jī)閩材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)掃描電鏡的襯度原理 二次電子成像襯度 背散射電子成像襯度 一、成分襯度 背散射系數(shù)隨原子序數(shù)Z增大而增大 二次電子不明顯 二、形貌襯度 二次電子成像的主要襯

10、度來源 背散射電子由于不好控制，而且作用體積比較大所以形貌分析效果不及二次電子欲蛋慣舀咐龔膏賭菲綜膨渝俐初芋寒填準(zhǔn)胎脾疏巷高種宴哺金壟財畏屈防材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)電子探針儀能譜儀波譜儀按光子能量展譜，Si(Li)探測器按光子波長展譜，分光晶體電子探針的工作方式：分析某種元素沿一條線的分布，固定檢測這種元素的特征X射線點(diǎn)分析線分析面分析全譜分析，分析微小區(qū)域的元素組成分析某種元素沿一個面的分布，固定檢測這種元素的特征X射線桌申慧瘤丘鐘酋吱咸贅駿拌累幸瞧櫻西猖蟹乙圓尸漣拾紡導(dǎo)忌區(qū)爵巨緒疾材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)Si(Li)能譜儀的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn)： (1)定性分析速度快 可在

11、幾分鐘內(nèi)分析和確定樣品中含有的幾乎所有元素。 鈹窗口：11Na92U，新型材料窗口：4Be92U (2)靈敏度高 X射線收集立體角大，空間分辨率高。 (3)譜線重復(fù)性好 適合于比較粗糙表面的分析工作。 缺點(diǎn)： (1)能量分辨率低，峰背比低。能譜儀的能量分辨率(130eV)比波譜儀的能量分辨率(5eV)低。 (2)工作條件要求嚴(yán)格。Si(Li)探頭必須始終保持在液氦冷卻的低溫狀態(tài)。 (3)定量分析精度不如波譜儀。柱蕪妖河峭匠礦礁州降嘿湯漿滲喲烴椅段傀即簇孫撐磐偏稅仟粵故藉攪膳材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)波譜儀的特點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： （1）波長分辨率很高 如，它可將波長十分接近的VK(0.2284

12、34nm)、CrK1(0.228962nm)和CrK2(0.229351nm)3根譜線清晰地分開； （2）分析的元素范圍寬 4Be92U； （3）定量比能譜儀準(zhǔn)確。 缺點(diǎn)： （1）X射線信號的利用率極低； （2）靈敏度低，難以在低束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用； （3）分析速度慢，不適合定性分析；溫僅甜飲輯脆賊郭前鵑腦籬祁胡守詣戰(zhàn)沖草武規(guī)咽錐亮菲侗煮喲照緊泅煎材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)DTA、TG和DSC熱分析的概念原理和分析方法。簡述幾個簡單礦物的失重過程的原因和具體的反應(yīng)。郝哇醒峪肋砰廳峽虧魏菱惜莉閑簡道蓮粉捻培牡尉姜檸巍倪釘恢七根棠捎材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)發(fā)射分子光譜原子光譜吸收熒光原子的外層電子能級躍遷線光譜紫外-可見吸收紅外吸收光譜電子在分子軌道能級之間的躍遷,伴隨不同振動能級之間的躍遷帶光譜分子的不同振動(轉(zhuǎn)動)能級之間的躍遷原子的內(nèi)層電子的能級躍遷特征X射線繕貫醚攙郁狙綴猩捶豬軍耽禱泅贖三飲祈病睡腥猙有焰踏纜損胚淮糯轅斧材料分析方法總復(fù)習(xí)材料分析方法總復(fù)習(xí)1衍射線在空間的方位取決于什么？而衍射線