民德電子：關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告

1、深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告1深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告二二二年七月2目錄第一節(jié) 項目概況 HYPERLINK l _bookmark1 3一、項目內(nèi)容 HYPERLINK l _bookmark2 3二、項目背景 HYPERLINK l _bookmark3 3三、項目主體 HYPERLINK l _bookmark4 5第二節(jié) 項目實施的必要性與可行性分析 HYPERLINK l _bookmark5 18一、功率器件超薄芯片背道加工行業(yè)分析 HYPERLINK

2、 l _bookmark6 18二、項目實施的必要性 HYPERLINK l _bookmark7 21三、項目實施的可行性 HYPERLINK l _bookmark8 22第三節(jié) 項目投資方案 HYPERLINK l _bookmark9 25一、標(biāo)的公司項目規(guī)劃 HYPERLINK l _bookmark10 25二、民德電子項目投資方案 HYPERLINK l _bookmark11 26第四節(jié) 項目風(fēng)險分析 HYPERLINK l _bookmark12 31第五節(jié) 項目效益評價 HYPERLINK l _bookmark13 32第六節(jié) 項目可行性分析結(jié)論 HYPERLINK l

3、_bookmark14 33深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告3第一節(jié) 項目概況一、項目內(nèi)容深圳市民德電子科技股份有限公司(以下簡稱“民德電子”或“公司”) 擬使用現(xiàn)金 10,000 萬元增資浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“芯微泰克”或“標(biāo)的公司”) ，增資后民 德電子持有標(biāo)的公司 35.0877%股權(quán)。標(biāo)的公司擬增加注冊資本 1,666.6667 萬元，民德電子此 次增資金額 10,000 萬元中，增資款 1,666.6667 萬元計入標(biāo)的公司實收資本，其余增資款8,333.3333 萬元計入標(biāo)的公司資本公積。芯微泰克主營業(yè)務(wù)為

4、功率器件薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 270 萬片 功率器件薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的面向特色先進(jìn)工藝制程的功率器件 薄片/超薄芯片背道加工的需求。該項目分兩期建設(shè)， 其中， 第一期計劃投資約 3 億元， 建設(shè)年 產(chǎn)能達(dá) 50 萬片。項目實施后，民德電子將獲得穩(wěn)定的生產(chǎn)先進(jìn)功率器件所必需的超薄芯片背道加工資源， 芯微泰克將與公司參股晶圓廠浙江廣芯微電子有限公司(以下簡稱“廣芯微電子”) 在技術(shù)和 業(yè)務(wù)上協(xié)同互補(bǔ)， 助力公司全面進(jìn)軍中高端先進(jìn)功率器件市場， 并大幅提升公司功率半導(dǎo)體新 產(chǎn)品開發(fā)效率。此外， 通過本次增資芯微泰克， 公司功率半導(dǎo)體 smartIDM

5、 生態(tài)圈布局進(jìn)一步 完善，獲取更多半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵資源和能力，提升公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力。二、項目背景公司自上市以來， 逐步確立了“深耕條碼識別， 聚焦功率半導(dǎo)體”的公司戰(zhàn)略， 將功率半 導(dǎo)體確立為支撐公司躍遷發(fā)展的第二產(chǎn)業(yè)，且致力于構(gòu)建功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 smart IDM 生態(tài) 圈。 2018 年 6 月，公司通過全資收購深圳市泰博迅睿技術(shù)有限公司，進(jìn)入半導(dǎo)體元器件分銷 行業(yè)； 2020 年 6 月，公司通過控股收購廣微集成(深圳)技術(shù)有限公司(以下簡稱“廣微集 成”)，進(jìn)入功率半導(dǎo)體設(shè)計行業(yè)； 2020 年 7 月，公司參股投資浙江晶睿電子科技有限公司 (以下簡稱“晶睿電子”)，布局半

6、導(dǎo)體硅片行業(yè)； 2021 年 6 月，公司進(jìn)一步收購廣微集成 10%股權(quán)，并再次增資晶睿電子，鞏固了公司功率半導(dǎo)體 smart IDM 生態(tài)圈； 2021 年 10 月和2022 年 2 月，公司先后兩次增資參股投資浙江廣芯微電子有限公司，戰(zhàn)略布局半導(dǎo)體晶圓代深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告4工行業(yè)。截至目前，位于浙江省麗水市的晶睿電子項目已實現(xiàn) 4-8 英寸硅外延片 15 萬片/月產(chǎn)銷量， 產(chǎn)值與凈利潤保持快速增長， 該項目已成為浙江省麗水市特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的標(biāo)桿項目， 并已啟動第二期智能感知系統(tǒng)應(yīng)用特種硅片項目建設(shè)，預(yù)計今年

7、年底建成投產(chǎn)。自 2021 年 10 月公司首次增資廣芯微電子以來， 廣芯微電子項目進(jìn)展順利。廣芯微電子項 目歷時 109 天，于 2022 年 5 月 31 日完成項目主體結(jié)構(gòu)封頂， 目前主體廠房進(jìn)入潔凈室裝修和 機(jī)電安裝階段， 所購買設(shè)備也陸續(xù)抵達(dá)麗水倉庫。廣芯微電子項目自開工建設(shè)以來， 受到浙江省政府和麗水市政府的高度重視和大力支持，被納入浙江省“4+1”重大項目實施計劃。對于先進(jìn)功率器件而言， 不斷追求薄片/超薄片是必然的趨勢， 從而不斷改善器件結(jié)構(gòu)、提 升器件性能、減小能量損耗。特色工藝半導(dǎo)體(含功率半導(dǎo)體) 產(chǎn)業(yè)鏈的上下游包含“硅片 晶圓代工設(shè)計公司”，其中晶圓代工根據(jù)其生產(chǎn)環(huán)節(jié)的

8、不同， 分為正面工藝和背道工藝。目 前，市場對先進(jìn)功率器件增量及國產(chǎn)替代需求持續(xù)增長，而制造先進(jìn)功率器件所必需的薄片/ 超薄芯片背道加工產(chǎn)能嚴(yán)重不足，進(jìn)而影響中高端功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化的進(jìn)程。芯微泰克設(shè)立于 2022 年 7 月， 主營業(yè)務(wù)為功率器件薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)。芯 微泰克基于晶圓代工的背道加工生產(chǎn)工藝， 將建設(shè)面向國內(nèi)國際市場的開放式代工平臺， 其客 戶既可以是功率器件設(shè)計公司， 為具備創(chuàng)新活力的設(shè)計公司帶來實現(xiàn)先進(jìn)功率器件工藝的關(guān)鍵 平臺； 也可以是只配置正面工藝的晶圓廠， 或有背道工藝但產(chǎn)能不足及技術(shù)配置較低的晶圓代 工廠，為其提供晶圓背道工藝代工服務(wù)。以義嵐先生為首的

9、芯微泰克核心技術(shù)團(tuán)隊， 平均有二十余年晶圓廠建設(shè)及運營經(jīng)驗， 在超 薄芯片背道工藝領(lǐng)域有著深厚的技術(shù)積淀，掌握了超薄芯片減薄、背面離子注入、激光退火、 背面金屬化、超薄芯片 CP 測試等關(guān)鍵設(shè)備及工藝， 能圍繞設(shè)計公司產(chǎn)品線規(guī)劃對于背道工藝 加工需求， 靈活配置設(shè)備搭建工藝平臺。同時， 項目團(tuán)隊在超薄芯片背道工藝領(lǐng)域， 還具有豐 富的國際技術(shù)合作資源，能夠為客戶的產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持?；谝陨媳尘?， 為奠定公司未來全面進(jìn)入中高端功率半導(dǎo)體器件所必需的超薄芯片背道加 工資源， 進(jìn)一步加強(qiáng)功率半導(dǎo)體 smartIDM 生態(tài)圈的戰(zhàn)略布局， 公司與芯微泰克實控人義嵐先 生及其他股東就本次增資事

10、項進(jìn)行溝通協(xié)商，最終一致同意本次合作方案。各方將緊密合作， 整合彼此資源，協(xié)同發(fā)展，實現(xiàn)共贏。深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告5三、項目主體(一)投資方深圳市民德電子科技股份有限公司民德電子成立于 2004 年 2 月， 位于深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科技園工業(yè)廠房 25 棟 1 段 5 層(1) 號，注冊資本 15,694 萬元。公司通過不斷的努力發(fā)展， 于 2017 年 5 月 19 日， 在深圳 證券交易所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市， 股票代碼： 300656，簡稱： 民德電子。公司主要從事條碼識別設(shè) 備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，以及半導(dǎo)體設(shè)計和

11、分銷業(yè)務(wù)。為產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)與可持續(xù)發(fā)展考慮， 公司經(jīng)營團(tuán)隊自上市以來積極探索并布局第二產(chǎn)業(yè)功 率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)， 逐漸形成了“深耕條碼識別， 聚焦功率半導(dǎo)體”的公司戰(zhàn)略， 并構(gòu)建起“條碼識別+功率半導(dǎo)體”雙產(chǎn)業(yè)成長曲線，如下圖所示。圖 1- 1 民德電子“條碼識別+功率半導(dǎo)體”雙產(chǎn)業(yè)成長曲線(二)標(biāo)的公司 浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司1、標(biāo)的公司基本情況標(biāo)的公司成立于 2022 年 7 月， 主營業(yè)務(wù)為功率器件薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)， 規(guī) 劃建設(shè)年產(chǎn) 270 萬片功率器件薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的面向特色先進(jìn) 工藝制程的功率器件薄片/超薄芯片背道加工的需求。芯微泰克的基本情況如下

12、：深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告6表 1- 1 芯微泰克基本情況項目內(nèi)容中文名稱浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司統(tǒng)一社會信用代碼91331100MABTCU6W0Y注冊地址浙江省麗水市蓮都區(qū)南明山街道綠谷大道 309 號國際車城 15 號樓 11 層-395法定代表人義嵐注冊資本3,083.3333 萬元實收資本83.3333 萬元成立日期2022 年 7 月 5 日營業(yè)期限2022 年 7 月 5 日至長期經(jīng)營范圍一般項目：集成電路制造；集成電路設(shè)計；集成電路銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；集成

13、電路芯片設(shè)計及服務(wù)；電子專用 材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、 技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；專業(yè)設(shè)計服務(wù)；銷售代理；技 術(shù)進(jìn)出口；貨物進(jìn)出口(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開 展經(jīng)營活動)。2、標(biāo)的公司股權(quán)結(jié)構(gòu)截至目前， 芯微泰克的控股股東為義嵐先生， 持股比例為 97.2973%，具體股權(quán)結(jié)構(gòu)如下：表 1-2 芯微泰克股權(quán)結(jié)構(gòu)股東名稱認(rèn)繳出資額(萬元)實繳出資額(萬元)股權(quán)比例(%)義嵐3,000.0000097.2973嘉興璟珅鳴人股權(quán)投資 合伙企業(yè)(有限合伙)83.333383.33332.7027合計3,083.333383.3

14、333100.00其中，嘉興璟珅鳴人股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)于 2022 年 7 月按投前 1.8 億元估值 對芯微泰克增資 500 萬元，并已完成全額投資款支付。3、標(biāo)的公司團(tuán)隊核心成員簡介(1)執(zhí)行董事及總經(jīng)理義嵐先生履歷情況義嵐，男，生于 1971 年 7 月，中國國籍，無境外永久居留權(quán)。義嵐先生教育經(jīng)歷：1989 年 9 月- 1993 年 8 月，東南大學(xué)無線電工程系，本科；2001 年 8 月-2003 年 8 月，南京大學(xué) MBA(工商管理碩士)。7義嵐先生工作經(jīng)歷：1993 年 7 月-2010 年 2 月， 華潤微電子(華晶電子集團(tuán)) ，歷任副廠長、設(shè)計室主任、廠 長、高

15、級運營總監(jiān)等；2010 年 4 月-2013 年 4 月，中國電子科技集團(tuán)(CETC)重慶中科渝芯，總經(jīng)理；2015 年 6 月-至今，江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司，總經(jīng)理；2022 年 7 月起，浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司，總經(jīng)理。義嵐先生半導(dǎo)體專業(yè)從業(yè)經(jīng)歷(部分)：表 1-3 義嵐先生半導(dǎo)體專業(yè)從業(yè)經(jīng)歷統(tǒng)計(部分)時間項目名稱擔(dān)任角色2004 年-2008 年規(guī)劃建設(shè)及運營華潤晶芯 6 英寸功率器件與集成電路生 產(chǎn)線(目前為華潤上華五廠)，并實現(xiàn)快速量產(chǎn)核心團(tuán)隊成員2010 年-2013 年主導(dǎo)建設(shè)經(jīng)營中國電子科技集團(tuán)重慶中科渝芯 6 英寸 CMOS 集成電路生產(chǎn)線，并實現(xiàn)快速量產(chǎn)項目負(fù)責(zé)人

16、2013 年主導(dǎo)中國電子科技集團(tuán)某所 8 英寸項目規(guī)劃與建設(shè)實施 方案項目負(fù)責(zé)人2015 年-2017 年協(xié)助中國兵器集團(tuán) 214 研究所建設(shè) 6 英寸 MEMS+CMOS 芯片生產(chǎn)線項目支持2018 年-2019 年協(xié)助中國電子科技集團(tuán) 48 所 8 英寸項目(湖南楚微)國 產(chǎn)裝備驗證線的方案規(guī)劃與建設(shè)支持項目支持2020 年-2021 年協(xié)助湖州華遠(yuǎn)微電 6 英寸 Saw 芯片生產(chǎn)線的方案規(guī)劃， 以及整線建設(shè)的實施通線項目支持義嵐先生在功率器件、集成電路、 MEMS、Saw 等半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域積累了大量豐富的技術(shù) 及運營閱歷，并針對薄片/超薄片的工藝有深入的理解與實踐經(jīng)驗。(2)生產(chǎn)工藝設(shè)備

17、負(fù)責(zé)人秦正健先生履歷情況秦正健，男，生于 1983 年 4 月，中國國籍，無境外永久居留權(quán)。本科畢業(yè)于桂林電子工 業(yè)學(xué)院(現(xiàn)桂林電子科技大學(xué))機(jī)電一體化專業(yè)。秦正健先生工作經(jīng)歷： 歷任華越微電子設(shè)備資深工程師、方正微電子設(shè)備主管、東光微電 子設(shè)備經(jīng)理。秦正健先生工作履歷(部分)：在東光微電子工作期間，負(fù)責(zé) 6 英寸 MOSFET 芯片生產(chǎn) 線的建設(shè)及經(jīng)營上量、兵器 214 所 6 英寸 MEMS 的設(shè)備調(diào)試及通線上量工程。深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告8(3)測試技術(shù)負(fù)責(zé)人李子科先生履歷情況李子科， 男， 生于 1973 年 12

18、月， 中國國籍， 無境外永久居留權(quán)。本科畢業(yè)天津電子儀表 管理學(xué)院。李子科先生工作經(jīng)歷： 歷任摩托羅拉天津 8 英寸芯片工廠測試技術(shù)主管、中芯國際天津工 廠測試技術(shù)高級工程師、天津中環(huán)芯片工廠測試經(jīng)理。李子科先生工作履歷(部分) ：在摩托羅拉工作期間， 承接功率集成電路的測試技術(shù)轉(zhuǎn)移 并實施本土化；在天津中環(huán)工作期間，針對功率器件芯片測試建立完整的技術(shù)解決方案。4、標(biāo)的公司經(jīng)營模式芯微泰克主營業(yè)務(wù)為功率器件薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 270 萬片 功率器件薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的面向特色先進(jìn)工藝制程的功率器件 薄片/超薄芯片背道加工的需求。芯微泰克經(jīng)營模式

19、為： 向上游供應(yīng)商采購化學(xué)品、特種氣體、金屬、砂磨輪、藍(lán)膜、探針 等原材料， 將晶圓片加工成薄片或超薄片， 銷售給下游芯片設(shè)計公司或者晶圓代工廠(只配置 正面工藝或有背道工藝但產(chǎn)能不足及技術(shù)配置較低)。圖 1-2 芯微泰克經(jīng)營模式5、標(biāo)的公司主要生產(chǎn)技術(shù)芯微泰克擁有強(qiáng)大的技術(shù)平臺和良好的運營團(tuán)隊， 核心運營團(tuán)隊平均有二十余年晶圓廠建 設(shè)及運營經(jīng)驗， 掌握超薄芯片減薄、背面離子注入、激光退火、背面金屬化、超薄芯片 CP 測 試等關(guān)鍵設(shè)備及工藝， 能圍繞設(shè)計公司產(chǎn)品線規(guī)劃對于背道工藝加工需求， 靈活配置設(shè)備搭建 工藝平臺。同時， 項目團(tuán)隊在超薄芯片背道工藝領(lǐng)域， 還具有豐富的國際技術(shù)合作資源， 能

20、夠 為客戶的產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。具體核心技術(shù)介紹如下：深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告9(1)薄片/超薄片的生產(chǎn)工藝處理方案，確保碎片率/良率薄片/超薄片的生產(chǎn)工藝處理中，減薄后的圓片厚度，薄片約 200150m、超薄片約 15050m，因此相關(guān)的圓片傳送、工藝操作都需要采用相對特殊的方式進(jìn)行處理，包括但不 限于相關(guān)工藝設(shè)備對于薄片/超薄片的適應(yīng)性改造、生產(chǎn)操作規(guī)程的優(yōu)化與員工技能等方式，以確保碎片率/良率。(2)背面注入/背面金屬化的技術(shù)可靠性背面注入主要依靠器件設(shè)計的工藝結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的基礎(chǔ)上， 有效控制注入單項工藝的精度，

21、包 括注入劑量準(zhǔn)確、合適能量的注入深度， 以及注入的激活工藝的選擇配置； 背面金屬化主要根 據(jù)不同器件的性能需求采用金屬蒸發(fā)或金屬濺射等方式， 其技術(shù)實現(xiàn)的可靠性主要依靠對于薄片/超薄片的金屬前處理工藝、濺射多層金屬的配方、金屬后處理的技術(shù)方案。(3) FS 結(jié)構(gòu) IGBT 的有效性能保障、 RC-IGBT 的實現(xiàn)方案FS 結(jié)構(gòu) IGBT 的性能技術(shù)與參數(shù)保障方面，項目規(guī)劃了 IGBT 不同應(yīng)用及不同技術(shù)產(chǎn)品 的工藝實現(xiàn)條件， 配置包括大束流注入、 高能注入、H 注入等工藝方案， 配合常規(guī)中低溫退火、 激光退火等激活處理方式； RC-IGBT 結(jié)構(gòu)器件方面配置了雙面光刻及刻蝕等工藝，從而為復(fù)合

22、性 IGBT 帶來更豐富靈活的工藝選擇。(4)與 IGBT 配套的功率器件 FRED 先進(jìn)工藝(背面高能注入/金屬摻雜)的實現(xiàn)對于 FRED 器件，項目產(chǎn)線規(guī)劃配置包括多種金屬(Pt&Au 等)摻雜、適合正面/背面金 屬淀積與金屬擴(kuò)散的設(shè)備與工藝處理方式；同時針對性能要求較高的 IGBT 配套 FRED 器件， 進(jìn)一步配備背面高能注入及退火等工藝，來進(jìn)一步提升器件的性能穩(wěn)定性。6、標(biāo)的公司主要生產(chǎn)工藝半導(dǎo)體芯片加工工藝中， 背道工藝的主要工序包括： 背面減薄、硅腐蝕去應(yīng)力、背面金屬 化、背面注入、背面器件結(jié)構(gòu)制作、薄片/超薄片CP 測試等方面。半導(dǎo)體功率器件芯片工藝簡易流程如下：深圳市民德電子

23、科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告10圖 1-3 半導(dǎo)體功率器件芯片工藝簡易流程圖IGBT 芯片背面工藝流程如下：圖 1-4 IGBT 芯片背面工藝流程流程圖以上是 RC-IGBT 背面工藝典型流程，其它功率器件的相關(guān)工藝，根據(jù)器件性能需求，在 以上流程步驟中涵蓋其中的一部分工藝。工藝簡介：(1)減薄工藝半導(dǎo)體芯片制造工藝中， 由于加工生產(chǎn)及流通的穩(wěn)定性和碎片率保障的需要， 材料晶圓片的厚度，普遍采用比最終芯片需求更大的厚度規(guī)格，具體如下：6 英寸硅晶圓片 650m 8 英寸硅晶圓片 725m深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)

24、體有限公司暨對外投資可行性研究報告11 12 英寸硅晶圓片 775m6 英寸 SiC 晶圓片 350m常規(guī)的工藝需求， 是在正面芯片結(jié)構(gòu)工藝完成后， 根據(jù)應(yīng)用需要， 普遍采用背面減薄的方式來減小最終芯片的厚度，如：IC 集成電路硅材料芯片減薄到 300350m (根據(jù)封裝形式要求，如做 TSV 工藝需要減 薄到更薄程度)，主要是考慮到封裝方面的要求；功率器件硅材料芯片減薄到 25060m (根據(jù)器件性能要求) ，主要考慮減小厚度帶來的 體電阻阻值；功率器件 SiC 材料芯片減薄到 200100m (根據(jù)器件性能要求) ，主要考慮減小厚度帶 來的體電阻阻值；對于 6 英寸最終厚度小于 120m

25、、8 英寸最終厚度小于 160m 的硅晶圓片，背面減薄需 要采用 Taiko 的工藝減薄方式，以及 Taiko 的背面工藝流片來實現(xiàn)。(2)硅腐蝕去應(yīng)力經(jīng)過減薄機(jī)械加工的硅晶圓片， 表面存在較大的應(yīng)力， 通過表面化學(xué)腐蝕的方式來充分釋 放應(yīng)力，對晶圓片繼續(xù)背面加工的穩(wěn)定帶來保障， 同時有效降低由于應(yīng)力而導(dǎo)致的碎片率增加。(3)背面金屬化部分 Bipolar/Bi-CMOS IC 集成電路需要背面金屬化來強(qiáng)化封裝性能，而對于功率器件而 言， 由于芯片背面是作為器件的一個有源電極， 必須通過淀積金屬來保證和增強(qiáng)芯片封裝時與 基板良好的歐姆接觸，因此，背面金屬化是很重要的工藝加工環(huán)節(jié)。(4)背面注入

26、對于部分功率器件(如 MOSFET) ，硅晶圓襯底是采用高阻材料， 即便通過減薄工藝， 對 體電阻的減少還是不足， 采用背面離子注入摻雜元素可以降低材料的阻值， 從而進(jìn)一步降低背 面材料的電阻率來減小阻值。(5)背面器件結(jié)構(gòu)制作對于 IGBT，其工藝結(jié)構(gòu)為正面 MOSFET+背面 Bipolar。IGBT 器件工藝，是對正面 MOSFET 工藝加工完成，再通過減薄工藝達(dá)到芯片需求厚度之后，在背面進(jìn)行 P/N 結(jié)構(gòu)的Bipolar 進(jìn)行 制作，需要通過注入不同能量和劑量的離子來形成。而對于 RC-IGBT，則需要采用雙面光刻工藝在背面制作光刻圖形，分區(qū)域注入摻雜形成深圳市民德電子科技股份有限公司

27、關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告12RC 結(jié)構(gòu)的IGBT 器件。(6)薄片/超薄片 CP 測試薄片/超薄片需要采用Taiko 方式來進(jìn)行背面工藝流通， 因此， 在去除 Taiko 環(huán)之前， 需要 以 Taiko 方式來完成器件產(chǎn)品性能測試(Test & Probing)。7、標(biāo)的公司的財務(wù)情況因標(biāo)的公司為新設(shè)立公司， 目前處于前期投入階段， 各項籌備工作正在有序地開展， 主要 包括經(jīng)營團(tuán)隊的組建、工廠建設(shè)的規(guī)劃等，還未產(chǎn)生實際經(jīng)營業(yè)績。8、標(biāo)的公司控股股東及實際控制人投資的其他企業(yè)芯微泰克控股股東和實際控制人義嵐先生投資的企業(yè)共有八家， 義嵐先生投資的公司具體持股

28、情況如下圖所示：圖 1-5 義嵐先生投資公司的持股情況(1)江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司&浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司成立于 2016 年 11 月，義嵐先生持有 51%的股權(quán)， 主營業(yè)務(wù) 為面向半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)設(shè)備中的主工藝設(shè)備，提供翻新/改造的設(shè)備及相關(guān)服務(wù)，并開始切入 國產(chǎn)新設(shè)備的研發(fā)制造， 同時為國際和國內(nèi)客戶提供產(chǎn)線建設(shè)整體方案、整線搬遷轉(zhuǎn)移的技術(shù)深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告13服務(wù)。浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于 2022 年 6 月，為江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司設(shè)立 的全資子公司，義嵐先生間接持

29、有 51%的股權(quán)，主營業(yè)務(wù)和江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司一 致。江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司、浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司與芯微泰克不存在同業(yè)競爭 關(guān)系。江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司基本情況如下：表 1-4 江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱江蘇聯(lián)芯半導(dǎo)體科技有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司統(tǒng)一社會信用代碼91320582MA1MXYCLXX注冊地址張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路 2 號 1 (張家港國家再制造產(chǎn)業(yè)示范基地)法定代表人義嵐注冊資本1000 萬元人民幣成立日期2016 年 11 月 01 日營業(yè)期限2066 年 10 月 31 日經(jīng)營范圍半導(dǎo)體激光退火設(shè)備、蒸發(fā)臺設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售

30、；半導(dǎo)體設(shè)備再制 造、銷售；微電子相關(guān)技術(shù)的開發(fā)、轉(zhuǎn)讓，并提供相關(guān)配套服務(wù)；半導(dǎo)體設(shè) 備及零配件的批發(fā)、進(jìn)出口及傭金代理(不含拍賣)。(不涉及國管貿(mào)易管 理商品，涉及配額、許可證管理商品的，按國家有關(guān)規(guī)定辦理申請)。(依 法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司基本情況如下：表 1-5 浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱浙江聯(lián)芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司(非自然人投資或控股的法人獨資)統(tǒng)一社會信用代碼91331100MABNNLUJ72注冊地址浙江省麗水市蓮都區(qū)南明山街道綠谷大道 309 號國際車城 15 號樓 11 層-371

31、法定代表人義嵐注冊資本2000 萬元人民幣成立日期2022 年 6 月 14 日營業(yè)期限長期14經(jīng)營范圍動)一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推 廣；電子專用材料研發(fā)；配電開關(guān)控制設(shè)備研發(fā)；電子專用材料制造；電子 專用材料銷售；專用設(shè)備制造(不含許可類專業(yè)設(shè)備制造)；電子專用設(shè)備 制造；電子專用設(shè)備銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；集成電路芯片及產(chǎn)品 銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；技術(shù)進(jìn)出口； 貨物進(jìn)出口(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活。(2)無錫盈時電子科技有限公司&盈時半導(dǎo)體(蘇州)有限公司無錫盈時電子科技有限公司成立

32、于 2014 年 6 月，義嵐先生持有 90%的股權(quán)，主營業(yè)務(wù)為 面向半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的在線檢測設(shè)備，提供翻新/改造的設(shè)備及相關(guān)服務(wù)，同時代理部分國 外進(jìn)口設(shè)備。盈時半導(dǎo)體(蘇州)有限公司成立于 2020 年 2 月，為無錫盈時電子科技有限公司設(shè)立的 全資子公司，義嵐先生間接持有 90%的股權(quán)，主營業(yè)務(wù)和無錫盈時電子科技有限公司一致。無錫盈時電子科技有限公司、盈時半導(dǎo)體(蘇州) 有限公司與芯微泰克不存在同業(yè)競爭關(guān) 系。無錫盈時電子科技有限公司基本情況如下：表 1-6 無錫盈時電子科技有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱無錫盈時電子科技有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司(自然人投資或控股)統(tǒng)一社會信用代碼

33、9132021130218356X9注冊地址無錫市濱湖區(qū)五三零大廈 1 號 10 層 1006法定代表人閻永珍注冊資本300 萬元人民幣成立日期2014 年 6 月 17 日營業(yè)期限長期經(jīng)營范圍許可項目：貨物進(jìn)出口；技術(shù)進(jìn)出口(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批 準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn))一般項目：技術(shù)服 務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；機(jī)械設(shè)備銷 售；電子專用設(shè)備銷售；儀器儀表銷售；機(jī)械零件、零部件銷售；電子產(chǎn)品 銷售；電子元器件批發(fā)；電子、機(jī)械設(shè)備維護(hù)(不含特種設(shè)備)；五金產(chǎn)品 批發(fā)；五金產(chǎn)品零售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展

34、經(jīng)營活動)。盈時半導(dǎo)體(蘇州)有限公司基本情況如下：15表 1-7 盈時半導(dǎo)體(蘇州)有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱盈時半導(dǎo)體(蘇州)有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司(非自然人投資或控股的法人獨資)統(tǒng)一社會信用代碼91320582MA20W43H4N注冊地址張家港市楊舍鎮(zhèn)福新路 2 號(張家港國家再制造產(chǎn)業(yè)示范基地)法定代表人閻永珍注冊資本300 萬元人民幣成立日期2020 年 2 月 10 日營業(yè)期限長期經(jīng)營范圍許可項目：貨物進(jìn)出口；技術(shù)進(jìn)出口(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批 準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn))一般項目：機(jī)械設(shè) 備批發(fā)；金屬制品批發(fā)；儀器儀表批發(fā)；電子元器件制

35、造；五金產(chǎn)品零售； 電子元器件批發(fā)；技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、 技術(shù)推廣(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活 動)。(3)北京益芯科技有限公司北京益芯科技有限公司成立于 2018 年 7 月，義嵐先生持有 58%的股權(quán)，該公司未實際運 營。北京益芯科技有限公司與芯微泰克不存在同業(yè)競爭關(guān)系。北京益芯科技有限公司基本情況 如下：表 1-8 北京益芯科技有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱北京益芯科技有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司(自然人投資或控股)統(tǒng)一社會信用代碼91110105MA01DCX60P注冊地址北京市朝陽區(qū)王四營鄉(xiāng)人民日報印刷廠廠房 3 層 3123

36、 室法定代表人劉凱注冊資本500 萬元人民幣成立日期2018 年 7 月 10 日營業(yè)期限長期16經(jīng)營范圍技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)推廣、技術(shù)咨詢；銷售機(jī)械設(shè)備、電 子產(chǎn)品、計算機(jī)、軟件及輔助設(shè)備；承辦展覽展示活動；企業(yè)管理；會議服 務(wù)；應(yīng)用軟件服務(wù)(不含醫(yī)用軟件)；軟件開發(fā)；計算機(jī)系統(tǒng)服務(wù)。(市場 主體依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；從事拍賣業(yè)務(wù)以及依法須經(jīng)批 準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事國家和 本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動)(4)海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙)海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙)成立于 2021 年 4

37、 月，義嵐先生持有 27.78% 的股權(quán)， 海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙) 系一家投資平臺， 主營業(yè)務(wù)是對外投 資。海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙) 與芯微泰克不存在同業(yè)競爭關(guān)系。海寧風(fēng) 鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙)基本情況如下：表 1-9 海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙)基本情況項目內(nèi)容中文名稱海寧風(fēng)鑄云端半導(dǎo)體科技合伙企業(yè)(普通合伙)企業(yè)類型普通合伙企業(yè)統(tǒng)一社會信用代碼91330481MA2JH2B657主要經(jīng)營場所浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)芯中路 8 號 1 幢 363 室(自主申報)執(zhí)行事務(wù)合伙人劉曉松出資總額1830.6 萬元人民幣成立日

38、期2021 年 4 月 26 日營業(yè)期限長期經(jīng)營范圍一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推 廣(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動)。(5)佛山科峰技術(shù)有限公司佛山科峰技術(shù)有限公司成立于 2019 年 6 月，義嵐先生持有 10%的股權(quán)。該公司未實際運 營。佛山科峰技術(shù)有限公司與芯微泰克不存在同業(yè)競爭關(guān)系。佛山科峰技術(shù)有限公司基本情況如下：17表 1- 10 佛山科峰技術(shù)有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱佛山科峰技術(shù)有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司(自然人投資或控股)統(tǒng)一社會信用代碼91440605MA53DJBA3Q主要經(jīng)營場所佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村

39、朗沙大道北廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地核心區(qū)內(nèi) A 區(qū) 6 座首層之三(住所申報)執(zhí)行事務(wù)合伙人付燦宣出資總額1200 萬元人民幣成立日期2019 年 6 月 20 日營業(yè)期限無固定期限經(jīng)營范圍工程和技術(shù)研究和試驗發(fā)展；其他科技推廣和應(yīng)用服務(wù)業(yè)；半導(dǎo)體器件專用 設(shè)備制造；半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體照明器件制造；變壓器、整流器和 電感器制造；電力電子元器件制造；電光源制造；光電子器件制造；電子專 用材料制造；工業(yè)控制計算機(jī)及系統(tǒng)制造；工業(yè)機(jī)器人制造；其他計算機(jī)制 造；微特電機(jī)及組件制造；基礎(chǔ)軟件開發(fā)；其他軟件開發(fā)；運行維護(hù)服務(wù)； 信息技術(shù)咨詢服務(wù)；專用設(shè)備修理；電氣設(shè)備修理；儀器儀表修理；計算機(jī) 和輔助設(shè)

40、備修理；其他機(jī)械設(shè)備及電子產(chǎn)品批發(fā)；貨物和技術(shù)進(jìn)出口(國家 禁止或涉及行政審批的貨物和技術(shù)進(jìn)出口除外)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動。) (依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部 門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動)。義嵐先生，以及芯微泰克與民德電子、民德電子董監(jiān)高及持股 5%以上股東不存在關(guān)聯(lián)關(guān) 系，也不存在其他可能或已經(jīng)造成民德電子對其利益傾斜的其他關(guān)系。民德電子本次對外投資不構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易，不屬于上市公司重大資產(chǎn)重組管理辦法規(guī) 定的重大資產(chǎn)重組。深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告18第二節(jié) 項目實施的必要性與可行性分析一、功率

41、器件超薄芯片背道加工行業(yè)分析功率器件芯片采用背面作為電極， 為了提升器件性能， 需要采用背面減薄方式來縮小芯片 的厚度， 從而減小正面與背面的導(dǎo)通電阻， 減少能量損耗。由于芯片的正面加工工藝復(fù)雜、工 序繁多， 如果采用薄片流通容易碎片， 導(dǎo)致良品率急劇下降， 因此， 技術(shù)上均采用先正面工藝 完成后再進(jìn)行背面工藝加工。技術(shù)發(fā)展的過程中， 部分器件(如 MOSFET)在背面減薄完成后， 還可以進(jìn)行背面離子注入以降低體硅的電阻率，進(jìn)一步降低電阻率來減少能量損耗；而對于 IGBT 芯片， 是在正面 MOSFET 結(jié)構(gòu)形成后， 通過背面減薄后再制作 PN 結(jié)構(gòu)雙極器件， 二者結(jié)合形成 IGBT 的器件結(jié)

42、構(gòu)。對于功率器件芯片而言， 不斷追求薄片/超薄片是必然的趨勢， 從而不斷改善器件結(jié)構(gòu)、提 升器件性能、減小能量損耗。特色工藝半導(dǎo)體(含功率半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)鏈的上下游包含“硅片 晶圓代工設(shè)計公司”， 其中晶圓代工根據(jù)其生產(chǎn)環(huán)節(jié)的不同又包含正面工藝和背道工藝，背道工藝的主要工序包括： 背面減薄、硅腐蝕去應(yīng)力、背面金屬化、背面注入、背面器件結(jié)構(gòu)制作、薄片/超薄片 CP 測試 等方面。近年來， 隨著器件性能要求的不斷攀升， 新型結(jié)構(gòu)的薄片/超薄片技術(shù)， 在國外一些領(lǐng)先的 IDM 公司發(fā)展迅速，如 Infineon 、Toshiba 、Mitsubishi 、ROHM 、AOS 等，國內(nèi)設(shè)計公司正在 進(jìn)行跟

43、進(jìn)和對標(biāo)設(shè)計，相應(yīng)的工藝加工能力配套已經(jīng)非常急迫和必要。(一)芯微泰克業(yè)務(wù)概述芯微泰克主營業(yè)務(wù)為功率器件薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 270 萬片 功率器件超薄芯片背道加工產(chǎn)線， 以滿足不斷增長的面向特色先進(jìn)工藝制程的功率器件超薄芯 片背道加工的需求。功率器件芯片超薄芯片背道加工的產(chǎn)業(yè)鏈上游是化學(xué)品、特種氣體、金屬、砂磨輪、藍(lán)膜、 探針等原材料生產(chǎn)企業(yè)， 產(chǎn)業(yè)鏈下游為芯片設(shè)計企業(yè)或晶圓代工企業(yè)(只配置正面工藝或有背 道工藝但產(chǎn)能不足以及技術(shù)配置較低)。深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告19(二)超薄芯片背道工藝在芯片制程

44、中的應(yīng)用發(fā)展早期半導(dǎo)體芯片的背面工藝相對簡單， 由于加工設(shè)備的精度低、晶圓片減薄后容易翹曲以 及生產(chǎn)操作難度大等原因，碎片率是背道工藝中的難點。同時， IGBT 的發(fā)展也需要隨著背面 工藝發(fā)展來不斷提升器件性能， 因此， 近十年來， 基于背道工藝加工的相關(guān)設(shè)備性能、工藝技 術(shù)、創(chuàng)新結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)與提升， 帶來功率器件朝向高性能先進(jìn)功率器件領(lǐng)域的快速發(fā)展， 主要 體現(xiàn)就是晶圓片減薄后的厚度不斷降低， 目前國際先進(jìn)水平已經(jīng)達(dá)到 5040m，在保證流通碎片率較低的情況下來實現(xiàn)器件的高性能。國際主流功率器件公司 Infineon 、Toshiba 、Mitsubishi 、ROHM 、ST 、AOS 等

45、均在先進(jìn)功 率器件上采用超薄芯片背道工藝。 國內(nèi)的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)與進(jìn)展程度與國際相較還有一定差 距， 近年來， 華虹 NEC、華潤微電子、杭州士蘭微、吉林華微等主要功率器件制造產(chǎn)線， 也在 不斷升級完善和提升自己的背道工藝技術(shù)與能力。隨著 SiC 、GaN-SiC 寬禁帶半導(dǎo)體(第三代半導(dǎo)體) 的發(fā)展， 其背面工藝的進(jìn)一步提升也 提上議程，包括 SiC 超薄片背面的加工工藝、 GaN-SiC 背面的器件結(jié)構(gòu)與 TSV 工藝需求等， 將是決定相關(guān)器件性能的關(guān)鍵技術(shù)工藝。先進(jìn)功率器件主要面向當(dāng)前迅速發(fā)展的新能源領(lǐng)域(功率轉(zhuǎn)換及儲能等) 、電動汽車、移動智能終端及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。以下為薄片/超薄片背

46、道工藝在部分功率器件上的應(yīng)用和價值體現(xiàn)：1)對于常規(guī)功率器件硅基平面高壓(6001200V) MOSFET 的背面工藝后薄片一般在 220m 左右， 如果能夠進(jìn)一步做到 160m 厚度， 價格將提升 10 %以上， 用于工業(yè)領(lǐng)域的提升 20%以上，薄片的產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域也會更為廣闊；2)對于 IGBT 產(chǎn)品則必須做到薄片/超薄片工藝， 其中： NPT 型 IGBT，常規(guī)薄片工藝即 可(可以不用 Taiko)；對于 FS 結(jié)構(gòu) IGBT，必須采用超薄片工藝來實現(xiàn)；3)對于 SiC 器件，必須保證減薄到 200m 以下，最好能夠到 100m，則其價值可增加 20% 以上。(三)超薄芯片背道工藝開放式代

47、工的經(jīng)營模式目前無論國際企業(yè)還是國內(nèi)企業(yè)，對于先進(jìn)功率器件的背面工藝，主要采用 IDM 模式在 自有芯片產(chǎn)線上建設(shè)，不過其內(nèi)部也存在以下情況：MOSFET 領(lǐng)域的國際知名企業(yè) A 公司，其 8 英寸芯片的加工采用代工方式，而其器件核深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告20心的背道工藝，則在上海單獨建立了薄片/超薄片的背道加工產(chǎn)線，滿足自有產(chǎn)品的需求。國內(nèi)某知名功率半導(dǎo)體企業(yè)， 其晶圓加工產(chǎn)線兩條 6 英寸線和一條 8 英寸線， 三條產(chǎn)線均 是按照正面工藝分別加工， 而 6 英寸、8 英寸晶圓片的各類型背道工藝則有專門的工廠來實施。對于先進(jìn)

48、功率器件， 目前市場的主要份額還是被國際大公司所占有， 國內(nèi)的華虹 NEC、華 潤微電子、杭州士蘭微等近幾年通過技術(shù)發(fā)展逐步進(jìn)入，其中，只有華虹 NEC、華潤微電子 (小部分)有相關(guān)“正面 + 背道”工藝的加工，能夠以開放式代工面向市場釋放應(yīng)用。在這 一領(lǐng)域， 包括工業(yè)級/能源級/汽車級所使用的 MOSFET 、IGBT 、SiC 等器件， 國內(nèi)很多器件設(shè) 計公司均在嘗試涉足，但由于芯片加工條件所限，尤其是超薄芯片背道加工產(chǎn)能和技術(shù)所限， 相關(guān)設(shè)計和工藝提升的進(jìn)程一直進(jìn)展緩慢。在功率器件， 尤其是先進(jìn)功率器件的國產(chǎn)替代進(jìn)程中， 器件設(shè)計公司是創(chuàng)新最活躍的源頭， 也是功率器件依靠應(yīng)用牽引進(jìn)一步提

49、升技術(shù)的核心力量之一。先進(jìn)功率器件的工藝一直在不斷 創(chuàng)新發(fā)展中， 其工藝技術(shù)與產(chǎn)品設(shè)計的結(jié)合具有一定的特異性， 相對于較為標(biāo)準(zhǔn)和平臺化的正 面工藝， 特別是基于背道工藝方面的創(chuàng)新發(fā)展， 各家公司都將有自己獨特的技術(shù)線路與工藝方 式， 這個方面也將形成設(shè)計公司的技術(shù) Know How，因此， 需要有定制化的超薄芯片背道工藝 產(chǎn)線條件來為設(shè)計公司提供研發(fā)中試和量產(chǎn)的基礎(chǔ)條件。先進(jìn)功率器件正面工藝的代工需求， 一方面， 依靠專業(yè)的功率器件芯片代工廠來滿足， 但 這部分現(xiàn)有產(chǎn)能資源很有限； 另一方面， 可以在 MOS 工藝集成電路代工線上實現(xiàn)， 這方面的 產(chǎn)能資源較為豐富， 包括但不限于中芯國際、臺積

50、電、聯(lián)電(和艦) 、廈門聯(lián)芯、韓國東部以 及其它 Foundry 代工廠。而先進(jìn)功率器件的超薄芯片背面工藝加工就存在很大局限性， 即便是開放式的功率器件代 工廠， 作為標(biāo)準(zhǔn)芯片代工產(chǎn)線， 一方面， 通常是以歸一化的有限工藝平臺來提供服務(wù)， 這方面 對需要創(chuàng)新研發(fā)或特色化的先進(jìn)功率器件工藝帶來極大的限制；另一方面，無論是華虹 NEC 還是華潤微電子， 其代工線是同時面向功率器件與 MOS 集成電路， 基于功率器件的背道工藝 產(chǎn)能具有較大局限性。因此， 對于具有持續(xù)產(chǎn)品創(chuàng)新需求的先進(jìn)功率器件設(shè)計與應(yīng)用的企業(yè)， 迫切需要可為其提 供定制化開放代工的超薄芯片背道加工產(chǎn)線及產(chǎn)能。(四)超薄芯片背道工藝加

51、工市場規(guī)模與客戶近年來功率器件不斷朝先進(jìn)器件方向發(fā)展，主要體現(xiàn)包括正面工藝不斷加強(qiáng)的功率密度、深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告21耐壓及電流提升， 除此之外還涵蓋了關(guān)鍵的背面工藝， 主要體現(xiàn)為薄片/超薄片的工藝推進(jìn)、背 面的結(jié)構(gòu)化工藝更新發(fā)展兩個技術(shù)類型。目前，先進(jìn)功率器件的市場份額中， 國內(nèi)企業(yè)只占有極少比例， 絕大部分均為國際 Infineon、Mitsubishi 、Toshiba 、Rohm 、ST 、AOS 等企業(yè)所占有。據(jù) Omida 數(shù)據(jù)顯示， 2021 年全球和中國功率半導(dǎo)體市場空間分別為 462 億美元和 182 億

52、 美元，預(yù)計到 2025 年，全球和中國市場空間有望分別達(dá)到 548 億美元和 195 億美元，相比 2021 年復(fù)合增速分別達(dá)到 5.92%和 4.55%。其中， 受益于新能源汽車、光伏、風(fēng)電、電網(wǎng)建設(shè)等下 游需求的持續(xù)增長， IGBT、大功率 MOSFET 、SiC 器件等先進(jìn)功率器件的市場空間仍將保持 快速上升的態(tài)勢。隨著新能源、 電動汽車、智能移動終端、消費電子升級、 工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷提升， 國內(nèi)先進(jìn)功率器件的市場需求將不斷擴(kuò)展，但目前國內(nèi)先進(jìn)功率器件絕大部分是在 IDM 企業(yè) 的產(chǎn)線完成， 對于設(shè)計公司采用沒有背道工藝配置的通用芯片代工產(chǎn)線， 很難完成器件性能指 標(biāo)的進(jìn)一步提

53、升。在國內(nèi)相關(guān)企業(yè)技術(shù)不斷提升、國產(chǎn)替代逐步加快的大趨勢下，國內(nèi) IDM 廠商、器件設(shè) 計公司也將引來大踏步的發(fā)展。國家“碳達(dá)峰、碳中和”戰(zhàn)略對能源利用效率提出更高要求， 而且供應(yīng)鏈自主可控形勢下國產(chǎn)替代的需求日益強(qiáng)烈， 因此， 未來國內(nèi)優(yōu)秀功率器件企業(yè)將重 點發(fā)力先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件， 已有諸多器件設(shè)計公司均在規(guī)劃安排面向先進(jìn)功率器件領(lǐng)域的技 術(shù)提升， 其中對于超薄芯片背道工藝代工的需求已非常急迫， 設(shè)計公司期盼能獲得穩(wěn)定的、有 技術(shù)能力的超薄芯片背道加工平臺支持， 盡快研發(fā)定型先進(jìn)功率器件系列產(chǎn)品， 以滿足國內(nèi)對 中高端功率器件日益增長的需求。目前， 芯微泰克已經(jīng)儲備的器件設(shè)計公司及晶圓代工

54、廠主要合作伙伴超過 5 家，保守預(yù)計 需要薄片/超薄片背道加工產(chǎn)能超過 6 萬片/月，能夠支持背道產(chǎn)線運營初期到盈利的規(guī)模能力， 公司建設(shè)規(guī)劃到 2023 年 8 月份開始運營生產(chǎn)。二、項目實施的必要性(一)先進(jìn)功率器件國產(chǎn)替代趨勢下，超薄芯片背道工藝代工需求迫在眉睫超薄芯片的背道加工是功率器件晶圓代工特色工藝的典型代表，伴隨著新能源、工業(yè)級、汽車電子對功率器件能量密度和能耗提出更高性能需求，近十年來，面向超薄芯片的深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告22背道工藝技術(shù)發(fā)展迅猛，硅基器件的背道工藝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新、第三代半導(dǎo)體依賴于背道工藝 加工

55、的技術(shù)突破，其不斷發(fā)展的技術(shù)狀態(tài)為相關(guān)功率器件的性能帶來極大的提升，無論是 功耗效率、抗沖擊能力、穩(wěn)定性及可靠性等方面，均較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的器件有更好的應(yīng)用優(yōu)勢 與前景。目前，在先進(jìn)功率器件國產(chǎn)替代趨勢下，國內(nèi)超薄芯片背道工藝加工產(chǎn)能極為有 限，嚴(yán)重抑制了先進(jìn)功率器件企業(yè)的產(chǎn)品創(chuàng)新以及國產(chǎn)替代進(jìn)程。因此，超薄芯片背道工 藝代工產(chǎn)能的建設(shè)迫在眉睫。(二)奠定公司超薄芯片背道加工資源，助力公司全面進(jìn)軍中高端先進(jìn)功率器件市場公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品一直堅持“以進(jìn)口替代為主，以工業(yè)和能源市場為主”的市場定 位，并先后量產(chǎn) MOS 場效應(yīng)二極管(MFER) 、分離柵低壓場效應(yīng)晶體管(SGT-MOSFET) 等中高端

56、功率器件產(chǎn)品。通過本次投資芯微泰克，將奠定公司超薄芯片背道加工資源，將 為公司后續(xù)開發(fā) IGBT、超級結(jié) MOS、FRED、SiC 二極管等先進(jìn)功率器件提供堅實保障，提升新產(chǎn)品開發(fā)效率，助力公司全面進(jìn)軍中高端先進(jìn)功率器件市場。(三)與參股晶圓廠廣芯微電子在技術(shù)&業(yè)務(wù)上協(xié)同互補(bǔ)，相得益彰公司參股晶圓廠廣芯微電子以正面工藝為主， 配備基本的常規(guī)背道工藝；芯微泰克將 專注于背道工藝，在背道工藝的技術(shù)種類、工藝配置、硬件條件等方面都更為專業(yè)全面， 為功率器件設(shè)計公司和晶圓廠客戶提供定制化的背面代工服務(wù)。未來，廣芯微電子與芯微泰克將在技術(shù)上密切配合，業(yè)務(wù)上相互協(xié)同，形成產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效益。(四)進(jìn)一步完善公

57、司 sma IDM 生態(tài)圈布局，提升功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力公司致力于構(gòu)建功率半導(dǎo)體 smart IDM 生態(tài)圈：即通過資本參股或控股的方式，打通 功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。過去兩年多時間內(nèi)，公司先后控股收購功率半導(dǎo)體設(shè)計公司廣微集 成、增資參股半導(dǎo)體硅片公司晶睿電子、增資參股晶圓代工廠廣芯微電子。本次參股投資芯微泰克， 布局功率器件超薄芯片背道加工業(yè)務(wù)， 將進(jìn)一步完善公司功率半 導(dǎo)體 smartIDM 生態(tài)圈布局，有助于公司獲取更多半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵資源和能力， 提高公司功率 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展能力。三、項目實施的可行性(一)先進(jìn)功率器件市場空間廣闊，國內(nèi)超薄芯片背道加工需求旺盛深圳市民

58、德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司暨對外投資可行性研究報告23伴隨新能源汽車、光伏&風(fēng)力發(fā)電、智能移動終端、消費電子升級、工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)域 的不斷提升擴(kuò)展， 對功率半導(dǎo)體能效和安全性提出更高要求， 因此， 催生出對先進(jìn)功率器件的 廣闊市場需求。超薄芯片背道工藝， 作為先進(jìn)功率器件制程中必不可少的重要環(huán)節(jié)， 其產(chǎn)能需 求也愈發(fā)旺盛。據(jù) Omida 數(shù)據(jù)顯示， 2021 年全球和中國功率半導(dǎo)體市場空間分別為 462 億美元和 182 億 美元，預(yù)計到 2025 年，全球和中國市場空間有望分別達(dá)到 548 億美元和 195 億美元，相比 2021 年復(fù)合增速分別達(dá)到 5.

59、92%和 4.55%。其中， 受益于新能源汽車、光伏、風(fēng)電、電網(wǎng)建設(shè)等下 游需求的持續(xù)增長， IGBT、大功率 MOSFET 、SiC 器件等先進(jìn)功率器件的市場空間仍將保持 快速上升的態(tài)勢。(二)行業(yè)資深技術(shù)團(tuán)隊，具有豐富、成熟的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗以義嵐先生為首的核心技術(shù)團(tuán)隊， 平均有二十余年晶圓廠建設(shè)及運營經(jīng)驗， 在功率器件超 薄芯片的背道工藝加工方面， 面向高低壓 MOSFET& Trench MOSFET、高低壓 IGBT、快恢復(fù) 二極管 FRED、碳化硅 SiC 器件等芯片產(chǎn)品， 掌握了關(guān)鍵設(shè)備的能力及工藝技術(shù)， 可根據(jù)功率 器件設(shè)計公司的技術(shù)規(guī)劃需求， 采用柔性靈活的工藝設(shè)備來搭建適合客戶各

60、技術(shù)類型的背道工 藝加工平臺。運營團(tuán)隊掌握晶圓背道加工制造的各個關(guān)鍵工藝技術(shù)， 包含超薄芯片的 Taiko 減 薄、 SiC 片減薄、應(yīng)力釋放、背面大劑量注入/高能注入、激光退火、多工藝形式的金屬化與合 金、超薄 Taiko 芯片CP 測試、 Taiko 芯片的激光去邊、激光劃片等工藝歩序。同時， 項目團(tuán)隊 在超薄芯片背道工藝領(lǐng)域， 還具有豐富的國際技術(shù)合作資源， 能夠為客戶的產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展提供 強(qiáng)有力的支持?；陧椖繄F(tuán)隊過往成功產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗， 本項目在技術(shù)實施方面有較高的可行性； 此外， 在市場開拓方面， 項目團(tuán)隊在下游有著豐富、成熟的國內(nèi)外客戶資源， 有助于其進(jìn)行前期市場開拓。(三) smar