南寧刻蝕設(shè)備項目可行性研究報告【參考范文】

1、泓域咨詢/南寧刻蝕設(shè)備項目可行性研究報告目錄 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc108980642 第一章 行業(yè)發(fā)展分析 PAGEREF _Toc108980642 h 8 HYPERLINK l _Toc108980643 一、 高密度等離子體刻蝕 PAGEREF _Toc108980643 h 8 HYPERLINK l _Toc108980644 二、 干法刻蝕是芯片制造的主流技術(shù) PAGEREF _Toc108980644 h 9 HYPERLINK l _Toc108980645 三、 離子束刻蝕 PAGEREF _Toc108980645 h 10 H

2、YPERLINK l _Toc108980646 第二章 項目概述 PAGEREF _Toc108980646 h 12 HYPERLINK l _Toc108980647 一、 項目名稱及投資人 PAGEREF _Toc108980647 h 12 HYPERLINK l _Toc108980648 二、 編制原則 PAGEREF _Toc108980648 h 12 HYPERLINK l _Toc108980649 三、 編制依據(jù) PAGEREF _Toc108980649 h 13 HYPERLINK l _Toc108980650 四、 編制范圍及內(nèi)容 PAGEREF _Toc108

3、980650 h 14 HYPERLINK l _Toc108980651 五、 項目建設(shè)背景 PAGEREF _Toc108980651 h 14 HYPERLINK l _Toc108980652 六、 結(jié)論分析 PAGEREF _Toc108980652 h 15 HYPERLINK l _Toc108980653 主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表 PAGEREF _Toc108980653 h 17 HYPERLINK l _Toc108980654 第三章 項目建設(shè)背景及必要性分析 PAGEREF _Toc108980654 h 19 HYPERLINK l _Toc108980655 一、 反應(yīng)

4、離子刻蝕 PAGEREF _Toc108980655 h 19 HYPERLINK l _Toc108980656 二、 原子層刻蝕為未來技術(shù)發(fā)展方向 PAGEREF _Toc108980656 h 19 HYPERLINK l _Toc108980657 三、 等離子體刻蝕面臨的問題 PAGEREF _Toc108980657 h 22 HYPERLINK l _Toc108980658 四、 打造區(qū)域性高技術(shù)產(chǎn)業(yè)和先進(jìn)制造業(yè)基地 PAGEREF _Toc108980658 h 23 HYPERLINK l _Toc108980659 五、 項目實施的必要性 PAGEREF _Toc1089

5、80659 h 24 HYPERLINK l _Toc108980660 第四章 建筑工程技術(shù)方案 PAGEREF _Toc108980660 h 25 HYPERLINK l _Toc108980661 一、 項目工程設(shè)計總體要求 PAGEREF _Toc108980661 h 25 HYPERLINK l _Toc108980662 二、 建設(shè)方案 PAGEREF _Toc108980662 h 27 HYPERLINK l _Toc108980663 三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo) PAGEREF _Toc108980663 h 28 HYPERLINK l _Toc108980664 建筑工程

6、投資一覽表 PAGEREF _Toc108980664 h 28 HYPERLINK l _Toc108980665 第五章 項目選址方案 PAGEREF _Toc108980665 h 30 HYPERLINK l _Toc108980666 一、 項目選址原則 PAGEREF _Toc108980666 h 30 HYPERLINK l _Toc108980667 二、 建設(shè)區(qū)基本情況 PAGEREF _Toc108980667 h 30 HYPERLINK l _Toc108980668 三、 推動產(chǎn)業(yè)園區(qū)擴能提質(zhì)增效 PAGEREF _Toc108980668 h 35 HYPERLI

7、NK l _Toc108980669 四、 突出創(chuàng)新驅(qū)動，加快建設(shè)區(qū)域性科技創(chuàng)新中心 PAGEREF _Toc108980669 h 35 HYPERLINK l _Toc108980670 五、 項目選址綜合評價 PAGEREF _Toc108980670 h 36 HYPERLINK l _Toc108980671 第六章 發(fā)展規(guī)劃分析 PAGEREF _Toc108980671 h 37 HYPERLINK l _Toc108980672 一、 公司發(fā)展規(guī)劃 PAGEREF _Toc108980672 h 37 HYPERLINK l _Toc108980673 二、 保障措施 PAGE

8、REF _Toc108980673 h 41 HYPERLINK l _Toc108980674 第七章 運營管理 PAGEREF _Toc108980674 h 44 HYPERLINK l _Toc108980675 一、 公司經(jīng)營宗旨 PAGEREF _Toc108980675 h 44 HYPERLINK l _Toc108980676 二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé) PAGEREF _Toc108980676 h 44 HYPERLINK l _Toc108980677 三、 各部門職責(zé)及權(quán)限 PAGEREF _Toc108980677 h 45 HYPERLINK l _Toc1089

9、80678 四、 財務(wù)會計制度 PAGEREF _Toc108980678 h 48 HYPERLINK l _Toc108980679 第八章 法人治理 PAGEREF _Toc108980679 h 56 HYPERLINK l _Toc108980680 一、 股東權(quán)利及義務(wù) PAGEREF _Toc108980680 h 56 HYPERLINK l _Toc108980681 二、 董事 PAGEREF _Toc108980681 h 63 HYPERLINK l _Toc108980682 三、 高級管理人員 PAGEREF _Toc108980682 h 67 HYPERLINK

10、 l _Toc108980683 四、 監(jiān)事 PAGEREF _Toc108980683 h 69 HYPERLINK l _Toc108980684 第九章 原輔材料及成品分析 PAGEREF _Toc108980684 h 72 HYPERLINK l _Toc108980685 一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況 PAGEREF _Toc108980685 h 72 HYPERLINK l _Toc108980686 二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理 PAGEREF _Toc108980686 h 72 HYPERLINK l _Toc108980687 第十章 組織機構(gòu)管理 PAG

11、EREF _Toc108980687 h 74 HYPERLINK l _Toc108980688 一、 人力資源配置 PAGEREF _Toc108980688 h 74 HYPERLINK l _Toc108980689 勞動定員一覽表 PAGEREF _Toc108980689 h 74 HYPERLINK l _Toc108980690 二、 員工技能培訓(xùn) PAGEREF _Toc108980690 h 74 HYPERLINK l _Toc108980691 第十一章 勞動安全生產(chǎn)分析 PAGEREF _Toc108980691 h 76 HYPERLINK l _Toc108980

12、692 一、 編制依據(jù) PAGEREF _Toc108980692 h 76 HYPERLINK l _Toc108980693 二、 防范措施 PAGEREF _Toc108980693 h 78 HYPERLINK l _Toc108980694 三、 預(yù)期效果評價 PAGEREF _Toc108980694 h 81 HYPERLINK l _Toc108980695 第十二章 環(huán)保方案分析 PAGEREF _Toc108980695 h 82 HYPERLINK l _Toc108980696 一、 編制依據(jù) PAGEREF _Toc108980696 h 82 HYPERLINK l

13、 _Toc108980697 二、 環(huán)境影響合理性分析 PAGEREF _Toc108980697 h 83 HYPERLINK l _Toc108980698 三、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析 PAGEREF _Toc108980698 h 83 HYPERLINK l _Toc108980699 四、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析 PAGEREF _Toc108980699 h 86 HYPERLINK l _Toc108980700 五、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析 PAGEREF _Toc108980700 h 86 HYPERLINK l _Toc108980701 六、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析

14、 PAGEREF _Toc108980701 h 87 HYPERLINK l _Toc108980702 七、 環(huán)境管理分析 PAGEREF _Toc108980702 h 87 HYPERLINK l _Toc108980703 八、 結(jié)論及建議 PAGEREF _Toc108980703 h 91 HYPERLINK l _Toc108980704 第十三章 項目進(jìn)度計劃 PAGEREF _Toc108980704 h 92 HYPERLINK l _Toc108980705 一、 項目進(jìn)度安排 PAGEREF _Toc108980705 h 92 HYPERLINK l _Toc108

15、980706 項目實施進(jìn)度計劃一覽表 PAGEREF _Toc108980706 h 92 HYPERLINK l _Toc108980707 二、 項目實施保障措施 PAGEREF _Toc108980707 h 93 HYPERLINK l _Toc108980708 第十四章 工藝技術(shù)說明 PAGEREF _Toc108980708 h 94 HYPERLINK l _Toc108980709 一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析 PAGEREF _Toc108980709 h 94 HYPERLINK l _Toc108980710 二、 項目技術(shù)工藝分析 PAGEREF _Toc108980710

16、 h 96 HYPERLINK l _Toc108980711 三、 質(zhì)量管理 PAGEREF _Toc108980711 h 97 HYPERLINK l _Toc108980712 四、 設(shè)備選型方案 PAGEREF _Toc108980712 h 98 HYPERLINK l _Toc108980713 主要設(shè)備購置一覽表 PAGEREF _Toc108980713 h 99 HYPERLINK l _Toc108980714 第十五章 投資計劃 PAGEREF _Toc108980714 h 100 HYPERLINK l _Toc108980715 一、 投資估算的依據(jù)和說明 PAG

17、EREF _Toc108980715 h 100 HYPERLINK l _Toc108980716 二、 建設(shè)投資估算 PAGEREF _Toc108980716 h 101 HYPERLINK l _Toc108980717 建設(shè)投資估算表 PAGEREF _Toc108980717 h 105 HYPERLINK l _Toc108980718 三、 建設(shè)期利息 PAGEREF _Toc108980718 h 105 HYPERLINK l _Toc108980719 建設(shè)期利息估算表 PAGEREF _Toc108980719 h 105 HYPERLINK l _Toc1089807

18、20 固定資產(chǎn)投資估算表 PAGEREF _Toc108980720 h 106 HYPERLINK l _Toc108980721 四、 流動資金 PAGEREF _Toc108980721 h 107 HYPERLINK l _Toc108980722 流動資金估算表 PAGEREF _Toc108980722 h 108 HYPERLINK l _Toc108980723 五、 項目總投資 PAGEREF _Toc108980723 h 109 HYPERLINK l _Toc108980724 總投資及構(gòu)成一覽表 PAGEREF _Toc108980724 h 109 HYPERLIN

19、K l _Toc108980725 六、 資金籌措與投資計劃 PAGEREF _Toc108980725 h 110 HYPERLINK l _Toc108980726 項目投資計劃與資金籌措一覽表 PAGEREF _Toc108980726 h 110 HYPERLINK l _Toc108980727 第十六章 經(jīng)濟效益 PAGEREF _Toc108980727 h 112 HYPERLINK l _Toc108980728 一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取 PAGEREF _Toc108980728 h 112 HYPERLINK l _Toc108980729 二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算 P

20、AGEREF _Toc108980729 h 112 HYPERLINK l _Toc108980730 營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表 PAGEREF _Toc108980730 h 112 HYPERLINK l _Toc108980731 綜合總成本費用估算表 PAGEREF _Toc108980731 h 114 HYPERLINK l _Toc108980732 利潤及利潤分配表 PAGEREF _Toc108980732 h 116 HYPERLINK l _Toc108980733 三、 項目盈利能力分析 PAGEREF _Toc108980733 h 116 HYPERLI

21、NK l _Toc108980734 項目投資現(xiàn)金流量表 PAGEREF _Toc108980734 h 118 HYPERLINK l _Toc108980735 四、 財務(wù)生存能力分析 PAGEREF _Toc108980735 h 119 HYPERLINK l _Toc108980736 五、 償債能力分析 PAGEREF _Toc108980736 h 119 HYPERLINK l _Toc108980737 借款還本付息計劃表 PAGEREF _Toc108980737 h 121 HYPERLINK l _Toc108980738 六、 經(jīng)濟評價結(jié)論 PAGEREF _Toc1

22、08980738 h 121 HYPERLINK l _Toc108980739 第十七章 風(fēng)險評估分析 PAGEREF _Toc108980739 h 122 HYPERLINK l _Toc108980740 一、 項目風(fēng)險分析 PAGEREF _Toc108980740 h 122 HYPERLINK l _Toc108980741 二、 項目風(fēng)險對策 PAGEREF _Toc108980741 h 124 HYPERLINK l _Toc108980742 第十八章 總結(jié)說明 PAGEREF _Toc108980742 h 126 HYPERLINK l _Toc108980743 第

23、十九章 附表 PAGEREF _Toc108980743 h 128 HYPERLINK l _Toc108980744 主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表 PAGEREF _Toc108980744 h 128 HYPERLINK l _Toc108980745 建設(shè)投資估算表 PAGEREF _Toc108980745 h 129 HYPERLINK l _Toc108980746 建設(shè)期利息估算表 PAGEREF _Toc108980746 h 130 HYPERLINK l _Toc108980747 固定資產(chǎn)投資估算表 PAGEREF _Toc108980747 h 131 HYPERLINK l

24、_Toc108980748 流動資金估算表 PAGEREF _Toc108980748 h 131 HYPERLINK l _Toc108980749 總投資及構(gòu)成一覽表 PAGEREF _Toc108980749 h 132 HYPERLINK l _Toc108980750 項目投資計劃與資金籌措一覽表 PAGEREF _Toc108980750 h 133 HYPERLINK l _Toc108980751 營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表 PAGEREF _Toc108980751 h 134 HYPERLINK l _Toc108980752 綜合總成本費用估算表 PAGEREF

25、_Toc108980752 h 135 HYPERLINK l _Toc108980753 固定資產(chǎn)折舊費估算表 PAGEREF _Toc108980753 h 136 HYPERLINK l _Toc108980754 無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表 PAGEREF _Toc108980754 h 136 HYPERLINK l _Toc108980755 利潤及利潤分配表 PAGEREF _Toc108980755 h 137 HYPERLINK l _Toc108980756 項目投資現(xiàn)金流量表 PAGEREF _Toc108980756 h 138 HYPERLINK l _Toc108

26、980757 借款還本付息計劃表 PAGEREF _Toc108980757 h 139 HYPERLINK l _Toc108980758 建筑工程投資一覽表 PAGEREF _Toc108980758 h 140 HYPERLINK l _Toc108980759 項目實施進(jìn)度計劃一覽表 PAGEREF _Toc108980759 h 141 HYPERLINK l _Toc108980760 主要設(shè)備購置一覽表 PAGEREF _Toc108980760 h 141 HYPERLINK l _Toc108980761 能耗分析一覽表 PAGEREF _Toc108980761 h 142

27、報告說明刻蝕設(shè)備處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計、制造和封測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導(dǎo)體芯片設(shè)計環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資5983.91萬元，其中：建設(shè)投資4830.68萬元，占項目總投資的80.73%；建設(shè)期利息103.77萬元，占項目總投資的1.73%；流動資金1049.46萬元，占項目總投資的17.54%。項目正常運營每年營業(yè)收入10800.00萬元，綜合總成本費用8669.10萬元，凈利潤1558.39萬元

28、，財務(wù)內(nèi)部收益率19.50%，財務(wù)凈現(xiàn)值1209.59萬元，全部投資回收期6.06年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。經(jīng)初步分析評價，項目不僅有顯著的經(jīng)濟效益，而且其社會救益、生態(tài)效益非常顯著，項目的建設(shè)對提高農(nóng)民收入、維護社會穩(wěn)定，構(gòu)建和諧社會、促進(jìn)區(qū)域經(jīng)濟快速發(fā)展具有十分重要的作用。項目在社會經(jīng)濟、自然條件及投資等方面建設(shè)條件較好，項目的實施不但是可行而且是十分必要的。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項目進(jìn)行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。行業(yè)發(fā)展分析高密度等離子體刻蝕在先進(jìn)的集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵

29、層最主要的刻蝕方法是單片處理的高密度等離子體刻蝕技術(shù)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，等離子體刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕（CCP）、電感性等離子體刻蝕(ICP)、電子回旋加速震蕩（ECR）和雙等離子體源。電子回旋加速震蕩（ECR）反應(yīng)器是最早商用化的高密度等離子體反應(yīng)器之一，它是1984年前后日本日立公司最早研究的，第一次使用是在20世紀(jì)80年代初。它在現(xiàn)代硅片制造中仍然用于0.25微米及以下尺寸圖形的刻蝕。ECR反應(yīng)器的一個關(guān)鍵是磁場平行于反應(yīng)劑的流動方向，這使自由電子由于磁力作用做螺旋形運動。增加了電子碰撞的可能性，從而產(chǎn)生高密度的等離子體。優(yōu)點在于能產(chǎn)生高的各向異性刻蝕圖形，缺點是設(shè)備復(fù)

30、雜度較高。耦合等離子體刻蝕機包括電容耦合（CCP）與電感耦合（ICP），相比ECR結(jié)構(gòu)簡單且成本低。電容耦合等離子體刻蝕機（CCP）通過電容產(chǎn)生等離子體，而電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）通過螺旋線圈產(chǎn)生等離子體。硅片基底為加裝有低功率射頻偏置發(fā)生器的電源電極，用來控制轟擊硅片表面離子的能量，從而使得整個裝置能夠分離控制離子的能量與濃度。電容性等離子體刻蝕（CCP）主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕（ICP）主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。雙等離子體源刻蝕機主要由源功率

31、單元、上腔體、下腔體和可移動電極四部分組成。這一系統(tǒng)中用到了兩個RF功率源。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度，但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結(jié)構(gòu)能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度，從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。干法刻蝕是芯片制造的主流技術(shù)刻蝕設(shè)備處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游由為設(shè)計、制造和封測環(huán)節(jié)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件設(shè)備、原材料等生產(chǎn)資料的核心產(chǎn)業(yè)組成。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的中游可以分為半導(dǎo)體芯片設(shè)計環(huán)節(jié)、制造環(huán)節(jié)和封裝測試環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導(dǎo)體終端產(chǎn)品以及其衍生的應(yīng)用、系統(tǒng)等

32、。刻蝕的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確的復(fù)制掩模圖形?？涛g是指使用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，并保證有圖形的光刻膠在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕。常用來代表刻蝕效率的參數(shù)主要有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差和選擇比等?？涛g速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度；刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀，通常分為各向同性和各向異性剖面；刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化，通常由橫向鉆蝕引起；選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比，高選擇比意味著不需要的材料會被刻除?？涛g技術(shù)按工藝分類可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，其中干法刻蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法，濕法刻蝕主

33、要包括化學(xué)刻蝕和電解刻蝕。由于在濕法刻蝕技術(shù)中使用液體試劑，相對于干法刻蝕，容易導(dǎo)致邊側(cè)形成斜坡、要求沖洗或干燥等步驟。因此干法刻蝕被普遍應(yīng)用于先進(jìn)制程的小特征尺寸精細(xì)刻蝕中，并在刻蝕率、微粒損傷等方面具有較大的優(yōu)勢。目前先進(jìn)的集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層最主要的刻蝕方法是單片處理的高密度等離子體刻蝕技術(shù)。一個等離子體刻蝕機的基本部件包括發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、產(chǎn)生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除生成物的真空系統(tǒng)?？涛g中會用到大量的化學(xué)氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅，氯和氟刻蝕鋁，氯、氟和溴刻蝕硅，氧去除光刻膠。離子束刻蝕離子束刻蝕（IBE）是具有較強方向性等離子體的一種物理刻蝕機理

34、。他能對小尺寸圖型產(chǎn)生各向異性刻蝕，等離子體通常是由電感耦合RF源或微波源產(chǎn)生的。熱燈絲發(fā)射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進(jìn)入等離子體腔內(nèi)。電磁場環(huán)繞等離子體腔，磁場使電子在圓形軌道上運動，這種循環(huán)運動是的電子與氬原子產(chǎn)生多次碰撞，從而產(chǎn)生大量的正氬離子，正氬離子被從帶格柵電極的等離子體源中引出并用一套校準(zhǔn)的電極來形成高密度束流。離子束刻蝕主要用于金、鉑、銅等較難刻蝕的材料。優(yōu)勢在于硅片可以傾斜以獲取不同的側(cè)壁形狀。但也面臨低選擇比和低刻蝕速率的問題。項目概述項目名稱及投資人（一）項目名稱南寧刻蝕設(shè)備項目（二）項目投資人xx有限責(zé)任公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xxx。編制原則本項目從節(jié)

35、約資源、保護環(huán)境的角度出發(fā)，遵循創(chuàng)新、先進(jìn)、可靠、實用、效益的指導(dǎo)方針。保證本項目技術(shù)先進(jìn)、質(zhì)量優(yōu)良、保證進(jìn)度、節(jié)省投資、提高效益，充分利用成熟、先進(jìn)經(jīng)驗，實現(xiàn)降低成本、提高經(jīng)濟效益的目標(biāo)。1、力求全面、客觀地反映實際情況，采用先進(jìn)適用的技術(shù)，以經(jīng)濟效益為中心，節(jié)約資源，提高資源利用率，做好節(jié)能減排，在采用先進(jìn)適用技術(shù)的同時，做好投資費用的控制。2、根據(jù)市場和所在地區(qū)的實際情況，合理制定產(chǎn)品方案及工藝路線，設(shè)計上充分體現(xiàn)設(shè)備的技術(shù)先進(jìn)，操作安全穩(wěn)妥，投資經(jīng)濟適度的原則。3、認(rèn)真貫徹國家產(chǎn)業(yè)政策和企業(yè)節(jié)能設(shè)計規(guī)范，努力做到合理利用能源和節(jié)約能源。采用先進(jìn)工藝和高效設(shè)備，加強計量管理，提高裝置自動

36、化控制水平。4、根據(jù)擬建區(qū)域的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運輸?shù)葪l件及安全，保護環(huán)境、節(jié)約用地原則進(jìn)行布置；同時遵循國家安全、消防等有關(guān)規(guī)范。5、在環(huán)境保護、安全生產(chǎn)及消防等方面，本著“三同時”原則，設(shè)計上充分考慮裝置在上述各方面投資，使得環(huán)境保護、安全生產(chǎn)及消防貫穿工程的全過程。做到以新代勞，統(tǒng)一治理，安全生產(chǎn)，文明管理。編制依據(jù)1、國家經(jīng)濟和社會發(fā)展的長期規(guī)劃，部門與地區(qū)規(guī)劃，經(jīng)濟建設(shè)的指導(dǎo)方針、任務(wù)、產(chǎn)業(yè)政策、投資政策和技術(shù)經(jīng)濟政策以及國家和地方法規(guī)等；2、經(jīng)過批準(zhǔn)的項目建議書和在項目建議書批準(zhǔn)后簽訂的意向性協(xié)議等；3、當(dāng)?shù)氐臄M建廠址的自然、經(jīng)濟、社會等基礎(chǔ)資料；4、有關(guān)國家、地區(qū)和

37、行業(yè)的工程技術(shù)、經(jīng)濟方面的法令、法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)定額資料等；5、由國家頒布的建設(shè)項目可行性研究及經(jīng)濟評價的有關(guān)規(guī)定；6、相關(guān)市場調(diào)研報告等。編制范圍及內(nèi)容1、項目背景及市場預(yù)測分析；2、建設(shè)規(guī)模的確定；3、建設(shè)場地及建設(shè)條件；4、工程設(shè)計方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護、勞動安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機構(gòu)與人力資源配置；8、項目招標(biāo)方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務(wù)分析。項目建設(shè)背景隨著當(dāng)前先進(jìn)芯片關(guān)鍵尺寸的不斷減小以及FinFET與3DD等三維結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，不同尺寸的結(jié)構(gòu)在刻蝕中的速率差異將影響刻蝕速率，對于高深寬比的圖形窗口來說，化學(xué)刻蝕劑難以進(jìn)入，反應(yīng)生成物難以排出。另外，薄膜堆棧一般由多層材

38、料組成，不同材料的刻蝕速率不同，很多刻蝕工藝都要求具有極高的選擇比。第三個問題在于當(dāng)達(dá)到期望深度之后，等離子體中的高能離子可能會導(dǎo)致硅片表面粗糙或底層材料損傷。結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xxx，占地面積約14.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后，可形成年產(chǎn)xx套刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進(jìn)度本期項目建設(shè)期限規(guī)劃24個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資5983.91萬元，其中：建設(shè)投資4830.68萬元，占項目總投資的80.73%；建設(shè)期利息103.77萬元，占項目總投資的1.73%；流動資金1049.

39、46萬元，占項目總投資的17.54%。（五）資金籌措項目總投資5983.91萬元，根據(jù)資金籌措方案，xx有限責(zé)任公司計劃自籌資金（資本金）3866.06萬元。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算，本期工程項目申請銀行借款總額2117.85萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：10800.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：8669.10萬元。3、項目達(dá)產(chǎn)年凈利潤（NP）：1558.39萬元。4、財務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：19.50%。5、全部投資回收期（Pt）：6.06年（含建設(shè)期24個月）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：3872.02萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益由上可見，無論是從產(chǎn)品還

40、是市場來看，本項目設(shè)備較先進(jìn)，其產(chǎn)品技術(shù)含量較高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強，具有良好的社會效益及一定的抗風(fēng)險能力，因而項目是可行的。本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術(shù)指標(biāo)主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積9333.00約14.00畝1.1總建筑面積16354.161.2基底面積5319.811.3投資強度萬元/畝326.912總投資萬元5983.912.1建設(shè)投資萬元4830.682.

41、1.1工程費用萬元4078.792.1.2其他費用萬元620.332.1.3預(yù)備費萬元131.562.2建設(shè)期利息萬元103.772.3流動資金萬元1049.463資金籌措萬元5983.913.1自籌資金萬元3866.063.2銀行貸款萬元2117.854營業(yè)收入萬元10800.00正常運營年份5總成本費用萬元8669.106利潤總額萬元2077.867凈利潤萬元1558.398所得稅萬元519.479增值稅萬元442.0610稅金及附加萬元53.0411納稅總額萬元1014.5712工業(yè)增加值萬元3498.5413盈虧平衡點萬元3872.02產(chǎn)值14回收期年6.0615內(nèi)部收益率19.50%

42、所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元1209.59所得稅后項目建設(shè)背景及必要性分析反應(yīng)離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕（RIE）是一種采用化學(xué)反應(yīng)和物理離子轟擊去除硅片表面材料的技術(shù)，是當(dāng)前常用技術(shù)路徑，屬于物理和化學(xué)混合刻蝕。在傳統(tǒng)的反應(yīng)離子刻蝕機中，進(jìn)入反應(yīng)室的氣體會被分解電離為等離子體，等離子體由反應(yīng)正離子、自由基、反應(yīng)原子等組成。反應(yīng)正離子會轟擊硅片表面形成物理刻蝕，同時被轟擊的硅片表面化學(xué)活性被提高，之后硅片會與自由基和反應(yīng)原子形成化學(xué)刻蝕。這個過程中由于離子轟擊帶有方向性，RIE技術(shù)具有較好的各向異性。原子層刻蝕為未來技術(shù)發(fā)展方向隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14nm-10nm階段向7nm、5nm甚至更小的方

43、向發(fā)展，當(dāng)前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進(jìn)一步提升。制程升級背景下，刻蝕次數(shù)顯著增加。隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，受光波長限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加以及刻蝕設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中價值比率不斷上升，其中20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。以硅片上的原子層刻蝕為例，首先，氯氣被導(dǎo)入刻蝕腔，氯氣分子吸附于硅材料的表面，形成一個氯化層。這一步改

44、性步驟具有自限制性：表面一旦飽和，反應(yīng)立即停止。緊接著清楚刻蝕腔中過量的氯氣，并引入氬離子。使這些離子轟擊硅片，物理性去除硅-氯反應(yīng)后產(chǎn)生的氯化層，進(jìn)而留下下層未經(jīng)改性的硅表面。這種去除過程仍然依靠自限制性，在氯化層被全部去除后，過程中止。以上兩個步驟完成后，一層極薄的材料就能被精準(zhǔn)的從硅片上去除。半導(dǎo)體設(shè)備市場快速發(fā)展，刻蝕設(shè)備價值量可觀半導(dǎo)體設(shè)備市場快速發(fā)展，2022有望再創(chuàng)新高。隨著2013年以來全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模也實現(xiàn)快速增長。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2013年到2020年間，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額由320億美元提升至712億美元，年復(fù)合增速達(dá)到12.10%。20

45、21年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模突破1000億美元，達(dá)到歷史新高的1026億美元，同比大增44。根據(jù)SEMI預(yù)測，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場有望再創(chuàng)新高，達(dá)到1140億美元。目前全球半導(dǎo)體設(shè)備的市場主要由國外廠商高度壟斷。根據(jù)芯智訊發(fā)布的基于各公司財報統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，在未剔除FPD設(shè)備及相關(guān)服務(wù)收入、以2021年度中間匯率為基準(zhǔn)進(jìn)行計算，2021年全球前十五大半導(dǎo)體設(shè)備廠商中僅有一家ASMPacificTechnology來自中國香港，2021年銷售額為17.39億美元，位列榜單第14位。整體來看目前全球半導(dǎo)體設(shè)備市場主要被外國市場壟斷?？涛g設(shè)備投資占比不斷，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。先進(jìn)集成電路

46、大規(guī)模生產(chǎn)線的投資可達(dá)100億美元，75%以上是半導(dǎo)體設(shè)備投資，其中最關(guān)鍵、最大宗的設(shè)備是等離子體刻蝕設(shè)備。根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年晶圓加工設(shè)備價值構(gòu)成中，刻蝕、光刻、CVD設(shè)備占比分別為22.14%、21.30%、16.48%，刻蝕設(shè)備成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一大設(shè)備。過去50年中，人類微觀加工能力不斷提升，從電子管計算機到現(xiàn)在的14納米、7納米器件，微觀器件的基本單元面積縮小了一萬億倍。由于光的波長限制，20納米以下微觀結(jié)構(gòu)的加工更多使用等離子體刻蝕和薄膜沉積的組合。集成電路芯片的制造工藝需要成百上千個步驟，其中等離子體刻蝕就需要幾十到上百個步驟，是在制造過程中使用次數(shù)頻多、加工過程非常

47、復(fù)雜的重要加工技術(shù)。泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備半壁江山光刻機和刻蝕機作為產(chǎn)業(yè)的核心裝備，占據(jù)了半導(dǎo)體設(shè)備投資中較大的份額。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步中器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導(dǎo)體利用其較低的設(shè)備成本和相對簡單的設(shè)計，逐漸在65nm、45nm設(shè)備市場超過TEL等企業(yè)，占據(jù)了全球大半個市場，成為行業(yè)龍頭。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，目前全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的龍頭企業(yè)仍然為泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家，從市占率情況來看，2020年三家企業(yè)的合計市場份額占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上，其中泛林半導(dǎo)體獨占44.7%的市場份額。全球龍頭持續(xù)投入，加強研發(fā)、外圍并購維持競爭力。應(yīng)用

48、材料于2018年6月宣布成立材料工程技術(shù)推動中心（META中心），主要目標(biāo)是加快客戶獲得新的芯片制造材料和工藝技術(shù)，從而在半導(dǎo)體性能、成本方面實現(xiàn)突破。泛林半導(dǎo)體依靠自身巨大的研發(fā)投入和強大的研發(fā)團隊，自主研發(fā)核心技術(shù)，走在半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)前沿，開創(chuàng)多個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，如其KIYO系列創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)力、選擇比等多項記錄，其ALTUSMaxE系列采用業(yè)界首款低氟鎢ALD工藝，被視作鎢原子層沉積的行業(yè)標(biāo)桿。除此之外，泛林半導(dǎo)體首創(chuàng)ALE技術(shù)，實現(xiàn)了原子層級別的可變控制性和業(yè)內(nèi)最高選擇比。等離子體刻蝕面臨的問題隨著當(dāng)前先進(jìn)芯片關(guān)鍵尺寸的不斷減小以及FinFET與3DD等三維結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，不同尺寸的結(jié)構(gòu)在

49、刻蝕中的速率差異將影響刻蝕速率，對于高深寬比的圖形窗口來說，化學(xué)刻蝕劑難以進(jìn)入，反應(yīng)生成物難以排出。另外，薄膜堆棧一般由多層材料組成，不同材料的刻蝕速率不同，很多刻蝕工藝都要求具有極高的選擇比。第三個問題在于當(dāng)達(dá)到期望深度之后，等離子體中的高能離子可能會導(dǎo)致硅片表面粗糙或底層材料損傷。干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比。在這種情況下，一個等離子體刻蝕機應(yīng)裝上一個終點檢測系統(tǒng)，使得在造成最小的過刻蝕時停止刻蝕過程。當(dāng)下一層材料正好露出來時，重點檢測器會觸發(fā)刻蝕機控制器而停止刻蝕。打造區(qū)域性高技術(shù)產(chǎn)業(yè)和先進(jìn)制造業(yè)基地深入實施工業(yè)強市戰(zhàn)略，把制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展放到更加突出位置，聚焦優(yōu)勢

50、重點產(chǎn)業(yè)補鏈強鏈延鏈，鍛長板補短板，提升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈現(xiàn)代化水平，提高制造業(yè)比重，鞏固壯大實體經(jīng)濟根基。加快發(fā)展壯大電子信息、先進(jìn)裝備制造、生物醫(yī)藥等重點產(chǎn)業(yè)集群，推動產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)再造和全產(chǎn)業(yè)鏈提升，提高產(chǎn)業(yè)競爭力。推動鋁、食品、化工、建材、林木加工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向高端化、精細(xì)化、綠色化發(fā)展，發(fā)展服務(wù)型制造。打造東盟南寧珠三角供應(yīng)鏈，建設(shè)承接?xùn)|部、銜接?xùn)|盟的電子信息產(chǎn)業(yè)核心部件制造基地、重要的電子信息產(chǎn)業(yè)核心部件研發(fā)、制造和供應(yīng)基地。構(gòu)建新能源汽車、工程機械裝備、節(jié)能環(huán)保裝備和軌道交通裝備等產(chǎn)業(yè)鏈。加快壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，支持新興制造業(yè)產(chǎn)業(yè)集群集聚發(fā)展，重點推動智能制造關(guān)鍵技術(shù)裝備、重大成套裝備、工業(yè)機

51、器人、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等智能制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加快建設(shè)南寧智能制造城。立足特色優(yōu)勢，促進(jìn)平臺經(jīng)濟、綠色經(jīng)濟、樞紐經(jīng)濟、共享經(jīng)濟健康發(fā)展。聚焦“三大三新”、“雙百雙新”重點領(lǐng)域，高水平高質(zhì)量招商引資，積極承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，著力引進(jìn)“央企”、“灣企”、“民企”等領(lǐng)軍龍頭企業(yè)，努力形成新的增長點。項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)，補充流動資金將提高公司應(yīng)對短期流動性壓力的能力，降低公司財務(wù)費用水平，提升公司盈利能力，促進(jìn)公司的進(jìn)一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務(wù)商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。建筑工程技術(shù)方案項目

52、工程設(shè)計總體要求（一）建筑工程采用的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)1、建筑設(shè)計防火規(guī)范2、建筑抗震設(shè)計規(guī)范3、建筑抗震設(shè)防分類標(biāo)準(zhǔn)4、工業(yè)建筑防腐蝕設(shè)計規(guī)范5、工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計規(guī)范6、建筑內(nèi)部裝修設(shè)計防火規(guī)范7、建筑地面設(shè)計規(guī)范8、廠房建筑模數(shù)協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)9、鋼結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范（二）建筑防火防爆規(guī)范本項目在建筑防火設(shè)計中從防止火災(zāi)發(fā)生和安全疏散兩方面考慮。一是防火。所有建筑均采用一、二級耐火等級，室內(nèi)裝修均采用不燃或難燃材料，使火災(zāi)不易發(fā)生，即使發(fā)生也不易迅速蔓延，同時建筑內(nèi)均設(shè)置了消火栓。防火分區(qū)面積滿足建筑設(shè)計防火規(guī)范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物間距、道路寬度等均應(yīng)滿足防火疏散的要求，便于人員疏散。建筑物

53、的平面布置、空間尺寸、結(jié)構(gòu)選型及構(gòu)造處理根據(jù)工藝生產(chǎn)特征、操作條件、設(shè)備安裝、維修、安全等要求，進(jìn)行防火、防爆、抗震、防噪聲、防塵、保溫節(jié)能、隔熱等的設(shè)計。滿足當(dāng)?shù)匾?guī)劃部門的要求，并執(zhí)行工程所在地區(qū)的建筑標(biāo)準(zhǔn)。（三）主要車間建筑設(shè)計在滿足生產(chǎn)使用要求的前提下，本著“實用、經(jīng)濟”條件下注意美觀的原則，確定合理的建筑結(jié)構(gòu)方案，立面造型簡潔大方、統(tǒng)一協(xié)調(diào)。認(rèn)真貫徹執(zhí)行“適用、安全、經(jīng)濟”方針。因地制宜，精心設(shè)計，力求作到技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟合理、節(jié)約建設(shè)資金和勞動力，同時，采用節(jié)能環(huán)保的新結(jié)構(gòu)、新材料和新技術(shù)。（四）本項目采用的結(jié)構(gòu)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)1、建筑抗震設(shè)計規(guī)范2、構(gòu)筑物抗震設(shè)計規(guī)范3、建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計規(guī)范

54、4、混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范5、鋼結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范6、砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范7、建筑地基處理技術(shù)規(guī)范8、設(shè)置鋼筋混凝土構(gòu)造柱多層磚房抗震技術(shù)規(guī)程9、鋼結(jié)構(gòu)高強度螺栓連接的設(shè)計、施工及驗收規(guī)程（五）結(jié)構(gòu)選型1、該項目擬選項目選址所在地區(qū)基本地震烈度為7度。根據(jù)現(xiàn)行建筑抗震設(shè)計規(guī)范的規(guī)定，本項目按當(dāng)?shù)鼗镜卣鹆叶葓?zhí)行9度抗震設(shè)防。2、根據(jù)項目建設(shè)的自身特點及項目建設(shè)地規(guī)劃建設(shè)管理部門對該區(qū)域建筑結(jié)構(gòu)的要求，確定本項目生產(chǎn)車間采用鋼結(jié)構(gòu)，采用柱下獨立基礎(chǔ)。3、建筑結(jié)構(gòu)的設(shè)計使用年限為50年，安全等級為二級。建設(shè)方案1、本項目建構(gòu)筑物完全按照現(xiàn)代化企業(yè)建設(shè)要求進(jìn)行設(shè)計，采用輕鋼結(jié)構(gòu)、框架結(jié)構(gòu)建設(shè)，并按建筑抗震設(shè)計規(guī)范

55、（GB500112010）的規(guī)定及當(dāng)?shù)赜嘘P(guān)文件采取必要的抗震措施。整個廠房設(shè)計充分利用自然環(huán)境，強調(diào)豐富的空間關(guān)系，力求設(shè)計新穎、優(yōu)美舒適。主要建筑物的圍護結(jié)構(gòu)及屋面，符合建筑節(jié)能和防滲漏的要求；車間廠房設(shè)有天窗進(jìn)行采光和自然通風(fēng)，應(yīng)選用氣密性和防水性良好的產(chǎn)品。.2、生產(chǎn)車間的建筑采用輕鋼框架結(jié)構(gòu)。在符合國家現(xiàn)行有關(guān)規(guī)范的前提下，做到結(jié)構(gòu)整體性能好，有利于抗震防腐，并節(jié)省投資，施工方便。在設(shè)計上充分考慮了通風(fēng)設(shè)計，避免火災(zāi)、爆炸的危險性。.3、建筑內(nèi)部裝修設(shè)計防火規(guī)范，耐火等級為二級；屋面防水等級為三級，按照屋面工程技術(shù)規(guī)范要求施工。.4、根據(jù)地質(zhì)條件及生產(chǎn)要求，對本裝置土建結(jié)構(gòu)設(shè)計初步定為

56、：生產(chǎn)車間采用鋼筋混凝土獨立基礎(chǔ)。.5、根據(jù)項目的自身情況及當(dāng)?shù)匾?guī)劃建設(shè)管理部門對該區(qū)域建筑結(jié)構(gòu)的要求，確定本項目生產(chǎn)生間擬采用全鋼結(jié)構(gòu)。.6、本項目的抗震設(shè)防烈度為6度，設(shè)計基本地震加速度值為 0.05g，建筑抗震設(shè)防類別為丙類，抗震等級為三級。.7、建筑結(jié)構(gòu)的設(shè)計使用年限為50年，安全等級為二級。建筑工程建設(shè)指標(biāo)本期項目建筑面積16354.16，其中：生產(chǎn)工程10843.89，倉儲工程3347.75，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施1382.11，公共工程780.41。建筑工程投資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程2979.0910843.891396.701.11

57、#生產(chǎn)車間893.733253.17419.011.22#生產(chǎn)車間744.772710.97349.181.33#生產(chǎn)車間714.982602.53335.211.44#生產(chǎn)車間625.612277.22293.312倉儲工程1542.743347.75369.342.11#倉庫462.821004.32110.802.22#倉庫385.69836.9492.332.33#倉庫370.26803.4688.642.44#倉庫323.98703.0377.563辦公生活配套303.761382.11208.983.1行政辦公樓197.44898.37135.843.2宿舍及食堂106.32483

58、.7473.144公共工程478.78780.4170.99輔助用房等5綠化工程1338.3524.21綠化率14.34%6其他工程2674.849.597合計9333.0016354.162079.81項目選址方案項目選址原則1、符合國家地區(qū)城市規(guī)劃要求；2、滿足項目對：原材料、能源、水和人力的供應(yīng)；3、節(jié)約和效力原則；安全的原則；4、實事求是的原則；5、節(jié)約用地；6、注意環(huán)保（以人為本，減少對生態(tài)環(huán)境影響）。建設(shè)區(qū)基本情況南寧，簡稱“邕”，別稱綠城、邕城，是廣西壯族自治區(qū)轄地級市、首府、北部灣城市群核心城市，批復(fù)確定的中國北部灣經(jīng)濟區(qū)中心城市、西南地區(qū)連接出海通道的綜合交通樞紐。全市總面積

59、2.21萬平方千米。截至2020年11月，全市下轄7個區(qū)、4個縣、代管1個縣級市。根據(jù)第七次人口普查數(shù)據(jù)，截至2020年11月1日零時，南寧市常住人口為874.1584萬人。南寧地處中國華南地區(qū)、廣西南部，中國華南、西南和東南亞經(jīng)濟圈的結(jié)合部，是泛北部灣經(jīng)濟合作、大湄公河次區(qū)域合作、泛珠三角合作等多區(qū)域合作的交匯點，也是中國東盟博覽會永久舉辦地、國家“一帶一路”有機銜接的重要門戶城市，南部戰(zhàn)區(qū)陸軍機關(guān)駐地。南寧是一座歷史悠久的文化古城，同時也是一個以壯族為主的多民族和睦相處的現(xiàn)代化城市。2017年1月，發(fā)布北部灣城市群發(fā)展規(guī)劃，將南寧定位為面向東盟的核心城市，支持建成特大城市和邊境國際城市；2

60、018年11月入選中國城市全面小康指數(shù)前100名6；2018年重新確認(rèn)國家衛(wèi)生城市（區(qū)）。2023年，第三屆全國青年運動會將在廣西舉行，廣西計劃采取以南寧市為主，其他城市輔助的辦賽模式舉辦青運會。2021年5月，廣西壯族自治區(qū)國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)南寧都市圈，提升南寧核心城市綜合功能，“十四五”時期，廣西將促進(jìn)形成以南寧市為核心，柳州、桂林市為副中心。展望二三五年，強首府戰(zhàn)略各項目標(biāo)任務(wù)全面完成，面向東盟開放合作的區(qū)域性國際大都市、“一帶一路”有機銜接的重要門戶樞紐城市、北部灣城市群與粵港澳大灣區(qū)融合發(fā)展的核心城市、具有濃郁壯鄉(xiāng)特色和亞熱帶風(fēng)情的生