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1、工科平臺晶體位錯1位錯是晶體中局部滑移區(qū)域的邊界線，即是晶體中的一種線缺陷；它是決定金屬等晶體力學性質(zhì)的基本因素，也對晶體的其他許多性質(zhì)（包括晶體生長）有著嚴重的影響。2晶體位錯刃位錯(棱位錯)螺旋位錯34刃位錯的位移5螺旋位錯的位移6半導(dǎo)體中位錯可起一定的施主和受主作用位錯可使能帶發(fā)生變化位錯是散射載流子的中心位錯起復(fù)合中心作用位錯將促進雜質(zhì)的沉積Not Good！7根據(jù)華北光電技術(shù)研究所的一個實驗0 1/(2/Rh-1) (0為有效熱應(yīng)力，R為晶體半徑，h為熱交換系數(shù)) (有效熱應(yīng)力引起晶體位錯) (隨著晶體半徑的加大 , 晶體內(nèi)熱應(yīng)力增大 , 晶體位錯增多)8得出圖像當由環(huán)境冷卻晶體變?yōu)?/p>

2、環(huán)境加熱晶體時，熱應(yīng)力遞減。環(huán)境溫度應(yīng)盡可能高于晶體溫度How9保溫罩！10實驗結(jié)果顯示，加上保溫罩后銻化銦晶體位錯密度明顯降低！Success11與超導(dǎo)的聯(lián)系目前位錯理論不僅僅局限于塑性變形等問題,在滯彈性、斷裂、相變、晶體的電磁性能、晶體的光學性質(zhì)以及超導(dǎo)體等領(lǐng)域位錯理論也愈來愈重要。透射電子顯微鏡(TEM)觀察表明沿C方向的位錯缺陷會影響超導(dǎo)性能。該研究結(jié)果可能從結(jié)構(gòu)的觀點提供FEP體系超導(dǎo)體的新解釋。報道在YBa2Cu3Ox單晶(100) / (010) 晶面上觀察到螺旋狀生長丘, 該晶面上螺旋位錯密度達105個/cm2, 低于YBa2Cu3Ox（001）面上的位錯密度(約109個/ cm2）,討論了與螺旋生長機

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