微波集成電路學(xué)習(xí)2：微波平面?zhèn)鬏斁€課件

1、第二章 微波平面?zhèn)鬏斁€目錄2.1 引言2.2 微帶線2.3帶狀線2.4懸置微帶和倒置微帶2.5槽線和共面波導(dǎo)2.6鰭線2.7其他平面?zhèn)鬏斁€微波常用傳輸線矩形波導(dǎo)圓波導(dǎo)平行雙線同軸線微帶線2.1 引言2.1 引言平面?zhèn)鬏斁€微帶線帶狀線懸置微帶和倒置微帶槽線與共面波導(dǎo)相速和波長(zhǎng)特性阻抗衰減常數(shù)功率容量設(shè)計(jì)原則微波平面?zhèn)鬏斁€通常由介質(zhì)基片、介質(zhì)基片上的導(dǎo)帶與金屬接地層組成，制備工藝包括厚膜工藝和薄膜工藝。2.1 引言對(duì)基片材料的要求:（1）較高的介電常數(shù)，使電路小型化(針對(duì)微波頻率)；（2）低損耗；（3）介電常數(shù) 穩(wěn)定；（4）純度高，性能一致性好；（5）表面光潔度高，金屬附著力好；（6）擊穿強(qiáng)度高,

2、 導(dǎo)熱性好(針對(duì)大功率)。2.1 引言材料名稱表面粗糙度（um）10GHz時(shí)的損耗正切（10-4）介電常數(shù)導(dǎo)熱率（W/cm）應(yīng)用與特點(diǎn)FR4環(huán)氧玻纖布基板10152.52.8厘米波段MIC價(jià)格低，加工容易氧化鋁99%2152599.50.3厘米至毫米波段藍(lán)寶石0.51199.50.4毫米波MIC高介陶瓷1220800.010.05用于小尺寸電路聚四氟乙烯纖維加強(qiáng)板4302.24.0毫米波MIC石英0.10.513.80.01毫米波MIC，但易碎氧化鈹21016.62.5導(dǎo)熱好，用于功率器件硅110100121.5MMIC砷化鎵1612.90.46MMIC磷化銦140.68MMIC碳化硅103.

3、3MMIC2.1 引言2.1 引言性能：超常的層間結(jié)合；低吸水率；增強(qiáng)的尺寸穩(wěn)定性；低Z軸膨脹；頻率使用范圍穩(wěn)定的介電常數(shù)；增強(qiáng)的撓性強(qiáng)度。應(yīng)用：功率放大器；濾波器和連結(jié)器；無源元器件；天線。Rogers RT/duroid 5880高頻層壓板使用在:商用航空電話電路微帶線和帶狀線電路毫米波應(yīng)用軍用雷達(dá)系統(tǒng)導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)數(shù)字無線電天線2.1 引言2.1 引言有機(jī)物柔性基板：LCP、polyimide filmConsiderably cheaper than the Teflon-like dielectrics.Mechanical stability is a few times hi

4、gher than for a polyimide.Its CTE of 16 ppm/C is close to that of a copper conductor, resulting in low warpage after etch.High moisture and chemical resistance.Nearly constant dielectric permittivity and a low dielectric loss tangent (r = 3, tan = 0.004 at 35 GHz) up to 110 GHz.對(duì)于金屬材料的要求：（1）高的導(dǎo)電率；（2

5、）低的電阻溫度系數(shù)；（3）對(duì)基片的附著性能好;（4）好的刻蝕性和可焊接性;（5）易于淀積和電鍍。2.1 引言材料 表面電阻率(f單位:Hz)趨膚深度2GHz（m）熱膨脹系數(shù)（10-8/）與介質(zhì)附著力工藝方法銀（Ag）2.51.421差蒸發(fā)銅（Cu）2.61.518差電鍍/蒸發(fā)/淀積金（Au）3.01.715差電鍍/蒸發(fā)鋁（Al）3.31.926差蒸發(fā)鉻（Cr）4.72.79好蒸發(fā)鈀（pd）3.611中蒸發(fā)/電鍍/濺射鉭(Ta)7.24.06.6好濺射2.1 引言常用的是二至四層結(jié)構(gòu)，如鉻-金（Cr-Au）、鎳鉻-金（Ni Cr-Au）、鈦-鉑-金（Ti-Pt-Au）、鈦-鈀-金（Ti-Pd-A

6、u）、鈦-銅-金（Ti-Cu-Au）、鉻- -銅-鉻-金（Cr-Cu-Cr-Au）等。MIC主要工藝過程：2.1 引言基片處理研磨拋光鍍膜金屬層減薄版圖制作圖形放大照相制版光刻腐蝕甩膠曝光腐蝕接地/電鍍接地金屬化電鍍防護(hù)光刻薄膜工藝2.1 引言曝光（Exposure）a、接觸式曝光（Contact Printing） 1970年前，設(shè)備簡(jiǎn)單,污染嚴(yán)重，壽命低，分辨率 0.5m。b、接近式曝光（Proximity Printing） 1970年后，間距大約為1050m，引入衍射效應(yīng)，分辨率 24m。c、投影式曝光（Projection Printing） 使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光，提高了分辨率，掩

7、模板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影響減小。70年代末80年代初，掃描投影曝光， 1m工藝；掩模板比例1：1；80年代末90年代，步進(jìn)重復(fù)投影曝光， 0.35m0.25，比例4：190年代末至今，掃描步進(jìn)投影曝光， 0.18m工藝2.1 引言電子束刻蝕薄膜工藝2.1 引言薄膜與厚膜工藝產(chǎn)品之差異分析2.1 引言薄膜工藝厚膜工藝精度高，1%較低，10%鍍層材料材料穩(wěn)定度高易受漿料影響鍍層表面表面平整度高，誤差0.3m較差，誤差3m設(shè)備成本高成本低鍍層附著性無需高溫?zé)Y(jié)，不含氧化物、附著性好易受基板材質(zhì)影響電路對(duì)準(zhǔn)使用曝光顯影，對(duì)準(zhǔn)性高易受絲網(wǎng)張力及使用次數(shù)影響，對(duì)準(zhǔn)性較差2.2 微帶線微帶線目前

8、是混合微波集成電路（HMIC）和單片微波集成電路（MMIC）以及多芯片組件（MCM）使用最多的一種平面型傳輸線。微帶線結(jié)構(gòu)及內(nèi)部場(chǎng)結(jié)構(gòu)微帶線的優(yōu)缺點(diǎn)：與波導(dǎo)、同軸線等立體電路相比的主要優(yōu)點(diǎn)在于：（1）體積小、重量輕；（2）采用的半空間開放電路結(jié)構(gòu)，便于與固體器件進(jìn)行連接；（3）電路的可靠性和性能得到改善，同時(shí)制造成本低。但也存在以下問題有待解決：（1）傳輸線的損耗較大；（2）散熱較差、介質(zhì)基片在高電壓下容易擊穿問題。2.2 微帶線微帶線可以看成由平行雙線演變而來2.2.1 概要平行雙線到微帶線的演變過程微帶線發(fā)展歷史1952年， Grieg and Engelmann，首次發(fā)表關(guān)于帶狀線（st

9、ripline）的報(bào)道， “Microstrip-A New Transmission Technique for the Klilomegacycle Range” ，IRE proceeding1955年， ITT Ferearl Telecommunications Laboratories（New Jersey）, 報(bào)道了多篇關(guān)于微帶線的報(bào)道，IEEE transactions on Microwave Theory and Technique.1960年，薄基片厚度的微帶線流行。2.2.1 概要微帶線由介質(zhì)基片、介質(zhì)基片上的導(dǎo)帶與金屬接地層組成。2.2.1 概要微帶線構(gòu)成微帶線的特性

10、參數(shù)傳輸線電壓、電流波動(dòng)方程均勻傳輸線電壓、電流微分方程或電報(bào)方程2.2.2 微帶線特性分析 空氣微帶線特性阻抗：傳輸波的相速范圍 單位長(zhǎng)度分布電容范圍 特性阻抗范圍 TEM模無耗傳輸線的特性阻抗： 當(dāng)微帶線的周圍全部用相對(duì)介電常數(shù)為 的介質(zhì)填充時(shí)，其特性阻抗為2.2.2 微帶線特性分析相速為相波長(zhǎng)為 單位長(zhǎng)度分布電容為 特性阻抗為 式中q為填充因子，表示介質(zhì)填充的程度 2.2.2 微帶線特性分析微帶線的周圍為非均勻介質(zhì)填充時(shí)，引入相對(duì)等效介電常數(shù)微帶線的分析方法1952年時(shí)， Grieg and Engelmann采用分析方法基于平行雙線的準(zhǔn)靜態(tài)分析。20世紀(jì)60年代，保角變換、格林函數(shù)、有

11、限差分法等發(fā)展；1971年時(shí)，嚴(yán)格的場(chǎng)解方法已經(jīng)能夠計(jì)算色散特性。2.2.2 微帶線特性分析微帶線特性分析微帶線分析方法有兩種：（1）準(zhǔn)靜態(tài)法（2）全波分析法把微帶線的工作模式當(dāng)作TEM模來分析，這種分析方法稱為“準(zhǔn)靜態(tài)分析法” 。全波分析法是利用高等電磁理論，求滿足完整Maxwell方程式及邊界條件的電磁場(chǎng)之解。2.2.2 微帶線特性分析28準(zhǔn)靜態(tài)分析：步驟1 假設(shè)介質(zhì)不存在，金屬導(dǎo)體之外到處都是空氣，算出其每單位長(zhǎng)電容及電感分別為C0及L0，此時(shí): 特性阻抗為相位傳播常數(shù)為 2.2.2 微帶線特性分析29準(zhǔn)靜態(tài)分析：步驟2放入介質(zhì)，利用數(shù)值方法（如：保角變換、有限差分、積分方程和變分法）求

12、出其單位長(zhǎng)電容C，每單位長(zhǎng)電感仍為L(zhǎng)0，于是微帶線的特性阻抗與相位傳播常數(shù)分別為:2.2.2 微帶線特性分析兩種情況下，上述準(zhǔn)靜態(tài)法將不適用：介質(zhì)厚度和波長(zhǎng)相比擬；頻率較高時(shí)，例如毫米波頻段的高端。原因：存在高階模式！利用全波法求解，可獲得更為準(zhǔn)確的微帶線特性阻抗和有效介電常數(shù)。fre,Zc2.2.2 微帶線特性分析不論準(zhǔn)靜態(tài)分析或全波分析都很難找到簡(jiǎn)單的公式解，而必需利用數(shù)值方法，以電腦計(jì)算數(shù)值解。市面上有許多商用軟件可作微帶線的準(zhǔn)靜態(tài)分析及全波分析 。優(yōu)缺點(diǎn)：精度高、但計(jì)算效率太低，無法滿足工程需要。半經(jīng)驗(yàn)解析公式利用近似物理模型或純經(jīng)驗(yàn)表達(dá)式與測(cè)量結(jié)果，導(dǎo)出傳播常數(shù)與特性阻抗的公式；例：

13、Bahl 與Garg 的準(zhǔn)靜態(tài)公式(與實(shí)驗(yàn)結(jié)果結(jié)果相當(dāng)吻合)2.2.2 微帶線特性分析Bahl 與 Garg 準(zhǔn)靜態(tài)公式計(jì)算結(jié)果介質(zhì)基板厚度100mm，金屬帶條厚度3mm；相同的頻率、基板厚度、及金屬帶條厚度之下，微帶線的特性阻抗與傳播特性只與金屬帶條寬度有關(guān)；其他條件固定時(shí)，金屬帶條越寬，其特性阻抗越小，而相對(duì)介電常數(shù)越大；可輕易在同一塊電路板作出不同特性阻抗傳輸線。r,w,hre,Zc2.2.2 微帶線特性分析2.2.2 微帶線特性分析r=934色散(Dispersion) 色散：電磁波的傳播速度隨其頻率變化而變化的現(xiàn)象。微帶線不傳播TEM波全波分析顯示其有效相對(duì)介點(diǎn)常數(shù)（ re)和特性阻

14、抗都會(huì)隨頻率變化，稱為色散；有效相對(duì)介電常數(shù)re下相位傳播常數(shù)為：也有研究人員提出色散模型的半經(jīng)驗(yàn)公式例：Hammerstad與Jensen的特性阻抗公式 ；例：M.Kobayashi的有效相對(duì)介電常數(shù)公式；均不必記，可寫成函數(shù)，使用時(shí)調(diào)用就可 2.2.2 微帶線特性分析Hammerstad特性阻抗公式（誤差范圍0，則需要對(duì)前式中帶條寬度w以有效寬度we進(jìn)行修正，即： we=w+w。在介電常數(shù)2 r 6、w/h1.25和0.1t/w5h，側(cè)壁與微帶間距5w時(shí)，可以忽略。2.2.2 微帶線特性分析37色散效應(yīng)影響 特性阻抗和有效介電常數(shù)隨頻率變化很小，我們可以引用一經(jīng)驗(yàn)公式： 其中fd的單位為G

15、Hz，h的單位為cm。當(dāng)ffd時(shí)，色散效應(yīng)可以忽略。例 采用相對(duì)介電常數(shù)為2.2，厚度為0.254mm的介質(zhì)基片作為微帶線的襯底時(shí)，對(duì)于50歐姆阻抗線而言，色散效應(yīng)可以忽略的最高頻率是多少？2.2.2 微帶線特性分析2.2.2 微帶線特性分析微帶線中傳輸模式空氣介質(zhì)的微帶線存在無色散的TEM模。實(shí)際微帶線是制作在介質(zhì)基片上的，是TE模和TM模的混合模。微帶線中的傳輸模式類似于TEM模，故稱為準(zhǔn)TEM模。2.2.2 微帶線特性分析40微帶線無法傳播TEM波說明空氣與介質(zhì)的交界面上電場(chǎng)的切線方向分量連續(xù)，因此 下標(biāo)d和a分別表示交界面的介質(zhì)側(cè)及空氣側(cè)。2.2.2 微帶線特性分析41微帶線無法傳播T

16、EM波說明利用Maxwell 方程式可得在直角坐標(biāo)系展開，且利用交界面兩側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度法線方向分量連續(xù)的條件(假定介質(zhì)的r=1) 2.2.2 微帶線特性分析微帶線無法傳播TEM波說明由于 大于1，而且界面上的Hy不為零，它對(duì)z的變化也不為零，因此式右邊的項(xiàng)不會(huì)是零，依據(jù)上面的公式，其左方的項(xiàng)因此不能為零，所以Hz也就不可以是0。無法滿足TEM波Hz=0！ 2.2.2 微帶線特性分析TE10模截止波長(zhǎng)為 TM01模截止波長(zhǎng)為 波導(dǎo)模: 微帶線中的高次模：波導(dǎo)模和表面波模波導(dǎo)模是指在金屬導(dǎo)帶與接地板之間構(gòu)成有限寬度的平板波導(dǎo)中存在的TE、TM模。平板波導(dǎo)的最低TE模和TM模是TE10模、TM01模。2

17、.2.2 微帶線特性分析微帶線中的主模和高次模表面波模TE1模截止波長(zhǎng):表面波TM0模截止波長(zhǎng)：表面波模: 微帶線的單模工作條件:例：對(duì)于石英基片，相對(duì)介電常數(shù)為3.8，工作在100GHz時(shí)，要求最低表面模與準(zhǔn)TEM模之間耦合可以忽略下，石英基片的厚度不能超過多少？2.2.2 微帶線特性分析2.2.3微帶線的損耗微帶線的損耗主要分為三部分：（1）介質(zhì)損耗：當(dāng)電流通過介質(zhì)時(shí)，由于介質(zhì)分子交替著極化和晶格來回碰撞，而產(chǎn)生的損耗。（2）導(dǎo)體損耗：微帶線的導(dǎo)體帶條和接地板均具有有限的電導(dǎo)率，電流通過時(shí)必然引起損耗，是微帶線損耗的主要部分。（3）輻射損耗：由微帶線場(chǎng)結(jié)構(gòu)的半開放性所引起。為避免輻射，減小

18、損耗，并防止有其他電路的影響，一般的微帶電路均裝在金屬屏蔽盒中。2.2.3微帶線的損耗p為單位長(zhǎng)度傳輸線的功率損耗在電場(chǎng)作用下，能產(chǎn)生極化的一切物質(zhì)又被稱之為電介質(zhì)。如果將一塊電介質(zhì)放入一平行電場(chǎng)中，則可發(fā)現(xiàn)在介質(zhì)表面感應(yīng)出了電荷，即正極板附近的電介質(zhì)感應(yīng)出了負(fù)電荷，負(fù)極板附近的介質(zhì)表面感應(yīng)出正電荷。這種電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生感生電荷的現(xiàn)象，稱之為電介質(zhì)的極化。感應(yīng)電荷產(chǎn)生的原因在于介質(zhì)內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)(原子、分子、離子)在電場(chǎng)作用下正負(fù)電荷重心的分離，變成了偶極子。不同的偶極子有不同的電偶極矩，電偶極矩的方向與外電場(chǎng)方向一致。2.2.3微帶線的損耗電介質(zhì)基本概念材料極化2.2.3微帶線的損耗電介質(zhì)參

19、數(shù)：介電常數(shù)：以絕緣材料為介質(zhì)與以真空為介質(zhì)制成同尺寸電容器的電容量之比值。 表示在單位電場(chǎng)中，單位體積內(nèi)積蓄的靜電能量的大小。是表征電介質(zhì)極化并儲(chǔ)存電荷的能力，是個(gè)宏觀物理量。介質(zhì)損耗 ： 置于交流電場(chǎng)中的介質(zhì)，以內(nèi)部發(fā)熱(溫度升高)形式表現(xiàn)出來的能量損耗。2.2.3微帶線的損耗電介質(zhì)參數(shù)：介質(zhì)損耗角 對(duì)電介質(zhì)施加交流電壓，介質(zhì)內(nèi)部流過的電流相量與電壓相量之間的夾角的余角。介質(zhì)損耗角正切 對(duì)電介質(zhì)施以正弦波電壓,外施電壓與相同頻率的電流之間相角的余角的正切值tg.其物理意義是：2.2.3微帶線的損耗分子結(jié)構(gòu)極性越強(qiáng), 和tg越大.非極性材料的極化程度小,和tg都較小. tg 大，損耗大，材料

20、發(fā)熱。 電容介質(zhì) ： 大，tg 小 作絕緣材料或電容器材料的高聚物,介電損耗越小越好 航空航天材料 小，tg 大，靜電小 高頻焊接：薄膜封口，tg 大 需要通過高頻加熱進(jìn)行干燥,模塑或?qū)λ芰线M(jìn)行高頻焊接時(shí),要求高聚物的介電損耗越大越好. 高頻電纜用PE(非極性)而不用PVC (極性) 2.2.3微帶線的損耗介質(zhì)損耗：1為介質(zhì)的介電常數(shù)， 0為導(dǎo)磁率，并把存在的介質(zhì)損耗用一個(gè)等效損耗電導(dǎo)1 來表示。 當(dāng)有介質(zhì)損耗時(shí)，其有功電流密度和無功電流密度各為1E和j1E。兩者大小比值的正切是衡量介質(zhì)損耗的一個(gè)基本參量，稱為損耗角正切： 通常該損耗與導(dǎo)體損耗相比往往可以忽略不計(jì)，但在介質(zhì)吸水或含有其他雜質(zhì)時(shí)

21、，介質(zhì)損耗將會(huì)增大。2.2.3微帶線的損耗電場(chǎng)全部浸在介質(zhì)中時(shí)導(dǎo)體損耗：表面電阻系數(shù)R0c趨膚深度c表面不平度c要求：1.表面粗糙度5趨附深度。2.2.3微帶線的損耗總損耗隨基片厚度的變化情況f,r,hT2.2.3微帶線的損耗品質(zhì)因數(shù)Q值的定義： 由于傳輸線上損耗的能量分成介質(zhì)、導(dǎo)體和輻射損耗，因此也有相應(yīng)的Qc(導(dǎo)體損耗對(duì)應(yīng)Q值)、Qd（介質(zhì)損耗對(duì)應(yīng)Q值）和輻射損耗Qr( 輻射損耗對(duì)應(yīng)的Q值),它們的關(guān)系是 ：微帶線的品質(zhì)因素2.2.4微帶線的品質(zhì)因素與波導(dǎo)、同軸線相比，微帶的Q值通常要低一至二個(gè)數(shù)量級(jí)品質(zhì)因數(shù)隨基片厚度的變化情況對(duì)一個(gè)給定頻率，存在一個(gè)使Q值最大的最佳基片厚度hoptf,r

22、hopt（原因：輻射損耗 ）2.2.4微帶線的品質(zhì)因素毫米波電路尺寸小，制造公差問題比較突出公差的影響低介電常數(shù)的薄基片允許的公差相對(duì)大一些2.2.5微帶線的公差影響最高工作頻率受限于寄生模的激勵(lì)過高的損耗色散嚴(yán)重的不連續(xù)效應(yīng)輻射引起的Q值降低嚴(yán)格的制造公差加工安裝損壞制造工藝的限制 頻率上限2.2.6 微帶線的工作頻率極限目前理論表明，普通微帶線結(jié)構(gòu)最高工作頻率(36)W 和 2.3 帶狀線特性阻抗： 惠勒（Wheeler，H.A.）用保角變換法得到了如下有限厚度導(dǎo)體帶帶狀線特性阻抗公式式中t為導(dǎo)體帶的厚度。當(dāng)W / (b - t)h(即邊緣場(chǎng)的作用不大)時(shí)可用下列近似公式計(jì)算其特性阻抗和等

23、效介電常數(shù)： 2.4 懸置微帶和倒置微帶2.5 槽線和共面波導(dǎo)槽線的場(chǎng)結(jié)構(gòu)和電流分布槽線結(jié)構(gòu)示意圖TE波槽線的介質(zhì)基片必須用高介電常數(shù)材料共面波導(dǎo)有一個(gè)獨(dú)特的性質(zhì)，即其特性阻抗與基片的厚度幾乎無關(guān)。因此，可以利用低損耗高介電常數(shù)的材料作為基片來減小縱向電路尺寸，這對(duì)于低頻段的微波集成電路來說是特別重要的。共面波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)示意圖共面波導(dǎo)的場(chǎng)強(qiáng)示意圖2.5 槽線和共面波導(dǎo)準(zhǔn)TEM模傳輸截止頻率高，適合極高頻集成電路應(yīng)用；色散效應(yīng)比微帶線弱，適合寬帶電路設(shè)計(jì)。100GHz 放大器單片電路2.5 槽線和共面波導(dǎo)缺點(diǎn)：微帶線的損耗要低于共面波導(dǎo)；微帶線的等效介電常數(shù)要高于共面波導(dǎo)，因此具有更短的波長(zhǎng)，從而

24、具有更小的分布效應(yīng)；共面波導(dǎo)的模型更為復(fù)雜，建模困難。5-55GHz 分布式放大器單片電路2.5 槽線和共面波導(dǎo) 微帶線是一種非常好的傳輸線結(jié)構(gòu)，目前最高頻率可達(dá)100GHz以上。但是在毫米波高端仍舊存在問題：1.輻射損耗大，電路中寄生模耦合明顯增加，電路Q值降低。2.強(qiáng)烈的色散效應(yīng)以及隨之而來的高次模傳輸?shù)目赡苄员厝粚?dǎo)致電路穩(wěn)定性下降。3.把多個(gè)電路集成在一起時(shí)，為減小電路間的有害耦合必須采用模式隔離或諧振吸收裝置。2.6鰭線1972年，P.J.Meier提出的鰭線（Fishline）一種由介質(zhì)片支撐具有薄脊的加脊波導(dǎo)，或者一種帶有金屬鰭的介質(zhì)平板加載波導(dǎo)。鰭線傳播模式鰭線傳播的不是準(zhǔn)TEM

25、模，是TE和TM模系組成的混合模。若以TE模為主，習(xí)慣叫HE模（磁電模），若以TM為主，則用EH模（電磁膜）表示。設(shè)計(jì)得當(dāng)，可以保證傳輸?shù)臑橹髂?zhǔn)TE10模，最高工作頻率140GHz。鰭線的組成鰭線可認(rèn)為是準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu)，既要制作電路圖形，又要考慮金屬波導(dǎo)盒影響。鰭線常用的基片材料為軟基板，例如RT-duroid 5880?；ǔ０卜旁诰匦尾▽?dǎo)E面中心，用尼龍或者其他金屬螺釘固定裝配。為保持金屬鰭和金屬波導(dǎo)內(nèi)壁的射頻連續(xù)性，基片放置處的金屬波導(dǎo)寬壁壁厚應(yīng)等于g/4。2.6鰭線2.6鰭線 鰭線橫截面結(jié)構(gòu)示意圖（a）雙側(cè)鰭線；（b）單側(cè)鰭線；（c）斜對(duì)側(cè)鰭線；（d）單側(cè)絕緣鰭線；（e）雙側(cè)絕緣鰭線損耗小，最常用隔離鰭線，偏置低阻抗電路使用雙面做電路，但損耗較大2.6鰭線（a）濾波器；諧振器；（b）阻抗變換器；耦合器矩形波導(dǎo)中的過度段(a) 漸變式；（b）多階梯式鰭線有如下優(yōu)點(diǎn)：(1) 在毫米波頻段，它的電路尺寸可以與有源器件相容，因而容易實(shí)現(xiàn)有源和無源電路的集成;(2) 它的導(dǎo)行波長(zhǎng)比微帶中的導(dǎo)行波長(zhǎng)要長(zhǎng)，因