BORN-BE無創(chuàng)腦水腫動態(tài)監(jiān)護儀課件

1、1BORN-BE無創(chuàng)腦水腫動態(tài)監(jiān)護儀產(chǎn)品相關知識12緒論為什么要監(jiān)護腦水腫？如何監(jiān)護腦水腫？23為何要進行腦水腫監(jiān)護？34研發(fā)的需求背景腦水腫極大的危害類似設備功能的缺陷及時監(jiān)護的迫切需求臨床上：45腦水腫是腦部疾病的主要轉(zhuǎn)歸腦水腫顱內(nèi)壓增高腦疝腦外傷腫瘤梗塞出血死亡56如何進行腦水腫監(jiān)護？67研發(fā)的技術背景兩個原理： 生物電磁場原理 異物擾動原理一個技術： 阻抗成像技術（EIT）78生物電磁場與異物的關系 視正常的腦部結構為一種穩(wěn)定狀態(tài)，而顱內(nèi)水腫或血腫從結構上來說是一種異形物體，它的出現(xiàn)是對腦結構的穩(wěn)定狀態(tài)的擾動，那么顱腦表面注入的低頻電流形成的電流場就會發(fā)生改變，引起電流場的重新分布，而

2、電流場的改變就會引起邊界電位的改變，我們就可以測量邊界上的電位改變值，通過現(xiàn)代技術，直觀讀取，從而客觀反映顱內(nèi)水腫、血腫變化情況。 電流場擾動方法和它在顱內(nèi)異物成像的應用，中華醫(yī)學物理學雜志，重慶大學 高電壓與系統(tǒng)信息監(jiān)測及電工新技術教育部重點實驗室，何為。89異物擾動原理的臨床應用 根據(jù)電磁場基本理論，從頭顱表面向顱內(nèi)注入恒定電流，在顱內(nèi)即形成一個電流場，正常狀態(tài)下，電流場分布均勻且穩(wěn)定。如果在顱內(nèi)有水腫或血腫病灶，就會對顱內(nèi)電流場形成干擾，電流場分布將不再均勻并且隨著病灶的變化而變化。通過測量顱骨表面的電位及其變化，可以計算出顱內(nèi)病灶的物理特性及其變化規(guī)律，對臨床療效進行評價，達到臨床監(jiān)護

3、的作用。910異物擾動原理的示意圖包含水腫區(qū)域的顱內(nèi)場域剖分示意圖 顱內(nèi)出現(xiàn)水腫后電場畸變模擬示意圖 1011研發(fā)過程技術、應用對接 1、實現(xiàn)原理和技術的對接 2、實現(xiàn)技術和臨床的對應 3、填補國內(nèi)、國際空白1112基礎實驗研究水槽實驗：加入異物將會影響恒定電流產(chǎn)生的電流場?；铙w大白兔試驗：大白兔腦水腫程度和擾動系數(shù)存在關聯(lián)性?；铙w家畜試驗：家畜腦水腫、腦血腫和擾動系數(shù)存在相關性。人體實驗：90%以上的正常人擾動系數(shù)在7-8之間，且擾動系數(shù)穩(wěn)定，不隨時間、性別、年齡等改變而改變，左右兩側基本相等。臨床實驗及應用：存在腦水腫病人，擾動系數(shù)絕對值偏高，且患側高于對側；腦血腫病人，擾動系數(shù)絕對值偏低

4、，且患側低于對側。1213研究結論大量基礎實驗與臨床驗證最終表明：擾動系數(shù)與水腫程度成正相關；與血腫程度成負相關。131490%正常人擾動系數(shù)在7-8之間。擾動系數(shù)大于10，提示存在高危腦水腫；擾動系數(shù)大于14預示顱內(nèi)壓進入失代償。左右兩側擾動系數(shù)值相差大于0.3以上，提示擾動系數(shù)高側患有水腫或擾動系數(shù)低側有血腫。變異系數(shù)值大于0.06，提示腦水腫、血腫在顱內(nèi)進行性變化。確立臨床參數(shù)1415臨床應用范圍有效監(jiān)護高危腦水腫，及時預警顱內(nèi)壓失代償，提供“窗口”期。監(jiān)測腦水腫動態(tài)變化，判斷患者病情轉(zhuǎn)歸與預后。顱腦手術后監(jiān)護。反映脫水治療效果，提示合理使用脫水藥物。早期監(jiān)測腦梗塞。1516擾動系數(shù)變化

5、臨界點擾動系數(shù)隨著水腫增加而增高，當達到高峰期后時，擾動系數(shù)維持在高點基本穩(wěn)定，此點及為擾動系數(shù)的臨界點。1617顱內(nèi)壓失代償臨界點前期由于顱腦屬于代償期，即使腦水腫增加，顱內(nèi)壓變化也不大，當腦水腫超出顱腦代償能力進入失代償期時，顱內(nèi)壓成指數(shù)升高，此點即為顱內(nèi)壓失代償臨界點。1718顱內(nèi)壓與擾動系數(shù)關系臨床數(shù)據(jù)表明： 大腦代償期內(nèi)：擾動系數(shù)值僅與水腫程度相關，變化明顯；顱內(nèi)壓值受代償功能影響，變化不明顯。 當腦水腫加劇，大腦失代償前，擾動系數(shù)值和顱內(nèi)壓力值的臨界點在時間上一致。顱內(nèi)代償期拐點，顱壓急劇增高擾動系數(shù)拐點，達到峰值后趨于平緩顱內(nèi)高壓導致腦疝1819臨床應用及驗證1920有效監(jiān)護高危

6、腦水腫，及時預警顱內(nèi)壓失代償擾動系數(shù)值遠高與正常值，顱內(nèi)壓接近臨界值時提示預警2021監(jiān)測腦水腫動態(tài)變化，判斷患者病情轉(zhuǎn)歸與預后患者張XX，男性，61歲，2003年8月29日突發(fā)右側肢體活動障礙10小時入院。數(shù)據(jù)分析：該患者系左腦出血患者。在病程第1619小時之間，一直是左側數(shù)值低于右側（血腫側低）；第20小時出現(xiàn)數(shù)值倒轉(zhuǎn)，即血腫側數(shù)值大于對側，即水腫開始占優(yōu)勢。此后擾動系數(shù)絕對值逐漸增大，在病程第3天達到高峰，差值最大為1.08，變異系數(shù)大于0.06，設備預警提示。 血腫側擾動系數(shù)低于對側出血側擾動系數(shù)高于對側，水腫占優(yōu)勢在病程第3天達到高峰，差值最大為1.082122患者楊XX，男，76歲

7、，2003年10月19日突發(fā)左側肢體無力伴意識障礙2小時入院。CT診斷 ：右側基底節(jié)區(qū)腦出血，右側腦室明顯受壓，中線結構稍向左移。數(shù)據(jù)分析:患者右側基底節(jié)區(qū)腦出血，因出血量較大，用藥治療無明顯好轉(zhuǎn)，于2003年10月21日15:0016:00行腦血腫微創(chuàng)穿刺術，穿刺前患側擾動系數(shù)高于對側。穿刺后患側擾動系數(shù)持續(xù)下降且明顯低于對側，變異系數(shù)0.04 ，監(jiān)測結果提示再出血。CT顯示血腫擴大。顱腦手術后監(jiān)護穿刺后患側擾動系數(shù)無明顯改變，提示術后血腫吸收不佳2223患者張XX，女，75歲，2008年3月23日入院月，以大面積腦梗塞入院，CT：大面積腦梗塞。數(shù)據(jù)分析：從靜脈滴注甘露醇開始監(jiān)護，時間共六個

8、小時,擾動系數(shù)兩個小時下降到最低點，4個小時后升至用藥前水平，符合甘露醇的藥代動力學。反映脫水治療效果，提示合理使用脫水藥物使用甘露醇30分鐘后，擾動系數(shù)降低約2小時擾動系數(shù)降至最低點，降幅為15%左右藥物半衰期后擾動系數(shù)逐漸增高至用藥前水平2324 患者黃XX，男，58歲，因突發(fā)失語2小時，于2003年5月12日入院。數(shù)據(jù)分析：患者失語2小時，患側擾動系數(shù)值10.37，對側擾動系數(shù)值8.14，患側擾動系數(shù)明顯高于正常值，但CT未顯示腦梗死病灶，隨即做MRIT1也未顯示腦梗死病灶，MRIT2可見輕度信號有增加改變，DWI顯示腦梗死病灶區(qū)水腫開始形成。監(jiān)測早期腦梗塞CTMRIT1MRIT2DWI

9、擾動系數(shù)高于正常值，提示患側水腫2425臨床驗證結論：1、急性腦卒中患者患側大腦半球阻抗值顯著增高；2、無創(chuàng)腦水腫動態(tài)監(jiān)護儀可靈敏、客觀的反映腦卒中患者水腫的情況。腦卒中患者不同病期腦水腫變化的無創(chuàng)動態(tài)監(jiān)測，中臨床康復2004年1月5日第8卷第1期，第三軍醫(yī)大大坪醫(yī)院王景周等2526臨床驗證結論：無創(chuàng)腦水腫動態(tài)監(jiān)護儀可動態(tài)評估腦出血無創(chuàng)血腫清除術患 者腦水腫演變過程，對再出血的診療有一定的指導意義。腦出血微創(chuàng)血腫清除術中的無創(chuàng)腦水腫動態(tài)監(jiān)護，卒中與神經(jīng)疾病2005年12月第12卷第6期，同濟醫(yī)院鐘高賢等。2627臨床科研方向腦彌散性軸索損傷腦水腫研究水通道蛋白4與腦水腫的研究 血管源性腦水腫研

10、究缺血性腦水腫機理研究 腦水腫機制研究 急性高山病及高原腦水腫機理研究 腦出血后繼發(fā)血管源性腦水腫的機制研究 創(chuàng)傷性腦水腫的研究 腦水腫的治療研究不同藥物治療創(chuàng)傷性腦水腫的動物實驗研究 高壓氧治療腦水腫的研究 新生兒腦水腫與顱高壓征的研究 2728設備的臨床應用論文 “高血壓性腦出血及血腫周圍組織水腫的無創(chuàng)性檢測” 王健 等 中華醫(yī)學雜志2003年3月25日第83卷第6期 “無創(chuàng)性腦電阻測定在腦出血患者腦水腫檢測中的應用” 劉麗旭 等中華神經(jīng)科雜志2007年6月第40卷地6期2829設備的臨床價值和結果在國外的SCI檢索的醫(yī)學雜志“Neurological Research”和“Neuroch

11、ir”雜志上發(fā)表的論文代表了當今世界上在該領域臨床研究的最高水平。“A new method of moninvasive brain-edema monitoring in stoke:cerebral eletrical impedance measurement” Neurological Research,2006,Volume 28,January LiXu Liu, WeiWei Dong, XunMing Ji, LiHua Chen, Ling Chen, WeiHe and JianPing Jia Department of Neurology,Xuanwu Hospita

12、l,the Capital University of Medical Department of Neurology,The First Affiliated Hospital,Chongqing University of Medical College of Electrical Engineering,Chongqing Unversity,Chongqing 400044,China “The role of noninvasive monitoring of cerebral electrical impedance in stroke”Acta Neurochir(2005)Su

13、ppl95:137-140 Springer-Verlag 2005 inted in Austria L.X.Liu, w.w.Dong, J.Wang, Q.Wu, W.He, andY.J.Jia Department of Neurology,The First Affiliated Hospital,Chongqing University of Medical Department of Neurology,The Second Affiliated Hospital,Chongqing University of Medical College of Electrical Eng

14、ineering,Chongqing Unversity,Chongqing,China“Application of non-invasive cerebral electrical impedance measurement on brain edema in patients with cerebral infarction.” Neurol Research, 2009 Sep 1. 2004年劉麗旭博士參加了“第十二屆國際腦檢測和顱內(nèi)壓會議”的國際醫(yī)學學術會議并在會議上發(fā)表和宣讀了論文。 2930國家和地方政府資助項目資助單位資助資金來源年度金額工信部電子發(fā)展基金2002100電子發(fā)

15、展基金投資項目20051000國家發(fā)改委高新技術產(chǎn)業(yè)化專項2005600重慶市信產(chǎn)局信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金2002200信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金200630.金額單位：萬元30國家科研獎項2009年獲得全軍科學進步一等獎 顱腦戰(zhàn)創(chuàng)傷救治新技術研究 由公司聯(lián)合第三軍醫(yī)大學西南醫(yī)院神經(jīng)外科共同研究申報2010年獲得國家科技進步二等獎 顱腦戰(zhàn)創(chuàng)傷救治新技術與戰(zhàn)救新器材研發(fā) 由公司聯(lián)合第三軍醫(yī)大學共同研究申報（該項目中戰(zhàn)救新器材項目已被列為國家863科研項目）313132相關產(chǎn)品比較3233與相關產(chǎn)品的區(qū)別BORN-BE無創(chuàng)顱內(nèi)壓有創(chuàng)顱內(nèi)壓技術原理生物電磁場原理、異物擾動原理結合EIT技術 光閃爍誘發(fā)電位腰穿（最常用） 準確率90%一般高應用動態(tài)監(jiān)護腦部水腫變化（過程監(jiān)護）檢測顱內(nèi)壓的結果檢測顱內(nèi)壓的結果3334與相關產(chǎn)品的區(qū)別BORN-BE無創(chuàng)顱內(nèi)壓有創(chuàng)顱內(nèi)壓并發(fā)癥無偶見感染有創(chuàng)、易感染、并發(fā)癥很多臨床使用臺式、床旁臺式