
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文檔簡介
1、襯 底:透明導(dǎo)電層:非晶硅層:背電極層: 襯 底: 3.1mm 玻璃透明導(dǎo)電層: SnO2、 Zno、 ITO非 晶 硅 層: P、I、N背 電 極 層: AZO、Al、 N i、SS雙結(jié)芯片單結(jié)芯片(限于芯片段)ETCH INSPECTION刻劃檢查EDGEGRINDING磨邊1st CLEANING一次清洗1st LASER激光一PREHEATING預(yù)熱爐DEPOSITION沉積COOLING-1冷卻-12nd LASER激光二8 CHAMBER PVD8室PVD3rd LASER激光三VAPORDEPOSITION蒸鍍PV CELL TESTING電池測試RWK: RE-PRESS返工:
2、反壓HI-TEMP anneal退火B(yǎng)&C GRADE + SCRAPB級級, C級級 和和 報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品SPOT WELDING點焊EDGING邊緣處理PV CELL WASH芯片清洗LAYOUT敷設(shè)LAMINATION (Front)層壓COOLING-2冷卻-2TRIM EDGE刮膠JUNCTION BOX裝接線盒MODULE TESTING組件測試EDGE PROTECTION邊緣保護(hù)SURFACE CLEAN外觀清潔WELD JUNCTION BOX焊接接線盒PACK包裝STACK裝柜SHIP發(fā)貨發(fā)貨PECVDBACK PLATE WASH背板玻璃清洗RWK: ABNOR
3、MAL ALUM返工:鋁帶異常SCRAP報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品2nd CLEANING二次清洗POUR SEAL灌封SCRAP報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品RWK 返工腐蝕返工抽檢RWK: Corrosion (Renew)返工返工:腐蝕(再生)PV CELLPV電池電池PV MODULE電電 池池 組組 件件RWK: Etch返工:刻劃 1、流程圖 磨邊一次清洗1次激光2次清洗PECVD2次激光PVD3次激光測試退火邊緣處理+使用清洗液+去除表面油脂、粉塵等+基片表面第一次潔凈+要求水質(zhì)干凈殘留離子較少+利于1次激光刻劃源水(自來水)石英沙活性炭反滲透膜濃水(排出)純凈水EDI去離子水1 / 3反滲透原理EDI
4、原理激光刻劃的基本原理(激光刻劃的基本原理(laser 1laser 1)+波長1064 nm紅外激光 將導(dǎo)電層刻劃成一條條等面積的長條(前電極正極)玻璃透明導(dǎo)電層1064激光側(cè)視圖俯視圖+超聲波清洗+沒有使用清洗劑+清洗之后芯片直接裝入反應(yīng)箱+使用去離子水沖洗+風(fēng)刀烘干基片1、工序:預(yù)熱、PECVD、冷卻2、在導(dǎo)電層上沉積多層不同摻雜的非晶硅 薄膜,構(gòu)成有一定結(jié)構(gòu)的電池3、控制點: 溫度、本底真空度、沉積壓力、氣體流量、電源功率、輝光時間、輝光穩(wěn)定性4、清洗玻璃透明導(dǎo)電層非晶硅AlNIPTCOAnodeCathode+532nm波長 可見綠色+使用綠光原因:因為非晶硅在0.5um波長的光吸收
5、系數(shù)比較高+將硅刻劃掉而沒有傷到導(dǎo)電層,將導(dǎo)電層保留用于電池電極之間的連接用+與一次激光之間的距離和刻劃線寬是一個重要的管控點+已激光一為基準(zhǔn)線向右偏移50-80um,刻劃激光刻線二激光刻劃的基本原理(激光刻劃的基本原理(laser 2laser 2)玻璃透明導(dǎo)電層非晶硅532nm綠激光+做一層或多層結(jié)構(gòu)的金屬材料做電池收集電荷+使用鋁材料做一層高放射層,將第一次通過硅層而為被吸收的光放射回硅層,二次吸收+將二次激光刻劃的溝道填充,做成內(nèi)聯(lián)電極,形成集成電路玻璃導(dǎo)電層非晶硅鋁背電極入射光鋁背電極的鏡面反射作用+532nm波長的綠激光器+刻劃背電極的鋁膜,形成內(nèi)部串聯(lián)集成電路+不能劃傷透明導(dǎo)電層
6、+鋁膜必須完全刻斷+線距和刻劃效果c玻璃導(dǎo)電層非晶硅鋁背電極532nm綠激光+降低薄膜制備過程中的材料內(nèi)應(yīng)力,提高材料的品質(zhì)+改善薄膜成膜結(jié)構(gòu)狀態(tài),降低材料缺陷+提高薄膜穩(wěn)定性,從而提高電池輸出的穩(wěn)定+通過熱處理方式改善材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1、光源 2、標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)3、電池參數(shù) 4、測試機(jī)基本原理和設(shè)備結(jié)構(gòu)1 1、短路電流、短路電流Isc - 在一定的光照下通常取AM1.5=100mw/cm輸出端短路時,太陽電池的輸出電流。2 2、開路電流、開路電流Voc-在一定的光照下(AM1.5)輸出端開路時,太陽電池的兩端的電壓。3 3、最大輸出功率、最大輸出功率Pm-“峰值功率”在一定光 照下(AM1.5)太陽
7、電池能夠輸出的最大功率。Pm= Im Vm4、填充因數(shù) FF: 定義為:FF=Pm / ( Isc*Voc) Pm=Ipm*Vpm 即最大輸出功率與短路電流和開路電壓乘積的比(有時也 把Isc*Voc稱作太陽電池的極限功率),填充因數(shù)是太陽電池質(zhì)量好壞的一個重要標(biāo)志,F(xiàn)F越大,說明電池的最大輸出功率越接近極限輸出的功率。5、轉(zhuǎn)換效率 -在一定光照下(Am1.5(1000nw)/cm),太陽電池的最大輸出功率Pm與入射光能之比。 =Vm*Im / Pin =pm / pin 轉(zhuǎn)換效率是一個太陽電池性能好壞的最主要的標(biāo)志,顯然轉(zhuǎn)換效率越高太陽電池把太陽能轉(zhuǎn)換變成電能越強(qiáng),太陽能的利用越高,在相同的條件下,輸出的電能越大。 目前單晶硅電池,實驗室可排到18%,批量生產(chǎn)可達(dá)到14%。 非晶硅電池,實驗室可達(dá)到13.2%,批量生產(chǎn)可達(dá)到6-10%6、溫度系數(shù)電壓、電流,
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