數(shù)字電路第七章

1、！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動(dòng)態(tài)靜態(tài)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫是一次性編程，不能改！編程時(shí)將不用的熔斷有出廠時(shí)，每個(gè)結(jié)點(diǎn)上都熔絲由易熔合金制成寫入時(shí)，要使用編程器管疊柵注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置柵控制柵:fcGG通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負(fù)電荷，則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負(fù)電荷，則若工作原理：cfcfGGGG年）光燈下分鐘（陽(yáng)光下一周，熒紫外線照射空穴對(duì)，提供泄放通道生電子“擦除”：通過照射產(chǎn)形成注入電荷到達(dá)吸引高速電子穿過寬的正脈沖，上加同時(shí)在發(fā)生雪崩擊穿

2、）間加高壓（“寫入”：雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD)(管浮柵隧道氧化層采用點(diǎn)擦除慢，操作不便的缺為克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效應(yīng)”電子會(huì)穿越隧道）當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到一定大小（厚度之間有小的隧道區(qū)，與,/ cmVmSiODGf78210102導(dǎo)通）下，電壓（未充電荷時(shí)，正常讀出截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW電子隧道區(qū)接的正脈沖，加充電：01020 ,上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖，接放電：fjiCGBWG,0（隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)與）更?。ㄅc襯底間SGnmOSGfif15102的正脈沖，加接）

3、，加正壓（，充電利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf101206*上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖加放電，利用隧道效應(yīng)fsscfGnsVVGG100120,作存儲(chǔ)單元觸發(fā)器，為基本RSTT41相通、與、導(dǎo)通，行中被選中，時(shí)，能在jjiBBQQTTX6511,單元與緩沖器相連列第行第導(dǎo)通，這時(shí)時(shí)，所在列被選中，jiTTYj871,，讀操作截止，與導(dǎo)通，則若時(shí)，當(dāng)OIQAAAWRSC32110,，寫操作導(dǎo)通，與截止，則若QOIAAAWR3210,六管N溝道增強(qiáng)型MOS管SCWRAAOIOI片選信號(hào)：寫信號(hào)：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI寫信號(hào)：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/987070,):(110025625670A個(gè)地址個(gè)字，需要每一片提供SCYYAAAA分別接四片的譯成即將兩位代碼區(qū)分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSC1110010029292929AAAAAAAA,四片的地址分配就是：01AA4321SCSCSCSC01AA912AAAA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDC