電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)

1、第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.1 概述概述3.2 電屏蔽電屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽3.4 電磁屏蔽電磁屏蔽3.5 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響3.7 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)3.6 電磁密封處理電磁密封處理3.1 概述概述3.2 電屏蔽電屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽3.4 電磁屏蔽電磁屏蔽3.5 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響3.7 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)3.6 電磁密封處理電磁密封處理第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 限制內(nèi)部能量泄漏出內(nèi)部區(qū)域限制內(nèi)部能量泄漏出內(nèi)部區(qū)域 （主動屏蔽）（主動屏蔽）3.

2、1 概述概述1. 屏蔽的含義屏蔽的含義：3. 原理原理：電子設(shè)備電子設(shè)備用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧现瞥傻钠帘误w將用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧现瞥傻钠帘误w將電磁干擾能量限制在一定范圍內(nèi)。電磁干擾能量限制在一定范圍內(nèi)。2. 目的目的：防止外來的干擾能量進(jìn)入某一區(qū)域（被動屏蔽）防止外來的干擾能量進(jìn)入某一區(qū)域（被動屏蔽） 二次場理論（一次場作用下，產(chǎn)生極化、磁化形成二次場二次場理論（一次場作用下，產(chǎn)生極化、磁化形成二次場); 反射衰減理論反射衰減理論第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)4. 屏蔽的分類（按工作原理）屏蔽的分類（按工作原理） 電場屏蔽電場屏蔽：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽（利用良好接

3、地：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽（利用良好接地 的金屬導(dǎo)體制作）的金屬導(dǎo)體制作） 磁場屏蔽磁場屏蔽：靜磁屏蔽、低頻交變磁場屏蔽（利用高導(dǎo)磁率：靜磁屏蔽、低頻交變磁場屏蔽（利用高導(dǎo)磁率 材料構(gòu)成低磁阻通路）材料構(gòu)成低磁阻通路） 電磁屏蔽電磁屏蔽：用于高頻電磁場的屏蔽（利用反射和衰減來隔：用于高頻電磁場的屏蔽（利用反射和衰減來隔 離電磁場的耦合）離電磁場的耦合）第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)01ESEE01HSEH01(dB)20 logESEE01(dB)20 logHSEH5. 屏蔽效能屏蔽效能( SE )屏蔽效能屏蔽效能：屏蔽體的性質(zhì)的定量評價(jià)。：屏蔽體的性質(zhì)

4、的定量評價(jià)。定義定義：或或或或電屏蔽效能電屏蔽效能磁屏蔽效能磁屏蔽效能E0、H0 未加屏蔽時(shí)空間中某點(diǎn)的電（磁）場；未加屏蔽時(shí)空間中某點(diǎn)的電（磁）場；E1、H1 加屏蔽后空間中該點(diǎn)的電（磁）場；加屏蔽后空間中該點(diǎn)的電（磁）場；第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)無屏蔽場強(qiáng)無屏蔽場強(qiáng)有屏蔽場強(qiáng)有屏蔽場強(qiáng)屏蔽效能屏蔽效能 SE（dB）10120100140100016010000180100000110010000001120衰減量與屏蔽效能的關(guān)系衰減量與屏蔽效能的關(guān)系第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)機(jī)箱類型機(jī)箱類型屏蔽效能屏蔽效能 SE

5、（dB）民用產(chǎn)品民用產(chǎn)品40以下以下軍用設(shè)備軍用設(shè)備60TEMPEST設(shè)備設(shè)備80屏蔽室、屏蔽艙屏蔽室、屏蔽艙100以上以上屏蔽效能的要求屏蔽效能的要求第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 分類分類：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽3.2 電場屏蔽電場屏蔽 1. 靜電屏蔽靜電屏蔽 電場屏蔽的作用電場屏蔽的作用：防止兩個(gè)設(shè)備（元件、部件）間的電容性：防止兩個(gè)設(shè)備（元件、部件）間的電容性 耦合干擾耦合干擾原理原理：靜電平衡：靜電平衡要求要求：完整的屏蔽導(dǎo)體和良好接地：完整的屏蔽導(dǎo)體和良好接地第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏

6、蔽技術(shù)2. 低頻交變電場屏蔽低頻交變電場屏蔽目的：目的：抑制低頻電容性耦合干擾抑制低頻電容性耦合干擾00001/SRSSNSRRRSRCUUUCCCC（1）未加屏蔽）未加屏蔽21221/PPNRRC UUUCCCC（2） 加屏蔽（加屏蔽（忽略忽略CSR1的影響的影響）11322/()SpRRCUUCCC CCC未加屏蔽的耦合未加屏蔽的耦合SRCSR0CRUS UN0 加屏蔽的耦合加屏蔽的耦合SRCSR1CRUS UN1 C1C2C3Up 分析方法：分析方法：應(yīng)用電路理論分析應(yīng)用電路理論分析第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)討論討論:（1）屏蔽體不接地，若）屏蔽體不

7、接地，若3C （2）屏蔽體接地）屏蔽體接地31CC、221/()RRC CCCCpSUU212211/SNSRRC UUUCCCC10NU21221/PPNRRC UUUCCCC11322/()SpRRCUUCCC CCC屏蔽體接地屏蔽體接地SRCSR1CRUS UN1 C1C2第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)111212SRSSRSNRSRRCUCUUCCCCC（3）屏蔽體接地時(shí)，）屏蔽體接地時(shí)，CSR1的影響的影響屏蔽效能屏蔽效能:01(dB)20lgNNUSEUCSRCRUS UNP C2等效電路等效電路第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑

8、制的屏蔽技術(shù)屏蔽體的材料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體的材料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體的形狀對屏蔽效能有明顯的影響屏蔽體的形狀對屏蔽效能有明顯的影響電場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)電場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)屏蔽體要靠近受保護(hù)的設(shè)備屏蔽體要靠近受保護(hù)的設(shè)備屏蔽體要有良好的接地屏蔽體要有良好的接地第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.3 磁場屏蔽磁場屏蔽1原理原理 高頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽高頻磁場高頻磁場金屬板金屬板渦流渦流反磁場反磁場 低頻磁場屏蔽（低頻磁場屏蔽（f 100kHz） 利用高導(dǎo)磁率的鐵磁材料（如利用高導(dǎo)磁率的鐵磁材料（如鐵、硅鋼片、坡莫合金），對干擾鐵、硅鋼

9、片、坡莫合金），對干擾磁場進(jìn)行分路。磁場進(jìn)行分路。 利用低電阻的良導(dǎo)體中利用低電阻的良導(dǎo)體中形成的渦電流產(chǎn)生反向磁通形成的渦電流產(chǎn)生反向磁通抑制入射磁場。抑制入射磁場。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)mmUlRS2屏蔽效能計(jì)算屏蔽效能計(jì)算 解析方法：圓柱腔、球殼的屏蔽效能計(jì)算解析方法：圓柱腔、球殼的屏蔽效能計(jì)算 近似方法：應(yīng)用磁路的方法。近似方法：應(yīng)用磁路的方法。 如：長為如：長為l 、橫截面為橫截面為 S 的一段屏蔽材料，則其磁阻為的一段屏蔽材料，則其磁阻為磁阻：磁阻：mUH磁壓降：磁壓降：mUHlBSHS磁通：磁通：第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)

10、電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)mU的方程的方程22mmm2211()0UUUrrrrr外磁場外磁場 的磁標(biāo)位的磁標(biāo)位0Hm00cosUH r r am11cosUArarb2m22()cosBUA rrrb3m30()cosBUH rr (1) 圓柱形腔的磁屏蔽效能圓柱形腔的磁屏蔽效能mU方法方法：磁標(biāo)位磁標(biāo)位內(nèi)半徑為內(nèi)半徑為a 、外半徑為、外半徑為b，磁導(dǎo)率為，磁導(dǎo)率為 ，外加均勻磁場，外加均勻磁場0H0Hab第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)邊界條件：邊界條件：ra時(shí)，時(shí)， m1m2UUrb時(shí)，時(shí)，m2m3UUm3m20UUrr解得：解得：20122224(1)(1)

11、rrrb HAba 20222222(1)(1)(1)rrrb HAba 220222222(1)(1)(1)rrra b HBba 2222032222(1)()(1)(1)rrrabb HBba 220012222222244cos(1)(1)(1)(1)rrmmrrrrb Hb UUrbaba 2011122224(1)(1)rmxxrrb HHUee Hbam1m20UUrr故故第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)若若 ，則，則 1r201(1)(1)2(1)20lg20lg4rrrHppSEHp令令 、 tba()/2Rab，若，若t0 0，即，即222a

12、bR則則224(2/)20lg20lg(1)20lg(1)422rrrRt aRttSEaR(1)2(1)(1 1/ )2(1 1/ )20lg20lg44rrppppSEp屏蔽效能屏蔽效能22/pba第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 球形腔體的屏蔽效能球形腔體的屏蔽效能 非球形腔體的屏蔽效能非球形腔體的屏蔽效能等效半徑：等效半徑：（V屏蔽體的體積）屏蔽體的體積）220lg(1)3rtSER3330.624cVRV220lg(1)3rctSER第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)例例：長方體屏蔽盒尺寸為：長方體屏蔽盒尺寸為： 、壁厚、

13、壁厚 。 試計(jì)算用鋼板試計(jì)算用鋼板 和坡莫合金和坡莫合金 作屏蔽作屏蔽 材料時(shí)的材料時(shí)的SE 。3150 200 200mm2mmt 1(1000)r2(10000)r解解：30.62 150 200 200112.66mmcR 12t20lg(1)22.17dB3rcSER鋼：鋼：22t20lg(1)41.54dB3rcSER合金：合金：第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)（2）用磁路方法計(jì)算屏蔽效能用磁路方法計(jì)算屏蔽效能矩形截面屏蔽體：矩形截面屏蔽體： 、厚度、厚度 ，a bt(2 )at2SSSHt流經(jīng)屏蔽體的磁通：流經(jīng)屏蔽體的磁通：流經(jīng)空腔的磁通：流經(jīng)空腔的

14、磁通：101(2 )H at總磁通：總磁通： ，則，則000H a01s00012(2 )SSH aH tH at外磁場外磁場 ；屏蔽體內(nèi)；屏蔽體內(nèi) ；腔內(nèi)；腔內(nèi) SH0H1Htba0H第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)磁通為磁通為磁路計(jì)算磁路計(jì)算：(,)ta tb對于磁路對于磁路CS：1/ 44mSSSaaRtt從從P1到到Q1: 磁阻為磁阻為 /2SSStH磁壓降磁壓降1124mSSSmSRH aU22mSSSbtbRtt從從Q1 到到 Q2:/ 2SSStH222mSSmSSRUH b故故212()2mSmSmSSaUUUHb對于磁路對于磁路C1：1002(

15、2 )mbtbRata1111mmURH b2SSStH101aHtba0H1P1Q2P2QCSC1第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)由于由于 1mSmUU于是有：于是有： 000101222rbtH aHH aba 420lg1(2)rbtSEaba故故1(2)2Sba HbH122SbHHba0141(2)rHbtHabau若若ab2420lg1rbtSEau若若ab220lg1rtSEa01s討論：討論：第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽體應(yīng)選用高導(dǎo)磁率的材料，但應(yīng)防止磁飽和屏蔽體應(yīng)選用高導(dǎo)磁率的材料，但應(yīng)防止磁飽和被屏蔽物

16、體不要緊貼在屏蔽體上被屏蔽物體不要緊貼在屏蔽體上磁場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)磁場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)注意屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，縫隙或長條通風(fēng)孔循著磁場注意屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，縫隙或長條通風(fēng)孔循著磁場方向分布方向分布對于強(qiáng)磁場的屏蔽可采用多層屏蔽，對于強(qiáng)磁場的屏蔽可采用多層屏蔽，防止發(fā)生磁飽和防止發(fā)生磁飽和盡量縮短磁路長度，增加屏蔽體的截面積（厚度）盡量縮短磁路長度，增加屏蔽體的截面積（厚度）對于對于多層屏蔽，應(yīng)注意磁路上的彼此絕緣多層屏蔽，應(yīng)注意磁路上的彼此絕緣第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.4 電磁屏蔽電磁屏蔽1. 原理與分析方法原理與分析方法原理原理：表面反射（表面反射（R

17、反射損耗）反射損耗） 屏蔽材料吸收衰減（屏蔽材料吸收衰減（A 吸收損耗）吸收損耗） 多次反射（多次反射（B 多次反射修正）多次反射修正）分析方法：分析方法： 電磁感應(yīng)原理電磁感應(yīng)原理.計(jì)算屏蔽體上的渦流的屏蔽效應(yīng)來計(jì)算屏計(jì)算屏蔽體上的渦流的屏蔽效應(yīng)來計(jì)算屏 蔽效能蔽效能 平面波的反射與折射來計(jì)算反射與衰減平面波的反射與折射來計(jì)算反射與衰減 等效傳輸線理論計(jì)算反射與衰減等效傳輸線理論計(jì)算反射與衰減t第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2. . 單層屏蔽體的屏蔽效能單層屏蔽體的屏蔽效能均勻平面波垂直入射到無限大的導(dǎo)體板上（厚度為均勻平面波垂直入射到無限大的導(dǎo)體板上（厚度

18、為t）u媒質(zhì)的本征阻抗媒質(zhì)的本征阻抗：(1)mjZjfu傳播常數(shù)傳播常數(shù)：cjjjj (dB)SERABu屏蔽效能屏蔽效能：良導(dǎo)體良導(dǎo)體 ：(1)jjjf,cjZj良導(dǎo)體：良導(dǎo)體：()cj第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u波阻抗波阻抗：a. 遠(yuǎn)場：遠(yuǎn)場：00120377wZ012weZfr b. 近場（以電場為主）：近場（以電場為主）：02wmZfrc. 近場（以磁場為主）：近場（以磁場為主）：211221ZZZZ反射系數(shù)反射系數(shù)：透射系數(shù)透射系數(shù)：12121 12第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u一次透射：一次透射：x = 0

19、面上：面上：01E 屏蔽效能計(jì)算屏蔽效能計(jì)算（設(shè)入射波場強(qiáng)（設(shè)入射波場強(qiáng) ）211221ZZZZ反射波：反射波：透射波：透射波：12121 2212312212312(e)eetttu二次透射：二次透射：x = 0 面上：面上：反射波：反射波：12312(e)t2312(e),t透射波：透射波：x = t 面上：面上：反射波：反射波：22323212312211223(e)ettte 2322321231212232123(e)eettt 透射波：透射波：x = t 面上：面上：反射波：反射波：tx213第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)12112232123en

20、ntn un 次透射：次透射：31(21)12231223212312232123ee()ettnntT 221122321232123e1e()tttne 1223221231e1ett 2122312231120lg20lg20lg e20lg 1ettTSE 總總透透射射場場強(qiáng)強(qiáng)22120 lg 1() e1tKBK12232420lg20lg(1)KRK 20 lg etA31ZZ故：故：即：即：21/KZZ第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)20lg e20lg erttA20lge8.980.131(dB)rrtttf 相對于銅的電導(dǎo)率，銅：相對于銅的電

21、導(dǎo)率，銅：r75.82 10 S/mt 厚度（厚度（mm）。）。 吸收損耗吸收損耗 A (dB)u 屏蔽材料越厚，吸收損耗越大，厚度增一個(gè)趨膚深度，屏蔽材料越厚，吸收損耗越大，厚度增一個(gè)趨膚深度， 吸收損耗增加得吸收損耗增加得9dB；u 磁導(dǎo)率越高，吸收損耗越大；磁導(dǎo)率越高，吸收損耗越大；u電導(dǎo)率越高，吸收損耗越大；電導(dǎo)率越高，吸收損耗越大；u頻率越高，吸收損耗越大。頻率越高，吸收損耗越大。r 相對磁導(dǎo)率；相對磁導(dǎo)率；良導(dǎo)體良導(dǎo)體結(jié)論：結(jié)論：第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)22()(1)20lg20lg20lg444wwmwmmZZZKRKZ ZZ 反射損耗反射

22、損耗 R (dB)72/3.69 10/mrrZff 波阻抗波阻抗良導(dǎo)體：良導(dǎo)體：wmZZw120 377Z a. 遠(yuǎn)場遠(yuǎn)場：012weZfr b.近場近場：電場源：電場源02wmZfr23321.7 10lg()rerRr f168.1 10lg(/)wrrRf媒質(zhì)本媒質(zhì)本征阻抗征阻抗頻率升高，反射損耗減小頻率升高，反射損耗減小c.近場近場：磁場源：磁場源214.5610lg()rmrRr f頻率升高，反射損耗增加頻率升高，反射損耗增加第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)反射損耗與頻率的關(guān)系反射損耗與頻率的關(guān)系第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制

23、的屏蔽技術(shù) 多次反射修正多次反射修正 B（dB）2 1222eeeejtttjt20.1e10tA而而/20(20lgee10)ttAA0.12ln100.23AtA2()1mwmwZZZZ故：故：20.10.2320lg 1() 10eAjAmwmwZZBZZwmZZ當(dāng)當(dāng) 時(shí)，時(shí)，則則0.220lg1 10e10lg1 2 10cos(0.23 ) 10AjAAABA 10dBA當(dāng)當(dāng) 時(shí)，通?？珊雎詴r(shí)，通常可忽略B。20.10.23e10etAjA11mwmwZZKKZZ第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)反射損耗：反射損耗：168.1 10l

24、g(/)wrrRf23321.7 10lg(/)errRr f電場源電場源214.5610lg(/)mrrRr f磁場源磁場源0.220lg 1() 10e10lg12 10cos(0.23 )10AjAmwmwAAZZBZZAwmZZ（ ）8.980.131(dB)rrAttf (dB)SERAB屏蔽效能屏蔽效能：吸收損耗：吸收損耗：平面波源平面波源多次反射修正：多次反射修正：小結(jié)小結(jié)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽效能的頻率特性屏蔽效能的頻率特性綜合屏蔽效能綜合屏蔽效能( (0.5mm鋁板鋁板) )良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波

25、良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)41.5 10 mcf例例1 1 有一個(gè)大功率線圈的工作頻率為有一個(gè)大功率線圈的工作頻率為20kHz ，在離線圈，在離線圈0.5m處處 置一鋁板置一鋁板 以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度 為為0.5mm 。試計(jì)算其屏蔽效能。試計(jì)算其屏蔽效能。(0.61)r解解： 屏蔽體處于哪個(gè)場區(qū)：屏蔽體處于哪個(gè)場區(qū)：1 ,0.61,rr 近場近場大功率線圈大功率線圈 強(qiáng)磁場，主要為磁屏蔽強(qiáng)磁場，主要為磁屏蔽.

26、故故214.56 10lg()14.5634.8449.4(dB)rmrRr f0.1317.24(dB)rrAtf 第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)020.08wmmZfrZ+ +49.4+7.24 1.8154.83dBmSERA B又又0.10.210lg 1 2 10cos(0.23 ) 101.81dBAABA 故故753.69 10/6.68 10 mrrZf第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2+ +SEA R B式中：式中： 2. 雙層屏蔽體的屏蔽效能雙層屏蔽體的屏蔽效能121112220.1310.131rrrrAA

27、Atftf 12221212(1)(1)20lg20lg44RRRkkkk總反射損耗總反射損耗多次反射修正多次反射修正總吸收損耗總吸收損耗t2x21t1d第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)1212,wwmmZZKKZZ102(1)0.23212(1)0.232020lg 1e20lg 1e20lg 1ejAjdjABNNN的多次反射的多次反射的多次反射的多次反射空氣層中空氣層中的多次反射的多次反射2212121211,11KKNNKK102( )( )wmwwmwZZZZ dNZZZZ dt2x21t1d第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽

28、技術(shù)通常兩層之間的空氣中的多次反射起主要作用，則通常兩層之間的空氣中的多次反射起主要作用，則022020lg 1ejdBN120.262rrAAtf 當(dāng)兩屏蔽層采用同一金屬材料且相同厚度時(shí)，當(dāng)兩屏蔽層采用同一金屬材料且相同厚度時(shí)，21(1)240 log4KRRK022020lg 1ejdBN第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)（3）薄膜屏蔽：）薄膜屏蔽：工程塑料機(jī)箱具有造型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點(diǎn)。工程塑料機(jī)箱具有造型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點(diǎn)。如何使機(jī)箱具有屏蔽作用？如何使機(jī)箱具有屏蔽作用？通過噴涂、真空沉積以及粘貼等技術(shù)在機(jī)箱上包裹一層導(dǎo)電通過噴涂、真空

29、沉積以及粘貼等技術(shù)在機(jī)箱上包裹一層導(dǎo)電薄膜。薄膜。設(shè)薄膜厚度為設(shè)薄膜厚度為t，電磁波在薄膜中的波長為電磁波在薄膜中的波長為 ，當(dāng)，當(dāng) ，稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。t4tt由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能主要由反射損耗和多次反射修正因子確定主要由反射損耗和多次反射修正因子確定，可以按金屬平，可以按金屬平板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)行計(jì)算。板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)行計(jì)算。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽層厚屏蔽層厚度度105nm1250nm21960nm頻率頻率1MHz 1GHz 1MHz

30、1GHz1MHz 1GHz吸收損耗吸收損耗A 0.0140.492反射損耗反射損耗 R109791097910979修正因子修正因子B-47-17-25-0.6-3.50屏蔽效能屏蔽效能SE62628384108171銅薄膜屏蔽層屏蔽效能銅薄膜屏蔽層屏蔽效能第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2. 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源: :信號線的出入口，電流線的出入信號線的出入口，電流線的出入口，通風(fēng)散熱孔，接縫處的縫隙等?？冢L(fēng)散熱孔，接縫處的縫隙等。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技

31、術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽腔上孔的影響（屏蔽腔上孔的影響（FDTD仿真）仿真）第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽腔上孔的影響屏蔽腔上孔的影響( (f=300MHz) )第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)020log()iiESEE(1,2, )iSE in設(shè)各泄漏因素的屏蔽效能為設(shè)各泄漏因素的屏蔽效能為 ，即，即總泄漏場總泄漏場/200120log()20log(10)inSEiESEE / 2001110innSEiiiEEE故故1 1、 綜合屏蔽效能的計(jì)算公式綜

32、合屏蔽效能的計(jì)算公式/20010iSEiEE第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)例例2 設(shè)某一頻率下，機(jī)殼屏蔽材料本身有設(shè)某一頻率下，機(jī)殼屏蔽材料本身有110dB的屏蔽效能，的屏蔽效能， 各泄漏因素造成屏蔽效能為：各泄漏因素造成屏蔽效能為：（1）濾波與連接器面板：）濾波與連接器面板： 101dB ；（；（2）通風(fēng)孔）通風(fēng)孔92dB;（3）門泄漏：）門泄漏：88dB;（4）接）接 縫泄漏：縫泄漏：83dB。求機(jī)箱的總屏蔽效能。求機(jī)箱的總屏蔽效能。解解：110/20101/2092/2088/2083/2020lg(1010101010) SE5555520lg(0.3

33、2 100.89 102.51 103.98 107.08 10 ) 20 5lg(0.320.892.51 3.987.08) 76.6(dB)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2、 縫隙的電磁泄漏縫隙的電磁泄漏故故 /0et gpEE020log()20loge27.3(dB)ppEttSEEgg 設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其間隙為間隙為g ，屏蔽板厚度為，屏蔽板厚度為t ，入射波，入射波電場為電場為 E0，經(jīng)縫隙泄漏到屏蔽體中，經(jīng)縫隙泄漏到屏蔽體中的場為的場為Ep ，當(dāng)，當(dāng)g 10/3 時(shí)，有時(shí)，有g(shù)t第第3 3章章: :電磁干擾抑制

34、的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)例例3 3 在例在例1中開一縫隙，若其寬度為中開一縫隙，若其寬度為0.5mm、0.25mm 、0.1mm ， 分別求其屏蔽效能。分別求其屏蔽效能。 解解：0.5mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.25mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.1mm ,g 當(dāng)當(dāng)無縫隙時(shí)的屏蔽效能：無縫隙時(shí)的屏蔽效能：SE = 54.83 dB54.6pSE 27.3pSE 136.5pSE 54.83/2027.3/2020lg(1010)27.2dBSE 54.83/2054.6/2020lg(1010)48.8dBSE 54.83/20136.5/2020lg(1010)54.8dBSE 第第3 3章章: :電磁

35、干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)縫隙的處理縫隙的處理襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊( (帶橡膠芯的和空心的帶橡膠芯的和空心的) ) 導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠( (不同導(dǎo)電填充物的不同導(dǎo)電填充物的) ) 指形簧片指形簧片( (不同表面涂覆層的不同表面涂覆層的) ) 螺旋管襯墊螺旋管襯墊( (不銹鋼的和鍍錫鈹銅的不銹鋼的和鍍錫鈹銅的) ) 導(dǎo)電布導(dǎo)電布第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3、截止波導(dǎo)式通風(fēng)孔、截止波導(dǎo)式通風(fēng)孔 的屏蔽效能的屏蔽效能截止頻率截止頻率： 矩形波導(dǎo)：矩形波導(dǎo)：fc10 = 1510 9/ a （Hz）alllDW圓形波導(dǎo)：圓形

36、波導(dǎo)：fc11 =17.610 9/ D（Hz）六角波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：fc10 =1510 9/ W （Hz）（a、D、W 的單位為：的單位為：cm）原理原理： 電磁波頻率遠(yuǎn)低電磁波頻率遠(yuǎn)低于波導(dǎo)的最低截止頻于波導(dǎo)的最低截止頻率，因而產(chǎn)生很大的率，因而產(chǎn)生很大的衰減。衰減。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 屏蔽效能屏蔽效能矩形波導(dǎo)：矩形波導(dǎo)：圓形波導(dǎo)：圓形波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：六角波導(dǎo)：9220lge20lge8.691.823 101 ( /) dBlccSElllfff（l 的單位為：的單位為：cm）2(2 / )1 (/)ccc fff27.3dBlSEa32.0

37、dBlSED27.3dBlSEW當(dāng)當(dāng) f fc 時(shí)：時(shí)：設(shè)計(jì)要求：設(shè)計(jì)要求：ul 3a、l3D、l3Wufc = （510）f第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 不能有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管不能有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管 當(dāng)有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管時(shí)，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁泄漏。當(dāng)有金屬材料穿過截止波導(dǎo)管時(shí)，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁泄漏。需要注意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強(qiáng)筋，這時(shí)將光纜穿過需要注意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強(qiáng)筋，這時(shí)將光纜穿過截止波導(dǎo)時(shí)也會引起泄漏。截止波導(dǎo)時(shí)也會引起泄漏。 波導(dǎo)管的安裝波導(dǎo)管的安裝 最可靠的方法是焊接，在屏蔽體上開一個(gè)尺寸與波導(dǎo)管截面最可靠

38、的方法是焊接，在屏蔽體上開一個(gè)尺寸與波導(dǎo)管截面相同的孔，然后將波導(dǎo)管的四周與屏蔽體連續(xù)焊接起來。相同的孔，然后將波導(dǎo)管的四周與屏蔽體連續(xù)焊接起來。 如果波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏如果波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏蔽體上，需要在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁密封襯墊。蔽體上，需要在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁密封襯墊。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗截止波導(dǎo)通風(fēng)窗 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的原理是將大量的截止波導(dǎo)焊接在一起，的原理是將大量的截止波導(dǎo)焊接在一起，構(gòu)成截止波導(dǎo)陣列，這樣可以形成很大的開口面積

39、，同時(shí)能夠構(gòu)成截止波導(dǎo)陣列，這樣可以形成很大的開口面積，同時(shí)能夠防止電磁波泄漏。防止電磁波泄漏。 27.320lgdBlSENW第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計(jì)截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計(jì)u確定波導(dǎo)的截止頻率確定波導(dǎo)的截止頻率u確定波導(dǎo)的截面尺寸確定波導(dǎo)的截面尺寸u確定波導(dǎo)的截面形狀確定波導(dǎo)的截面形狀u根據(jù)通風(fēng)面積確定波導(dǎo)數(shù)目根據(jù)通風(fēng)面積確定波導(dǎo)數(shù)目Nu確定單根波導(dǎo)的屏蔽效能確定單根波導(dǎo)的屏蔽效能u確定波導(dǎo)的長度確定波導(dǎo)的長度u進(jìn)行屏蔽效能校核進(jìn)行屏蔽效能校核第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u波導(dǎo)的截止頻率：波導(dǎo)的截

40、止頻率：fc = f = 50GHzu波導(dǎo)的截面形狀：選用正方形截面波導(dǎo)波導(dǎo)的截面形狀：選用正方形截面波導(dǎo)u波導(dǎo)的截面尺寸：波導(dǎo)的截面尺寸：fc = 1510 9/ aa = 1510 9/ fc = 3mmu波導(dǎo)數(shù)目波導(dǎo)數(shù)目N = 0.4510 6/ (33) = 50000每個(gè)通風(fēng)窗的波導(dǎo)每個(gè)通風(fēng)窗的波導(dǎo)數(shù)目：數(shù)目：25000例例4 4 一屏蔽室的工作頻率范圍是一屏蔽室的工作頻率范圍是10KHz 10GHz，要求通風(fēng)孔，要求通風(fēng)孔的的 總通風(fēng)面積為總通風(fēng)面積為0. 45m2 ，設(shè)計(jì)總屏蔽效能為，設(shè)計(jì)總屏蔽效能為95dB的截止波導(dǎo)的截止波導(dǎo)通風(fēng)窗。通風(fēng)窗。 解：解：第第3 3章章: :電磁干

41、擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u波導(dǎo)的長度：波導(dǎo)的長度：13 18920.7mm27.327.3a SElu單根波導(dǎo)的屏蔽效能單根波導(dǎo)的屏蔽效能120lg9594189 dBSESEN第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)4 4、 金屬孔板的屏蔽效能金屬孔板的屏蔽效能第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽效能的計(jì)算公式屏蔽效能的計(jì)算公式SE = ARBK1K2+K3式中：式中：A 孔的吸收損耗孔的吸收損耗 R 孔的反射損耗孔的反射損耗 B 孔的多次反射損耗孔的多次反射損耗 K1 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系數(shù) K2 低頻穿透修正系數(shù)

42、低頻穿透修正系數(shù) K3 孔間耦合修正系數(shù)孔間耦合修正系數(shù)a. 孔的吸收損耗孔的吸收損耗 A 按截止波導(dǎo)計(jì)算按截止波導(dǎo)計(jì)算 矩形孔：矩形孔：Ar = 27.3 t / a 圓形孔：圓形孔：Ac = 32.0 t / D t 孔的深度（孔的深度（cm）a 矩形孔的最大寬度（矩形孔的最大寬度（cm）D 圓形孔的直徑（圓形孔的直徑（cm）第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)b. 孔的反射損耗孔的反射損耗 R 其中：其中： 矩形孔矩形孔 圓形孔圓形孔 遠(yuǎn)場遠(yuǎn)場 近區(qū)、電場近區(qū)、電場2(1)20 lg20 lg()44wwmmZKRZZKZmwZKZ00223.682mrmmc

43、ZjfWZZjfD0001201/( 2)2wwwewmZZZjfrZjfr 近區(qū)、磁場近區(qū)、磁場第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)a 每一孔洞的面積（每一孔洞的面積（cm2）P 孔間導(dǎo)體寬度孔間導(dǎo)體寬度 / 趨膚深度趨膚深度20.10.23120lg 1() 10e1AjAKBKc. 多次反射修正多次反射修正Bd. 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系數(shù)K1 e. 低頻穿透修正系數(shù)低頻穿透修正系數(shù)K2f. 孔間耦合修正系數(shù)孔間耦合修正系數(shù)K3 110lgKan 2.3220lg 135Kp 320lg 1 tanh(8.686)KAn 每每cm2內(nèi)的孔洞數(shù)內(nèi)的孔洞數(shù)第第3

44、 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)解解 a. A = 32 t / D = 12.8 dB例例 某飛機(jī)控制盒用鋁板加工而成，鋁板厚度某飛機(jī)控制盒用鋁板加工而成，鋁板厚度t = 2mm，兩側(cè)面板，兩側(cè)面板 上的總孔數(shù)為上的總孔數(shù)為289, 孔的形狀為圓形，孔徑孔的形狀為圓形，孔徑D = 5mm，孔的，孔的中心間距為中心間距為18mm。設(shè)平面波的頻率為。設(shè)平面波的頻率為f = 5MHz，求控制盒的，求控制盒的屏蔽效能。屏蔽效能。b. 2(1)20 lg20 lg31.2dB44KKRK2001121.45 103.682120mcwZKjfDjZ0.2

45、3120lg 1() 10e120lg 1 10e0.47dBAjAAjAKBK c. 第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)孔陣面積：孔陣面積：d. 孔數(shù)目修正系數(shù)孔數(shù)目修正系數(shù)K1 e. 低頻穿透修正系數(shù)低頻穿透修正系數(shù)K2f. 110lg10lg(0.196 0.37) 11.39dBKan2.3220lg 1350Kp 320lg 1/ tanh(12.8/8.686)0.91dBK 22(1.870.5)(1.8 80.5)390 cm總孔數(shù)：總孔數(shù)：2144/3900.37 1/cmn332(185) 1013 1015.163.5 10rpf故故 SE

46、= A + R + B + K1 + K2 + K3 = 55.8 dB第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)5、通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)焊接式安裝焊接式安裝壓緊式安裝壓緊式安裝第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)操作器件的處理操作器件的處理器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計(jì)器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計(jì)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)顯示窗的處理顯示窗的處理第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)貫通導(dǎo)體的處理貫通導(dǎo)體的處理不允

47、許金屬導(dǎo)線不采取任何措施直接穿過屏蔽體！不允許金屬導(dǎo)線不采取任何措施直接穿過屏蔽體！第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)貫通導(dǎo)體的處理貫通導(dǎo)體的處理第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.6 電磁密封處理電磁密封處理u減少結(jié)合處的緊固螺釘，增加設(shè)備美觀性和可維護(hù)性減少結(jié)合處的緊固螺釘，增加設(shè)備美觀性和可維護(hù)性u降低對機(jī)械加工的要求，允許接觸面有較低的平整度降低對機(jī)械加工的要求，允許接觸面有較低的平整度u在縫隙處不會產(chǎn)生高頻泄漏在縫隙處不會產(chǎn)生高頻泄漏1. 電磁密封襯墊電磁密封襯墊電磁密封襯墊是解決縫隙電磁泄漏的有效而方便的方法電磁密封襯墊

48、是解決縫隙電磁泄漏的有效而方便的方法使用電磁密封襯墊的主要優(yōu)點(diǎn)使用電磁密封襯墊的主要優(yōu)點(diǎn)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u機(jī)箱結(jié)合面的縫隙長度超過機(jī)箱結(jié)合面的縫隙長度超過/20u要求機(jī)箱的屏蔽效能大于要求機(jī)箱的屏蔽效能大于40dBu設(shè)備的發(fā)射或敏感頻率超過設(shè)備的發(fā)射或敏感頻率超過100MHzu無法采用機(jī)械加工來得到更好的導(dǎo)電連續(xù)性無法采用機(jī)械加工來得到更好的導(dǎo)電連續(xù)性u結(jié)合面采用了不同材料，而且設(shè)備要在惡劣環(huán)境下工作結(jié)合面采用了不同材料，而且設(shè)備要在惡劣環(huán)境下工作u需要對環(huán)境采取密封措施需要對環(huán)境采取密封措施使用電磁密封襯墊的場合使用電磁密封襯墊的場合第第3 3

49、章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u保持接觸面清潔，且沒有非導(dǎo)電保護(hù)層保持接觸面清潔，且沒有非導(dǎo)電保護(hù)層u選用導(dǎo)電性能好的襯墊材料選用導(dǎo)電性能好的襯墊材料u對襯墊施加足夠的壓力對襯墊施加足夠的壓力u襯墊有足夠的厚度襯墊有足夠的厚度u注意襯墊與屏蔽體接觸表面間的電化學(xué)腐蝕注意襯墊與屏蔽體接觸表面間的電化學(xué)腐蝕u當(dāng)需要活動接觸時(shí)，應(yīng)使用指形簧片當(dāng)需要活動接觸時(shí)，應(yīng)使用指形簧片使用電磁密封襯墊的關(guān)鍵使用電磁密封襯墊的關(guān)鍵第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u回彈力回彈力u導(dǎo)電性導(dǎo)電性u最小形變量最小形變量u襯墊厚度襯墊厚度u電化學(xué)相容性電化學(xué)相容性u壓

50、縮永久形變壓縮永久形變電磁密封襯墊的主要性能指標(biāo)電磁密封襯墊的主要性能指標(biāo)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u金屬絲網(wǎng)襯墊金屬絲網(wǎng)襯墊 用鈹銅絲、不銹鋼絲編織成管狀長條。為了增用鈹銅絲、不銹鋼絲編織成管狀長條。為了增強(qiáng)金屬網(wǎng)的彈性，有時(shí)在網(wǎng)管內(nèi)加入橡膠芯。強(qiáng)金屬網(wǎng)的彈性，有時(shí)在網(wǎng)管內(nèi)加入橡膠芯。 常用電磁密封襯墊常用電磁密封襯墊 屏蔽效能：電場屏蔽效能：電場 130dB（10MHz），）， 105dB（1GHz）磁場磁場 80dB（100kHz）第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 在硅橡膠內(nèi)填充占總重量在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70 80

51、比例的金屬顆粒，比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時(shí)具等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時(shí)具有較好的導(dǎo)電性。有較好的導(dǎo)電性。 u導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u導(dǎo)電布襯墊導(dǎo)電布襯墊u導(dǎo)電布包裹發(fā)泡橡膠構(gòu)成。導(dǎo)電布包裹發(fā)泡橡膠構(gòu)成。u導(dǎo)電布由銅、銅鎳與黑色樹脂制成。有導(dǎo)電編織纖維、導(dǎo)電布由銅、銅鎳與黑色樹脂制成。有導(dǎo)電編織纖維、導(dǎo)電非編織纖維和導(dǎo)電絲網(wǎng)等幾種類型。導(dǎo)電非編織纖維和導(dǎo)電絲網(wǎng)等幾種類型。100dB以上的屏蔽效果以上的屏蔽效果（20MHz10GHz）第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)u指形簧片指形簧片鈹銅制成的簧片，具有鈹銅制成的簧片，具有很好的彈性和導(dǎo)電性。很好的彈性和導(dǎo)電性。第第3 3章章: :