第02章放大器的基本原理

1、第一節(jié)第一節(jié) 晶體二極管晶體二極管第二節(jié)第二節(jié) 晶體三極管晶體三極管第三節(jié)第三節(jié) 基本放大電路基本放大電路第四節(jié)第四節(jié) 射極輸出器射極輸出器第五節(jié)第五節(jié) 場效應管及其放大電路場效應管及其放大電路第一節(jié)第一節(jié) 晶體二極管晶體二極管一、半導體的導電特性一、半導體的導電特性三、晶體二極管及其特性三、晶體二極管及其特性二、二、PN結及其單向導電性結及其單向導電性四、特殊二極管四、特殊二極管GeSi1. 本征半導體（本征半導體（intrinsic semiconductor） 現(xiàn)代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，現(xiàn)代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。它們的最外層

2、電子（價電子）都是四個。單晶硅（單晶硅（SiSi）和單晶鍺（）和單晶鍺（GeGe）的原子結構：）的原子結構：一、半導體的導電特性一、半導體的導電特性GeSiGeSiSi載流子（載流子（carrier）：）：熱運動產(chǎn)生熱運動產(chǎn)生自由電子自由電子空穴空穴 常溫下都可以定向運動常溫下都可以定向運動形成電流。形成電流。 本征半導體內的自由電本征半導體內的自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，兩子和空穴總是成對出現(xiàn)，兩種載流子的濃度相同。種載流子的濃度相同。 2. 雜質半導體雜質半導體 （extrinsic semiconductor） 摻入微量的摻入微量的5價元素價元素 摻入微量的摻入微量的3價元素價元素 N型

3、半導體型半導體P型半導體型半導體二、二、PN結的形成及其特性結的形成及其特性 擴散擴散復合復合空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 內電場內電場阻止擴散阻止擴散少子漂移少子漂移 漂移漂移= =擴散擴散動態(tài)平衡動態(tài)平衡PNPN結形成結形成 加正向電壓（正向偏置）：加正向電壓（正向偏置）： E0與與Ei 的方向相反的方向相反 空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)變窄 擴散電流變大擴散電流變大PN結導通結導通加反向偏置：空間電荷區(qū)變寬加反向偏置：空間電荷區(qū)變寬 PN結截止結截止 PN結的單向導電性：結的單向導電性： 內電場被削弱，多子的擴散加強能夠內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。形成較大的擴散電流。* *

4、PN 結正向偏置結正向偏置* * PN 結反向偏置結反向偏置內電場被加強，多子的擴散受抑制。內電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。能形成較小的反向電流。PN結的單向導電性：結的單向導電性： 三、晶體二極管及其特性三、晶體二極管及其特性N區(qū)引出的電極是二極管的負極區(qū)引出的電極是二極管的負極 晶體二極管晶體二極管PN結兩端引出電極結兩端引出電極P區(qū)引出的電極是二極管的正極區(qū)引出的電極是二極管的正極二極管的特性：二極管的特性： 死區(qū)電壓死區(qū)電壓Uon ：一般：一般硅管為硅管為0.5V、鍺管、鍺管略小于略小于0.2V。 正

5、常工作管壓降：正常工作管壓降：硅管通常為硅管通常為0.7V、鍺管鍺管0.20.3V。 二極管的伏安特性曲線 二極管具有單向導電性；二極管具有單向導電性； 二極管的伏安特性具有非線性；二極管的伏安特性具有非線性； 二極管的伏安特性與溫度有關。二極管的伏安特性與溫度有關。 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) ： （1）最大整流電流：指二極管長時間工作時允）最大整流電流：指二極管長時間工作時允許通過的最大正向平均電流，超過此值會損壞。許通過的最大正向平均電流，超過此值會損壞。（2）最大反向工作（峰值）電壓：它是保證二）最大反向工作（峰值）電壓：它是保證二極管能正常工作而設定的極限反向電壓，一般定極管能

6、正常工作而設定的極限反向電壓，一般定為反向擊穿電壓的一半或三分之二。為反向擊穿電壓的一半或三分之二。（3）反向飽和電流：指二極管未被擊穿前的最）反向飽和電流：指二極管未被擊穿前的最大反向電流，反映二極管的單向導電性能。大反向電流，反映二極管的單向導電性能。（4）最高工作頻率：指二極管正常工作的上限）最高工作頻率：指二極管正常工作的上限頻率。頻率。 四、特殊二極管四、特殊二極管穩(wěn)壓二極管（穩(wěn)壓二極管（zener diode） 工作在反向擊穿區(qū)的特殊二極管工作在反向擊穿區(qū)的特殊二極管 所加的反向電壓小所加的反向電壓小于擊穿電壓時，穩(wěn)壓管于擊穿電壓時，穩(wěn)壓管有極大的內阻；超過反有極大的內阻；超過反向

7、擊穿電壓時，電流急向擊穿電壓時，電流急劇增大，電流能在很大劇增大，電流能在很大范圍內變化，但管子兩范圍內變化，但管子兩端的電壓基本不變。端的電壓基本不變。 使用穩(wěn)壓管時要注意三點：使用穩(wěn)壓管時要注意三點： （1 1） 穩(wěn)壓管一般都是硅管；穩(wěn)壓管一般都是硅管；（2 2） 連接電路時應反接；連接電路時應反接；（3 3） 穩(wěn)壓管需串入一電阻。穩(wěn)壓管需串入一電阻。 限流以保護穩(wěn)壓管；限流以保護穩(wěn)壓管； 當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調節(jié)穩(wěn)壓管的阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。工作電流，從而

8、起到穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓管主要參數(shù)：穩(wěn)壓管主要參數(shù)： 穩(wěn)定電壓：正常工作時的穩(wěn)定電壓值。穩(wěn)定電壓：正常工作時的穩(wěn)定電壓值。 穩(wěn)定電流：指穩(wěn)壓效果較好的工作電流。穩(wěn)定電流：指穩(wěn)壓效果較好的工作電流。 動態(tài)電阻：正常工作時的動態(tài)電阻：正常工作時的rU/I，它是衡，它是衡量穩(wěn)壓管穩(wěn)壓性能好壞的指標，其值越小越好。量穩(wěn)壓管穩(wěn)壓性能好壞的指標，其值越小越好。 最大允許耗散功率：管子不致發(fā)生熱擊穿的最最大允許耗散功率：管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。大功率損耗。 電壓溫度系數(shù)：指溫度每增加電壓溫度系數(shù)：指溫度每增加1時，穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓值所變化的百分數(shù)。低于所變化的百分數(shù)。低于6V為負值為負值 高于高于6V為正

9、值為正值 6V左右受溫度的影響比較小左右受溫度的影響比較小 變容二極管變容二極管 （capacitance diode） PN結電容效應：結電容效應： 結電容隨外加電壓結電容隨外加電壓變化而顯著改變的二極變化而顯著改變的二極管，反向運用。管，反向運用。 應用：電子調諧器應用：電子調諧器 光電二極管光電二極管 photo diode 反向偏置時，光反向偏置時，光照可使照可使PN結產(chǎn)生新結產(chǎn)生新的載流子，雖然多子的載流子，雖然多子不能穿過不能穿過PN結，但結，但少子在內電場作用下少子在內電場作用下可以漂移過結，反向可以漂移過結，反向飽和電流增加，形成飽和電流增加，形成光電流。光電流。 發(fā)光二極管發(fā)

10、光二極管 light emitting diode ，LED 在正向導通時會發(fā)光在正向導通時會發(fā)光 正向電壓作用下，一部分在正向電壓作用下，一部分在PN結內擴散的自結內擴散的自由電子和空穴發(fā)生直接復合。復合過程產(chǎn)生原子由電子和空穴發(fā)生直接復合。復合過程產(chǎn)生原子的能級躍遷，即從高能級躍遷至低能級，能量差的能級躍遷，即從高能級躍遷至低能級，能量差將以光子形式向外發(fā)射。將以光子形式向外發(fā)射。第二節(jié)第二節(jié) 晶體三極管晶體三極管一、晶體三極管的結構一、晶體三極管的結構二、晶體三極管的放大作用二、晶體三極管的放大作用三、晶體三極管的特性曲線三、晶體三極管的特性曲線四、晶體三極管的主要參數(shù)四、晶體三極管的主

11、要參數(shù)一、晶體三極管的結構一、晶體三極管的結構三區(qū)三區(qū) 三極三極 兩結兩結基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)基極基極B（base） 發(fā)射極發(fā)射極E（emitter） 集電極集電極C（collector） 發(fā)射結發(fā)射結 集電結集電結 BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基區(qū)：較薄，基區(qū)：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區(qū)：集電區(qū)：面積較大面積較大發(fā)射區(qū)：摻發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高雜濃度較高制造工藝要求：制造工藝要求：二、晶體管三極的放大作用二、晶體管三極的放大作用共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法: 基極電位高于發(fā)射極基極電位高于發(fā)射極集電極電位高于基極集電極電位高于基極 發(fā)射結發(fā)射結- -正向偏置正

12、向偏置 集電結集電結- -反向偏置反向偏置(UCUBUE) 晶體管的發(fā)射極是輸入回路和輸出回路的公共晶體管的發(fā)射極是輸入回路和輸出回路的公共 端，所以稱這種電路為共發(fā)射極放大電路。端，所以稱這種電路為共發(fā)射極放大電路。 還可構成共基極放大電路和共集電極放大電路。還可構成共基極放大電路和共集電極放大電路。 三極管放大原理：三極管放大原理：BECNNPEBRBIE基區(qū)空穴基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)向發(fā)射區(qū)的擴散可的擴散可忽略。忽略。IBE進入進入P區(qū)的電子區(qū)的電子少部分與基區(qū)的少部分與基區(qū)的空穴復合，形成空穴復合，形成電流電流IBE ，多數(shù)多數(shù)擴散到集電結。擴散到集電結。ECRc發(fā)射結正發(fā)射結正偏，發(fā)射偏，

13、發(fā)射區(qū)電子不區(qū)電子不斷向基區(qū)斷向基區(qū)擴散，形擴散，形成發(fā)射極成發(fā)射極電流電流IE。IE集電結反偏，有少集電結反偏，有少子（空穴）形成的子（空穴）形成的反向電流反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICEECRc從基區(qū)擴從基區(qū)擴散來的電散來的電子作為基子作為基區(qū)的少子，區(qū)的少子，漂移進入漂移進入集電區(qū)而集電區(qū)而被收集，被收集，形成形成ICE。BECNNPEBRB三極管放大原理：三極管放大原理：IB=IBE-ICBO IBEIBEBRBIEICBOICEIBEBECNNPIC=ICE+ICBO ICEECRc三極管放大原理：三極管放大原理： 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子：發(fā)射區(qū)向基

14、區(qū)發(fā)射電子：形成發(fā)射極電流形成發(fā)射極電流I IE E 電子在基區(qū)中擴散與復合：電子在基區(qū)中擴散與復合：形成基極電流形成基極電流I IB B 集電區(qū)收集電子：集電區(qū)收集電子：形成集電極電流形成集電極電流I IC C 滿足：基爾霍夫定律：滿足：基爾霍夫定律：IB IC IE I IC CIIB B直流電流直流電流放大系數(shù)放大系數(shù)ICIB交流電流交流電流放大系數(shù)放大系數(shù) 基極電流一個很小基極電流一個很小的變化的變化I IB B，可以引起集，可以引起集電極電流一個大的變化電極電流一個大的變化I IC C 。三極管放大原理：三極管放大原理：三、晶體三極管的特性曲線三、晶體三極管的特性曲線 實驗電路：實驗

15、電路： 輸出特性曲線：輸出特性曲線： 一般情況下均滿足一般情況下均滿足U UCECE1V1V，所以輸入特性曲線通常，所以輸入特性曲線通常只畫出最右邊那一條。只畫出最右邊那一條。 輸出特性曲線：輸出特性曲線： IB為常數(shù)時，為常數(shù)時，IC與與UCE之之間函數(shù)關系曲線間函數(shù)關系曲線ICf（UCE） 隨著隨著UCE的增大，的增大，IC迅迅速增大。當速增大。當UCE1V以后，以后，UCE再增加，再增加，IC也幾乎不也幾乎不再增大了。此時，再增大了。此時，IC主要主要由由IB決定。決定。 三個工作區(qū)三個工作區(qū)放大區(qū)：放大區(qū)： 截止區(qū)：發(fā)射結和集電結均反偏截止區(qū)：發(fā)射結和集電結均反偏飽和區(qū)：發(fā)射結和集電結

16、均正偏飽和區(qū)：發(fā)射結和集電結均正偏發(fā)射結正偏、發(fā)射結正偏、 集電結反偏集電結反偏 滿足滿足I IC CI IB B四、晶體三極管的主要參數(shù)四、晶體三極管的主要參數(shù) 1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)IC/IB UCE常數(shù) 直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)IC/IBUCE常數(shù) 交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)2. 極間反向電流極間反向電流ICB0和和ICE0 ICB0 發(fā)射極開路、集電結加反向電壓時，在基發(fā)射極開路、集電結加反向電壓時，在基 極回路中所測得的電流（反向飽和電流）。極回路中所測得的電流（反向飽和電流）。 ICE0 基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向電基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向電

17、 流（穿透電流）。流（穿透電流）。 ICE0ICB0ICB0（1）ICB0 ICB0 越小越好，越小越好，ICE0越大越好。他們都受溫度影響。越大越好。他們都受溫度影響。3. 3. 極限參數(shù)極限參數(shù) (1)(1)集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM：值下降到原來的值下降到原來的 2/32/3時的時的IC 。 (2)(2)集集- -射極擊穿電壓射極擊穿電壓BUCE0：集電極和發(fā)射極之間集電極和發(fā)射極之間 的最大允許電壓。的最大允許電壓。 (4)(4)集電極最大耗散功率集電極最大耗散功率PCM ：溫度升到晶體管的：溫度升到晶體管的 最高允許溫度時，在集電極上耗散的功率值被最高允許溫度時，在集

18、電極上耗散的功率值被 規(guī)定為集電極最大耗散功率。規(guī)定為集電極最大耗散功率。 PCMICUCE PCM1W的管子加散熱片 (3)(3)射射- -基極反向擊穿電壓基極反向擊穿電壓BUEB0：集電極開路時，：集電極開路時， 發(fā)射結允許的最大反向電壓。發(fā)射結允許的最大反向電壓。 五、多級放大電路五、多級放大電路第三節(jié)第三節(jié) 基本放大電路基本放大電路一、放大電路的基本概念一、放大電路的基本概念二、基本放大電路及其工作狀態(tài)分析二、基本放大電路及其工作狀態(tài)分析三、放大電路性能指標的計算三、放大電路性能指標的計算四、靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路四、靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路一、放大電路的基本概念一、放大電路的基本概念1 1信號

19、的輸入、輸出和放大信號的輸入、輸出和放大 基本作用基本作用: :在輸入信號幅度過低時，將信號原樣放大，以便滿足檢測、傳輸或輸出的需要。 2 2放大電路的主要性能指標放大電路的主要性能指標（1）電壓放大倍數(shù)：）電壓放大倍數(shù)： iouuuA 同相位；與iou, 0uuA 反相位。與iou, 0uuA （2）輸入電阻：輸入電阻： 如果信號源的電動勢為ES、內阻為RS siiierrrus輸入阻抗越大越好輸入阻抗越大越好 rirbe iiiiur SiSiiErRruri越大，ui就越大 （3）輸出電阻：）輸出電阻：當輸入信號不變而負載電阻改變當輸入信號不變而負載電阻改變時，輸出電壓與輸出電流之比。時

20、，輸出電壓與輸出電流之比。oooiur oLoLouRrRu負載負載RLRL實際獲得的輸出電壓為實際獲得的輸出電壓為輸出電阻越小越好：輸出電阻越小越好： ro越小，越小，uo就越大，電路帶負就越大，電路帶負載的能力強，載的能力強，RL的變化對輸?shù)淖兓瘜敵鲭妷旱挠绊懸苍叫?。出電壓的影響也越小? 2放大電路的主要性能指標放大電路的主要性能指標（4）通頻帶：）通頻帶： 2 2放大電路的主要性能指標放大電路的主要性能指標下限頻率下限頻率 上限頻率上限頻率 放大電路在高頻和低頻端的放大倍數(shù)會明顯下降。放大電路在高頻和低頻端的放大倍數(shù)會明顯下降。 7 . 0BWLHff通頻帶：通頻帶： 通頻帶越寬放大

21、通頻帶越寬放大器適應能力越強器適應能力越強 （5）噪聲系數(shù)噪聲系數(shù) NSPPSNR信噪比應越大越好信噪比應越大越好 oiSNRSNRNF輸出端信噪比輸入端信噪比（有用信號功率）（有用信號功率） （噪聲信號功率）（噪聲信號功率） 信噪比信噪比噪聲系數(shù)噪聲系數(shù) 衡量放大電路抑制噪聲的能力衡量放大電路抑制噪聲的能力 2 2放大電路的主要性能指標放大電路的主要性能指標（1 1）共發(fā)射極放大電路的組成：共發(fā)射極放大電路的組成： T：電流放大；：電流放大；C1、C2：隔直、耦合；：隔直、耦合；EC：滿足偏：滿足偏置、提供輸出能量；置、提供輸出能量；RC：實現(xiàn)電壓放大。：實現(xiàn)電壓放大。 二二 基本放大電路及

22、其工作狀態(tài)分析基本放大電路及其工作狀態(tài)分析 1. 基本放大電路基本放大電路 （2）共發(fā)射極基本放大電路的工作過程：）共發(fā)射極基本放大電路的工作過程： ui （ ） iB （ ） iC （ ） uCE （ ） uo （ ）2. 放大電路的靜態(tài)工作點放大電路的靜態(tài)工作點 放大電路沒有輸入信號時的工作狀態(tài)。即確放大電路沒有輸入信號時的工作狀態(tài)。即確定放大電路的靜態(tài)（即直流）值定放大電路的靜態(tài)（即直流）值IB、IC和和UCE。 （1 1）直流通路法）直流通路法 開路開路 開路開路 BCBBECBRERUEIICIB UCEECICRC （2）用圖解法確定靜態(tài)工作點：）用圖解法確定靜態(tài)工作點： 線性元件

23、上線性元件上的電壓與電的電壓與電流的關系：流的關系：晶體管電晶體管電壓與電流壓與電流的關系：的關系：輸出特輸出特性曲線性曲線 交點為靜態(tài)工作點交點為靜態(tài)工作點 步驟：步驟：1作直流負載線：直線方程作直流負載線：直線方程 UCEECICRC 2求求IB：IBEC/RB 3交點交點Q為放大器的靜態(tài)工作點為放大器的靜態(tài)工作點 UCEECICRC 直流負載線直流負載線3.放大電路的動態(tài)分析放大電路的動態(tài)分析 交流通路：交流通路： 交流負載線：交流負載線： RLRC/RL 通過輸出特性曲線上的通過輸出特性曲線上的Q點做斜率為點做斜率為-1/RL 一條直一條直線，即為線，即為交流負載線交流負載線。LcoR

24、iu電路的輸出電壓電路的輸出電壓L1RL1R交流負載線的斜率為交流負載線的斜率為直流負載線的斜率為直流負載線的斜率為交流負載線比直交流負載線比直流負載線陡。流負載線陡。uiubeibicuceu0 動態(tài)分析過程：動態(tài)分析過程： 瞬時極性：瞬時極性：4放大電路的非線性失真放大電路的非線性失真 （non-linear distortion） 因因Q點設置不當或信號幅度過大，而使得放大電路點設置不當或信號幅度過大，而使得放大電路超出晶體管線性工作范圍所導致的輸出信號失真。超出晶體管線性工作范圍所導致的輸出信號失真。分兩種：分兩種：飽和失真飽和失真 Q點靠近飽和區(qū)點靠近飽和區(qū) 截止失真截止失真 Q點靠

25、近截止區(qū)點靠近截止區(qū)三三 放大電路性能指標的計算放大電路性能指標的計算1.微變等效電路微變等效電路 輸入回路將三極管等效為一只電阻輸入回路將三極管等效為一只電阻rbe，其定義為，其定義為BBEbeiur輸出回路可視為一只電流源，其大小被定義為輸出回路可視為一只電流源，其大小被定義為bc ii 只在低頻小信號情況下適用只在低頻小信號情況下適用 2.2.用微變等效電路計算性能指標用微變等效電路計算性能指標 NPN型共發(fā)射極放大電路的微變等效電路型共發(fā)射極放大電路的微變等效電路電壓放大倍數(shù)：電壓放大倍數(shù)： beLiou rRuuA輸入阻抗：輸入阻抗： beBiii/rRiur輸出阻抗：輸出阻抗： C

26、CCE0/RRrr四、四、 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定電路 當溫度升高時，反向飽和電流當溫度升高時，反向飽和電流 ICBO和和 ICEO都都將增加，而且溫度升高還會提高三極管的將增加，而且溫度升高還會提高三極管的 值，值，從而引起從而引起IC增大，使輸出特性曲線整體上移。增大，使輸出特性曲線整體上移。 原來設置原來設置好的工作點發(fā)好的工作點發(fā)生偏移。生偏移。導致導致改進電路改進電路 分壓式偏置放大電路分壓式偏置放大電路 不能太大 旁路電容 RB1、RB2組成了電源組成了電源EC的分壓電路。的分壓電路。 IB1IB2IBIB2 三極管參數(shù)引起的三極管參數(shù)引起的IB變化基本上不會影響變化

27、基本上不會影響UB。 CBBBBBBERRRRIU21222固定固定UB：穩(wěn)定過程：穩(wěn)定過程：tICIEIEREUEUBE（UBUE）IBIC五、多級放大器五、多級放大器 阻容耦合阻容耦合變壓器耦合變壓器耦合直接耦合直接耦合 耦合的方式耦合的方式總放大倍數(shù)：總放大倍數(shù)： Au Au1 Au2 Aun 輸入電阻就是輸輸入電阻就是輸入級的輸入電阻，輸入級的輸入電阻，輸出電阻就是輸出級的出電阻就是輸出級的輸出電阻。輸出電阻。 阻容耦合：阻容耦合：第四節(jié)第四節(jié) 射極輸出器射極輸出器一、射極輸出器的工作狀態(tài)一、射極輸出器的工作狀態(tài)二、射極輸出器的應用二、射極輸出器的應用射極輸出器射極輸出器（emitte

28、r followeremitter follower）= =射極跟隨器射極跟隨器= =共集電極放大器共集電極放大器 輸出信號是從發(fā)射輸出信號是從發(fā)射極和集電極兩端取極和集電極兩端取出的。出的。 一、射極輸出器的工作狀態(tài)一、射極輸出器的工作狀態(tài)1.靜態(tài)分析靜態(tài)分析 射極輸出器直流通路射極輸出器直流通路 BBBCBE)1 (IIIIIIEBBECCB)1 (RRUUIEECCCEIRUU2.動態(tài)分析動態(tài)分析bLeLo)1 (iRiRuLRRR/ELbLbbeeLbbei)1 (iRiriRirubLbbebLiou)1 ()1 (iRiriRuuA電壓放大倍數(shù)接近電壓放大倍數(shù)接近1 1，且略小，且

29、略小1 1。輸出電壓和輸入電壓同相位，具有跟隨作用。輸出電壓和輸入電壓同相位，具有跟隨作用。 （1 1）電壓放大倍數(shù)：）電壓放大倍數(shù)： 微變等效電路微變等效電路（2 2）輸入電阻）輸入電阻 和共發(fā)射極電路不同的是：和共發(fā)射極電路不同的是：射極輸出器大大提高了自射極輸出器大大提高了自身的輸入電阻。身的輸入電阻。LbeBi)1 (/RrRr2.動態(tài)分析動態(tài)分析（3 3）輸出電阻）輸出電阻 EoSbeoSbeoebboRuRruRruiiii)()1 ()(1)1 (1SbeESbeEESbeoooRrRRrRRRriur)()1 (SbeERrRSbeoRrr 射極輸出器的輸出電阻很低，有很強的帶

30、負載能力。 -恒壓源。 2.動態(tài)分析動態(tài)分析二、射極輸出器的應用二、射極輸出器的應用作輸入級作輸入級輸入電阻高輸入電阻高特性特性應用應用作輸出級作輸出級輸出電阻低輸出電阻低輸入電阻高輸入電阻高輸出電阻低輸出電阻低作中間級作中間級效果效果提高了放大倍數(shù)；減提高了放大倍數(shù)；減小了對信號源的影響小了對信號源的影響 提高了驅動能力提高了驅動能力 電阻轉換電阻轉換二、絕緣柵場效應管的主要參數(shù)二、絕緣柵場效應管的主要參數(shù)第五節(jié)第五節(jié) 場效應管及其放大電路場效應管及其放大電路一、絕緣柵型場效應管一、絕緣柵型場效應管三、場效應管基本放大電路三、場效應管基本放大電路一、絕緣柵場效應管一、絕緣柵場效應管 N溝道增

31、強型絕緣柵場效應管溝道增強型絕緣柵場效應管 （金屬（金屬-氧化物氧化物-半導體場效應管）半導體場效應管） Metal-Oxide-Semiconducter，MOSMOS場效應管：場效應管： 三個電極：柵極三個電極：柵極G、源極、源極S和漏極和漏極D NMOSPMOS增強型增強型耗盡型耗盡型增強型增強型耗盡型耗盡型1. 增強型絕緣柵場效應管增強型絕緣柵場效應管 在在UGS=0時沒有導電溝道，只在時沒有導電溝道，只在UGS增加至電增加至電場達到一定強度后才能形成導電溝道。場達到一定強度后才能形成導電溝道。 增強型增強型NMOS的特性的特性轉移特性轉移特性開啟電壓開啟電壓UT ：剛好能夠形成導電：剛好能夠形成導電溝道的柵源電壓。溝道的柵源電壓。在在MOS管的柵極和源極之間加管的柵極和源極之間加輸入信號，則通過輸入電壓輸入信號，則通過輸入