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1、1會(huì)計(jì)學(xué)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管2DI 圖圖3.1對(duì)稱對(duì)稱n溝溝pn結(jié)結(jié)JFET的橫截面的橫截面漏源電壓在溝道區(qū)產(chǎn)生電場(chǎng)，使多子從源極流向漏極。DI 圖圖3.1對(duì)稱對(duì)稱n溝溝pn結(jié)結(jié)JFET的橫截面的橫截面厚度幾厚度幾十幾十幾微米微米兩邊夾兩邊夾結(jié)型結(jié)型:大于大于107，絕緣柵，絕緣柵:1091015。VGS=0VGS0VGS0VDS01、 VGS =0的情況：注：a.柵結(jié)p+n結(jié)近似單邊突變結(jié)。 b.溝道區(qū)假定為均勻摻雜 。（1）器件偏置特點(diǎn) VDS =0時(shí) 柵結(jié)只存在平衡時(shí)的耗盡層 沿溝長(zhǎng)方向溝道橫截面積相同 VDS0 漏端附近的耗盡層厚度,向溝道區(qū)擴(kuò)展，沿溝長(zhǎng)方向溝道橫截面積不同

2、, 漏端截面A最小。VDS較?。篤DS增大：VDS較大：增加到正好使漏端處溝道橫截面積 =0夾斷點(diǎn)：溝道橫截面積正好=0線性區(qū)過(guò)渡區(qū)ID存在，且仍由導(dǎo)電溝道區(qū)電特性決定零偏柵壓小反偏柵壓VGS0 漏（源）柵結(jié)已經(jīng)反偏 ； 耗盡層厚度大于VGS =0的情況； 有效溝道電阻增加。DSVDIGSVGSVPVDIGSV結(jié)論：柵結(jié)反偏壓可改變耗盡層大小，從而控制漏電流大小。n肖特基勢(shì)壘代替PN結(jié)耗盡型：加負(fù)壓耗盡層擴(kuò)展到夾斷（正壓情況不行）耗盡型：加負(fù)壓耗盡層擴(kuò)展到夾斷（正壓情況不行）耗盡型：耗盡型：增強(qiáng)型：電壓擺幅小，因?yàn)樗诱龎翰荒芴?，否則從電流從柵極走掉了增強(qiáng)型：電壓擺幅小，因?yàn)樗诱龎翰荒芴?，否則從電流從柵極走掉了增強(qiáng)型：增強(qiáng)型：DI 圖圖3.1對(duì)稱對(duì)稱n溝溝pn結(jié)結(jié)JFET的橫截面的橫截面漏源電壓在溝道區(qū)

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