半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備項目可行性研究報告（模板范本）

1、泓域咨詢/半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備項目可行性研究報告半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備項目可行性研究報告xxx有限公司目錄第一章 總論10一、 項目名稱及投資人10二、 編制原則10三、 編制依據(jù)11四、 編制范圍及內(nèi)容11五、 項目建設(shè)背景12六、 項目建設(shè)的可行性14七、 結(jié)論分析15主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表17第二章 公司基本情況19一、 公司基本信息19二、 公司簡介19三、 公司競爭優(yōu)勢20四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)22公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)22公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)22五、 核心人員介紹23六、 經(jīng)營宗旨24七、 公司發(fā)展規(guī)劃24第三章 行業(yè)、市場分析30一、 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率低，國產(chǎn)替代空間廣30二、 半導(dǎo)體刻蝕設(shè)

2、備：多頻共振驅(qū)動刻蝕市場，國產(chǎn)替代未來可期32第四章 項目投資背景分析35一、 市場端：終端應(yīng)用需求上行，刻蝕設(shè)備市場快速發(fā)展35二、 技術(shù)端：先進制程拉動刻蝕用量，復(fù)雜結(jié)構(gòu)打開設(shè)備市場38三、 半導(dǎo)體設(shè)備投資占比巨大，刻蝕設(shè)備是其中重要一環(huán)41第五章 產(chǎn)品方案與建設(shè)規(guī)劃48一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容48二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)48產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表48第六章 項目選址方案51一、 項目選址原則51二、 建設(shè)區(qū)基本情況51三、 主攻重大產(chǎn)業(yè)項目52四、 提升城市發(fā)展格局53五、 項目選址綜合評價54第七章 技術(shù)方案分析55一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析55二、 項目技術(shù)工藝分析57三、 質(zhì)量管理

3、59四、 設(shè)備選型方案60主要設(shè)備購置一覽表60第八章 原輔材料分析62一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況62二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理62第九章 建筑工程方案64一、 項目工程設(shè)計總體要求64二、 建設(shè)方案65三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)68建筑工程投資一覽表68第十章 安全生產(chǎn)70一、 編制依據(jù)70二、 防范措施73三、 預(yù)期效果評價75第十一章 人力資源配置分析77一、 人力資源配置77勞動定員一覽表77二、 員工技能培訓(xùn)77第十二章 項目節(jié)能分析80一、 項目節(jié)能概述80二、 能源消費種類和數(shù)量分析81能耗分析一覽表82三、 項目節(jié)能措施82四、 節(jié)能綜合評價85第十三章 環(huán)境保護

4、方案86一、 編制依據(jù)86二、 環(huán)境影響合理性分析86三、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析87四、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析88五、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析88六、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析89七、 環(huán)境管理分析90八、 結(jié)論及建議91第十四章 建設(shè)進度分析93一、 項目進度安排93項目實施進度計劃一覽表93二、 項目實施保障措施94第十五章 項目投資計劃95一、 編制說明95二、 建設(shè)投資95建筑工程投資一覽表96主要設(shè)備購置一覽表97建設(shè)投資估算表98三、 建設(shè)期利息99建設(shè)期利息估算表99固定資產(chǎn)投資估算表100四、 流動資金101流動資金估算表102五、 項目總投資103總投資及構(gòu)成一覽表103

5、六、 資金籌措與投資計劃104項目投資計劃與資金籌措一覽表104第十六章 項目經(jīng)濟效益評價106一、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算106營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表106綜合總成本費用估算表107固定資產(chǎn)折舊費估算表108無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表109利潤及利潤分配表111二、 項目盈利能力分析111項目投資現(xiàn)金流量表113三、 償債能力分析114借款還本付息計劃表115第十七章 項目招標(biāo)方案117一、 項目招標(biāo)依據(jù)117二、 項目招標(biāo)范圍117三、 招標(biāo)要求117四、 招標(biāo)組織方式119五、 招標(biāo)信息發(fā)布121第十八章 項目風(fēng)險評估122一、 項目風(fēng)險分析122二、 公司競爭劣勢129第十九章

6、 總結(jié)評價說明130第二十章 附表附件132建設(shè)投資估算表132建設(shè)期利息估算表132固定資產(chǎn)投資估算表133流動資金估算表134總投資及構(gòu)成一覽表135項目投資計劃與資金籌措一覽表136營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表137綜合總成本費用估算表138固定資產(chǎn)折舊費估算表139無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表140利潤及利潤分配表140項目投資現(xiàn)金流量表141報告說明存儲工藝革新帶動刻蝕需求提升。NANDFlash技術(shù)不斷成熟和進步，現(xiàn)已經(jīng)邁入3DNAND時代，3DNAND采用將存儲單元立體堆疊的方式，使得儲存能力提升明顯，而其技術(shù)復(fù)雜程度較2D有顯著提升。3DNAND需要先經(jīng)過干法和濕法刻蝕形

7、成柱形通孔和3DNAND單元，由內(nèi)層依次形成沉積氧化層-氮化層-氧化層結(jié)構(gòu)后形成浮柵層，然后刻蝕多余的FG使之能夠?qū)崿F(xiàn)完全隔離，最后通過多步沉積形成3DNANDFlash。3DNAND形成過程中需要用到多步刻蝕，并且要保證刻蝕的各向異性和盡量小的偏差，對于刻蝕設(shè)備和相應(yīng)技術(shù)都有著極高的要求。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資12583.51萬元，其中：建設(shè)投資9353.43萬元，占項目總投資的74.33%；建設(shè)期利息249.39萬元，占項目總投資的1.98%；流動資金2980.69萬元，占項目總投資的23.69%。項目正常運營每年營業(yè)收入25500.00萬元，綜合總成本費用19859.65萬元，凈利

8、潤4126.84萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率24.95%，財務(wù)凈現(xiàn)值6639.74萬元，全部投資回收期5.64年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。該項目的建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策；同時項目的技術(shù)含量較高，其建設(shè)是必要的；該項目市場前景較好；該項目外部配套條件齊備，可以滿足生產(chǎn)要求；財務(wù)分析表明，該項目具有一定盈利能力。綜上，該項目建設(shè)條件具備，經(jīng)濟效益較好，其建設(shè)是可行的。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設(shè)計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。第一章 總論一、 項目名稱及投資人（

9、一）項目名稱半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備項目（二）項目投資人xxx有限公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xxx。二、 編制原則1、嚴格遵守國家和地方的有關(guān)政策、法規(guī)，認真執(zhí)行國家、行業(yè)和地方的有關(guān)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定；2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術(shù)路線，提高項目的競爭力和市場適應(yīng)性；3、設(shè)備的布置根據(jù)現(xiàn)場實際情況，合理用地；4、嚴格執(zhí)行“三同時”原則，積極推進“安全文明清潔”生產(chǎn)工藝，做到環(huán)境保護、勞動安全衛(wèi)生、消防設(shè)施和工程建設(shè)同步規(guī)劃、同步實施、同步運行，注意可持續(xù)發(fā)展要求，具有可操作彈性；5、形成以人為本、美觀的生產(chǎn)環(huán)境，體現(xiàn)企業(yè)文化和企業(yè)形象；6、滿足項目業(yè)主對項目功能、盈利性等投資方面的要求；

10、7、充分估計工程各類風(fēng)險，采取規(guī)避措施，滿足工程可靠性要求。三、 編制依據(jù)1、國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年計劃綱要；2、投資項目可行性研究指南；3、相關(guān)財務(wù)制度、會計制度；4、投資項目可行性研究指南；5、可行性研究開始前已經(jīng)形成的工作成果及文件；6、根據(jù)項目需要進行調(diào)查和收集的設(shè)計基礎(chǔ)資料；7、可行性研究與項目評價；8、建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)；9、項目建設(shè)單位提供的有關(guān)本項目的各種技術(shù)資料、項目方案及基礎(chǔ)材料。四、 編制范圍及內(nèi)容1、項目提出的背景及建設(shè)必要性；2、市場需求預(yù)測；3、建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案；4、建設(shè)地點與建設(shè)條性；5、工程技術(shù)方案；6、公用工程及輔助設(shè)施方案；7、環(huán)境保護、安

11、全防護及節(jié)能；8、企業(yè)組織機構(gòu)及勞動定員；9、建設(shè)實施與工程進度安排；10、投資估算及資金籌措；11、經(jīng)濟評價。五、 項目建設(shè)背景先進制程驅(qū)動產(chǎn)線建設(shè)成本上行，半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占比提升。通常，一條90nm制程芯片的晶圓生產(chǎn)線建設(shè)成本為20億美元，當(dāng)制程微縮至20nm時成本達到67億美元，翻了三倍之多。而半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)線投資的主要投入項，不僅種類繁多，而且具有非常高的技術(shù)要求，也導(dǎo)致設(shè)備的價格非常昂貴，設(shè)備在生產(chǎn)線的資本支出占比也逐漸提高。根據(jù)高新智庫研究表明，在90nm制程中設(shè)備支出占比為70%，到了20nm制程占比達到85%，從14億美元提高到57億美元，提高了約4倍。堅持以創(chuàng)新發(fā)

12、展為驅(qū)動,高質(zhì)量發(fā)展的根基日趨堅固。系統(tǒng)謀劃“兩城一地”戰(zhàn)略，重點實施“363”“五大突破”“四個關(guān)鍵詞”等牽引性工作，連續(xù)兩年躋身“徐州第一方陣”，實現(xiàn)了歷史性突破。地區(qū)生產(chǎn)總值規(guī)模是“十二五”末的1.4倍，年均增速6.3%;三次產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)占比由“十二五”末的12.1:41.1:46.8調(diào)整到12:39:49。全社會研發(fā)經(jīng)費支出從7.5億元增加到16億元，高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占工業(yè)總產(chǎn)值比重達到30%，高質(zhì)量發(fā)展的支撐力更加強勁。堅持以協(xié)調(diào)發(fā)展為引領(lǐng)，高質(zhì)量發(fā)展的格局不斷放大。錨定現(xiàn)代化中等城市建設(shè)目標(biāo)，堅定不移推進以人為核心的新型城鎮(zhèn)化，全市常住人口城鎮(zhèn)化率由“十二五”末的51.6%提高到60%

13、。累計投入700多億元，滾動實施基礎(chǔ)設(shè)施重點工程658項，馬陵山路沫河大橋、城南綜合立交、高鐵樞紐等一大批事關(guān)長遠的項目建成投入使用。深入實施鄉(xiāng)村振興戰(zhàn)略，統(tǒng)籌推進農(nóng)村人居環(huán)境整治、城鄉(xiāng)綠化造林、村集體經(jīng)濟增收、農(nóng)民群眾住房條件改善等重點工作，“美麗新沂”建設(shè)取得重大成果。堅持以綠色發(fā)展為導(dǎo)向，高質(zhì)量發(fā)展的底色更加鮮明。牢固樹立“綠水青山就是金山銀山”理念，大力實施污染防治攻堅行動，全力打好“藍天、碧水、凈土”三大保衛(wèi)戰(zhàn)，全市生態(tài)環(huán)境質(zhì)量持續(xù)向好，生態(tài)優(yōu)先、綠色發(fā)展已成為全市上下的普遍共識和自覺行動。下大力氣抓好化工園區(qū)專項整治，投入15億元用于化工園區(qū)提檔升級，完成2000余戶居民搬遷;堅持

14、鐵腕治污，動真碰硬推進污染治理，高標(biāo)準(zhǔn)落實中央環(huán)保督察及“回頭看”反饋問題整改，依法關(guān)?；て髽I(yè)38家，關(guān)閉取締“散亂污”企業(yè)1500余家，一大批環(huán)境突出隱患得到消除。堅持以開放發(fā)展為支撐，高質(zhì)量發(fā)展的潛能加速釋放。搶抓徐州“雙向開放”綜合改革試點機遇，持續(xù)放大新沂承東啟西、呼南應(yīng)北的區(qū)位優(yōu)勢，樞紐偏好型產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了從無到有、由弱到強的突破。累計新批外資企業(yè)91家，到賬外資8.9億美元，年均增長119.9%;實現(xiàn)自營進出口274.7億元，年均增長25.8%。保稅物流中心(B型）建成開園，外綜服平臺外貿(mào)額突破4000萬美元，進出口通遒全面打通。積極開展對外交流合作，共舉辦境外招商活動16次，城市開

15、放程度明顯提升。六、 項目建設(shè)的可行性（一）不斷提升技術(shù)研發(fā)實力是鞏固行業(yè)地位的必要措施公司長期積累已取得了較豐富的研發(fā)成果。隨著研究領(lǐng)域的不斷擴大，公司產(chǎn)品不斷往精密化、智能化方向發(fā)展，投資項目的建設(shè)，將支持公司在相關(guān)領(lǐng)域投入更多的人力、物力和財力，進一步提升公司研發(fā)實力，加快產(chǎn)品開發(fā)速度，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，滿足行業(yè)發(fā)展和市場競爭的需求，鞏固并增強公司在行業(yè)內(nèi)的優(yōu)勢競爭地位，為建設(shè)國際一流的研發(fā)平臺提供充實保障。（二）公司行業(yè)地位突出，項目具備實施基礎(chǔ)公司自成立之日起就專注于行業(yè)領(lǐng)域，已形成了包括自主研發(fā)、品牌、質(zhì)量、管理等在內(nèi)的一系列核心競爭優(yōu)勢，行業(yè)地位突出，為項目的實施提供了良好的條件

16、。在生產(chǎn)方面，公司擁有良好生產(chǎn)管理基礎(chǔ)，并且擁有國際先進的生產(chǎn)、檢測設(shè)備；在技術(shù)研發(fā)方面，公司系國家高新技術(shù)企業(yè)，擁有省級企業(yè)技術(shù)中心，并與科研院所、高校保持著長期的合作關(guān)系，已形成了完善的研發(fā)體系和創(chuàng)新機制，具備進一步升級改造的條件；在營銷網(wǎng)絡(luò)建設(shè)方面，公司通過多年發(fā)展已建立了良好的營銷服務(wù)體系，營銷網(wǎng)絡(luò)拓展具備可復(fù)制性。七、 結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xxx，占地面積約31.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后，可形成年產(chǎn)xxx套半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進度本期項目建設(shè)期限規(guī)劃24個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根

17、據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資12583.51萬元，其中：建設(shè)投資9353.43萬元，占項目總投資的74.33%；建設(shè)期利息249.39萬元，占項目總投資的1.98%；流動資金2980.69萬元，占項目總投資的23.69%。（五）資金籌措項目總投資12583.51萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx有限公司計劃自籌資金（資本金）7493.90萬元。根據(jù)謹慎財務(wù)測算，本期工程項目申請銀行借款總額5089.61萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：25500.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：19859.65萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：4126.84萬元。4、財務(wù)內(nèi)部收益率（

18、FIRR）：24.95%。5、全部投資回收期（Pt）：5.64年（含建設(shè)期24個月）。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：9441.34萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益此項目建設(shè)條件良好，可利用當(dāng)?shù)刎S富的水、電資源以及便利的生產(chǎn)、生活輔助設(shè)施，項目投資省、見效快；此項目貫徹“先進適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則，技術(shù)先進，成熟可靠，投產(chǎn)后可保證達到預(yù)定的設(shè)計目標(biāo)。本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術(shù)指標(biāo)主要經(jīng)濟指

19、標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積20667.00約31.00畝1.1總建筑面積32526.601.2基底面積12193.531.3投資強度萬元/畝294.352總投資萬元12583.512.1建設(shè)投資萬元9353.432.1.1工程費用萬元8239.122.1.2其他費用萬元902.272.1.3預(yù)備費萬元212.042.2建設(shè)期利息萬元249.392.3流動資金萬元2980.693資金籌措萬元12583.513.1自籌資金萬元7493.903.2銀行貸款萬元5089.614營業(yè)收入萬元25500.00正常運營年份5總成本費用萬元19859.65""6利潤總額萬元55

20、02.46""7凈利潤萬元4126.84""8所得稅萬元1375.62""9增值稅萬元1149.13""10稅金及附加萬元137.89""11納稅總額萬元2662.64""12工業(yè)增加值萬元8868.72""13盈虧平衡點萬元9441.34產(chǎn)值14回收期年5.6415內(nèi)部收益率24.95%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元6639.74所得稅后第二章 公司基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx有限公司2、法定代表人：萬xx3、注冊資本：930萬元4、統(tǒng)一社

21、會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2013-10-87、營業(yè)期限：2013-10-8至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）二、 公司簡介公司將依法合規(guī)作為新形勢下實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的基本保障，堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進一步明確了全面合規(guī)管理責(zé)任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查，加強合規(guī)風(fēng)險防控，確

22、保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，重點領(lǐng)域合規(guī)管理不斷強化，各部門分工負責(zé)、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識普遍增強，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。公司依據(jù)公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關(guān)規(guī)定，制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則，董事會議事規(guī)則對董事會的職權(quán)、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 三、 公司競爭優(yōu)勢（一）工藝技術(shù)優(yōu)勢公司一直注重技術(shù)進步和工藝創(chuàng)新，通過引入國際先進的設(shè)備，不斷加大自主技術(shù)研發(fā)和工藝改進力度，形成較強的工藝技術(shù)優(yōu)勢。公司根據(jù)客戶受托產(chǎn)品的品種和特點，制定相應(yīng)的工藝技術(shù)參數(shù)，以滿

23、足客戶需求，已經(jīng)積累了豐富的工藝技術(shù)。經(jīng)過多年的技術(shù)改造和工藝研發(fā)，公司已經(jīng)建立了豐富完整的產(chǎn)品生產(chǎn)線，配備了行業(yè)先進的設(shè)備，形成了門類齊全、品種豐富的工藝，可為客戶提供一體化綜合服務(wù)。（二）節(jié)能環(huán)保和清潔生產(chǎn)優(yōu)勢公司圍繞清潔生產(chǎn)、綠色環(huán)保的生產(chǎn)理念，依托科技創(chuàng)新，注重從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)的優(yōu)化來減少三廢排放，實現(xiàn)污染的源頭和過程控制，通過引進智能化設(shè)備和采用自動化管理系統(tǒng)保障清潔生產(chǎn)，提高三廢末端治理水平，保障環(huán)境績效。經(jīng)過持續(xù)加大環(huán)保投入，公司已在節(jié)能減排和清潔生產(chǎn)方面形成了較為明顯的競爭優(yōu)勢。（三）智能生產(chǎn)優(yōu)勢近年來，公司著重打造 “智慧工廠”，通過建立生產(chǎn)信息化管理系統(tǒng)和自動輸送系統(tǒng)，

24、將企業(yè)的決策管理層、生產(chǎn)執(zhí)行層和設(shè)備運作層進行有機整合，搭建完整的現(xiàn)代化生產(chǎn)平臺，智能系統(tǒng)的建設(shè)有利于公司的訂單管理和工藝流程的優(yōu)化，在確保滿足客戶的各類功能性需求的同時縮短了產(chǎn)品交付期，提高了公司的競爭力，增強了對客戶的服務(wù)能力。（四）區(qū)位優(yōu)勢公司地處產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，在集中供氣、供電、供熱、供水以及廢水集中處理方面積累了豐富的經(jīng)驗，能源配套優(yōu)勢明顯。產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)和配套資源優(yōu)勢使公司在市場拓展、技術(shù)創(chuàng)新以及環(huán)保治理等方面具有獨特的競爭優(yōu)勢。（五）經(jīng)營管理優(yōu)勢公司擁有一支敬業(yè)務(wù)實的經(jīng)營管理團隊，主要高級管理人員長期專注于印染行業(yè)，對行業(yè)具有深刻的洞察和理解，對行業(yè)的發(fā)展動態(tài)有著較為準(zhǔn)確的把握，對產(chǎn)品

25、趨勢具有良好的市場前瞻能力。公司通過自主培養(yǎng)和外部引進等方式，建立了一支團結(jié)進取的核心管理團隊，形成了穩(wěn)定高效的核心管理架構(gòu)。公司管理團隊對公司的品牌建設(shè)、營銷網(wǎng)絡(luò)管理、人才管理等均有深入的理解，能夠及時根據(jù)客戶需求和市場變化對公司戰(zhàn)略和業(yè)務(wù)進行調(diào)整，為公司穩(wěn)健、快速發(fā)展提供了有力保障。四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額4283.333426.663212.50負債總額2564.242051.391923.18股東權(quán)益合計1719.091375.271289.32公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018

26、年度營業(yè)收入15233.6712186.9411425.25營業(yè)利潤3612.582890.062709.43利潤總額3257.202605.762442.90凈利潤2442.901905.461758.89歸屬于母公司所有者的凈利潤2442.901905.461758.89五、 核心人員介紹1、萬xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。2、程xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003

27、年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。3、錢xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。4、鐘xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。5、湯xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年

28、8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。6、袁xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。7、熊xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、熊xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月

29、至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。六、 經(jīng)營宗旨自主創(chuàng)新，誠實守信，讓世界分享中國創(chuàng)造的魅力。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）公司未來發(fā)展戰(zhàn)略公司秉承“不斷超越、追求完美、誠信為本、創(chuàng)新為魂”的經(jīng)營理念，貫徹“安全、現(xiàn)代、可靠、穩(wěn)定”的核心價值觀，為客戶提供高性能、高品質(zhì)、高技術(shù)含量的產(chǎn)品和服務(wù)，致力于發(fā)展成為行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商。未來公司將通過持續(xù)的研發(fā)投入和市場營銷網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)進一步鞏固公司在相關(guān)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，擴大市場份額；另一方面公司將緊密契合市場需求和技術(shù)發(fā)展方向進一步拓展公司產(chǎn)品類別，加大研發(fā)推廣力度，進一步提升公司綜合實力以及市場地位。（二）擴產(chǎn)計劃經(jīng)過多年的發(fā)展，公司在

30、相關(guān)領(lǐng)域領(lǐng)域積累了豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢，隨著公司業(yè)務(wù)規(guī)模逐年增長，產(chǎn)能瓶頸日益顯現(xiàn)。因此，產(chǎn)能提升計劃是實現(xiàn)公司整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要環(huán)節(jié)。公司將以全球行業(yè)持續(xù)發(fā)展及逐漸向中國轉(zhuǎn)移為依托，提高公司生產(chǎn)能力和生產(chǎn)效率，滿足不斷增長的客戶需求，鞏固并擴大公司在行業(yè)中的競爭優(yōu)勢，提高市場占有率和公司影響力。在產(chǎn)品拓展方面，公司計劃在擴寬現(xiàn)有產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的同時，不斷豐富產(chǎn)品類型，持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量和附加值，保持公司產(chǎn)品在行業(yè)中的競爭地位。（三）技術(shù)研發(fā)計劃公司未來將繼續(xù)加大技術(shù)開發(fā)和自主創(chuàng)新力度，在現(xiàn)有技術(shù)研發(fā)資源的基礎(chǔ)上完善技術(shù)中心功能，規(guī)范技術(shù)研究和產(chǎn)品開發(fā)流程，引進先進的設(shè)計、測試等軟硬件設(shè)備，提

31、高公司技術(shù)成果轉(zhuǎn)化能力和產(chǎn)品開發(fā)效率，提升公司新產(chǎn)品開發(fā)能力和技術(shù)競爭實力，為公司的持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展提供源源不斷的技術(shù)動力。公司將本著中長期規(guī)劃和近期目標(biāo)相結(jié)合、前瞻性技術(shù)研究和產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)相結(jié)合的原則，以研發(fā)中心為平臺，以市場為導(dǎo)向，進行技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新，健全和完善技術(shù)創(chuàng)新機制，從人、財、物和管理機制等方面確保公司的持續(xù)創(chuàng)新能力，努力實現(xiàn)公司新技術(shù)、新產(chǎn)品、新工藝的持續(xù)開發(fā)。（四）技術(shù)研發(fā)計劃公司將以新建研發(fā)中心為契機，在對現(xiàn)有產(chǎn)品的技術(shù)和工藝進行持續(xù)改進、提高公司的研發(fā)設(shè)計能力、滿足客戶對產(chǎn)品差異化需求的同時，順應(yīng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展，不斷研發(fā)新工藝、新技術(shù)，不斷提升產(chǎn)品自動化程度，在充分滿足下游領(lǐng)

32、域?qū)Ξa(chǎn)品質(zhì)量要求不斷提高的同時，強化公司自主創(chuàng)新能力，鞏固公司技術(shù)的行業(yè)先進地位，強化公司的綜合競爭實力。積極實施知識產(chǎn)權(quán)保護自主創(chuàng)新、自主知識產(chǎn)權(quán)和自主品牌是公司今后持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。自主知識產(chǎn)權(quán)是自主創(chuàng)新的保障，公司未來三年將重點關(guān)注專利的保護，依靠自主創(chuàng)新技術(shù)和自主知識產(chǎn)權(quán)，提高盈利水平。公司計劃在未來三年內(nèi)大量引進或培養(yǎng)技術(shù)研發(fā)、技術(shù)管理等專業(yè)人才，以培養(yǎng)技術(shù)骨干為重點建設(shè)內(nèi)容，建立一支高、中、初級專業(yè)技術(shù)人才合理搭配的人才隊伍，滿足公司快速發(fā)展對人才的需要。公司將采用各種形式吸引優(yōu)秀的科技人員。包括：提高技術(shù)人才的待遇；通過與高校、科研機構(gòu)聯(lián)合，實行對口培訓(xùn)等形式，強化技術(shù)人員知識更新

33、；積極拓寬人才引進渠道，實行就地取才、內(nèi)部挖掘和面向社會廣攬人才相結(jié)合。確保公司產(chǎn)品的高技術(shù)含量，充分滿足客戶的需求，使公司在激烈的市場競爭中立于不敗之地。公司將加強與高等院校、研發(fā)機構(gòu)的合作與交流，整合產(chǎn)、學(xué)、研資源優(yōu)勢，通過自主研發(fā)與合作開發(fā)并舉的方式，持續(xù)提升公司技術(shù)研發(fā)水平，提升公司對重大項目的攻克能力，提高自身研發(fā)技術(shù)水平，進一步強化公司在行業(yè)內(nèi)的影響力。（五）市場開發(fā)規(guī)劃公司根據(jù)自身技術(shù)特點與銷售經(jīng)驗，制定了如下市場開發(fā)規(guī)劃：首先，公司將以現(xiàn)有客戶為基礎(chǔ)，在努力提升產(chǎn)品質(zhì)量的同時，以客戶需求為導(dǎo)向，在各個方面深入了解客戶需求，以求充分滿足客戶的差異化需求，從而不斷增加現(xiàn)有客戶訂單；

34、其次，公司將在穩(wěn)定與現(xiàn)有客戶合作關(guān)系的同時，憑借公司成熟的業(yè)務(wù)能力及優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品質(zhì)量逐步向新的客戶群體拓展，挖掘新的銷售市場；最后，公司將不斷完善營銷網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，提升公司售后服務(wù)能力，從而提升公司整體服務(wù)水平，實現(xiàn)整體業(yè)務(wù)的協(xié)同及平衡發(fā)展。（六）人才發(fā)展規(guī)劃人才是公司發(fā)展的核心資源，為了實現(xiàn)公司總體戰(zhàn)略目標(biāo)，公司將健全人力資源管理體系，制定科學(xué)的人力資源開發(fā)計劃，進一步建立完善的培訓(xùn)、薪酬、績效和激勵機制，最大限度的發(fā)揮人才潛力，為公司的可持續(xù)發(fā)展提供人才保障。公司將立足于未來發(fā)展需要，進一步加快人才引進。通過專業(yè)化的人力資源服務(wù)和評估機制，滿足公司的發(fā)展需要。一方面，公司將根據(jù)不同部門職能，有針

35、對性的招聘專業(yè)化人才：管理方面，公司將建立規(guī)范化的內(nèi)部控制體系，根據(jù)需要招聘行業(yè)內(nèi)專業(yè)的管理人才，提升公司整體管理水平；技術(shù)方面，公司將引進行業(yè)內(nèi)優(yōu)秀人才，提升公司的技術(shù)創(chuàng)新能力，增加公司核心技術(shù)儲備，并加速成果轉(zhuǎn)化，確保公司技術(shù)水平的領(lǐng)先地位。另一方面，公司將建立人才梯隊，以培養(yǎng)管理和技術(shù)骨干為重點，有計劃地吸納各類專業(yè)人才進入公司，形成高、中、初級人才的塔式人才結(jié)構(gòu)，為公司的長遠發(fā)展儲備力量。培訓(xùn)是企業(yè)人力資源整合的重要途徑，未來公司將強化現(xiàn)有培訓(xùn)體系的建設(shè)，建立和完善培訓(xùn)制度，針對不同崗位的員工制定科學(xué)的培訓(xùn)計劃，并根據(jù)公司的發(fā)展要求及員工的發(fā)展意愿，制定員工的職業(yè)生涯規(guī)劃。公司將采用內(nèi)

36、部交流課程、外聘專家授課及先進企業(yè)考察等多種培訓(xùn)方式提高員工技能。人才培訓(xùn)的強化將大幅提升員工的整體素質(zhì)，使員工隊伍進一步適應(yīng)公司的快速發(fā)展步伐。公司將制定具有市場競爭力的薪酬結(jié)構(gòu)，制定和實施有利于人才成長和潛力挖掘的激勵政策。根據(jù)員工的服務(wù)年限及貢獻，逐步提高員工待遇，激發(fā)員工的創(chuàng)造性和主動性，為員工提供廣闊的發(fā)展空間，全力打造團結(jié)協(xié)作、拼搏進取、敬業(yè)愛崗、開拓創(chuàng)新的員工隊伍，從而有效提高公司凝聚力和市場競爭力。第三章 行業(yè)、市場分析一、 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化率低，國產(chǎn)替代空間廣國產(chǎn)刻蝕設(shè)備自給率不足兩成，國內(nèi)廠商有望迅速崛起。在2020年，核心集成電路設(shè)備的國內(nèi)市場國產(chǎn)化率不足10%，而刻蝕設(shè)備

37、的國產(chǎn)化率約20%，是目前國產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一，也有望率先完成國產(chǎn)替代。從需求端看，隨著全球貿(mào)易摩擦給半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來的不確定性，國內(nèi)晶圓廠更傾向于購買國產(chǎn)設(shè)備。從政策環(huán)境上來看，我國政府對于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)更加重視，推出有針對性的行業(yè)優(yōu)惠扶持政策和以專項的形式組織一批國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司進行一系列重點工藝和技術(shù)的攻關(guān)。從資本角度來看，政府成立一批國家產(chǎn)業(yè)投資基金，大力度投資半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等基礎(chǔ)環(huán)節(jié)。國內(nèi)刻蝕設(shè)備細分龍頭如北方華創(chuàng)、中微公司等在等離子體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域產(chǎn)品優(yōu)勢顯著，已達到世界領(lǐng)先水平。因此，刻蝕領(lǐng)域國產(chǎn)化替代前景廣闊，在需求、政策、資本、技術(shù)等多因素推動下，有望

38、加速實現(xiàn)國產(chǎn)化。對比國際刻蝕龍頭，國內(nèi)刻蝕企業(yè)在規(guī)模、研發(fā)、技術(shù)等差距顯著。國內(nèi)刻蝕領(lǐng)域雖然已經(jīng)涌現(xiàn)出多家實力雄厚的公司，如北方華創(chuàng)和中微公司，但國內(nèi)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)廠商在全球刻蝕設(shè)備市場的市占率較低，與世界頭部企業(yè)在多方面存在較大差距。從營業(yè)收入和歸母凈利潤角度看，北方華創(chuàng)和中微公司雖然在近年均呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢，但是總規(guī)模與國際巨頭差距懸殊。從研發(fā)投入角度看，雖然北方華創(chuàng)和中微公司研發(fā)投入占營業(yè)收入比重超過國外企業(yè)，但是研發(fā)投入總規(guī)模仍然遠遠小于國際龍頭企業(yè)。在國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金和行業(yè)政策的大力扶持下，二者的研發(fā)投入有望迎來大幅提升。在技術(shù)水平上，國內(nèi)頭部企業(yè)尚未攻克一些頂尖刻蝕技術(shù)，與國際巨

39、頭存在較大差距。北方華創(chuàng)和中微公司均未涉足目前行業(yè)最尖端的ALE技術(shù)，而泛林集團的ALE已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。在先進制程節(jié)點上，泛林集團的5nm刻蝕應(yīng)用已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，3nm刻蝕應(yīng)用正在驗證階段，而國內(nèi)企業(yè)尚處在5nm刻蝕應(yīng)用的驗證階段和3nm刻蝕應(yīng)用的研發(fā)階段。國內(nèi)刻蝕龍頭企業(yè)的部分技術(shù)已達到國際一流水平。在目前廣泛使用的高密度等離子刻蝕設(shè)備上，中微公司的ICP和CCP刻蝕設(shè)備與泛林集團DRIE刻蝕設(shè)備的刻蝕效果相當(dāng)。同時，中微公司的介質(zhì)刻蝕已經(jīng)進入臺積電7nm/5nm產(chǎn)線，是唯一一家進入臺積電產(chǎn)線的國產(chǎn)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商。北方華創(chuàng)在ICP刻蝕領(lǐng)域優(yōu)勢顯著，已量產(chǎn)28nm制程以上的刻蝕設(shè)備，同時已經(jīng)突

40、破14nm技術(shù)，并進入中芯國際14nm產(chǎn)線驗證階段。隨著國內(nèi)刻蝕龍頭緊跟先進制程發(fā)展，加大研發(fā)投入，積極并購與整合，整體國產(chǎn)刻蝕設(shè)備水平有望快速迭代升級并完成刻蝕領(lǐng)域的國產(chǎn)替代。二、 半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備：多頻共振驅(qū)動刻蝕市場，國產(chǎn)替代未來可期刻蝕是用化學(xué)或物理方法對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的過程。目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對主流地位，市場占比超過90%。同時，等離子刻蝕是晶圓制造中使用的主要刻蝕方法，電容性等離子刻蝕（CCP）和電感性等離子刻蝕（ICP）是兩種常用的等離子刻蝕方法。隨著當(dāng)前集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，構(gòu)成芯片的核心器件尺寸持續(xù)縮小，芯片的加工制造變得越來越精細。

41、原子層刻蝕（ALE）能夠精確控制刻蝕深度，成為未來技術(shù)升級趨勢?？涛g設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅力量，有望率先完成國產(chǎn)替代。半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和封測流程，是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)和核心。隨著半導(dǎo)體制程的微縮和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的種類和技術(shù)難度遞增。從國內(nèi)市場來看，刻蝕機尤其是介質(zhì)刻蝕機，是我國最具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。我國目前在刻蝕設(shè)備商代表公司為中微公司、北方華創(chuàng)等。終端需求催化刻蝕設(shè)備用量，市場規(guī)模2022年有望突破1100億美元。隨著5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備有望迎來新一輪發(fā)展機遇，從而推動全球刻蝕設(shè)備

42、的需求。SEMI預(yù)計全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將持續(xù)保持增長，在2021年增長45%至1030億美元，2022年預(yù)計將創(chuàng)下1140億美元的新高。先進技術(shù)增加刻蝕步驟和刻蝕難度，刻蝕設(shè)備演繹量價齊升。對于邏輯電路來說，制程微縮和技術(shù)迭代增加了刻蝕的步驟，也提高了刻蝕的難度；對于3DNAND來說，更高的堆疊層數(shù)需要用到多步刻蝕，并且要保證刻蝕的各向異性和盡量小的偏差；對于DRAM而言，電路圖形密度增大，多重圖案化重復(fù)次數(shù)增加，極大地增加了刻蝕工藝的設(shè)備需求。先進制程和復(fù)雜結(jié)構(gòu)增加了刻蝕步驟和難度，助推半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備價量齊升?？涛g設(shè)備領(lǐng)域長期由海外龍頭壟斷，國內(nèi)刻蝕企業(yè)部分技術(shù)已達國際一流水平。根據(jù)Gart

43、ner統(tǒng)計，全球刻蝕企業(yè)前三大分別是泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料，全球市占率合計91%。國內(nèi)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)廠商在全球刻蝕設(shè)備市場的市占率總計不足2%。然而，近些年來國內(nèi)刻蝕廠商依托資本和政策扶持一路奮起直追，成效顯著。例如中微公司的介質(zhì)刻蝕已經(jīng)進入臺積電7nm/5nm產(chǎn)線，是唯一一家進入臺積電產(chǎn)線的國產(chǎn)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商。從晶圓廠招投標(biāo)情況來看，國內(nèi)晶圓廠新增產(chǎn)能建設(shè)不斷加碼，中微公司和北方華創(chuàng)等國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備廠家份額進一步提升。隨著國內(nèi)刻蝕龍頭緊跟先進制程發(fā)展，加大研發(fā)投入，積極并購與整合，整體國產(chǎn)刻蝕設(shè)備有望加速完成國產(chǎn)替代。第四章 項目投資背景分析一、 市場端：終端應(yīng)用需求上行，刻蝕設(shè)備

44、市場快速發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模上行，預(yù)計2022年將超過1100億美元。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石，半導(dǎo)體設(shè)備支撐著全球上萬億的電子軟硬件大生態(tài)，具有舉足輕重的地位。根據(jù)SEMI的年終半導(dǎo)體設(shè)備總量預(yù)測，預(yù)計2021年原始設(shè)備制造商總銷售額將達到1030億美元，比2020年的市場規(guī)模猛增44.7%。在存儲器需求回升、先進制程投資及中國大陸積極推動半導(dǎo)體投資的背景下，SEMI預(yù)計全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將持續(xù)保持增長，到2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將擴大到1140億美元。全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場快速發(fā)展，2025年有望達到155億美元。2013年，全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為40億美元，隨著閃存技術(shù)突破，存儲市

45、場拉動刻蝕設(shè)備需求明顯增大，至2019年市場規(guī)模突破百億美元，達到115億美元。SEMI預(yù)測2025年全球刻蝕設(shè)備市場空間達到155億美元，年復(fù)合增速約為12%，市場空間增量主要來自于存儲制造對刻蝕設(shè)備的需求激增。隨著5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的需求將持續(xù)攀升。半導(dǎo)體設(shè)備作為推升半導(dǎo)體器件制造的基石，有望迎來新一輪發(fā)展機遇；而作為半導(dǎo)體設(shè)備的重要組成部分，刻蝕設(shè)備的需求也將水漲船高。國內(nèi)5G建設(shè)速度全球領(lǐng)先，5G機型出貨量呈持續(xù)上升趨勢。據(jù)工信部數(shù)據(jù)顯示，2020年新建5G基站數(shù)達到58萬，5G終端連接數(shù)已經(jīng)超過2億，已實現(xiàn)所有城市的5G覆蓋，在全球居于絕對領(lǐng)先

46、地位。2021-2023年期間三大運營商逐年建設(shè)量約為80萬個、中國信通院數(shù)據(jù)顯示，中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2021年1-11月，國內(nèi)市場手機總體出貨量累計3.17億部，同比增長12.8%，其中，5G手機出貨量2.39億部，同比增長65.3%，占同期手機出貨量的73.3%。目前國內(nèi)手機市場主要以5G智能手機為主，隨著未來5G基礎(chǔ)設(shè)施的進一步發(fā)展，5G智能手機占比還有望持續(xù)攀升。5G的高速數(shù)據(jù)傳輸、低延時和大網(wǎng)絡(luò)容量等特性正促使5G芯片需求上升。華為麒麟9000、驍龍888和蘋果的A14芯片都率先采取了5nm工藝制程，相比7nm工藝節(jié)點，5nm工藝可以使產(chǎn)品性能提高15%，晶體管密度最多提高1.8倍

47、，性能提升的同時工藝復(fù)雜度也大幅增加。5nm工藝手機基帶芯片已經(jīng)在小米、華為、iPhone等系列手機中得到應(yīng)用，未來隨著技術(shù)成熟和新應(yīng)用的出現(xiàn)，5nm甚至更先進的工藝芯片有望在手機終端實現(xiàn)普及，先進制程的需求將繼續(xù)維持高景氣度。存儲芯片在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)份額最大，大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域成為其市場增量。存儲芯片一直都是國內(nèi)集成電路市場中份額最大的產(chǎn)品類別，特別是在2018年存儲芯片價格上漲的影響下，存儲芯片市場占比進一步提升，2018年國內(nèi)市場銷售額達5,775億元，同比增長34%，2016年至2018年國內(nèi)存儲芯片市場銷售額的年均復(fù)合增長率達40%。2019年因前期存儲芯片廠商擴產(chǎn)導(dǎo)致存儲芯片供給增

48、加，同時下游需求增長有所放緩，導(dǎo)致市場規(guī)模有所收縮。未來隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及相關(guān)國家戰(zhàn)略的陸續(xù)實施，存儲芯片仍具有巨大的市場需求和發(fā)展空間。DRAM和NANDFlash占據(jù)半導(dǎo)體存儲器的九成份額，閃存市場有望迎來更多需求增量。2020年全球DRAM全球市場規(guī)模約695億美元，NANDFlash全球市場規(guī)模約421億美元，NORFlash、EEPROM及其他半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模約76億美元。ICInsights預(yù)測2021年存儲芯片市場中，DRAM在營收中占比56%，閃存芯片占比43%，ROM芯片僅占1%。NANDFlash方面，全球的需求開始回升，市場整體呈現(xiàn)供不應(yīng)求的

49、局面；DRAM方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及、5G基站建設(shè)、汽車智能化的不斷推進，DRAM產(chǎn)品將有望迎來更多增量需求。DRAM和NAND存儲器占據(jù)90%存儲器份額，采用存儲單元堆疊式布局，需要更多通孔和導(dǎo)線等的刻蝕。新興終端應(yīng)用驅(qū)動人工智能芯片市場規(guī)模持續(xù)增長。隨著人工智能技術(shù)的日臻成熟，數(shù)字化基礎(chǔ)設(shè)施不斷完善，消費機器人、智能駕駛、智能家居等終端應(yīng)用加速落地，推動人工智能芯片市場規(guī)模不斷攀升。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，2019年全球AI芯片市場規(guī)模為110億美元，預(yù)計2025年全球人工智能芯片市場規(guī)模將達726億美元。國內(nèi)人工智能芯片行業(yè)處在起步階段，自主創(chuàng)新能力和市場規(guī)模逐步提高。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)

50、測，2023年預(yù)計國內(nèi)人工智能芯片市場規(guī)模達到1339億元，2019-2023年CAGR為84%，發(fā)展十分迅速。二、 技術(shù)端：先進制程拉動刻蝕用量，復(fù)雜結(jié)構(gòu)打開設(shè)備市場邏輯芯片不斷突破，先進工藝刻蝕次數(shù)也不斷提升。晶圓代工行業(yè)呈現(xiàn)越來越高的資金和技術(shù)壁壘，如今晶圓廠一條28nm的4萬/月的生產(chǎn)線需要40-50億美元資本開支，研發(fā)新一代制程節(jié)點可能需要數(shù)十億美元，如此龐大的投入構(gòu)筑起了高資金和技術(shù)壁壘。而隨著“摩爾定律”放緩，從7納米到5納米乃至3納米，每一個制程節(jié)點都舉步維艱，擁有高端制程能力的公司屈指可數(shù)，而對于不同節(jié)點的產(chǎn)品研發(fā)也需要海量的資金投入。而隨著先進制程工藝不斷演進，所需要的刻蝕

51、次數(shù)也逐漸增多，從65nm制程的20次增加至5nm制程的160次，復(fù)雜度提升了8倍，顯著提升了半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的數(shù)量和質(zhì)量。邏輯電路制程不斷微縮，F(xiàn)inFET成為當(dāng)前主流工藝。邏輯電路工藝不斷的向著微型化發(fā)展，基于傳統(tǒng)平面MOSFET結(jié)構(gòu)的晶胞單元不斷的縮小，漏、源的間距也不斷的減小，柵極的控制力就不斷的減弱，導(dǎo)致器件的性能惡化，同時增加了靜態(tài)的功耗。當(dāng)半導(dǎo)體工藝向更高技術(shù)節(jié)點挺進時，平面結(jié)構(gòu)制程工藝逐漸達到極限難以突破，3D結(jié)構(gòu)的FinFET工藝逐漸成為主流。與平面晶體管相比，F(xiàn)inFET器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應(yīng)，同時能夠更好地對溝道進行靜電控制。然而，當(dāng)工藝制程來到3nm

52、之后，鰭片(Fin)寬度達到5nm(等于3nm節(jié)點)時，F(xiàn)inFET將接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。此時全環(huán)柵晶體管GAA有望延續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)典“摩爾定律”的新興技術(shù)路線，進一步增強柵極控制能力，克服當(dāng)前技術(shù)的物理縮放比例和性能限制。先進工藝結(jié)構(gòu)增加刻蝕難度與刻蝕步驟，對刻蝕設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體邏輯電路的不斷微縮，包括技術(shù)本身進化的需求，刻蝕工藝在不斷迭代，像MultiplePatterning技術(shù)、基于金屬硬掩模的雙大馬士革工藝等等，都提高了刻蝕的難度，相應(yīng)刻蝕機制造的難度也隨之增加。同時先進制程增加了刻蝕的步驟，多次刻蝕要求每一個步驟的精確度足夠高，才能保證整體生產(chǎn)的良率。存儲

53、工藝革新帶動刻蝕需求提升。NANDFlash技術(shù)不斷成熟和進步，現(xiàn)已經(jīng)邁入3DNAND時代，3DNAND采用將存儲單元立體堆疊的方式，使得儲存能力提升明顯，而其技術(shù)復(fù)雜程度較2D有顯著提升。3DNAND需要先經(jīng)過干法和濕法刻蝕形成柱形通孔和3DNAND單元，由內(nèi)層依次形成沉積氧化層-氮化層-氧化層結(jié)構(gòu)后形成浮柵層，然后刻蝕多余的FG使之能夠?qū)崿F(xiàn)完全隔離，最后通過多步沉積形成3DNANDFlash。3DNAND形成過程中需要用到多步刻蝕，并且要保證刻蝕的各向異性和盡量小的偏差，對于刻蝕設(shè)備和相應(yīng)技術(shù)都有著極高的要求。高深寬比通道刻蝕與選擇性刻蝕等步驟使3DNAND刻蝕難度全面升級。在96層3DN

54、AND中縱橫比高達70:1，每塊晶圓中有一萬億個微小孔通道，孔道隨著疊加層數(shù)而增多，故保證孔道的均勻性和平整性才能保證器件的性能。其中，克服不完全刻蝕、弓形刻蝕、扭曲以及堆疊頂部和底部之間的CD差異成為刻蝕3DNAND工藝中面臨的巨大挑戰(zhàn)。此外，選擇性刻蝕是3DNAND刻蝕工藝中的關(guān)鍵步驟，刻蝕的均一性直接影響后續(xù)柵極電介質(zhì)的沉積質(zhì)量，但隨著堆疊層數(shù)增加，畸形氧化沉積層變厚，嚴重時會直接導(dǎo)致氧化層塌陷，影響芯片性能。因此，3DNAND更高堆疊層數(shù)的突破將帶來刻蝕難度的極大提升，器件性能的突破也往往伴隨著刻蝕工藝的長足進步。DRAM微縮工藝拉動刻蝕設(shè)備需求。DRAM制程工藝進入20nm以后，由于

55、制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1x、1y、1z，大體來講，1x-nm制程相當(dāng)于1619nm、1y-nm相當(dāng)于1416nm，而1z-nm則相當(dāng)于1214nm。如今傳統(tǒng)的DRAM面臨越來越嚴峻的微縮挑戰(zhàn)，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點邁進，DRAM電路圖形密度增大，多重圖案化重復(fù)次數(shù)增加，極大地增加了刻蝕工藝的設(shè)備需求。三、 半導(dǎo)體設(shè)備投資占比巨大，刻蝕設(shè)備是其中重要一環(huán)半導(dǎo)體設(shè)備在硅片制造、前道及后道工藝中舉足輕重。半導(dǎo)體設(shè)備即主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和封測流程的設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是半導(dǎo)體制造的基石，是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)和核心。從產(chǎn)業(yè)鏈來看，半導(dǎo)

56、體設(shè)備的上游主要是單晶硅片制造以及IC設(shè)計，下游則主要為IC封測。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備在IC制造中應(yīng)用的場景不同，一般可以分為氧化爐、涂膠顯影設(shè)備、光刻機、刻蝕機、離子注入機、清洗設(shè)備、質(zhì)量/電學(xué)檢測設(shè)備、CMP設(shè)備、CVD設(shè)備和PVD設(shè)備等。先進制程驅(qū)動產(chǎn)線建設(shè)成本上行，半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占比提升。通常，一條90nm制程芯片的晶圓生產(chǎn)線建設(shè)成本為20億美元，當(dāng)制程微縮至20nm時成本達到67億美元，翻了三倍之多。而半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)線投資的主要投入項，不僅種類繁多，而且具有非常高的技術(shù)要求，也導(dǎo)致設(shè)備的價格非常昂貴，設(shè)備在生產(chǎn)線的資本支出占比也逐漸提高。根據(jù)高新智庫研究表明，在90nm制程中設(shè)備支出占比為70%，到了20nm制程占比達到85%，從14億美元提高到57億美元，提高了約4倍。IC制造設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備比例達80%，光刻、刻蝕和沉積設(shè)備為主要組成部分。從產(chǎn)品細分結(jié)構(gòu)來看，目前供應(yīng)的半導(dǎo)體設(shè)備主要為IC制造設(shè)備，其占市面上半導(dǎo)體設(shè)備的比重約為80%；在這些IC制造設(shè)備中，以光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設(shè)備為主，根據(jù)SEMI測算數(shù)據(jù)，當(dāng)前這三類半導(dǎo)體設(shè)備分別約占市面上半導(dǎo)體設(shè)備的24%、20%和20%。光刻