SILICIDE、SALICIDE和POLYCIDE工藝的整理

1、首先，這三個(gè)名詞對(duì)應(yīng)的應(yīng)用應(yīng)該是一樣的，都是利用硅化物來(lái)降低POLY1的連接電阻。但生成的工藝是不一樣的，具體怎么用單獨(dú)的中文區(qū)分，現(xiàn)在我也還沒(méi)看到相應(yīng)資料，就暫且沿用英文的了。其中，SILICIDE是金屬硅化物，是由金屬和硅經(jīng)過(guò)物理化學(xué)反應(yīng)形成的一種化合態(tài)，其導(dǎo)電特性介于金屬和硅之間，而POLYCIDE口SALICIDE則是分別指對(duì)著不同的形成SILICIDE勺工藝流程，下面對(duì)這兩個(gè)流程的區(qū)別簡(jiǎn)述如下：POLYCIDE其一般制造過(guò)程是，柵氧化層完成以后，繼續(xù)在其上面生長(zhǎng)多晶硅（POLY-SI,然后在POLYJJ續(xù)生長(zhǎng)金屬硅化物（silicide）,其一般為WSi2（硅化鴇）和TiSi2（硅化

2、鈦）薄膜，然后再進(jìn)行柵極刻蝕和有源區(qū)注入等其他工序，完成整個(gè)芯片制造。SALICIDE:它的生成比較復(fù)雜，先是完成柵刻蝕及源漏注入以后，以濺射的方式在POLY±淀積一層金屬層（一般為T(mén)i,Co或Ni）,然后進(jìn)行第一次快速升溫?zé)┗鹛幚恚≧TA）,使多品硅表面和淀積的金屬發(fā)生反應(yīng)，形成金屬硅化物。根據(jù)煩火溫度設(shè)定，使得其他絕緣層（Nitride或Oxide）上的淀積金屬不能跟絕緣層反應(yīng)產(chǎn)生不希望的硅化物，因此是一種自對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程。然后再用一中選擇性強(qiáng)的濕法刻蝕（NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液）清除不需要的金屬淀積層，留下柵極及其他需要做硅化物的salicide。

3、另外，還可以經(jīng)過(guò)多次煩火形成更低阻值的硅化物連接。跟POLYCID不同的是，SALICID而以同時(shí)形成有源區(qū)S/D接觸的硅化物，降低其接觸孔的歐姆電阻，在深亞微米器件中，減少由于尺寸降低帶來(lái)的相對(duì)接觸電阻的提升。另外，在制作高值POLY電阻的時(shí)候，必須專門(mén)有一層來(lái)避免在POLY上形成SALICIDE,否則電阻值就上不了哈。對(duì)于金屬硅化物以及目前又開(kāi)始熱門(mén)的金屬柵極的制作，特性分析，工藝流程，有很多文獻(xiàn)可以參考，但作為L(zhǎng)AYOUTS計(jì)者而言，不需要了解這么多，就是明白這個(gè)東西的作用是什么應(yīng)該就足夠了。希望能給大家一點(diǎn)幫助。Salicide/Polycide使用條件Salicide/Polycid

4、e使用條件？Salicide可以減小柵極和源漏電阻Polycide可以減小柵極電阻什么時(shí)候選擇哪一種呢兩者使用前提條件是什么呢有什么使用限制呢一、看你Care的是什么？Salicide自對(duì)準(zhǔn)效果很好，且Rs也很小。但是ThermalStable不好。而且會(huì)有C49和C54的相位轉(zhuǎn)換，電阻差異很大哦。所以這個(gè)一般需要WetEtch前后各一步Thermal來(lái)。如果一步到位對(duì)小線寬的Gate控制不好。因?yàn)榉磻?yīng)過(guò)程中是Si擴(kuò)散到界面與Ti反應(yīng)。這樣就會(huì)有一定量的橫向反應(yīng)。Polycide的Rs會(huì)比較大一些，但是Thermal下比較穩(wěn)定。以上在甚至都有在用。及其以下用CoSi2,對(duì)線寬控制比較好，因?yàn)镃

5、o與Si反應(yīng)的時(shí)候，是Co進(jìn)入界面與Si反應(yīng)，這樣橫向反應(yīng)就比SiTi2的小，因?yàn)镻oly的邊界決定了線寬不會(huì)延伸。nm時(shí)代就要用NiSix了，Thermal穩(wěn)定性很差，但是因?yàn)樗荒苡们懊娴脑蚴撬麮are工藝過(guò)程中的ThermalBurdget,所以不得不用它了二、產(chǎn)生BRIDGING®象擴(kuò)散速度較金屬快的話，則容易跑到SPACERS,反應(yīng)生成bridgingo也就是硅化物的形成已經(jīng)在源漏和柵極上了，這樣就會(huì)出現(xiàn)橋接，尤其在細(xì)線寬情況下。salicide如果使用TI/CO的話，這個(gè)情況比較嚴(yán)重。POLYCID亳不會(huì)有這種情況的2 .一般的摻雜物在SALICID葉的擴(kuò)散速度極快，

6、所以在多品中的摻雜物很容易進(jìn)入salicide而流用到其他地方，多晶硅也因摻雜物流失會(huì)有空乏現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)生。對(duì)于CMOS的應(yīng)用，則會(huì)有P型和N型摻雜物的相互污染導(dǎo)致VT的變化，嚴(yán)重影響電路運(yùn)行。有時(shí)需要在進(jìn)行SALICID之前，往多品里面摻入N什么的。減小這種效應(yīng)。3 .由于SALICIDE勺源漏電阻比采用POLYCIDE勺小很多，所以相對(duì)來(lái)說(shuō)，在打源漏接觸孔時(shí)，SALICID會(huì)比POLYCIDE勺少。源漏如果打的孔多的話，也會(huì)影響布局密度。4 .較注重元件關(guān)閉狀態(tài)以及漏電流大小的電路產(chǎn)品，如DRAM,多采用POLYCIDE因?yàn)镾ALICIDEJ程容易造成S/D和襯底接觸面的漏電流，嚴(yán)重影響記憶元胞

7、的資料保存能力。這是我獲得的一些原因。另一些還沒(méi)有弄明白原理。1、Briding現(xiàn)象：就是我說(shuō)的那個(gè)TiSi2和CoSi2對(duì)線寬的控制上。因?yàn)樗麄兎磻?yīng)機(jī)理不同，一個(gè)是金屬擴(kuò)散到界面與硅反應(yīng)，另一個(gè)是硅擴(kuò)散到界面與金屬反應(yīng)。這兩種區(qū)別很大程度上決定了SPACER勺上面有沒(méi)有金屬硅化物的生成的。2、它的道理好像不對(duì)：Silicide對(duì)雜質(zhì)有無(wú)Barrier的作用暫且不論，即使它沒(méi)有Barrier功能，那POLY+的雜質(zhì)（一月殳為P）也是向上擴(kuò)散的。而ILD一般是BPSG類(lèi)似于SiO2,吸B排P,這樣P也很難被擴(kuò)散到BPSG中，即使跑到ILD中，似乎也影響不到Vt。而為了防止Vt的變化，一般都是在長(zhǎng)GateOxide的過(guò)程中摻入N的元素氣體來(lái)阻止雜質(zhì)透過(guò)Gat