高中化學無機非金屬材料的練習題和答案

1、高中化學無機非金屬材料的練習題和答案1. (原創(chuàng) )以下關(guān)于硅的說法中，不正確的選項是 ( )A. 硅是非金屬元素，它的單質(zhì)是灰黑色、有金屬光澤的固體B. 硅在電子工業(yè)中是最重要的半導體材料C. 硅只有在高溫下才能跟 H2 起化合反響D. 硅的化學性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)反響2. (原創(chuàng))以下說法正確的選項是 ()A. 二氧化碳與水反響生成碳酸，所以二氧化碳屬于酸性氧化物B. 二氧化硅是酸性氧化物，所以它不和任何酸反響C. C02通入飽和CaCI2溶液中能生成白色沉淀D. 因為SiO2不溶于水，故 H2SiO3不是SiO2對應的酸3. (變式)地殼中含量第一和第二的兩種元素所形成的化合物

2、不具有的性質(zhì)是 ()A .熔點很高B. 與水反響生成對應的酸C. 可與燒堿反響生成鹽D. 堅硬4. (選用)光纖通信是一種現(xiàn)代化的通信手段，它可以提供大容量、高速度、高 質(zhì)量的通信效勞。目前，我國正在大力建設(shè)高質(zhì)量的寬帶光纖通信網(wǎng)絡，即信息 高速公路。光纖通信所使用的光纜，其主要部件為光導纖維。以下說法正確的選項是 ( )制造光導纖維的主要原料是 CaC03制造光導纖維的主要原料是 SiO2; 光導纖維傳遞光信號的根本物理原理是光的全反射；光導纖維傳遞光信號的基本物理原理是光的折射 ()A. B.C.D.5. (選用)有科學家提出硅是 “ 21世紀的能源 、“未來的石油 的觀點。假設(shè)硅作 為一

3、種普遍使用的新型能源被開發(fā)利用，以下關(guān)于其有利因素的說法中，你認為 不妥的是 ( )A. 便于運輸、儲存，從平安角度考慮，硅是的燃料B. 自然界的含硅化合物易開采C. 硅燃燒放出的熱量大，且燃燒產(chǎn)物對環(huán)境污染程度低容易有效控制D. 自然界中存在大量單質(zhì)硅6. (選用)生石灰中常含有雜質(zhì) CaC03和SiO2，檢驗它是否存在著兩種雜質(zhì)的 試劑是 ()A.水B.鹽酸C.硫酸D.燒堿溶液7(變式 )賞心悅目的雕花玻璃是用以下物質(zhì)中的一種對玻璃進行刻蝕而制成 的。這種物質(zhì)是 ()A.鹽酸B.氫氟酸C.燒堿D.純堿8. 以下各反響中，SiO2表現(xiàn)的是什么性質(zhì)或作用？在項中選出正確答案， 將其標號填在“一

4、上： 酸性氧化物的通性 弱氧化性 跟揮發(fā)性酸酐的 鹽反響得到硅酸鹽及揮發(fā)性酸酐 作為玻璃的成分跟氫氟酸反響 SiO2+4HF=SiF4 T +2H2O SiO2+CaCO3 CaSiO3+CO2f.2C+SiO2 2CO T +Si.2NaOH+SiO2=Na2SiO3+H2O思維升華9. 在一定條件下，以下物質(zhì)不能和 SiO2 反響的是 ( )焦碳 純堿 碳酸鈣 氫氟酸 硝酸 氫氧化鉀 氧化鈣 氟氣A、B、C、 D、10在3C+SiO2 2CO T +SiC的反響中，復原劑與氧化劑的物質(zhì)的量之比是 ()A.3 : 1 B.1 : 3C.1 : 2 D.2 : 111. (變式 ) 晶體硅是一

5、種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：O1高溫下用碳復原二氧化硅制得粗硅02粗硅與枯燥 HCI氣體反響制得 SiHCl3 : Si + 3HCl =SiHCl3 + H2O 3SiHCI3與過量H2在10001100C反響制得純硅，SiHCI3能與H2O強烈反響，在空氣中易自燃;SiHCI3的沸點是33C。 請答復以下問題:(1) 第O1步制備粗硅的化學反響方程式為(2) 用 SiHCI3 與過量 H2 反響制備純硅的裝置如下 (熱源及夾持裝置略去 ):O1裝置B中的試劑是。裝置 C 中的燒瓶需要加熱，其目的是 。02反響一段時間后，裝置 D中觀察到的現(xiàn)象是，裝置D不能采用普通玻璃 管的

6、原因是 ，裝置 D 中發(fā)生反響的化學方程式為 。03為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反響溫度以及04為鑒定產(chǎn)品硅中是否含有微量的鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清夜后需要參加的試劑 填寫字母代號 是 。a. 碘水 b. 氯水c. NaCl 溶液 d. KSCN 溶液創(chuàng)新探究12. ：Si + 2Na0H + H2O=Na2SiO3 + 2H2 。刑將 4.6g 鈉禾口 2.8g 硅同時投入足量水中，充分反響后，測得溶液的體積為400mL 。計算：生成氫氣的體積是多少 L標況下?所得溶液的物質(zhì)的量濃度為多少 ?附：答案課時達標1. D 硅是非金屬元素，晶體硅是

7、灰黑色、有金屬光澤的固體;單質(zhì)硅的導電性介于導體和絕緣體之間，是良好的半導體材料;在常溫下，硅的化學性質(zhì)不活潑，除能與F2、HF、強堿外，不易與其它物質(zhì)反響，但在加熱條件下可與一些非金 屬單質(zhì)如氧氣、氯氣、氫氣等反響。2. A Si02是酸性氧化物，不與HN03、HCl等酸發(fā)生反響，但能與氫氟酸反響，B錯誤;碳酸的酸性小于鹽酸，C02和CaCI2溶液不反響，C錯誤;H2SiO3受熱分 解生成 SiO2 和水，所以 H2SiO3 是 SiO2 對應的酸， D 錯誤。3. B 地殼中含量第一和第二的兩種元素分別為 0 和 Si， 0 和 Si 所形成的化合 物是 Si02， Si02 與水反響不反

8、響。4. B 光導纖維的主要成分是二氧化硅，它是一種能利用光的全反射作用來傳 導光線的透明度極高的細絲。5. D 單質(zhì)硅常溫下是固體，便于運輸、儲存，從平安角度考慮，硅是的燃料，A 正確;二氧化硅廣泛存在于自然界中，沙子、 石英的主要成分就是二氧化硅，因 而自然界中的含硅化合物易開采， B 正確 ;硅燃燒放出大量的熱， 生成物為二氧化 硅，對環(huán)境污染程度低容易有效控制， C 正確;自然界中沒有游離態(tài)的硅， D 錯誤。6. B 生石灰能溶于鹽酸 (2 HCl+ CaO=CaCl2+H2O) ，CaCO3 溶于鹽酸時產(chǎn)生氣 體，SiO2不溶于鹽酸。將生石灰放入鹽酸，假設(shè)觀察到既有不溶物，還有氣體產(chǎn)

9、生， 那么生石灰中同時含有 CaCO3和SiO2o7. B 純堿、鹽酸常溫下和玻璃不反響，不能用于刻蝕玻璃 ;燒堿常溫下和玻璃 反響緩慢， 且生成物是一種礦物膠， 不能用于刻蝕玻璃 ;氫氟酸和玻璃反響常用于 刻蝕玻璃(SiO2+4HF=SiF4f +2H2O)。8. 與堿反響生成鹽和水，是酸性氧化物的通性之一，故對應；弱氧化性應被復原，對應；跟揮發(fā)性酸酐的鹽反響得到硅酸鹽及揮發(fā)性酸酐，SiO2與CaCO3 反響生成 CO2 和 CaSiO3 是難揮發(fā)性酸酐制揮發(fā)性酸酐， 故對應， 對 應。思維升華9. D二氧化硅是酸性氧化物，可與堿及堿性氧化物反響，、能反響；二氧化硅是難揮發(fā)性酸酐， 與純堿(

10、或碳酸鈣 )在高溫下發(fā)生反響生成揮發(fā)性酸酐， 、 能反響；二氧化硅在高溫下還能與焦炭發(fā)生置換反響，能反響；二氧化硅作為一種特殊的氧化物還能與氟氣、氫氟酸反響，、能反響；二氧化硅與硝酸不反 應，不能反響。10. D在3C+SiO2 2CO T +SiC的反響中，變價元素只有碳元素， 硅及氧元素的化合價沒有變化。sCO化合價 升高，做復原劑，復原劑的物質(zhì)的量是2mol;C -SiC化合價升高，做氧化劑，氧化劑的物質(zhì)的量是1mol，復原劑與氧化劑的物質(zhì)的量之比是 2：1o11. (1)SiO2 + 2C Si + 2CO濃2H2SO4 ;使滴入瓶中的 SiHCl3 氣化02有固體物質(zhì)生成；在反響溫度

11、下普通玻璃熔化SiHCI3 + H2 Si + 3HCI排盡裝置中的空氣 b、 d由(2)中的實驗裝置圖可以看出： A 為制取氫氣的裝置， 由于 SiHCI3 極易和水 發(fā)生反響，所以進入 C 裝置中的 H2 必須是枯燥的，B為枯燥氫氣的裝置，B中的液體枯燥劑是濃 H2SO4。由SiHCI3的沸點是33C 可知其在常溫下為液態(tài)，對 C 裝置加熱可以使其汽化，從而保證 SiHCI3 和 H2 的充分接觸并進入 D中，在10001100C的高溫下反響得到單質(zhì)硅。SiHCI3和H2 反響所需的高溫會使普通玻璃熔化， 寫反響方程式時也特別要注明溫度。 在 D 中發(fā)生的反響：反響物是 SiHCI3和H2

12、，生成物中有單質(zhì)硅，由質(zhì)量守恒定律， 知另一生成物是 HCI。因SiHCI3在空氣中極易自燃，裝置中假設(shè)含有空氣，那么會 發(fā)生平安事故，為保證制備純硅實驗的成功， SiHCI3 滴入 C 之前要排盡裝置內(nèi) 的空氣。將試樣用稀鹽酸溶解后，再在溶液中依次參加氯水(氯水能將Fe2+氧化為Fe3+)和KSCN溶液，假設(shè)溶液變?yōu)榧t色，那么說明樣品中含有鐵單質(zhì)，不變紅那么 說明樣品中不含鐵單質(zhì)。創(chuàng)新探究 6.72 L 0.25moIL-1n(Na)= =0.2 m01 ， n(Si)= =0.1 moI由 2Na+ H2O=2NaOH + H2 1®2 2 10.2 mo1 0.2 mo1 0.1 mo1可知生成NaOH 0.2 moI，生成H2 0.1 mol;( 2 )又因為Si + 2NaOH +2H2O=Na2SiO3 + 2H2 1 I 2 1 20