數(shù)字電子技術(shù)_09存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

1、2022-5-311 .存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展2EPROM的應(yīng)用2022-5-32本章內(nèi)容：本章內(nèi)容：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAMRAM和只讀存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器ROMROM的結(jié)構(gòu)、的結(jié)構(gòu)、工作原理及存儲(chǔ)器工作原理及存儲(chǔ)器容量擴(kuò)展容量擴(kuò)展的方法；的方法； 2022-5-33數(shù)字系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)大量二進(jìn)制信息的器件是數(shù)字系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)大量二進(jìn)制信息的器件是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器。穿孔卡片穿孔卡片紙帶紙帶磁芯存儲(chǔ)器磁芯存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)：容量大、體積小、功耗半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)：容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長(zhǎng)等。低、存取速度快、使用壽命長(zhǎng)等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照內(nèi)部信息

2、的存取方式不同分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照內(nèi)部信息的存取方式不同分為兩大類：為兩大類：1 1、只讀存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器ROMROM。用于存放永久性的、不變。用于存放永久性的、不變的數(shù)據(jù)。的數(shù)據(jù)。2 2、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAMRAM。用于存放一些臨時(shí)性。用于存放一些臨時(shí)性的數(shù)據(jù)或中間結(jié)果，需要經(jīng)常改變存儲(chǔ)內(nèi)容。的數(shù)據(jù)或中間結(jié)果，需要經(jīng)常改變存儲(chǔ)內(nèi)容。2022-5-34隨機(jī)存取存儲(chǔ)器又叫隨機(jī)讀隨機(jī)存取存儲(chǔ)器又叫隨機(jī)讀/ /寫存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱寫存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱RAMRAM，指的是可以從任意選定的單元讀出數(shù)據(jù)，或，指的是可以從任意選定的單元讀出數(shù)據(jù)，或?qū)?shù)據(jù)寫入任意選定的存儲(chǔ)單元。將數(shù)據(jù)寫入任意選定的存儲(chǔ)單

3、元。優(yōu)點(diǎn)：讀寫方便，使用靈活。優(yōu)點(diǎn)：讀寫方便，使用靈活。缺點(diǎn)：掉電丟失信息。缺點(diǎn)：掉電丟失信息。 分類：分類： SRAM SRAM （靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） DRAM DRAM （動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）2022-5-351. RAM1. RAM的結(jié)構(gòu)和讀寫原理的結(jié)構(gòu)和讀寫原理 （1 1）RAM RAM 的結(jié)構(gòu)框圖的結(jié)構(gòu)框圖圖8-1 RAM 的結(jié)構(gòu)框圖I/O端畫雙箭是因?yàn)閿?shù)據(jù)即可由此端口讀出，也可寫入2022-5-36 存儲(chǔ)矩陣存儲(chǔ)矩陣 共有共有28（256）行）行24（16）列共）列共212（4096）個(gè)信息單元（即字）個(gè)信息單元（即字） 每個(gè)信息單元有

4、每個(gè)信息單元有k位二進(jìn)制數(shù)（位二進(jìn)制數(shù)（1或或0） 存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的數(shù)量稱為存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的數(shù)量稱為存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量（字（字?jǐn)?shù)數(shù)位數(shù)位數(shù)k）。）。 2022-5-37 地址譯碼器地址譯碼器 行行地址譯碼器：輸入地址譯碼器：輸入8位行地址碼，輸出位行地址碼，輸出256條行條行選擇線（用選擇線（用x表示）表示） 列列地址譯碼器：輸入地址譯碼器：輸入4位列地址碼，輸出位列地址碼，輸出16條列條列選擇線（用選擇線（用Y表示）表示）2022-5-38 當(dāng)當(dāng)R/W =0時(shí)，進(jìn)行時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)操作。數(shù)據(jù)操作。 當(dāng)當(dāng)R/W =1時(shí)，進(jìn)行時(shí)，進(jìn)行數(shù)據(jù)操作。數(shù)據(jù)操作。 2022-5-39圖圖9-2 RAM存儲(chǔ)矩

5、陣的示意圖存儲(chǔ)矩陣的示意圖 2564（256個(gè)字，每個(gè)字4位）RAM存儲(chǔ)矩陣的示意圖。如果X0Y01，則選中第一個(gè)信息單元的4個(gè)存儲(chǔ)單元，可以對(duì)這4個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿?2022-5-310 當(dāng)當(dāng)CS=時(shí)，時(shí)，RAM被選中工作。被選中工作。 若若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000 表示選中列地址為表示選中列地址為A11A10A9A8=0000、行地址為、行地址為A7A6A5A4A3A2A1A0=00000000的存儲(chǔ)單元。的存儲(chǔ)單元。 此時(shí)只有此時(shí)只有X0和和Y0為有效，則選中第一個(gè)信息單為有效，則選中第一個(gè)信息單元的元的k個(gè)存儲(chǔ)單元，可以對(duì)

6、這個(gè)存儲(chǔ)單元，可以對(duì)這k個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭??；驅(qū)懭搿?2022-5-311若此時(shí)若此時(shí)R/W=0時(shí)，進(jìn)行時(shí)，進(jìn)行入數(shù)據(jù)操作。入數(shù)據(jù)操作。 當(dāng)當(dāng)CS=1時(shí)，不能對(duì)時(shí)，不能對(duì)RAM進(jìn)行讀寫操作，所有端進(jìn)行讀寫操作，所有端均為均為。 2022-5-312 （3）RAM的存儲(chǔ)單元按工作原理分為：的存儲(chǔ)單元按工作原理分為： 靜態(tài)存儲(chǔ)單元靜態(tài)存儲(chǔ)單元：利用基本：利用基本RS觸發(fā)器存儲(chǔ)信息。觸發(fā)器存儲(chǔ)信息。保存的信息不易丟失。保存的信息不易丟失。 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元?jiǎng)討B(tài)存儲(chǔ)單元：利用：利用MOS的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息。由于電容的容量很小，以及漏電流的存在，為息。由于電容的容

7、量很小，以及漏電流的存在，為了保持信息，必須定時(shí)給電容充電，通常稱為了保持信息，必須定時(shí)給電容充電，通常稱為刷新刷新。 2022-5-313 采用采用CMOS工藝制成，工藝制成，存儲(chǔ)容量為存儲(chǔ)容量為8K8位，典型位，典型存取時(shí)間為存取時(shí)間為100ns、電源電壓、電源電壓5V、工作電流、工作電流40mA、維、維持電壓為持電壓為2V，維持電流為，維持電流為2A。 8K=213，有，有13條地址線條地址線A0A12； 每字有位，有條數(shù)每字有位，有條數(shù)據(jù)線據(jù)線I/O0I/O7； 圖8-3 6264引腳圖 四條控制線 2022-5-314表9-9- 62646264的工作方式表 2022-5-3151.

8、1. 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器的容量：字?jǐn)?shù)存儲(chǔ)器的容量：字?jǐn)?shù)位數(shù)位數(shù) 位擴(kuò)展（即字長(zhǎng)擴(kuò)展）：將多片存儲(chǔ)器經(jīng)適當(dāng)位擴(kuò)展（即字長(zhǎng)擴(kuò)展）：將多片存儲(chǔ)器經(jīng)適當(dāng)?shù)倪B接，組成位數(shù)增多、字?jǐn)?shù)不變的存儲(chǔ)器。的連接，組成位數(shù)增多、字?jǐn)?shù)不變的存儲(chǔ)器。 方法：用同一地址信號(hào)控制方法：用同一地址信號(hào)控制 n個(gè)相同字?jǐn)?shù)的個(gè)相同字?jǐn)?shù)的RAM。2022-5-316 例：將例：將2561的的RAM擴(kuò)展為擴(kuò)展為 2568的的RAM。 將將8塊塊2561的的RAM的所有地址線和的所有地址線和CS（片選線）（片選線）分別對(duì)應(yīng)并接在一起，而每一片的位輸出作為整個(gè)分別對(duì)應(yīng)并接在一起，而每一片的位輸出作為整個(gè)RAM輸出的一

9、位。輸出的一位。 2022-5-3172568RAM需2561RAM的芯片數(shù)為：812568256一片存儲(chǔ)容量總存儲(chǔ)容量N圖8-10 RAM位擴(kuò)展 將將2562561 1的的RAMRAM擴(kuò)展為擴(kuò)展為2562568 8的的RAMRAM2022-5-318 字?jǐn)U展字?jǐn)U展 將多片存儲(chǔ)器經(jīng)適當(dāng)?shù)倪B接，組成字?jǐn)?shù)更多，將多片存儲(chǔ)器經(jīng)適當(dāng)?shù)倪B接，組成字?jǐn)?shù)更多，而位數(shù)不變的存儲(chǔ)器。而位數(shù)不變的存儲(chǔ)器。 例：由例：由10248的的 RAM擴(kuò)展為擴(kuò)展為40968的的RAMRAM。 共需四片共需四片10248的的 RAM芯片。芯片。 10248的的 RAM有有10根地址輸入線根地址輸入線A9A0。 40968的的R

10、AM有有12根地址輸入線根地址輸入線A11A0。選用選用2線線-4線譯碼器，將輸入接高位地址線譯碼器，將輸入接高位地址A11、A10，輸出分別控制四片，輸出分別控制四片RAM的片選端。的片選端。 2022-5-319 圖8-11 RAM字?jǐn)U展 由10248的 RAM擴(kuò)展為40968的RAM2022-5-320 (3) 字位擴(kuò)展字位擴(kuò)展 例：將例：將10244的的RAM擴(kuò)展為擴(kuò)展為20488 RAM。 位擴(kuò)展需位擴(kuò)展需2片芯片，字?jǐn)U展需片芯片，字?jǐn)U展需2片芯片，共需片芯片，共需4片片芯片。芯片。字?jǐn)U展只增加一條地址輸入線字?jǐn)U展只增加一條地址輸入線A10，可用一反相，可用一反相器便能實(shí)現(xiàn)對(duì)兩片器便

11、能實(shí)現(xiàn)對(duì)兩片RAM片選端的控制。片選端的控制。 字?jǐn)U展是對(duì)存儲(chǔ)器輸入端口的擴(kuò)展，字?jǐn)U展是對(duì)存儲(chǔ)器輸入端口的擴(kuò)展， 位擴(kuò)展是對(duì)存儲(chǔ)器輸出端口的擴(kuò)展。位擴(kuò)展是對(duì)存儲(chǔ)器輸出端口的擴(kuò)展。 2022-5-321圖9-12 RAM的字位擴(kuò)展 將10244的RAM擴(kuò)展為20488 RAM2022-5-3221. 1. 固定固定ROM 只讀存儲(chǔ)器所存儲(chǔ)的內(nèi)容一般是固定不變的，只讀存儲(chǔ)器所存儲(chǔ)的內(nèi)容一般是固定不變的，正常工作時(shí)只能讀數(shù)，不能寫入，并且在斷電后不正常工作時(shí)只能讀數(shù)，不能寫入，并且在斷電后不丟失其中存儲(chǔ)的內(nèi)容，故稱為只讀存儲(chǔ)器。丟失其中存儲(chǔ)的內(nèi)容，故稱為只讀存儲(chǔ)器。ROM組成：地址譯碼器存儲(chǔ)矩陣輸出

12、電路圖9-4 ROM結(jié)構(gòu)方框圖 2022-5-323 地址譯碼器有地址譯碼器有n個(gè)輸入端，有個(gè)輸入端，有2n個(gè)輸出信息，每個(gè)輸出信息，每個(gè)輸出信息對(duì)應(yīng)一個(gè)信息單元，而每個(gè)單元存放一個(gè)輸出信息對(duì)應(yīng)一個(gè)信息單元，而每個(gè)單元存放一個(gè)字，共有個(gè)字，共有2n個(gè)字（個(gè)字（W0、W1、W2n-1稱為字線）。稱為字線）。 每個(gè)字有每個(gè)字有m位，每位對(duì)應(yīng)從位，每位對(duì)應(yīng)從D0、D1、Dm-1輸輸出（稱為位線）。出（稱為位線）。 存儲(chǔ)器的容量是存儲(chǔ)器的容量是2nm(字線字線位線位線)。 ROM中的存儲(chǔ)體可以由二極管、三極管和中的存儲(chǔ)體可以由二極管、三極管和MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)。管來(lái)實(shí)現(xiàn)。2022-5-324圖9-5 二極

13、管ROM圖9-6 字的讀出方法 在對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元內(nèi)存入的是1還是0，是由接入或不接入相應(yīng)的二極管來(lái)決定的。 2022-5-325存儲(chǔ)存儲(chǔ)矩陣矩陣圖9-7 44 ROM陣列圖 有存儲(chǔ)有存儲(chǔ)單元單元地址譯地址譯碼器碼器圖9-5 二極管ROM2022-5-326在編程前，存儲(chǔ)矩陣中的全部存儲(chǔ)單元的熔絲在編程前，存儲(chǔ)矩陣中的全部存儲(chǔ)單元的熔絲都是連通的，即每個(gè)單元存儲(chǔ)的都是都是連通的，即每個(gè)單元存儲(chǔ)的都是1。 用戶可根據(jù)需要，借助一定的編程工具，將某用戶可根據(jù)需要，借助一定的編程工具，將某些存儲(chǔ)單元上的熔絲用大電流燒斷，該單元存儲(chǔ)的些存儲(chǔ)單元上的熔絲用大電流燒斷，該單元存儲(chǔ)的內(nèi)容就變?yōu)閮?nèi)容就變?yōu)?，此

14、過(guò)程稱為編程。，此過(guò)程稱為編程。 熔絲燒斷后不能再接上，故熔絲燒斷后不能再接上，故PROM只能進(jìn)行一只能進(jìn)行一次編程。次編程。 圖9-8 PROM的可編程存儲(chǔ)單元2022-5-327 最早出現(xiàn)的是用紫外線照射擦除的最早出現(xiàn)的是用紫外線照射擦除的EPROM。 浮置柵浮置柵MOS管（簡(jiǎn)稱管（簡(jiǎn)稱FAMOS管）的柵極被管）的柵極被SiO2絕緣層隔離，呈浮置狀態(tài)，故稱浮置柵。絕緣層隔離，呈浮置狀態(tài)，故稱浮置柵。 當(dāng)浮置柵帶負(fù)電荷時(shí)，當(dāng)浮置柵帶負(fù)電荷時(shí)， FAMOS管處于導(dǎo)通狀管處于導(dǎo)通狀態(tài)，源極漏極可看成短路，所存信息是態(tài)，源極漏極可看成短路，所存信息是0。 若浮置柵上不帶有電荷，則若浮置柵上不帶有電

15、荷，則FAMOS管截止，源管截止，源極漏極間可視為開路，所存信息是極漏極間可視為開路，所存信息是1。 2022-5-328圖9- 浮置柵EPROM(a) 浮置柵MOS管的結(jié)構(gòu) (b) EPROM存儲(chǔ)單元帶負(fù)電-導(dǎo)通-存0不帶電-截止-存12022-5-329浮置柵浮置柵EPROMEPROM出廠時(shí)，所有存儲(chǔ)單元的出廠時(shí)，所有存儲(chǔ)單元的FAMOSFAMOS管管浮置柵都不帶電荷，浮置柵都不帶電荷，F(xiàn)AMOSFAMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。管處于截止?fàn)顟B(tài)。 寫入信息時(shí)，在對(duì)應(yīng)單元的漏極與襯底之間加寫入信息時(shí)，在對(duì)應(yīng)單元的漏極與襯底之間加足夠高的反向電壓，使漏極與襯底之間的足夠高的反向電壓，使漏極與襯底之間的

16、PNPN結(jié)產(chǎn)生結(jié)產(chǎn)生擊穿，雪崩擊穿產(chǎn)生的高能電子堆積在浮置柵上，擊穿，雪崩擊穿產(chǎn)生的高能電子堆積在浮置柵上，使使FAMOSFAMOS管導(dǎo)通。管導(dǎo)通。當(dāng)去掉外加反向電壓后，由于浮置柵上的電子當(dāng)去掉外加反向電壓后，由于浮置柵上的電子沒(méi)有放電回路能長(zhǎng)期保存下來(lái)，在的環(huán)境溫度下，沒(méi)有放電回路能長(zhǎng)期保存下來(lái)，在的環(huán)境溫度下，以上的電荷能保存年以上。以上的電荷能保存年以上。如果用紫外線照射如果用紫外線照射FAMOSFAMOS管分鐘，管分鐘，浮置柵上積累的電子形成光電流而泄放，使導(dǎo)電溝浮置柵上積累的電子形成光電流而泄放，使導(dǎo)電溝道消失，道消失，F(xiàn)AMOSFAMOS管又恢復(fù)為截止?fàn)顟B(tài)。為便于擦除，管又恢復(fù)為截

17、止?fàn)顟B(tài)。為便于擦除，芯片的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。芯片的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。2022-5-3302EPROM的應(yīng)用的應(yīng)用 程序存儲(chǔ)器、碼制轉(zhuǎn)換、字符發(fā)生器、波形發(fā)程序存儲(chǔ)器、碼制轉(zhuǎn)換、字符發(fā)生器、波形發(fā)生器等。生器等。 例：八種波形發(fā)生器電路。例：八種波形發(fā)生器電路。 將一個(gè)周期的三角波等分為將一個(gè)周期的三角波等分為256256份，取得每一點(diǎn)份，取得每一點(diǎn)的函數(shù)值并按八位二進(jìn)制進(jìn)行編碼，產(chǎn)生的函數(shù)值并按八位二進(jìn)制進(jìn)行編碼，產(chǎn)生256256字節(jié)的字節(jié)的數(shù)據(jù)。用同樣的方法還可得到鋸齒波、正弦波、階數(shù)據(jù)。用同樣的方法還可得到鋸齒波、正弦波、階梯波等不同的八種波形的數(shù)據(jù)，并將這八組數(shù)據(jù)共梯

18、波等不同的八種波形的數(shù)據(jù)，并將這八組數(shù)據(jù)共20482048個(gè)字節(jié)寫入個(gè)字節(jié)寫入27162716當(dāng)中。當(dāng)中。2022-5-331圖9-13 八種波形發(fā)生器電路圖 波形選擇開關(guān) 256進(jìn)制計(jì)數(shù)器 存八種波形的數(shù)據(jù) 經(jīng)8位DAC轉(zhuǎn)換成模擬電壓。2022-5-332S3 S2 S1波 形A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A00 0 0正弦波000H0FFH0 0 1鋸齒波100H1FFH0 1 0三角波200H2FFH1 1 1階梯波700H7FFH表9-29-2 八種波形及存儲(chǔ)器地址空間分配情況 S1、S2和S3：波形選擇開關(guān)。兩個(gè)16進(jìn)制計(jì)數(shù)器在CP脈沖的作用下，從00

19、HFFH不斷作周期性的計(jì)數(shù)，則相應(yīng)波形的編碼數(shù)據(jù)便依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線D0D7上，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換后便可在輸出端得到相應(yīng)波形的模擬電壓輸出波形。 2022-5-333 圖9-14 三角波細(xì)分圖 下面以三角波為例說(shuō)明其實(shí)現(xiàn)方法。下面以三角波為例說(shuō)明其實(shí)現(xiàn)方法。 三角波如圖三角波如圖9-149-14所示，在圖中取所示，在圖中取256256個(gè)值來(lái)代表個(gè)值來(lái)代表波形的變化情況。波形的變化情況。在水平方向的在水平方向的257257個(gè)點(diǎn)順序取值，按照二進(jìn)制送個(gè)點(diǎn)順序取值，按照二進(jìn)制送入入EPROM2716EPROM2716（2K2K8 8位）的地址端位）的地址端A A0 0A A7 7，地址譯，地址譯碼器的輸出為

20、碼器的輸出為256256個(gè)（最末一位既是此周期的結(jié)束，個(gè)（最末一位既是此周期的結(jié)束，又是下一周期的開始）。又是下一周期的開始）。由于由于27162716是是8 8位的，所以要將垂直方向的取值位的，所以要將垂直方向的取值轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)換成8 8位二進(jìn)制數(shù)。位二進(jìn)制數(shù)。2022-5-334表9-3 三角波存儲(chǔ)表 將這將這255255個(gè)二進(jìn)制數(shù)通過(guò)用戶編程的方法，寫入個(gè)二進(jìn)制數(shù)通過(guò)用戶編程的方法，寫入對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，如表對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元，如表8-38-3所示。將所示。將27162716的高三位的高三位地址地址A A1010A A9 9A A8 8取為取為0 0，則該三角波占用的地址空間為，則該三角波占用的地

21、址空間為000H000H0FFH0FFH，共，共256256個(gè)。個(gè)。 2022-5-3351. 1. EEPROM用電氣方法在線擦除和編程的只讀存儲(chǔ)器。用電氣方法在線擦除和編程的只讀存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)單元采用浮柵隧道氧化層存儲(chǔ)單元采用浮柵隧道氧化層MOS管。管。寫入的數(shù)據(jù)在常溫下至少可以保存十年，擦除寫入的數(shù)據(jù)在常溫下至少可以保存十年，擦除/寫入次數(shù)為萬(wàn)次寫入次數(shù)為萬(wàn)次 10萬(wàn)次。萬(wàn)次。 2. 2. 快閃存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器Flash Memory 采用與采用與EPROM中的疊柵中的疊柵MOS管相似的結(jié)構(gòu)，管相似的結(jié)構(gòu)，同時(shí)保留了同時(shí)保留了EEPROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性。用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性

22、。理論上屬于理論上屬于ROM型存儲(chǔ)器；功能上相當(dāng)于型存儲(chǔ)器；功能上相當(dāng)于RAM。 單片容量已達(dá)單片容量已達(dá)64MB，并正在開發(fā)，并正在開發(fā)256MB的快閃的快閃存儲(chǔ)器。可重寫編程的次數(shù)已達(dá)存儲(chǔ)器?？芍貙懢幊痰拇螖?shù)已達(dá)100萬(wàn)次。萬(wàn)次。 2022-5-336由美國(guó)由美國(guó)Dallas半導(dǎo)體公司推出，為封裝一體化的半導(dǎo)體公司推出，為封裝一體化的電池后備供電的靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器。電池后備供電的靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器。 它以高容量長(zhǎng)壽命鋰電池為后備電源，在低功它以高容量長(zhǎng)壽命鋰電池為后備電源，在低功耗的耗的SRAM芯片上加上可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)電路所構(gòu)成。芯片上加上可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)電路所構(gòu)成。 其性能和使用方法與其性能和使

23、用方法與SRAM一樣，在斷電情況一樣，在斷電情況下，所存儲(chǔ)的信息可保存下，所存儲(chǔ)的信息可保存10年。年。 其缺點(diǎn)主要是體積稍大，價(jià)格較高。其缺點(diǎn)主要是體積稍大，價(jià)格較高。 此外，還有一種此外，還有一種nvSRAM，不需電池作后備電，不需電池作后備電源，它的非易失性是由其內(nèi)部機(jī)理決定的。源，它的非易失性是由其內(nèi)部機(jī)理決定的。 已越來(lái)越多地取代已越來(lái)越多地取代EPROM，并廣泛應(yīng)用于通信，并廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、辦公設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域。設(shè)備、辦公設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 3. 3. 非易失性靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器非易失性靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器NVSRAM 2022-5-337串行存儲(chǔ)器是為適應(yīng)某些設(shè)備對(duì)元器件