實驗法區(qū)分PN111

1、區(qū)分P型和N型半導(dǎo)體 用啥子實驗方法咱討論一下雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體（型半導(dǎo)體（N為為Negative的字頭，由于電子帶負(fù)電荷而得此名）：摻入少量的字頭，由于電子帶負(fù)電荷而得此名）：摻入少量雜質(zhì)磷元素（或銻元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由于半導(dǎo)體原子（如硅雜質(zhì)磷元素（或銻元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由于半導(dǎo)體原子（如硅原子）被雜質(zhì)原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半原子）被雜質(zhì)原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由導(dǎo)體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。

2、于是，電子。于是，N型半導(dǎo)體就成為了含電子濃度較高的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性主要型半導(dǎo)體就成為了含電子濃度較高的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性主要是因為自由電子導(dǎo)電。是因為自由電子導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體（型半導(dǎo)體（P為為Positive的字頭，由于空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜的字頭，由于空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜質(zhì)硼元素（或銦元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由于半導(dǎo)體原子（如硅原質(zhì)硼元素（或銦元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由于半導(dǎo)體原子（如硅原子）被雜質(zhì)原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成子）被雜質(zhì)原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵的時候，會產(chǎn)生一個共價鍵的時候，會

3、產(chǎn)生一個“空穴空穴”，這個空穴可能吸引束縛電子來，這個空穴可能吸引束縛電子來“填填充充”，使得硼原子成為帶負(fù)電的離子。這樣，這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度，使得硼原子成為帶負(fù)電的離子。這樣，這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度的的“空穴空穴”（“相當(dāng)于相當(dāng)于”正電荷），成為能夠?qū)щ姷奈镔|(zhì)。正電荷），成為能夠?qū)щ姷奈镔|(zhì)。根據(jù)塞貝克效應(yīng)的正負(fù)來判斷呀測定試樣的Mott-Schottky曲線呀霍爾效應(yīng)呀PN型號測試儀測試呀測光電流呀根據(jù)塞貝克的正負(fù)來判斷，電子為負(fù)數(shù)，空穴為正數(shù)產(chǎn)生Seebeck效應(yīng)的主要原因是熱端的載流子往冷端擴(kuò)散的結(jié)果。p型半導(dǎo)體，由于其熱端空穴的濃度較高，則空穴便從高溫端向低溫端擴(kuò)散；在開路情況下，就在p型半導(dǎo)體的兩端形成空間電荷（熱端有正電荷，冷端有負(fù)電荷），同時在半導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)電場；當(dāng)擴(kuò)散作用與電場的漂移作用相互抵消時，即達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，在半導(dǎo)體的兩端就出現(xiàn)了由于溫度梯度所引起的電動勢溫差電動勢。n型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是從低溫端指向高溫端（Seebeck系數(shù)為負(fù)），相反，p型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是高溫端指向低溫端（Seebeck系數(shù)為正），因此利用溫差電動勢的方向即可判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型?？梢詼y定試樣的可以測定試樣的Mott-Sc