
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文檔簡介
1、?;魻栐墓ぷ髟砑敖Y(jié)構(gòu)如圖 1 所示塊高為 1、寬為 5、厚為 6 的半導體。存外加磁場 B 作用下,當商電流 J 流過時運動屯子受洛倫茲力的作用而偏向一側(cè),使該側(cè)形成電子的積累,與它對義的側(cè)面由于電了濃度下降。出現(xiàn)了正電荷·。這樣,在兩側(cè)面間就形成了個電場。運動電子在受洛倫茲力的同時,又受電場力的作用最后當這兩力作用相等時,電子的積累達到動態(tài)平衡,這時兩側(cè)之間建立電場,稱霍爾電場民,相應的電壓稱霍爾電壓uEI 。上述這種現(xiàn)象稱霍爾效應。經(jīng)分析推導得霍爾電壓式中 M半導體單位體積中的載流子數(shù);一電子電量;K M程爾元件靈飯度,J(M 一 1 MrJ。二·、霍爾元件的材料
2、及結(jié)構(gòu)特點根報雀爾效應原理做成的器件貼片鉭電容叫做程爾元件?;魻栐悴捎镁哂蠳型的鍺、銻化鑰和砷化鋼等十導體單品材料制成。銻化銅元件的輸出較大促受溫度的影響也較大。鉻元件的輸小雖小,但它的溫度性能和線性度卻比較好。砷化姻元件的輸出信號沒有銻化姻元件大,但是受溫度的影響印比銻化姻的要小,而且線性度也較好。因此,以砷化鋇為霍爾元件的材料得到曾遏放用?;魻栐Y(jié)構(gòu)很簡單、是種半導體凹端薄片,它由霍爾片、引線和殼體組成?;?可編輯修改 -。爾片的相對兩側(cè)對稱地焊上兩對電極引出線,如圖102(a) 所示。其小,一對(altj端 ) 稱為激勵電流端 25 外一對 (c 、J 端) 稱為霍爾電勢輸出端,引
3、線焊接處要求接觸電阻小,而量呈現(xiàn)純電阻件質(zhì)( 歐姆接觸 ) ?;魻柶阌梅谴偶饘?、陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝。(一) 輸入電阻R,霍爾元件兩激勵電流端的直流電阻稱為輸入電阻。它的數(shù)值,隊兒歐到幾百歐,視不問型號的元件而定。溫度升高,輸入電鉭電容阻變小,從而使輸入電流變大,最終引起猩爾屯勢變化。為廣減少這種影響,最好采用恒流源作為激勵源。(二) 輸出電阻只。兩個留爾屯勢輸出端之間的電阻稱為輸出電阻,它的數(shù)值與輸入電阻屬同一數(shù)量級,它也隨溫度改變而改變。選擇適當?shù)呢撦d電阻 RL與之匹配, uJ 以使出溫度引起霍爾電勢的漂移減至最小。(三) 最大激勵電流JM由于霍爾電勢隨激勵電流增大而沼大,故在應用中總希
4、望選用較大的激勵電流,但激勵電流增大霍爾元件的功耗增大,元件的溫度升高,從而引起霍爾電勢的溫漂增大,因此每種型號的元件均規(guī)定丁相應的最大激勵電流,它的數(shù)值為幾毫安至幾百毫安。( 曰)R 敏曰 xHf(M ZH (J B),它的數(shù)值約為10 n 、 V(1nA I ) 。( 五 最大磁感應強廢Bm磁感應強度為BMDf,霍爾吧勢的非線性誤差將明顯增大( 六) 不等位電努-可編輯修改 -。在額定激勵電流卜,當斯麥迪電子外加磁場為零時,霍爾輸出端之間的開路電壓稱為不等位電勢,這是由于 d 個電極的幾何尺寸不對稱引起的,使用時多采用電橋法來補償不等位電勢引起的誤差。(七 霍爾電勢溫度系數(shù)在定磁場強度和激勵電流的作用下,溫度每變化1Yj 時霍爾電勢變化的日分數(shù)稱為霍爾電勢溫度系數(shù),它與霍爾元件的材料有關(guān)。cjmc%ddz-可
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