材料結(jié)構(gòu)表征作業(yè)答案

1、第一章第一章 作業(yè)作業(yè) 1. 什么是晶格周期性？如何描述它？什么是晶格周期性？如何描述它？2. 簡(jiǎn)單格子和復(fù)式格子的區(qū)別？簡(jiǎn)單格子和復(fù)式格子的區(qū)別？3. 什么是空間點(diǎn)陣？布拉菲格子的選取原則是什么？什么是空間點(diǎn)陣？布拉菲格子的選取原則是什么？有哪幾種基本類型？種類多少？有哪幾種基本類型？種類多少？4. 描述晶體結(jié)構(gòu)周期性和對(duì)稱性的單元叫什么？如何描述晶體結(jié)構(gòu)周期性和對(duì)稱性的單元叫什么？如何定義的？如何描述的？定義的？如何描述的？5. 根據(jù)晶體對(duì)稱性，晶體可以分為哪七類？根據(jù)晶體對(duì)稱性，晶體可以分為哪七類？作業(yè)作業(yè)1 1答：答：1.1.用平行的直線將代表構(gòu)成晶體的所有原子的格點(diǎn)連接用平行的直線將

2、代表構(gòu)成晶體的所有原子的格點(diǎn)連接起來構(gòu)成的網(wǎng)格稱為晶格起來構(gòu)成的網(wǎng)格稱為晶格. . 對(duì)于簡(jiǎn)單晶格，由一個(gè)格點(diǎn)沿著各個(gè)方向按一定的平移對(duì)于簡(jiǎn)單晶格，由一個(gè)格點(diǎn)沿著各個(gè)方向按一定的平移周期進(jìn)行平移就可以得到整個(gè)晶格。對(duì)于復(fù)式晶格，周期進(jìn)行平移就可以得到整個(gè)晶格。對(duì)于復(fù)式晶格，由一個(gè)由一個(gè)格點(diǎn)沿著各個(gè)方向按一定的平移周期進(jìn)行平移就可以得到子格點(diǎn)沿著各個(gè)方向按一定的平移周期進(jìn)行平移就可以得到子晶格，多個(gè)子晶格套構(gòu)得到整個(gè)晶格。晶格，多個(gè)子晶格套構(gòu)得到整個(gè)晶格。這就是晶格的周期性。這就是晶格的周期性?？臻g點(diǎn)陣可以描述其周期性?？臻g點(diǎn)陣可以描述其周期性。2.2.簡(jiǎn)單格子是由同一類等同原子構(gòu)成的晶格，其物理

3、學(xué)原胞簡(jiǎn)單格子是由同一類等同原子構(gòu)成的晶格，其物理學(xué)原胞僅包含一個(gè)原子；復(fù)式格子是由兩類或兩類以上的等同原子僅包含一個(gè)原子；復(fù)式格子是由兩類或兩類以上的等同原子構(gòu)成的晶格，其物理學(xué)原胞包含兩個(gè)或兩個(gè)以上的原子。等構(gòu)成的晶格，其物理學(xué)原胞包含兩個(gè)或兩個(gè)以上的原子。等同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都相同的同一種原子。同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都相同的同一種原子。 3. 3. 是一個(gè)從晶體結(jié)構(gòu)中由等同原子抽象出的幾是一個(gè)從晶體結(jié)構(gòu)中由等同原子抽象出的幾何點(diǎn)在空間周期性分布形成的無限陣列或何點(diǎn)在空間周期性分布形成的無限陣列或。BravaisBravais格子的選取原則格子的選取原則 布拉菲格子

4、的選取原則：布拉菲格子的選取原則：1 1）所選單位格子應(yīng)能夠反）所選單位格子應(yīng)能夠反映整個(gè)晶體對(duì)稱性（點(diǎn)陣固有的點(diǎn)群對(duì)稱性）；映整個(gè)晶體對(duì)稱性（點(diǎn)陣固有的點(diǎn)群對(duì)稱性）； 2 2）所選）所選單位格子的平面角盡可能為直角，基矢（單位格子的棱邊）單位格子的平面角盡可能為直角，基矢（單位格子的棱邊）長(zhǎng)度盡可能相等；長(zhǎng)度盡可能相等；3 3）單位格子的體積盡可能小。）單位格子的體積盡可能小。 有四種基本類型：簡(jiǎn)單、體心、面心和底心。有四種基本類型：簡(jiǎn)單、體心、面心和底心。 共有共有1414種布拉菲格子。種布拉菲格子。 4. 4. 描述晶體結(jié)構(gòu)周期性和對(duì)稱性的單元叫晶體學(xué)原胞或描述晶體結(jié)構(gòu)周期性和對(duì)稱性的單

5、元叫晶體學(xué)原胞或晶胞。晶胞。 晶體結(jié)構(gòu)被它所具有的平行六面體形狀的晶體結(jié)構(gòu)被它所具有的平行六面體形狀的BravaisBravais單單位格子所劃出來的那一部分晶體結(jié)構(gòu)稱為晶胞位格子所劃出來的那一部分晶體結(jié)構(gòu)稱為晶胞 。 用晶格常數(shù)（用晶格常數(shù)（a,b,c, ,)a,b,c, ,)來描述其形狀和大來描述其形狀和大小。小。 5. 5. 根據(jù)晶體對(duì)稱性，晶體可以分為三斜、單斜、正交、根據(jù)晶體對(duì)稱性，晶體可以分為三斜、單斜、正交、三方、四方、六方和立方。三方、四方、六方和立方。）所以晶面指數(shù)為（得到分別代入晶面方程）；（將晶面上三個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)111) 1( :1:1:2121tlzkyhx01/22/1

6、111100lkhtkhtlkhth6. 已知晶面上三點(diǎn)已知晶面上三點(diǎn)1 0 0;1 1 1;1/2 1/2 0,求所在晶面的求所在晶面的晶面指數(shù)（晶面指數(shù)（hkl）和該晶面族中最靠近原點(diǎn)的晶面在三）和該晶面族中最靠近原點(diǎn)的晶面在三個(gè)晶軸上的分?jǐn)?shù)截距。個(gè)晶軸上的分?jǐn)?shù)截距。該晶面族中最靠近原點(diǎn)的該晶面族中最靠近原點(diǎn)的晶面在三個(gè)晶軸上的分?jǐn)?shù)晶面在三個(gè)晶軸上的分?jǐn)?shù)截距分別為截距分別為1，1，-1。作業(yè)作業(yè)2 2HKLHKLHKLgdcLbKaHg1,*解：1. 利用倒易矢量定義和基本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。利用倒易矢量定義和基本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。作業(yè)作業(yè)3 3222222*22*22*

7、22*2/ )(1/ 1,/ 1;)()(1cLaKHcLbKaHdccabacbacLbKaHcLbKaHggdHKLHKLHKLHKL2.2.已知兩個(gè)倒易矢量已知兩個(gè)倒易矢量g g111111、g g120120，均在過原點(diǎn)的倒易，均在過原點(diǎn)的倒易面上，求該倒易面對(duì)應(yīng)晶帶軸面上，求該倒易面對(duì)應(yīng)晶帶軸r r的指數(shù)的指數(shù)uvwuvw3.3.求兩晶帶求兩晶帶r111r111和和r110r110構(gòu)成的交面。構(gòu)成的交面。4.4.畫出簡(jiǎn)立方晶格倒易面畫出簡(jiǎn)立方晶格倒易面 (110)(110)* * 上的五個(gè)點(diǎn)。上的五個(gè)點(diǎn)。(1-10),(001)(1-10),(001)112)101(第二章第二章 作

8、業(yè)作業(yè)4 1 x射線穿過物質(zhì)時(shí)可發(fā)生哪三種基本過程？射線穿過物質(zhì)時(shí)可發(fā)生哪三種基本過程？2 散射分為哪兩種？用于散射分為哪兩種？用于x射線衍射分析的是哪種散射？射線衍射分析的是哪種散射？3 x射線吸收常伴隨效應(yīng)有哪些？在這些效應(yīng)中產(chǎn)生的反應(yīng)射線吸收常伴隨效應(yīng)有哪些？在這些效應(yīng)中產(chǎn)生的反應(yīng)被照物質(zhì)化學(xué)成分的訊號(hào)有哪些？被照物質(zhì)化學(xué)成分的訊號(hào)有哪些？4 質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關(guān)？質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關(guān)？5 吸收限的定義及應(yīng)用。吸收限的定義及應(yīng)用。答：答：1.散射、吸收和透射。散射、吸收和透射。2. 相干散射和非相干散射；相干散射。相干散射和非相干散射；相干散射。3. 光電效應(yīng)

9、和俄歇效應(yīng)；光電子、俄歇電子和熒光光電效應(yīng)和俄歇效應(yīng)；光電子、俄歇電子和熒光x射線。射線。4. m 為質(zhì)量吸收系數(shù)，為質(zhì)量吸收系數(shù)，t為為x射線穿透物質(zhì)的厚度。射線穿透物質(zhì)的厚度。 質(zhì)量吸收系數(shù)質(zhì)量吸收系數(shù)表示單位重量物質(zhì)對(duì)表示單位重量物質(zhì)對(duì)X射線強(qiáng)度的衰減程度。射線強(qiáng)度的衰減程度。5. m隨隨的變化是不連續(xù)的，其間被尖銳的突變分開。的變化是不連續(xù)的，其間被尖銳的突變分開。 m突變對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)為突變對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)為吸收限吸收限。吸收限吸收限與原子能級(jí)的精細(xì)結(jié)與原子能級(jí)的精細(xì)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。如構(gòu)對(duì)應(yīng)。如L系有三個(gè)亞層，有三個(gè)吸收限。系有三個(gè)亞層，有三個(gè)吸收限。 應(yīng)用：應(yīng)用：1）濾波片的選擇，）濾波片的選擇，

10、2）陽極靶的選擇，）陽極靶的選擇，3）激發(fā)電壓）激發(fā)電壓的計(jì)算，的計(jì)算，4）利用吸收限作原子內(nèi)層能級(jí)圖）利用吸收限作原子內(nèi)層能級(jí)圖ttTmeIeII0/033ZKm第三章第三章 作業(yè)作業(yè) 5-61.1.寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶試樣衍射花樣形成的原因。試樣衍射花樣形成的原因。2.2.計(jì)算計(jì)算CuCu（面心立方晶體結(jié)構(gòu)）的結(jié)構(gòu)因子，并討論消光（面心立方晶體結(jié)構(gòu)）的結(jié)構(gòu)因子，并討論消光條件。條件。3.3.計(jì)算計(jì)算NaClNaCl（面心立方點(diǎn)陣）的結(jié)構(gòu)因子。并討論消光條（面心立方點(diǎn)陣）的結(jié)構(gòu)因子。并討論消光條件。件。 (NaCl(

11、NaCl的晶體結(jié)構(gòu)可以看成兩個(gè)面心立方晶格沿晶軸平的晶體結(jié)構(gòu)可以看成兩個(gè)面心立方晶格沿晶軸平移移1/21/2基矢（基矢（a a或或b b或或c c）大小套構(gòu)而成的。晶胞中包含兩）大小套構(gòu)而成的。晶胞中包含兩類原子類原子NaNa和和ClCl。) )解：解：1.HKLgss0布拉格方程的矢量式布拉格方程的矢量式-衍射矢量方程：衍射矢量方程：根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，的厄瓦爾德圖的厄瓦爾德圖解應(yīng)如圖所示。由于粉末多晶晶粒空間取向的隨機(jī)分布，解應(yīng)如圖所示。由于粉末多晶晶粒空間取向的隨機(jī)分布，倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反射球倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反射

12、球的交線是一個(gè)圓，從這個(gè)交線圓向反射球心連線形成的交線是一個(gè)圓，從這個(gè)交線圓向反射球心連線形成錐頂角為錐頂角為44。2. 面心點(diǎn)陣的每個(gè)晶胞中有面心點(diǎn)陣的每個(gè)晶胞中有4個(gè)同類原子，其坐標(biāo)為個(gè)同類原子，其坐標(biāo)為000，1/2 1/2 0， 1/2 0 1/2， 0 1/2 1/221212sin2cos2njjjjjnjjjjjHKLLZKYHXfLZKYHXfF當(dāng)當(dāng)H、K、L全為奇數(shù)或偶數(shù)時(shí)，則（全為奇數(shù)或偶數(shù)時(shí)，則（H+K）、（）、（H+K）、）、（K+L）均為偶數(shù)，這時(shí)：）均為偶數(shù)，這時(shí)：當(dāng)當(dāng)H H、K K、L L中有中有2 2個(gè)奇數(shù)一個(gè)偶數(shù)或個(gè)奇數(shù)一個(gè)偶數(shù)或2 2個(gè)偶數(shù)個(gè)偶數(shù)1 1個(gè)奇?zhèn)€

13、奇數(shù)時(shí)，則（數(shù)時(shí)，則（H+KH+K）、（）、（H+LH+L）、（）、（K+LK+L）中總有兩）中總有兩項(xiàng)為奇數(shù)一項(xiàng)為偶數(shù)，此時(shí)：項(xiàng)為奇數(shù)一項(xiàng)為偶數(shù)，此時(shí)：)(hsin)cos(heeF2Cl22ClhiClh21i2ClNaCl2FFFFFFFFNaNaClNaNa面心面心面心面心3.當(dāng)當(dāng)H、K、L全為偶數(shù)或奇數(shù)時(shí)，全為偶數(shù)或奇數(shù)時(shí)，ClNa2ClNa2Cl4f4f4f4f)cos(h2NaClNaNaClFFFF消光 當(dāng)當(dāng)H、K、L奇偶混合時(shí)，奇偶混合時(shí)，0)cos(h02Cl2FFFFNaNaCl面心消光1. 已知有膜和無膜時(shí)已知有膜和無膜時(shí)Si襯底峰位分別是襯底峰位分別是28.350 和

14、和28.440 ，R185mm，求薄膜的厚度（，求薄膜的厚度（0.150mm）。）。2. A和和B兩組元組成的固溶體中，含量為兩組元組成的固溶體中，含量為x的的B原子的原子的固溶體固溶體A1-xBx的點(diǎn)陣參數(shù)為的點(diǎn)陣參數(shù)為0.5195nm，A和和B組元的組元的的點(diǎn)陣常數(shù)分別為的點(diǎn)陣常數(shù)分別為0.5206nm和和0.5096nm。用。用Vegard定律求固溶體的組分（定律求固溶體的組分（x=0.10）。）。)2(cos2Rt%100ABAxaaaax第四章第四章 作業(yè)作業(yè)6-9 3.用點(diǎn)陣參數(shù)法測(cè)定相圖相界的主要原理是什么？用點(diǎn)陣參數(shù)法測(cè)定相圖相界的主要原理是什么？ 答：用點(diǎn)陣參數(shù)法測(cè)定相圖的相

15、界的答：用點(diǎn)陣參數(shù)法測(cè)定相圖的相界的主要原理主要原理是是: 隨合金成分的變化，物相的點(diǎn)陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。隨合金成分的變化，物相的點(diǎn)陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。具體說是兩點(diǎn)：第一，具體說是兩點(diǎn)：第一，在單相區(qū)點(diǎn)陣參數(shù)隨成分變化顯著在單相區(qū)點(diǎn)陣參數(shù)隨成分變化顯著，而同一成分該物相的點(diǎn)陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，而同一成分該物相的點(diǎn)陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，在在雙相區(qū)某相的點(diǎn)陣參數(shù)隨溫度而變化雙相區(qū)某相的點(diǎn)陣參數(shù)隨溫度而變化而而不隨合金的成分變化。不隨合金的成分變化。 4.點(diǎn)陣常數(shù)精確測(cè)定時(shí)為什么選用高角度衍射線條？點(diǎn)陣常數(shù)精確測(cè)定時(shí)為什么選用高角度衍射線條？答：答：因?yàn)橐驗(yàn)?，所以在測(cè)

16、量誤，所以在測(cè)量誤差差一定的條件下，一定的條件下，越大越大 ，點(diǎn)陣常數(shù)的相對(duì)，點(diǎn)陣常數(shù)的相對(duì)誤差越小。因此進(jìn)行點(diǎn)陣常數(shù)的精確測(cè)定時(shí)要選誤差越小。因此進(jìn)行點(diǎn)陣常數(shù)的精確測(cè)定時(shí)要選擇高角度的衍射線條。擇高角度的衍射線條。 ),(立方晶系aactgdd 5.點(diǎn)陣常數(shù)精確測(cè)定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？點(diǎn)陣常數(shù)精確測(cè)定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？ 1）儀器設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶然）儀器設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶然誤差和系統(tǒng)誤差。誤差和系統(tǒng)誤差。 2）探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或計(jì)）探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或計(jì)算法消除系統(tǒng)誤差求得精確值。算法消除系統(tǒng)

17、誤差求得精確值。6.某次實(shí)驗(yàn)測(cè)得數(shù)據(jù)如下，請(qǐng)標(biāo)出是什么晶體結(jié)構(gòu)，并計(jì)算出某次實(shí)驗(yàn)測(cè)得數(shù)據(jù)如下，請(qǐng)標(biāo)出是什么晶體結(jié)構(gòu)，并計(jì)算出對(duì)應(yīng)的晶面指數(shù)。對(duì)應(yīng)的晶面指數(shù)。面心面心立方立方結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)7. 定性相分析的依據(jù)：任何一種結(jié)晶物質(zhì)都具有特定的晶體結(jié)定性相分析的依據(jù)：任何一種結(jié)晶物質(zhì)都具有特定的晶體結(jié)構(gòu)，在一定波長(zhǎng)的構(gòu)，在一定波長(zhǎng)的X射線照射下，射線照射下，每一種晶體物質(zhì)和它的衍射花樣都是一一每一種晶體物質(zhì)和它的衍射花樣都是一一對(duì)應(yīng)的。對(duì)應(yīng)的。 通常用通常用d（晶面間距表征衍射線位置）和（晶面間距表征衍射線位置）和I（衍射線相對(duì)強(qiáng)度）（衍射線相對(duì)強(qiáng)度）的數(shù)據(jù)代表衍射花樣。的數(shù)據(jù)代表衍射花樣。8. 定量分析

18、的基本原理：定量分析的基本原理： 。在多相物質(zhì)定量。在多相物質(zhì)定量相分析方法中，要想從衍射強(qiáng)度求得各相的含量，相分析方法中，要想從衍射強(qiáng)度求得各相的含量，2jjjVCKI niijiAjAAKIKI1/9.9.試樣：由剛玉（試樣：由剛玉（A A）、莫萊石（）、莫萊石（M M）、石英（）、石英（Q Q）和方）和方解石（解石（C C）四個(gè)相組成，各待測(cè)相的參比強(qiáng)度）四個(gè)相組成，各待測(cè)相的參比強(qiáng)度 復(fù)合樣中各峰的強(qiáng)度，復(fù)合樣中各峰的強(qiáng)度，I IM M（120+210120+210）=922=922， I IC C（101101）=6660=6660， I IA A（113113）=4829=4829

19、求各相的百分含量。求各相的百分含量。 16. 9,08. 8,47. 2CAQAMAKKK8604)1110(QI69941 .72710653 .373482916.9666008.8860447.2922148291niijiKI%0.6969941/4829/1niijiAAAAKIKI%3.5699447.2/922/1niijiMAMMKIKI%2.15699408.8/8604/1niijiQAQQKIKI%5 .10699416. 9/6660/1niijiCACCKIKI解：解：10. 10. 用柯西分布法計(jì)算晶粒大小和晶格畸變，原始數(shù)用柯西分布法計(jì)算晶粒大小和晶格畸變，原始數(shù)

20、據(jù)如下（據(jù)如下（=0.154056nm=0.154056nm ）：）：nmDDD21)10318. 7/(154056. 0)sin4cos/(100 . 4468. 15927. 0sinsin4cos-cossin41cossin41cos31114212211222111）（02322201311191.46,10986. 830.21,10225. 7bBbB解：將已知數(shù)據(jù)代入公式1. Al, 1. Al, 面心立方結(jié)構(gòu)（面心立方結(jié)構(gòu)（FCCFCC）,a=0.44049nm,a=0.44049nm,R RA A=R=RB B=16.2mm,R=16.2mm,Rc c=26.5mm,=2

21、6.5mm,( R( RA A R RB B)=70.5)=70.50 0, ( R, ( RA A R RC C)=35.5)=35.50 0, ,求求A A、B B、C C等的指數(shù)和等的指數(shù)和LL。第五章第五章 作業(yè)作業(yè)11 8:3:3:)( : )( : )(:321232323222222212121232221NNNLKHLKHLKHRRR)220() 111 ()111(nm12mm. 4344049/. 0*2 .16N/RaRdL2. 2. 什么是襯度？透射電子襯度像的形成機(jī)制有哪些？什么是襯度？透射電子襯度像的形成機(jī)制有哪些？3. 3. 什么是明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像？它們之間有何關(guān)系

22、？什么是明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像？它們之間有何關(guān)系？4. 4. 等厚條紋和等傾條紋的特點(diǎn)及其襯度來源？等厚條紋和等傾條紋的特點(diǎn)及其襯度來源？5. 5. 晶體的不完整性包括哪幾個(gè)方面？不完整晶體的襯晶體的不完整性包括哪幾個(gè)方面？不完整晶體的襯度來源是什么度來源是什么? ?位錯(cuò)、層錯(cuò)像的特點(diǎn)？位錯(cuò)、層錯(cuò)像的特點(diǎn)？ 3. 明場(chǎng)像明場(chǎng)像上述采用上述采用物鏡光欄將衍射束擋掉物鏡光欄將衍射束擋掉，只讓透，只讓透射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場(chǎng)成像，所得射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場(chǎng)成像，所得的圖象稱為明場(chǎng)像。的圖象稱為明場(chǎng)像。 暗場(chǎng)像暗場(chǎng)像用用物鏡光欄擋住透射束及其余衍射束物鏡光欄擋住透射束及其余衍射束，

23、而，而只讓一束強(qiáng)衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗只讓一束強(qiáng)衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗場(chǎng)成像，所得圖象為暗場(chǎng)像。場(chǎng)成像，所得圖象為暗場(chǎng)像。 只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像之分，只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像之分，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，即在明場(chǎng)下是亮線，在暗場(chǎng)下即在明場(chǎng)下是亮線，在暗場(chǎng)下則為暗線，則為暗線，其條件是，此暗線確實(shí)是所用的操作反射其條件是，此暗線確實(shí)是所用的操作反射斑引起的。斑引起的。強(qiáng)度的不均勻分布現(xiàn)象就稱為強(qiáng)度的不均勻分布現(xiàn)象就稱為，所獲得的電子象，所獲得的電子象稱為透射電子襯度象。稱為透射電子襯度象。) 分為相位襯度和振幅襯

24、度（又分為分為相位襯度和振幅襯度（又分為質(zhì)厚襯度和衍射襯度）質(zhì)厚襯度和衍射襯度）衍射襯度衍射襯度是由于存在布拉格衍射造成的。是由于存在布拉格衍射造成的。（明場(chǎng)象和暗場(chǎng)象）（明場(chǎng)象和暗場(chǎng)象） 衍襯成像反映的是晶體內(nèi)部的組織結(jié)構(gòu)特征，而質(zhì)量厚度襯衍襯成像反映的是晶體內(nèi)部的組織結(jié)構(gòu)特征，而質(zhì)量厚度襯度反映的基本上是樣品的形貌特征。度反映的基本上是樣品的形貌特征。4.4.電子衍射襯度的強(qiáng)度隨厚度電子衍射襯度的強(qiáng)度隨厚度t t周期變化，這就是周期變化，這就是等厚條件等厚條件產(chǎn)生產(chǎn)生的理論依據(jù)。在襯度像上觀察到的的理論依據(jù)。在襯度像上觀察到的明暗相間的條紋明暗相間的條紋，同一條，同一條紋對(duì)應(yīng)的厚度是相同的

25、，條紋的深度周期為紋對(duì)應(yīng)的厚度是相同的，條紋的深度周期為1/s 1/s 。電子衍襯。電子衍襯像中的等厚條紋則是單束、無干涉成像，其襯度來自于衍射像中的等厚條紋則是單束、無干涉成像，其襯度來自于衍射波的振幅波的振幅. . 電子衍射襯度的表達(dá)式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量電子衍射襯度的表達(dá)式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量的改變，襯度改變，這是的改變，襯度改變，這是等傾條紋等傾條紋產(chǎn)生的原因。強(qiáng)度將隨產(chǎn)生的原因。強(qiáng)度將隨偏離參量偏離參量s s變化而變化而呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，衍射強(qiáng)度衍射強(qiáng)度在在s=0s=0處有強(qiáng)度的主極大處有強(qiáng)度的主極大, ,主極大的半寬高為主極大的

26、半寬高為1/t1/t 。5. 5. 由于晶體的由于晶體的不完整性不完整性，附加位相因子，附加位相因子e eii的引入將使缺陷的引入將使缺陷附近點(diǎn)陣發(fā)生畸變的區(qū)域（應(yīng)變場(chǎng)）內(nèi)的衍射強(qiáng)度不同于附近點(diǎn)陣發(fā)生畸變的區(qū)域（應(yīng)變場(chǎng)）內(nèi)的衍射強(qiáng)度不同于無缺陷的區(qū)域（相當(dāng)于理想晶體）從而在衍射圖象中獲得無缺陷的區(qū)域（相當(dāng)于理想晶體）從而在衍射圖象中獲得相應(yīng)的襯度相應(yīng)的襯度。（不完整包括由于晶體取向關(guān)系的改變而引。（不完整包括由于晶體取向關(guān)系的改變而引起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起的晶起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起的晶體不完整性。）體不完整性。） 位錯(cuò)線像位錯(cuò)線像總是出現(xiàn)在它的實(shí)

27、際位置的某一側(cè)總是出現(xiàn)在它的實(shí)際位置的某一側(cè), 衍射強(qiáng)度隨衍射強(qiáng)度隨層錯(cuò)層錯(cuò)所在位置的深度所在位置的深度t1周期變化，周期為周期變化，周期為1/s ，與層錯(cuò)的類型無關(guān)，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余與層錯(cuò)的類型無關(guān)，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余弦函數(shù)。弦函數(shù)。層錯(cuò)的衍襯象層錯(cuò)的衍襯象表現(xiàn)為一組平行于樣品表面和層錯(cuò)表現(xiàn)為一組平行于樣品表面和層錯(cuò)交線的明暗相間的條紋；交線的明暗相間的條紋；層錯(cuò)條紋的強(qiáng)度總是中心對(duì)稱的，層錯(cuò)條紋的強(qiáng)度總是中心對(duì)稱的，（這一點(diǎn)是層錯(cuò)條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點(diǎn)）；當(dāng)（這一點(diǎn)是層錯(cuò)條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點(diǎn)）；當(dāng)層錯(cuò)面平行樣品表面時(shí)將不顯示襯度。層錯(cuò)面平行樣

28、品表面時(shí)將不顯示襯度。1.1.什么是化學(xué)位移？它與哪些因素有關(guān)？什么是化學(xué)位移？它與哪些因素有關(guān)？2.XPS2.XPS譜上的光電子主線的特點(diǎn)及光電子線的伴線有哪些？譜上的光電子主線的特點(diǎn)及光電子線的伴線有哪些？3.XPS3.XPS定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？化學(xué)位移化學(xué)位移:同種原子由于處于不同的化學(xué)環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結(jié)合能的變同種原子由于處于不同的化學(xué)環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結(jié)合能的變化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。（與研究原子結(jié)合的化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。（與研究原子結(jié)合的原子的電負(fù)性原子的電負(fù)性對(duì)對(duì)化學(xué)位移的影響較大；當(dāng)某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時(shí)，它的結(jié)合能將化學(xué)位移的影響較大；當(dāng)某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時(shí)，它的結(jié)合能將發(fā)生變化。）發(fā)生變化。）B. C. D.E.F. G.鬼線鬼線XPS定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強(qiáng)度（比對(duì)附錄中的結(jié)合能數(shù)據(jù)；定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強(qiáng)度（比對(duì)附錄中的結(jié)合能數(shù)據(jù)；） 1 1. .熱分析的主要方法及其區(qū)別熱分析的主要方法及其區(qū)別 2.2.根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？ 3.3.升溫速率如何影響差熱分析曲