第十一章模擬電子

1、第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1第十一章 模擬電子技術(shù)11.1 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管11.2 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管11.3 基本放大電路基本放大電路11.4 集成放大電路集成放大電路11.5 直流電路直流電路1971年，年，4004 第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2本章重點(diǎn)難點(diǎn) 二極管、三極管 模擬信號放大原理 放大電路的基本分析 運(yùn)算放大器8008的芯片核心的芯片核心 第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3 一、半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦砸弧雽?dǎo)體的單向?qū)щ娦?自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金，金屬一般都是導(dǎo)體。屬一般都是導(dǎo)體。 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，

2、稱為絕緣體絕緣體，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為之間，稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺，如鍺Ge、硅、硅Si、砷化鎵、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。 11.1 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。比如：以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。比如：當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)

3、，往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。如光敏電阻如光敏電阻,熱敏電阻熱敏電阻可增加幾十萬至幾百萬倍。例如在純硅中參入百可增加幾十萬至幾百萬倍。例如在純硅中參入百萬分之一的硼后，硅的電阻率就從大約萬分之一的硼后，硅的電阻率就從大約 2x103 m 減小到減小到 4x10-3 m左右左右. 利用這種特性就做成了各種不同用利用這種特性就做成了各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二極管三極管途的半導(dǎo)體器件，如二極管三極管 、場效應(yīng)管及晶閘管。、場效應(yīng)管及晶閘管。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。 應(yīng)用最多

4、的本征半應(yīng)用最多的本征半導(dǎo)體為導(dǎo)體為鍺鍺和和硅硅，它們，它們各有四個價電子，都各有四個價電子，都是四價元素是四價元素.硅的原子結(jié)構(gòu)硅的原子結(jié)構(gòu)（一）（一） 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)6 純凈的半導(dǎo)體其所有的原子基本上整齊排列，形成晶體結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也稱為晶體 晶體管名稱的由來第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)7硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正四面體的中心，晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子而四個其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子與其相臨的

5、原子之間形成與其相臨的原子之間形成共價鍵共價鍵，共用一對價，共用一對價電子。電子。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)8硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4+4+4+4+4表示除表示除去價電子去價電子后的原子后的原子第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)9共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為鍵中，稱為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電子很難，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為脫離共價鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導(dǎo)體，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱能力很弱。形成共價鍵后

6、，每個原子的最外層電形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)10 共價鍵中的電子共價鍵中的電子在獲得一定能量在獲得一定能量后，即可掙脫原后，即可掙脫原子核的束縛，成子核的束縛，成為自由電子為自由電子同時在共價鍵中同時在共價鍵中留下一個空穴。留下一個空穴?？昭昭⊿iSiSiSi自由自由電子電子本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)11SiSiSiSi自由電子空穴熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)

7、象 由于受熱或光照由于受熱或光照產(chǎn)生自由電子和產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象空穴的現(xiàn)象- 熱激發(fā)熱激發(fā) 自由電子自由電子在運(yùn)動中遇在運(yùn)動中遇到空穴后，到空穴后，兩者同時消兩者同時消失，稱為復(fù)失，稱為復(fù)合現(xiàn)象合現(xiàn)象 溫度一定時，本溫度一定時，本征半導(dǎo)體中的自由征半導(dǎo)體中的自由電子電子空穴對的數(shù)空穴對的數(shù)目基本不變。溫度目基本不變。溫度愈高，自由電子愈高，自由電子空穴對數(shù)目越多空穴對數(shù)目越多。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)12半導(dǎo)體導(dǎo)電方式半導(dǎo)體導(dǎo)電方式 在半導(dǎo)體中，在半導(dǎo)體中，同時存在著電子同時存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方

8、式的最大特點(diǎn)，方式的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。的本質(zhì)差別。載流子載流子自由電子和空穴自由電子和空穴 因?yàn)?，溫度愈因?yàn)?，溫度愈高，載流子數(shù)目愈高，載流子數(shù)目愈多，導(dǎo)電性能也就多，導(dǎo)電性能也就愈好，所以，溫度愈好，所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能對半導(dǎo)體器件性能的影響很大。的影響很大。SiSiSiSi價電子空穴 當(dāng)半導(dǎo)體兩端當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時，自加上外電壓時，自由電子作定向運(yùn)動由電子作定向運(yùn)動形成電子電流；而形成電子電流；而空穴的運(yùn)動相當(dāng)于空穴的運(yùn)動相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動正電荷的運(yùn)動本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1

9、3在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為稱為 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（電子半導(dǎo)體），使空穴濃（電子半導(dǎo)體），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（空穴半導(dǎo)體）。（空穴半導(dǎo)體）。（二）雜質(zhì)半導(dǎo)體（二）雜質(zhì)半導(dǎo)體N(Negative) P(Positive)第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)14在硅或鍺晶體中摻入

10、少量的在硅或鍺晶體中摻入少量的五價五價元素磷元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，其中四個與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為子給出一個電子，稱為施主原子施主原子。N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體第十一章 模擬

11、電子技術(shù)基礎(chǔ)15+4+4+5+4N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體多余電子多余電子磷原子磷原子第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)16N型半導(dǎo)體中的載流子是什么？型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同相同。2、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。3、摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，、摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為子稱為多數(shù)載流子多數(shù)載流子（多子多子），空穴稱為），空穴稱為少數(shù)載少數(shù)載流子流子（少子少子）。）。第十一章

12、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)17在硅或鍺晶體中摻入少量的在硅或鍺晶體中摻入少量的三價三價元素，如元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補(bǔ)，使得穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動的帶負(fù)電的離子。由于硼硼原子成為不能移動的帶負(fù)電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為原子接受電子，所以稱為受主原子受主原子。P型半導(dǎo)體第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)18+4+

13、4+3+4空穴空穴P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體硼原子硼原子第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)19總總 結(jié)結(jié)1、N型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子，本征半導(dǎo)體中受激產(chǎn)生的電子只占少供的電子，本征半導(dǎo)體中受激產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。數(shù)。 N型半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的遷移也能型半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。2、P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。3、 不論不論N N型半導(dǎo)體還是

14、型半導(dǎo)體還是P P型半導(dǎo)體，雖然它們都有型半導(dǎo)體，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)，但是整個晶體仍然是一種載流子占多數(shù)，但是整個晶體仍然是不帶電不帶電的的。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)20雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)21（一）（一） PN 結(jié)的形成結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型型半導(dǎo)體和半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體二、二、 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦宰杂呻娮覲N空穴第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)22P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E漂移運(yùn)動+

15、空間電荷區(qū)（阻礙層和耗盡層）空間電荷區(qū)（阻礙層和耗盡層）PN結(jié)處載流子的運(yùn)動結(jié)處載流子的運(yùn)動多子多子少子少子第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)23擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。荷區(qū)越寬。漂移運(yùn)動P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運(yùn)動結(jié)處載流子的運(yùn)動內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動越強(qiáng)，而漂移移運(yùn)動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。使空間電荷區(qū)變薄。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)24 最后最后, ,多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散和少子的和少子的漂移漂移達(dá)到達(dá)到動態(tài)平衡動態(tài)平衡。對于。對于P P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)

16、體和N N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電空間電荷區(qū)荷區(qū)稱為稱為PNPN結(jié)結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱稱耗盡層耗盡層。 真空二極管真空二極管 1904年年J. Fleming英國英國第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)25 PN結(jié)的形成過程結(jié)的形成過程當(dāng)漂移運(yùn)動與擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時，當(dāng)漂移運(yùn)動與擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)便穩(wěn)定下來，空間電荷區(qū)便穩(wěn)定下來，PN結(jié)形成結(jié)形成第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)261、空間電荷區(qū)中沒有載流子，、空間電荷區(qū)中沒有載流子， 所以電阻率很高。所以電阻率很高?！啊?、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場

17、、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙阻礙P中的空穴、中的空穴、N中的電子（中的電子（都是都是多子多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動）向?qū)Ψ竭\(yùn)動（擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動）。）?！啊?、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場推動推動P中的電子和中的電子和N中的空穴（中的空穴（都是都是少子少子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動）向?qū)Ψ竭\(yùn)動（漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動） 。請注意請注意第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)27 當(dāng)當(dāng)PNPN結(jié)加正向電壓時（或稱正向偏置），即電源正結(jié)加正向電壓時（或稱正向偏置），即電源正極接極接P P區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接N N時，時，P P區(qū)的多數(shù)載流子空穴和區(qū)的多數(shù)載流子空穴和N N區(qū)區(qū)的多數(shù)載流子自由電子在電場作用下通過的多數(shù)載流子自由電子在電

18、場作用下通過PNPN結(jié)進(jìn)入結(jié)進(jìn)入對方，兩者形成較大的正向電流。此時對方，兩者形成較大的正向電流。此時PNPN結(jié)呈現(xiàn)低結(jié)呈現(xiàn)低電阻，處于導(dǎo)通狀態(tài)。電阻，處于導(dǎo)通狀態(tài)。（二） PN結(jié)的單向?qū)щ娦缘谑徽?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)28 當(dāng)當(dāng)PNPN結(jié)加反向電壓時（或稱反向偏置），結(jié)加反向電壓時（或稱反向偏置），P P區(qū)和區(qū)和N N區(qū)的多數(shù)載流子受阻，難于通過區(qū)的多數(shù)載流子受阻，難于通過PNPN結(jié)。但結(jié)。但P區(qū)的區(qū)的少數(shù)載流子空穴和少數(shù)載流子空穴和N區(qū)的少數(shù)載流子自由電區(qū)的少數(shù)載流子自由電子在電場作用下通過子在電場作用下通過PN結(jié)進(jìn)入對方結(jié)進(jìn)入對方，形成，形成反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量很少。因此，反反向電流

19、。由于少數(shù)載流子數(shù)量很少。因此，反響電流極小。此時響電流極小。此時PNPN結(jié)呈現(xiàn)高電阻，處于截止?fàn)罱Y(jié)呈現(xiàn)高電阻，處于截止?fàn)顟B(tài)。態(tài)。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)29總結(jié)：總結(jié)： PN結(jié)正偏時，有較大的正向電流結(jié)正偏時，有較大的正向電流流過，稱為流過，稱為導(dǎo)通導(dǎo)通；反偏時，流過的電；反偏時，流過的電流幾乎為零，稱為流幾乎為零，稱為截止截止。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)30 在在PNPN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。其符號如圖其符號如圖 1 1 所示。二極管按結(jié)構(gòu)分有所示。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型面接觸型和平面型三大類。它們的結(jié)構(gòu)

20、示意圖如圖三大類。它們的結(jié)構(gòu)示意圖如圖 2 2 所示。所示。(1) 1) 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管PNPN結(jié)面積小，結(jié)電容小，結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路用于檢波和變頻等高頻電路。(a)(a)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 圖圖 2 2 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二極管的結(jié)構(gòu)示意圖（一）結(jié)構(gòu)與參數(shù)（一）結(jié)構(gòu)與參數(shù)圖圖 1 1三、三、 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)31 圖圖 3 3 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(c)(c)平面型平面型(3) (3) 平面型二極管平面型二極管 往往用于集成電路制造工往往用于集成電路制造工藝中。藝中。PN PN 結(jié)面積可大可小，用結(jié)面積可

21、大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。于高頻整流和開關(guān)電路中。(2) (2) 面接觸型二極管面接觸型二極管 PNPN結(jié)面積大，用結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)32第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)33一、一、 結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NPN型型PNP集電極集電極基極基極發(fā)射極發(fā)射極BCEPNP型型11.2 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)34BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基區(qū)：較薄，基區(qū)：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區(qū)：集電區(qū)：面積較大面積較大發(fā)射區(qū)：摻發(fā)射區(qū)：摻雜濃度

22、較高雜濃度較高Lee de Forest 1873 - 1961 電子管之父電子管之父美國美國 1906年年第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)35BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)電子三極管電子三極管德弗雷斯特德弗雷斯特 第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)36BECIBIEICNPN型三極管型三極管BECIBIEICPNP型三極管型三極管英特爾的元老英特爾的元老 葛洛夫葛洛夫 第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)37ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 1. 實(shí)驗(yàn)線路實(shí)驗(yàn)線路二、二、 電流分配和放大原理電流分配和放大原理第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)38ICIBIE2.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)

23、數(shù)據(jù)第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)39(1) IE = IB+IC(2) IC (或或IE )IB 2.338.30.06CBII2.3 1.5400.060.04CBII1.537.50.04CBII這就是晶體管的這就是晶體管的電流放大作用電流放大作用3。四個結(jié)論。四個結(jié)論：(3)當(dāng)當(dāng)IB當(dāng)當(dāng)=0時時, IC =ICEO0 時時D1,D3導(dǎo)通導(dǎo)通D2,D4截止截止電流通路電流通路:+ D1RLD3-u20 時時D2,D4導(dǎo)通導(dǎo)通D1,D3截止截止電流通路電流通路:- D2RLD4+輸出是脈動的直流電壓！輸出是脈動的直流電壓！u2tt橋式整流電路輸出波形及二極管上電壓波形橋式整流電路輸出波形及二極

24、管上電壓波形uD4,uD2uD3,uD1tuou2D4D2D1D3RLuo+-第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1512.計算負(fù)載電壓和電流的平均值計算負(fù)載電壓和電流的平均值 負(fù)載電壓負(fù)載電壓 Uo的平均值為的平均值為:ooU.tduU2029021負(fù)載上的負(fù)載上的(平均平均)電流電流:LLRU.I290第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1522.整流二極管的選擇整流二極管的選擇 平均電流平均電流(ID)與反向峰值電壓與反向峰值電壓(URM)是選擇整流管是選擇整流管的主要依據(jù)。的主要依據(jù)。LoDRU.II24502122UURM在橋式整流電路中，每個二極管只有半周導(dǎo)通。在橋式整流電路中，每個二極管只有半周導(dǎo)通

25、。因此，流過每只整流二極管的平均電流因此，流過每只整流二極管的平均電流 ID是負(fù)載是負(fù)載平均電流的一半。平均電流的一半。二極管截止時兩端承受的最大反向電壓：二極管截止時兩端承受的最大反向電壓：第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)153LoDFRU.III24502122UUURMR所以，在選擇二極管必須滿足下列條件：所以，在選擇二極管必須滿足下列條件：二極管最大反向電流：二極管最大反向電流：二極管的最高反向電壓：二極管的最高反向電壓：第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)154下圖是橋式整流電路的其它畫法，下圖是橋式整流電路的其它畫法，圖圖( (a) )是另一是另一種常用的畫法，種常用的畫法，圖圖(b)是簡化的畫法

26、是簡化的畫法條件：條件：圖圖(a)圖圖(b)第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)155以單向橋式整流電容濾波為例進(jìn)行分析，以單向橋式整流電容濾波為例進(jìn)行分析，其電路如圖所示。其電路如圖所示。1.濾波原理濾波原理a橋式整流電容濾波電路橋式整流電容濾波電路u1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC二、電容濾波電路二、電容濾波電路第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)156(1)RL未接入時未接入時 (忽略整流電路內(nèi)阻忽略整流電路內(nèi)阻)u2tuot設(shè)設(shè)t1時刻接時刻接通電源通電源t1整流電路為整流電路為電容充電電容充電充電結(jié)束充電結(jié)束沒有電容沒有電容時的輸出時的輸出波形波形au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC第十

27、一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)157（2） RL接入（且接入（且RLC較大）時較大）時 (忽略整流電路內(nèi)阻忽略整流電路內(nèi)阻)u2tuot電容通過電容通過RL放電，放電，在整流電路電壓小在整流電路電壓小于電容電壓時，二于電容電壓時，二極管截止，整流電極管截止，整流電路不為電容充電，路不為電容充電，uo會逐漸下降。會逐漸下降。u1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)158u2tuot只有整流電路輸只有整流電路輸出電壓大于出電壓大于uo時，時，才有充電電流。才有充電電流。因此整流電路的因此整流電路的輸出電流是脈沖輸出電流是脈沖波。波。整流電路的整流電路的輸出電流輸出電流u1u2u

28、1bD4D2D1D3RLuoSC第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)159u2tuot電容充電時，電容充電時，電容電壓滯后電容電壓滯后于于u2。整流電路的整流電路的輸出電流輸出電流RLC越小，輸越小，輸出電壓越低。出電壓越低。u1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC（3） RL接入（且接入（且RLC較大）時較大）時 (考慮整流電路內(nèi)阻考慮整流電路內(nèi)阻)第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)160一般取一般取2)53(TCRLd(T:電源電壓的周期電源電壓的周期)近似估算近似估算:Uo=1.2U2。(2) 流過二極管瞬時電流很大。流過二極管瞬時電流很大。RLC 越大越大 Uo越高越高 負(fù)載電流的平均值越大負(fù)載電流的

29、平均值越大 ; 整流管導(dǎo)電時間越短整流管導(dǎo)電時間越短 iD的峰值電流越大的峰值電流越大故一般選管時，取故一般選管時，取LoLDFRUII21)32(2)32(2.電容濾波電路的特點(diǎn)電容濾波電路的特點(diǎn)(1) 輸出電壓輸出電壓 Uo與時間常數(shù)與時間常數(shù) RLC 有關(guān)。有關(guān)。RLC 愈大愈大 電容器放電愈慢電容器放電愈慢 Uo(平均值平均值)愈大愈大第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)161輸出波形隨負(fù)載電阻輸出波形隨負(fù)載電阻 RL 或或 C 的變化而改變的變化而改變, Uo 和和S 也隨之改變。也隨之改變。如如: RL 愈小愈小( IL 越大越大), Uo下降多下降多, S 增大。增大。結(jié)論：結(jié)論：電容濾波

30、電路適用于輸出電壓較高，負(fù)載電流電容濾波電路適用于輸出電壓較高，負(fù)載電流較小且負(fù)載變動不大的場合。較小且負(fù)載變動不大的場合。(3) 輸出特性輸出特性(外特性外特性)uo電容電容濾波濾波純電阻負(fù)載純電阻負(fù)載1.4U20.9U20IL第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)162三、三、 穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路開關(guān)型開關(guān)型穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路線性線性穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路常用穩(wěn)壓電路常用穩(wěn)壓電路( (小功率設(shè)備小功率設(shè)備) )以下主要討以下主要討論線性穩(wěn)壓論線性穩(wěn)壓電路。電路。電路最簡單，電路最簡單，但是帶負(fù)載能但是帶負(fù)載能力差，一般只力差，一般只提供基準(zhǔn)電壓，提供基準(zhǔn)電壓，不作為電源使不作為電源使

31、用。用。效率較高，效率較高，目前用的也目前用的也比較多，但比較多，但因?qū)W時有限，因?qū)W時有限，這里不做介這里不做介紹。紹。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1631. 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路（1）電路結(jié)構(gòu)的一般形式）電路結(jié)構(gòu)的一般形式Ui是經(jīng)整流濾波后的電壓，穩(wěn)壓管與負(fù)載電阻并是經(jīng)整流濾波后的電壓，穩(wěn)壓管與負(fù)載電阻并聯(lián)，所以稱為聯(lián)，所以稱為并聯(lián)型穩(wěn)壓電路并聯(lián)型穩(wěn)壓電路。 由穩(wěn)壓管的伏安特性可由穩(wěn)壓管的伏安特性可知，穩(wěn)壓管反向擊穿后知，穩(wěn)壓管反向擊穿后流過的電流在很大范圍流過的電流在很大范圍內(nèi)變化時，管子兩端的內(nèi)變化時，管子兩端的電壓變化卻很小電壓變化卻很小, ,近似近似恒壓特性，這樣與它并恒壓特性

32、，這樣與它并聯(lián)的負(fù)載就能得到穩(wěn)定聯(lián)的負(fù)載就能得到穩(wěn)定的電壓。的電壓。 電阻電阻R起限流保護(hù)和調(diào)整電壓的作用。起限流保護(hù)和調(diào)整電壓的作用。 第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)164（2 2）穩(wěn)壓原理）穩(wěn)壓原理設(shè)負(fù)載不變時，因電網(wǎng)電壓波動導(dǎo)致設(shè)負(fù)載不變時，因電網(wǎng)電壓波動導(dǎo)致Ui增大，它增大，它將引起將引起UZ （等于（等于 Uo）增加。由穩(wěn)壓管的伏安特）增加。由穩(wěn)壓管的伏安特性可知，只要穩(wěn)壓管兩端電壓增加很小的數(shù)值，性可知，只要穩(wěn)壓管兩端電壓增加很小的數(shù)值，流過穩(wěn)壓管的電流就會有較大的增加，從而使流過穩(wěn)壓管的電流就會有較大的增加，從而使IR 增加，引起電阻增加，引起電阻R 上電壓增大，使輸出電壓基本上電壓

33、增大，使輸出電壓基本保持不變。同理，當(dāng)電網(wǎng)電壓不變保持不變。同理，當(dāng)電網(wǎng)電壓不變( (即即Ui 不變不變) )時時, ,設(shè)負(fù)載電阻減小使輸出電流增大，這時流過穩(wěn)壓設(shè)負(fù)載電阻減小使輸出電流增大，這時流過穩(wěn)壓管的電流會減小去補(bǔ)償負(fù)載電流的增加，使管的電流會減小去補(bǔ)償負(fù)載電流的增加，使IR基基本不變，輸出電壓保持穩(wěn)定。本不變，輸出電壓保持穩(wěn)定。這種穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)簡單，但輸出電壓不能隨意調(diào)這種穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)簡單，但輸出電壓不能隨意調(diào)節(jié)，也不能適應(yīng)輸入電壓和負(fù)載電流的大范圍波節(jié)，也不能適應(yīng)輸入電壓和負(fù)載電流的大范圍波動。動。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1652. 線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電路線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電路（1）電路

34、結(jié)構(gòu)的一般形式）電路結(jié)構(gòu)的一般形式串聯(lián)式穩(wěn)壓電路由基準(zhǔn)電壓、比較放大、取樣串聯(lián)式穩(wěn)壓電路由基準(zhǔn)電壓、比較放大、取樣電路和調(diào)整元件四部分組成。電路和調(diào)整元件四部分組成。T+_UIUO比較放大比較放大基基 準(zhǔn)準(zhǔn)取取 樣樣URFUO+_C2RL調(diào)整元件調(diào)整元件+第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)166T+_UIUO比較放大比較放大基基 準(zhǔn)準(zhǔn)取取 樣樣URFUO+_C2RL調(diào)整元件調(diào)整元件+調(diào)整元件調(diào)整元件T：與負(fù)載串聯(lián)，通過全部負(fù)載電流。與負(fù)載串聯(lián)，通過全部負(fù)載電流。比較放大器：比較放大器：可以是單管放大電路，差動放大電路，集可以是單管放大電路，差動放大電路，集成運(yùn)算放大器。成運(yùn)算放大器。調(diào)整元件：調(diào)整元件

35、：可以是單個功率管，復(fù)合管或用幾個功率管可以是單個功率管，復(fù)合管或用幾個功率管并聯(lián)。并聯(lián)?；鶞?zhǔn)電壓：基準(zhǔn)電壓：可由穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路組成。取樣電路取出輸可由穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路組成。取樣電路取出輸出電壓出電壓UO的一部分和基準(zhǔn)電壓相比較。的一部分和基準(zhǔn)電壓相比較。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)167T+_UIUO比較放大比較放大基基 準(zhǔn)準(zhǔn)取取 樣樣URFUO+_C2RL調(diào)整元件調(diào)整元件+因調(diào)整管與負(fù)載接成射極輸出器形式，因調(diào)整管與負(fù)載接成射極輸出器形式，為深度串聯(lián)電壓負(fù)反饋，故稱之為為深度串聯(lián)電壓負(fù)反饋，故稱之為串串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路。聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)168一種實(shí)際的串聯(lián)式穩(wěn)壓電源

36、一種實(shí)際的串聯(lián)式穩(wěn)壓電源（2 2）穩(wěn)壓原理）穩(wěn)壓原理UoUB2UBE2=（UB2-UZ）UC2Uo當(dāng)當(dāng) UI 增加或輸出電流減小使增加或輸出電流減小使 Uo升高時升高時R3T1T2UZRRW1RW2R1RWR2RLUO+_+_UIUB2第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)169（3）輸出電壓的確定和調(diào)節(jié)范圍）輸出電壓的確定和調(diào)節(jié)范圍2221min2221max22221BEZWWOBEZWOBEZWWOUURRRRRUUURRRRUUURRRRRU（4）影響穩(wěn)壓特性的主要因素）影響穩(wěn)壓特性的主要因素 1. 比較放大部分的比較放大部分的AV 和電壓反饋系數(shù)和電壓反饋系數(shù)F愈大越好；愈大越好； 2. 基準(zhǔn)電

37、壓愈穩(wěn)定越好；基準(zhǔn)電壓愈穩(wěn)定越好； 3. 放大部分的電源愈穩(wěn)定越好；放大部分的電源愈穩(wěn)定越好； 4. 調(diào)整管調(diào)整管rce愈大越好愈大越好(rce小則小則 UI引起的引起的 Uo大大)。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)170一種實(shí)際的串聯(lián)式穩(wěn)壓電源一種實(shí)際的串聯(lián)式穩(wěn)壓電源（2 2）穩(wěn)壓原理）穩(wěn)壓原理UoUB2UBE2=（UB2-UZ）UC2Uo當(dāng)當(dāng) UI 增加或輸出電流減小使增加或輸出電流減小使 Uo升高時升高時R3T1T2UZRRW1RW2R1RWR2RLUO+_+_UIUB2第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)171（5）改進(jìn)措施）改進(jìn)措施在運(yùn)放理想條件下在運(yùn)放理想條件下:RRoUFURRU1)1 (21

38、1. 增加放大級數(shù)或選用增益高的集成運(yùn)放增加放大級數(shù)或選用增益高的集成運(yùn)放串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路+-UITR1R2UFURRLUo AV+-2. 采用輔助電源采用輔助電源(比較放大部分的電源比較放大部分的電源)。3. 用恒流源負(fù)載代替集電極電阻以提高增益。用恒流源負(fù)載代替集電極電阻以提高增益。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)172（6）過流保護(hù)）過流保護(hù) 為避免使用中因某種原因輸出短路或過載為避免使用中因某種原因輸出短路或過載致使調(diào)整管流過很大的電流致使調(diào)整管流過很大的電流,使之燒壞故需有快使之燒壞故需有快速保護(hù)措施。常見保護(hù)電路有兩類速保護(hù)措施。常見保護(hù)電路有兩類限流型限流型: 把電

39、流限制在允許范圍內(nèi)把電流限制在允許范圍內(nèi),不再增大；不再增大；截留型截留型: 過流時使調(diào)整管截止或接近截止。過流時使調(diào)整管截止或接近截止。（7）缺點(diǎn)）缺點(diǎn)調(diào)整管工作在線性放大區(qū)調(diào)整管工作在線性放大區(qū),當(dāng)負(fù)載電流較大時當(dāng)負(fù)載電流較大時:損耗損耗 (P=UCE IL) 大大電源的效率電源的效率 ( =Po/Pi=UoIL/UiIi) 較低較低為了提高效率，可采用開關(guān)型穩(wěn)壓電源。為了提高效率，可采用開關(guān)型穩(wěn)壓電源。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)173隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,現(xiàn)在已生產(chǎn)并廣泛應(yīng)用現(xiàn)在已生產(chǎn)并廣泛應(yīng)用的單片集成穩(wěn)壓電源，具有的單片集成穩(wěn)壓電源，具有體積小體積小,可靠性高可靠

40、性高,使用使用靈活靈活,價格低廉等優(yōu)點(diǎn)價格低廉等優(yōu)點(diǎn)。最簡單的集成穩(wěn)壓電源只。最簡單的集成穩(wěn)壓電源只有輸入，輸出和公共引出端有輸入，輸出和公共引出端,故稱之為三端集成穩(wěn)故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。壓器。本節(jié)主要介紹常用的本節(jié)主要介紹常用的W7800系列系列三端集成穩(wěn)壓三端集成穩(wěn)壓器，其內(nèi)部也是串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路。器，其內(nèi)部也是串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路。該組件的外形如下圖，穩(wěn)壓器的硅片封裝在普該組件的外形如下圖，穩(wěn)壓器的硅片封裝在普通功率管的外殼內(nèi)，電路內(nèi)部附有短路和過熱保護(hù)通功率管的外殼內(nèi)，電路內(nèi)部附有短路和過熱保護(hù)環(huán)節(jié)。環(huán)節(jié)。3. 集成穩(wěn)壓器集成穩(wěn)壓器第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1741端端: 輸入

41、端輸入端2端端: 公共端公共端3端端: 輸出端輸出端W7800系列穩(wěn)壓器外形系列穩(wěn)壓器外形1231端端: 公共端公共端2端端: 輸入端輸入端3端端: 輸出端輸出端W7900系列穩(wěn)壓器外形系列穩(wěn)壓器外形123第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)175分類：分類：注：注：型號后型號后XX兩位數(shù)字代表輸出電壓值兩位數(shù)字代表輸出電壓值輸出電壓額定電壓值有輸出電壓額定電壓值有:5V、9V、12V 、18V、 24V等等 。三端集成三端集成穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器固定式固定式可調(diào)式可調(diào)式正穩(wěn)壓正穩(wěn)壓W78XX負(fù)穩(wěn)壓負(fù)穩(wěn)壓W79XX第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)176用用W7800輸出固定正壓的典型電路如圖所示輸出固定正壓的典型電路

42、如圖所示。注意：注意：輸入與輸出端之間的電壓不得低于輸入與輸出端之間的電壓不得低于3V！+_W7800系列穩(wěn)壓器系列穩(wěn)壓器 基本接線圖基本接線圖CoW7800CIUI+_Uo1320.11 F1F第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)177輸出正負(fù)電壓的電路輸出正負(fù)電壓的電路正負(fù)電壓同時輸出電路正負(fù)電壓同時輸出電路W78XXCIUI+ _UO132+ _CIW79XX13COCO2UO第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)178COW78XXCIUI+_+_UO132UXXUZRDZUXX : 為為W78XX固定輸出電壓固定輸出電壓 UO = UXX + UZ提高輸出電壓的電路提高輸出電壓的電路第十一章 模擬電子技術(shù)

43、基礎(chǔ)179 11_1二極管組成的電路如圖二極管組成的電路如圖11-63所示，設(shè)二極管是理想的，所示，設(shè)二極管是理想的，求輸出電壓求輸出電壓U U0 0。U0=-9VU0=0VU0=-5V習(xí)題課習(xí)題課第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)18011-1 設(shè)有兩個穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值分別是設(shè)有兩個穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值分別是6V和和7V，正向，正向壓降均是壓降均是0.7V。如果將它們用不同的方法串聯(lián)后接入電路。如果將它們用不同的方法串聯(lián)后接入電路,可能得到幾種不同的穩(wěn)壓值可能得到幾種不同的穩(wěn)壓值?試畫出各種不同的串聯(lián)方法。試畫出各種不同的串聯(lián)方法。RD1D2D1D2RLU0U0RLU0=13VU0=7.7V第十一章 模擬電

44、子技術(shù)基礎(chǔ)18111-1 電路如圖電路如圖11-66所示，已知所示，已知V VCCCC=12V，R RB1B1=33k，R RB2B2=10k，R RC C=2k，R RE E=1k， =50。U US S=10mv，R RS S=1k R RL L=2K =2K 。（1 1）估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；）估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2 2） 畫出微變等效電路；畫出微變等效電路；（3 3） 求輸入電阻和輸出電阻；求輸入電阻和輸出電阻；（4 4） 計算計算U Ui i和和U U0 0；（1） 若若RS=0=0，再求，再求U0，并說明信號源內(nèi)阻，并說明信號源內(nèi)阻RS對放大倍數(shù)的影響。對放大倍數(shù)的影響。 第十

45、一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)182解解（1）221BBBCCBRRRUVEEBEBRIUVEBEBERUVICBIIEECCCCCERIRIUU（3）KrRRRbeBBi833. 0/2193426)1 (300EbeImVrKRRC20第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)183（4）iSiSiRRRUUbeLurRAiuUAU0（5）0SRSiUU SuUAU 0第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)18411-7 電路如圖電路如圖11-68所示所示,已知已知V VCCCC=12V，R RB1B1=RB2=75k，R RC C=2k，RL=2k， =50。（1）畫出直流通路，計算電路的靜態(tài)值；）畫出直流通路，計算電路的靜態(tài)值； （2）畫出微變等效電路；）畫出微變等效電路；（3）求）求A AU U、R Ri i和和R R0 0。第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)185解（解（1）BEBBBCBBCCURRIRIIU)()(21ARRRUUIBBCBECCB8 .44)()1 (21mAIIBCQ24. 2VRIVUCRCCCCE43. 7)24. 20448. 0(12第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)186（3）5 .88126)1 (300EbeImVr56beLurRALBCLRRRR/25 .881/1beBirRRKRRRCB95. 1/20第十一章 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)18711