晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向

1、晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向李紅波李紅波上海太陽能工程技術(shù)研究中心太陽能電池的分類太陽能電池的分類Page 2硅成為太陽電池的主體材料硅成為太陽電池的主體材料地球上儲(chǔ)量第二大元素性能穩(wěn)定無毒研究得最多，技術(shù)最成熟上海太陽能工程技術(shù)研究中心Page 3晶體硅太陽能電池發(fā)展簡史晶體硅太陽能電池發(fā)展簡史1839年 法國科學(xué)家貝克雷爾，光照能使半導(dǎo)體材料的不同部位之間產(chǎn)生電位差，光伏效應(yīng)1954年 美國科學(xué)家恰賓和皮爾松，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室，首次制成實(shí)用單晶硅太陽能電池（效率為6）。1958年 硅太陽能電池首先在航天器上得到應(yīng)用。20世紀(jì)70年代 硅太陽電池開始在地面應(yīng)用。到7

2、0年代末地面用太陽能電池產(chǎn)量己經(jīng)超過空間電池產(chǎn)量，并促使成本不斷降低。80年代初至今 硅太陽能電池進(jìn)入快速發(fā)展，開發(fā)的電池效率大幅度提高，商業(yè)化生產(chǎn)成本進(jìn)一步降低，應(yīng)用不斷擴(kuò)大。上海太陽能工程技術(shù)研究中心晶體硅太陽能電池的新技術(shù)晶體硅太陽能電池的新技術(shù) 熱氧化SiO2鈍化，氫鈍化，a-Si鈍化等鈍化技術(shù) 表面織構(gòu)化技術(shù)，減反射技術(shù)陷光技術(shù) 背場可以降低飽和電流，改善開路電壓，提高電池效率。 背表面場技術(shù) MIS電池和pn結(jié)的結(jié)合 ，對(duì)后來的高效電池起到過渡作用MINP電池 電池面積小，從而可以降低成本，一直受到重視 聚光電池 被高效電池和工業(yè)化電池普遍采用 絨面技術(shù) 如SnO2/Si、In20

3、3/Si、 ITO/Si等 異質(zhì)結(jié)技術(shù) 肖特基（MS）電池的改型MIS電池上海太陽能工程技術(shù)研究中心分析下表的內(nèi)容得出以下結(jié)論：要將電池的生產(chǎn)成本降低到分析下表的內(nèi)容得出以下結(jié)論：要將電池的生產(chǎn)成本降低到1美元美元/WP以下以下，電池的轉(zhuǎn)換效率必須要高于，電池的轉(zhuǎn)換效率必須要高于18%，并要求生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)能力高。，并要求生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)能力高。 350（$/m2）300（$/m2）250（$/m2）200（$/m2）150（$/m2）10%$3.5$3.0$2.5$2.0$1.512%$3.0$2.5$2.08$1.67$1.2515%$2.33$2.0$2.0$1.33$1.018%$2

4、.05$1.67$1.67$1.11$0.83成本成本效率效率晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢(shì)上海太陽能工程技術(shù)研究中心Page 6晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢(shì)兩個(gè)主要因素1、提高轉(zhuǎn)換效率2、降低成本發(fā)展趨勢(shì)：1、高效化2、薄片化 日本NEDO晶體硅太陽能電池至2010年的技術(shù)開發(fā)目標(biāo):超薄型超高效率電池的開發(fā)超薄型超高效率電池的開發(fā)壽命30年的實(shí)現(xiàn)原料問題的解決低成本化的實(shí)現(xiàn)低成本化的實(shí)現(xiàn)上海太陽能工程技術(shù)研究中心n 澳大利亞澳大利亞新南威爾士大學(xué)研發(fā)新南威爾士大學(xué)研發(fā)n 鈍化發(fā)射區(qū)和背面局部擴(kuò)散（鈍化發(fā)射區(qū)和背面局部擴(kuò)散（PERL）單晶硅電池）單

5、晶硅電池n 24.7%單晶硅高效化：單晶硅高效化： PERL電池電池上海太陽能工程技術(shù)研究中心PERL電池有七個(gè)工藝特點(diǎn)（目前制造實(shí)驗(yàn)室高效電池的主要技術(shù)之一） 1、表面采用倒金字塔結(jié)構(gòu)，減小光在前表面反射2、硅表面磷摻雜的濃度較低，減少表面的復(fù)合，避免表面“ 死層”3、電極下面局部采用高濃度擴(kuò)散，減小電極區(qū)復(fù)合，形成好的歐姆接觸4、表面電極很窄，電極間距變窄，遮光面積降低，減少橫向?qū)щ婋娮璧膿p失；5、電極采用更匹配的金屬如鈦、鈀、銀金屬組合以進(jìn)一步減小電極與硅的接觸電阻； 6、電池的前后表面采用SiO2和點(diǎn)接觸的方法以減少電池的表面復(fù)合； 7、利用兩層減反射膜將前表面反射降到最低。 制造過程

6、相當(dāng)煩瑣，涉及到多道光刻工藝，工藝高，很難應(yīng)用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。制造過程相當(dāng)煩瑣，涉及到多道光刻工藝，工藝高，很難應(yīng)用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。單晶硅高效化：單晶硅高效化： PERL電池電池上海太陽能工程技術(shù)研究中心單晶硅高效化：單晶硅高效化：PPC電池電池n 斯坦福大學(xué)研發(fā)斯坦福大學(xué)研發(fā)n 背面點(diǎn)接觸（背面點(diǎn)接觸（PCC）電池）電池n 22.3PPC電池特點(diǎn)電池特點(diǎn) 1、正負(fù)電極在同一面，沒有柵線陰影損失2、TCA生長氧化層鈍化電池正反面3、正面光刻制成的金字塔（絨面）結(jié)構(gòu)4、背面的發(fā)射區(qū)被設(shè)計(jì)成點(diǎn)狀，50 m間距，10 m擴(kuò)散區(qū)，5m接觸孔徑5、基區(qū)也設(shè)計(jì)成點(diǎn)狀，減小背面復(fù)合6、襯底n型低阻材料，

7、表面及體內(nèi)復(fù)合低7、襯底減薄到約100 m ，減小體內(nèi)復(fù)合。上海太陽能工程技術(shù)研究中心單晶硅高效化：單晶硅高效化：LBSF電池電池n 德國德國 Fraunhofer研究所研發(fā)研究所研發(fā)n 深結(jié)局部背場深結(jié)局部背場 （LBSF）電池）電池n 2cm2cm電池效率達(dá)到電池效率達(dá)到 23.3%LBSF電池特點(diǎn)（與電池特點(diǎn)（與PERL類似）類似） 1、TCA生長氧化層鈍化電池正反面2、正面光刻制成的金字塔（絨面）結(jié)構(gòu)3、背面硼擴(kuò)散一般造成高表面復(fù)合4、局部鋁擴(kuò)散制作電池的表面接觸上海太陽能工程技術(shù)研究中心 該電池完全采用背電極接觸方式，正負(fù)該電池完全采用背電極接觸方式，正負(fù)極交叉排列在背面，前表面沒有

8、任何遮擋，極交叉排列在背面，前表面沒有任何遮擋，p-n結(jié)位于背面。最初最高效率可以達(dá)到結(jié)位于背面。最初最高效率可以達(dá)到23，但是成本很高，只是滿足一些特殊需要，但是成本很高，只是滿足一些特殊需要，如太陽能飛機(jī)和太陽能汽車等。，如太陽能飛機(jī)和太陽能汽車等。 為了降低成本、擴(kuò)大市場，在美國塞浦為了降低成本、擴(kuò)大市場，在美國塞浦路斯半導(dǎo)體公司幫助下，路斯半導(dǎo)體公司幫助下，Sunpower公司做公司做了大量的研究，終于推出了低成本高效太陽了大量的研究，終于推出了低成本高效太陽電池電池A-300，效率為，效率為20.0以上。以上。 單晶硅高效化：單晶硅高效化：BIB電池電池n 美國美國Sunpower公

9、司研發(fā)公司研發(fā)n 雙面指雙面指叉叉背接觸（背接觸（Bifacial Interdigitated Back-contact）太陽電池太陽電池n效率達(dá)到效率達(dá)到20%以上以上上海太陽能工程技術(shù)研究中心激光刻槽埋柵電池激光刻槽埋柵電池 新南威爾士大學(xué)新南威爾士大學(xué)北京太陽能研究所北京太陽能研究所 19.6% 18.6%晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化 這個(gè)電池結(jié)構(gòu)的特這個(gè)電池結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是表面電極通過化學(xué)點(diǎn)是表面電極通過化學(xué)鍍埋在硅襯底的溝槽里鍍埋在硅襯底的溝槽里，電極與溝槽接觸部位，電極與溝槽接觸部位采用重?fù)诫s，表面的其采用重?fù)诫s，表面的其它地方進(jìn)行淡磷擴(kuò)散

10、。它地方進(jìn)行淡磷擴(kuò)散。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心埋柵電池具有高效的原因是：埋柵電池具有高效的原因是：（1）絨面、減反射膜和背面反射器的結(jié)合使太陽光充分被利用；）絨面、減反射膜和背面反射器的結(jié)合使太陽光充分被利用；（2）柵指電極只占電池表面積）柵指電極只占電池表面積24，遮光率很小，提高短路電流密度；，遮光率很小，提高短路電流密度；（3）柵指電極排列緊密減小發(fā)射極電阻；）柵指電極排列緊密減小發(fā)射極電阻；（4）淡磷擴(kuò)散避免形成）淡磷擴(kuò)散避免形成“死層死層”，增加對(duì)短波的吸收；，增加對(duì)短波的吸收；（5）埋柵電極處實(shí)行重?fù)诫s使接觸電阻降低，有利于歐姆接觸；）埋柵電極處實(shí)行重?fù)诫s使接觸電阻降低，有利于

11、歐姆接觸；（6）埋柵電極深入到硅襯底內(nèi)部增加對(duì)基區(qū)光生電子的收集；）埋柵電極深入到硅襯底內(nèi)部增加對(duì)基區(qū)光生電子的收集；（7）濃磷擴(kuò)散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗，提高）濃磷擴(kuò)散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗，提高電池的開路電壓。電池的開路電壓。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化 此電池由澳大利亞新南威爾士大學(xué)光伏器件實(shí)驗(yàn)室最先研制成功的此電池由澳大利亞新南威爾士大學(xué)光伏器件實(shí)驗(yàn)室最先研制成功的，由于，由于具有高效、低成本和適合大批量生產(chǎn)具有高效、低成本和適合大批量生產(chǎn)的特點(diǎn)，很快引起注意。的特點(diǎn)，很快引起注意。西西班

12、牙班牙BP Solar公司購買了其專利，成功地進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。公司購買了其專利，成功地進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心日本日本Sanyo a-Si/c-Si異質(zhì)結(jié)異質(zhì)結(jié)（HIT）電池）電池實(shí)驗(yàn)室最好效率：實(shí)驗(yàn)室最好效率： 21.2%，面積，面積100cm100cm晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化上海太陽能工程技術(shù)研究中心 HIT電池具有高效的原理是：電池具有高效的原理是： （1）全部制作工藝都是在低溫下完成，有效地保護(hù)載流子壽命；）全部制作工藝都是在低溫下完成，有效地保護(hù)載流子壽命；（2）雙面制結(jié)，可以充分利用背面光線；）雙面制結(jié)，可以充

13、分利用背面光線；（3）表面的非晶硅層對(duì)光線有非常好的吸收特性；）表面的非晶硅層對(duì)光線有非常好的吸收特性；（4）采用的）采用的n型硅片其載流子壽命很大，遠(yuǎn)大于型硅片其載流子壽命很大，遠(yuǎn)大于p型硅，并且由于硅片較薄，型硅，并且由于硅片較薄，有利于載流子擴(kuò)散穿過襯底被電極收集；有利于載流子擴(kuò)散穿過襯底被電極收集；（5）織構(gòu)化的硅片對(duì)太陽光的反射降低；）織構(gòu)化的硅片對(duì)太陽光的反射降低；（6）利用）利用PECVD在硅片上沉積非晶硅薄膜過程中產(chǎn)生的原子氫對(duì)其界面進(jìn)行在硅片上沉積非晶硅薄膜過程中產(chǎn)生的原子氫對(duì)其界面進(jìn)行鈍化，這是該電池取得高效的重要原因。鈍化，這是該電池取得高效的重要原因。晶體硅太陽能電池的

14、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化 這種電池具有結(jié)特性優(yōu)秀、溫度系數(shù)低、生產(chǎn)成本低廉和轉(zhuǎn)換效率這種電池具有結(jié)特性優(yōu)秀、溫度系數(shù)低、生產(chǎn)成本低廉和轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，所以在光伏市場上受到青睞，高等優(yōu)點(diǎn)，所以在光伏市場上受到青睞，商業(yè)化生產(chǎn)速度發(fā)展很快，僅商業(yè)化生產(chǎn)速度發(fā)展很快，僅僅兩三年時(shí)間，產(chǎn)品已占整個(gè)光伏市場的僅兩三年時(shí)間，產(chǎn)品已占整個(gè)光伏市場的5 上海太陽能工程技術(shù)研究中心（2）多晶硅高效電池）多晶硅高效電池 多晶硅材料制造成本低于單晶硅多晶硅材料制造成本低于單晶硅CZ材料材料能直接制備出適于規(guī)模化生產(chǎn)的大尺寸方型硅錠，能直接制備出適于規(guī)模化生產(chǎn)的大尺寸方型硅錠，240k

15、g, 400kg 制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料因此比單晶硅電池具有更大降低成本的潛力。因此比單晶硅電池具有更大降低成本的潛力。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化上海太陽能工程技術(shù)研究中心澳大利亞新南威爾士大學(xué)澳大利亞新南威爾士大學(xué)采用類似采用類似PERL電池技術(shù)使電池的效率達(dá)電池技術(shù)使電池的效率達(dá)19.8，該工藝打破了多晶硅電池不適合采用高溫過程的觀念該工藝打破了多晶硅電池不適合采用高溫過程的觀念，但電池但電池的制造過程煩瑣，不適合的制造過程煩瑣，不適合商業(yè)化商業(yè)化。美國喬治亞美國喬治亞(Geogia)工大工大采用磷吸雜和

16、雙層反射膜技術(shù)，使用電阻率采用磷吸雜和雙層反射膜技術(shù)，使用電阻率0.65 cm、厚度、厚度280 m的的HEM（熱交換法）多晶硅片制作電池，使電池（熱交換法）多晶硅片制作電池，使電池的效率達(dá)到的效率達(dá)到18.6。德國德國 Fraunhofer研究所研究所 20.3% 世界記錄，如能在工業(yè)生產(chǎn)中大規(guī)模世界記錄，如能在工業(yè)生產(chǎn)中大規(guī)模使用該新技術(shù)，基于成本低廉的優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)多晶硅電池不久將會(huì)在太陽使用該新技術(shù)，基于成本低廉的優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)多晶硅電池不久將會(huì)在太陽能電地市場上占據(jù)主導(dǎo)地位能電地市場上占據(jù)主導(dǎo)地位。晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化上海太陽能工程技術(shù)研究

17、中心日本日本 京瓷（京瓷（Kyocera）公司采用了）公司采用了PECVD/SiN+表面織構(gòu)化使表面織構(gòu)化使15cm 15cm大面積多晶硅電池效率達(dá)大面積多晶硅電池效率達(dá)17.7，已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。采用的采用的PECVDSiN鈍化鈍化技術(shù)對(duì)商業(yè)化多晶硅電池技術(shù)對(duì)商業(yè)化多晶硅電池的效率提高起到了關(guān)鍵性的效率提高起到了關(guān)鍵性的作用。目前此商業(yè)化多的作用。目前此商業(yè)化多晶硅電池的效率達(dá)到晶硅電池的效率達(dá)到1316。晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)高效化高效化上海太陽能工程技術(shù)研究中心（1）硅片減?。┕杵瑴p薄 硅片是晶體硅電池成本構(gòu)成中的主要部分。硅片是晶體硅電池

18、成本構(gòu)成中的主要部分。 降低硅片厚度是減少硅材料消耗、降低晶體硅太陽能電池成本的降低硅片厚度是減少硅材料消耗、降低晶體硅太陽能電池成本的有效技術(shù)措施，是光伏技術(shù)進(jìn)步的重要方面之一有效技術(shù)措施，是光伏技術(shù)進(jìn)步的重要方面之一 。 早期的硅片通常是用內(nèi)圓鋸切割，厚度約早期的硅片通常是用內(nèi)圓鋸切割，厚度約350-400 m ，切片損，切片損耗約耗約50%左右左右。線鋸發(fā)明后，不但硅片大大減薄，而線鋸發(fā)明后，不但硅片大大減薄，而且且切片損耗大切片損耗大大降低大降低。目前硅片的一般厚度為目前硅片的一般厚度為180-240 m ，未來可以薄到，未來可以薄到150-180，甚至更薄，甚至更薄，從而大大降低成本

19、從而大大降低成本.B：向薄片化方向發(fā)展：向薄片化方向發(fā)展晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心n30 多年來，太陽電池硅片厚度從多年來，太陽電池硅片厚度從70 年的年的450500 m 降低到目前的降低到目前的180240 m。硅片厚度的發(fā)展硅片厚度的發(fā)展晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心日本日本Sharp單晶硅組件單晶硅組件晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心德國德國Fraunhofer-超薄多晶硅高效太陽能

20、超薄多晶硅高效太陽能電池電池20.3%-世界記錄世界記錄 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心澳大利亞澳大利亞Origin Energy公司高效長條薄片太陽電池（公司高效長條薄片太陽電池（Sliver Solar Cells）比目前普通晶硅太陽電池組件能夠比目前普通晶硅太陽電池組件能夠節(jié)省高達(dá)節(jié)省高達(dá)90%的硅的消耗，長條薄的硅的消耗，長條薄片厚度不到片厚度不到70微米，效率可以達(dá)到微米，效率可以達(dá)到19.5%，該產(chǎn)品還具有柔性和能夠，該產(chǎn)品還具有柔性和能夠卷曲的性能卷曲的性能 。晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)

21、發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心 Kyocera公司于公司于2008年年6月月11日宣布，開發(fā)了新的太陽能電池日宣布，開發(fā)了新的太陽能電池制造工藝，該工藝可在其用于制造制造工藝，該工藝可在其用于制造光伏太陽能電池光伏太陽能電池和模塊用的多晶硅和模塊用的多晶硅同樣消費(fèi)量情況下使效率提高。同樣消費(fèi)量情況下使效率提高。 新的大規(guī)模生產(chǎn)工藝可使新的大規(guī)模生產(chǎn)工藝可使Kyocera公司制造的太陽能電池厚度減公司制造的太陽能電池厚度減薄至薄至180 m ，采用了硅錠切片和晶片涂層的最新技術(shù)。，采用了硅錠切片和晶片涂層的最新技術(shù)。 采用這一技術(shù)可使該公司在今后采用這一技術(shù)可使該公司在今后3年內(nèi)

22、使太陽能模塊生產(chǎn)能力翻年內(nèi)使太陽能模塊生產(chǎn)能力翻一倍以上，而使其硅的消費(fèi)減少至最大限度。一倍以上，而使其硅的消費(fèi)減少至最大限度。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心（2）帶狀多晶硅制造技術(shù)）帶狀多晶硅制造技術(shù) 為了減少切片損失，在過去幾十年里開發(fā)過很多種制造片狀硅為了減少切片損失，在過去幾十年里開發(fā)過很多種制造片狀硅或帶硅的技術(shù)。在或帶硅的技術(shù)。在80年代國際上曾出現(xiàn)過很多種生長硅帶的方法，年代國際上曾出現(xiàn)過很多種生長硅帶的方法，但大部分都處于實(shí)驗(yàn)室階段，其原因是：但大部分都處于實(shí)驗(yàn)室階段，其原因是：1、在高溫過程中通過設(shè)備、在高

23、溫過程中通過設(shè)備引入了過多雜質(zhì)，達(dá)不到要求的純度；引入了過多雜質(zhì)，達(dá)不到要求的純度；2、在再結(jié)晶過程中要求的高、在再結(jié)晶過程中要求的高冷卻速率會(huì)使晶體中產(chǎn)生過多的缺陷。在生長速度與硅帶質(zhì)量之間冷卻速率會(huì)使晶體中產(chǎn)生過多的缺陷。在生長速度與硅帶質(zhì)量之間尋找平衡，其降低成本的技術(shù)難度比晶錠硅高。下邊介紹幾種比較尋找平衡，其降低成本的技術(shù)難度比晶錠硅高。下邊介紹幾種比較成熟的帶硅技術(shù)。成熟的帶硅技術(shù)。 晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心限邊限邊喂膜（喂膜（EFG）帶硅技術(shù)）帶硅技術(shù) 采用采用適當(dāng)?shù)倪m當(dāng)?shù)氖＞唠姵匦适＞唠姵匦?

24、315。該技術(shù)于。該技術(shù)于90年代初實(shí)年代初實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)，目前屬于現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)，目前屬于ASE公司所有。公司所有。晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能工程技術(shù)研究中心 用限邊喂膜法進(jìn)行大批量生產(chǎn)時(shí)，用限邊喂膜法進(jìn)行大批量生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)滿足的主要技術(shù)條件為：采用自動(dòng)應(yīng)滿足的主要技術(shù)條件為：采用自動(dòng)控制溫度梯度、固液交界的新月形的高控制溫度梯度、固液交界的新月形的高度及硅帶的寬度等，以有效地保證晶體度及硅帶的寬度等，以有效地保證晶體生長的穩(wěn)定性。在模具對(duì)硅料的污染生長的穩(wěn)定性。在模具對(duì)硅料的污染方面進(jìn)行控制。方面進(jìn)行控制。 該技術(shù)的工藝過程如下：采用

25、適當(dāng)?shù)氖＞邚娜酃柚兄苯永鲈摷夹g(shù)的工藝過程如下：采用適當(dāng)?shù)氖＞邚娜酃柚兄苯永稣私枪柰?，正八角的邊長比正八角硅筒，正八角的邊長比10cm略長，總管徑約略長，總管徑約30cm，管壁厚度（，管壁厚度（硅片厚）與石墨模具毛細(xì)形狀、拉制溫度和速度有關(guān)，約硅片厚）與石墨模具毛細(xì)形狀、拉制溫度和速度有關(guān)，約200一一400 m，管長約，管長約5m。采用激光切割法將硅管切成。采用激光切割法將硅管切成10cml0cm方形硅片。方形硅片。電池工藝中采用針頭注入法制備電池柵線，其它工藝與常規(guī)電池工藝電池工藝中采用針頭注入法制備電池柵線，其它工藝與常規(guī)電池工藝相同。相同。晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)晶體硅太陽能電池的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)薄片化薄片化上海太陽能