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1、第五章第五章 晶體的感應(yīng)雙折射晶體的感應(yīng)雙折射當(dāng)晶體在外場(chǎng)(電場(chǎng)、磁場(chǎng)、應(yīng)力場(chǎng))作用下,結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生變化,因此光波在其間的傳播規(guī)律也將發(fā)生變化,產(chǎn)生與外場(chǎng)相關(guān)的雙折射現(xiàn)象-晶體的感應(yīng)雙折射5.1 電光效應(yīng)5.2 磁光效應(yīng)5.3 聲光效應(yīng)(彈光效應(yīng))r5.1 電光效應(yīng)電光效應(yīng)電光效應(yīng)-外電場(chǎng)作用下產(chǎn)生的雙折射效應(yīng)晶體各向異性外場(chǎng)作用下, 必定發(fā)生變化,相應(yīng)的折射率n也發(fā)生變化,則折射率橢球形狀和趨向、主折射率都會(huì)變化分類:所加電場(chǎng)大小分:2020nnaEbEnnnaEbE 線性電光效應(yīng):非線性電光效應(yīng):線性非線性效應(yīng)電場(chǎng)方向與光波方向分:縱向電光效應(yīng):電場(chǎng)方向與光波方向一致橫向電光效應(yīng):電場(chǎng)方向與

2、光波方向垂直0002errijn DEEE考點(diǎn)5.1.1 pockels效應(yīng)效應(yīng)-線性電光效應(yīng)線性電光效應(yīng)折射率橢球通式有6個(gè)分量222123233 1122222221234561111112221xxxx xx xx xnnnnnn主坐標(biāo)軸與折射率橢球主軸一致時(shí)則變?yōu)?個(gè)分量2223122221231xxxnnn當(dāng)晶體加上電場(chǎng)E后折射率各分量都有一個(gè)附加折射率變化,且與E為線性關(guān)系3112233211ijjiiijiEEEEn -電光系數(shù),有18個(gè)分量,矩陣表示 與晶體對(duì)稱性有關(guān)對(duì)具體晶體而言,18個(gè)分量中只有幾個(gè)分量不為0對(duì)于對(duì)稱中心晶體,應(yīng)有()0ijjijjijEE即具有對(duì)稱中心的晶

3、體不存在線性電光效應(yīng)ijij111213212223313233414243515253616263ij 11121321222313313233214142433515253616263ijjjEEEE仍然以主折射率橢球 為例,當(dāng)外加電場(chǎng)E后,坐標(biāo)軸與折射率橢球主軸就不再平行,依然有6個(gè)分量:22212322212311121ijjijijxxxE x xnnn例KDP晶體:1、4度對(duì)稱軸:晶體繞x3軸旋轉(zhuǎn)/2,晶體結(jié)構(gòu)不變 x1,x2是2度對(duì)稱軸:線x1或x2軸轉(zhuǎn) ,晶體結(jié)構(gòu)不變2、為單軸晶體,42m系:41= 520, 630,其余為0123oennnnnKDP線性電光效應(yīng)折射率橢球方程

4、222312411235223 1633 122222221ooexxxE x xE x xE x xnnn一、縱向電光效應(yīng)一、縱向電光效應(yīng) 縱向電光效應(yīng)是指外加電場(chǎng)與 光線方向平行的電光效應(yīng)1230,0EEE此關(guān)系代入上式,則折射率橢球方程簡(jiǎn)化為222312633 122221oexxxE x xnnx1,x2,x3已不再是新橢球主軸,但是若將x1,x2旋轉(zhuǎn)45,即圖中x1,x2,則x1,x2,x3就是此新折射率橢球之主軸坐標(biāo)系1232223122221xxxxxxnnnx1x1x2x2O(x1, x2)(x1, x2)x3x3坐標(biāo)轉(zhuǎn)換1121221212331cos45sin4521sin

5、45cos452xxxxxxxxxxxx代入前一式則得222363316332222111ooexExExnnn將()式與()式比較,可得1163321/2222633633233363363322136336332211122211211211oooooxoxEnooxnEnEoxexexnEnnEnnnEnnEnnnnnn1x2x1x2x3x3x45oo討論由于nx1 nx2,KDP晶體加電場(chǎng)后就由單軸晶體變?yōu)殡p軸晶體1、未加電場(chǎng)時(shí),單軸晶體主軸坐標(biāo)系為 x1,x2,x3,而(x1x2)內(nèi)截面為一圓 加電場(chǎng)后變?yōu)殡p軸晶體,x3不再是光軸,主軸坐標(biāo)系為x1,x2,x3 ,而 ( x1x2 )

6、內(nèi)截面為一橢圓2、未加電場(chǎng)時(shí),光波沿x3軸(光軸)傳播,o,e二電矢量速度相等,位相延遲 =0 加電場(chǎng)后,x3軸不再是光軸,兩電矢量傳播速度不等,產(chǎn)生了位相延遲:213363363222ooxxnndnE dnV這是由于電光效應(yīng)引起的位相延遲稱電光延遲。x1x2x3E3x1x2當(dāng) =時(shí),晶體的作用就是將偏振面旋轉(zhuǎn)90-這相當(dāng)于一個(gè)/2波片,此所加電壓為半波電壓V 3632oVn半波電壓與晶體厚度無關(guān)電光延遲可表示為VV12631.5064,1.06 10/694.39670oKDPnm VnmVV晶體當(dāng)紅寶石激光 時(shí)二、橫向電光效應(yīng)二、橫向電光效應(yīng) 橫向電光效應(yīng)是指外加電場(chǎng)與光線方向垂直的電光

7、效應(yīng)切割:KDP-45-z切割,按x1,x2平行方向切割, 相當(dāng)于兩側(cè)面分別與x1,x2垂直電場(chǎng):仍然加在x3軸方向,E1=E2=0,E30光波:沿x2方向傳播兩個(gè)振動(dòng)電矢量對(duì)應(yīng)的折射率為nx1 和nx3=ne3136333633632212oxoexoeooeonnnnnEnlnnlnVdnnlkdVnl 選擇則半波電壓為,橫向電光效應(yīng)之半波電壓與l,d有關(guān),可以通過調(diào)節(jié)晶體幾何尺寸來降低半波電壓三、電光效應(yīng)的應(yīng)用三、電光效應(yīng)的應(yīng)用光學(xué)調(diào)制-用改變光波的振幅、頻率、相位、強(qiáng)度、偏振狀態(tài)等參數(shù)來實(shí)現(xiàn)信 息傳輸?shù)姆椒ɡ簩⒓す馐鳛檩d波,把欲傳播的信息加載于激光輻射,此激光束起攜 帶低頻信號(hào)的作

8、用,稱為載波 起控制作用的低頻信號(hào)稱為調(diào)制信號(hào)因此與上述相應(yīng)的有振幅調(diào)制,頻率調(diào)制,相位調(diào)制,強(qiáng)度調(diào)制等,亦即用調(diào)制信號(hào)去改變載波束的振幅,頻率,相位,強(qiáng)度有內(nèi)調(diào)制,外調(diào)制之分解調(diào)-把調(diào)制信號(hào)從傳輸光波中分離出來調(diào)制器件-實(shí)現(xiàn)光調(diào)制的器件1、KDP縱向強(qiáng)度調(diào)制縱向強(qiáng)度調(diào)制加電壓后,KDP就相當(dāng)于一個(gè)晶片,兩個(gè)電矢量分量產(chǎn)生一個(gè)附加位相差 前后加偏振器后就相當(dāng)于平行偏振光干涉圖,P1P2,并分別平行于x1,x2當(dāng)加電壓后,折射率橢球主軸轉(zhuǎn)至x1,x2, 與P1成45,相當(dāng)于干涉圖中=45, 輸出光強(qiáng)為2200sinsin22VIIIV其透過率T為20sin2IVTIVT-V曲線見圖在T=0.5處

9、附近為一線性較好區(qū)域,在此調(diào)制不失真 T=0.5時(shí)對(duì)應(yīng)電壓為V/ 2調(diào)制電壓sinmmVVt調(diào)加在V/ 2處,則就在線性區(qū)調(diào)制/2sinmmVVVt注意兩點(diǎn):調(diào)制信號(hào)應(yīng)加在V/ 2處,即T=0.5處 調(diào)制信號(hào)控制在線性區(qū)實(shí)現(xiàn)在T=0.5處調(diào)制有兩個(gè)方法:電路上保證一個(gè)直流偏置V/ 2光路加入一個(gè)/4波片,引起一個(gè)附加位相差/2,即:2221sinsinsinsin24222mmmmVVVVTttVV使mVV條件:2、電光開關(guān)、電光開關(guān) 在上光路中,P1P2,無/4波片,當(dāng)不加電壓時(shí)光路不通 當(dāng)加電壓V時(shí)光路通 可以利用晶體上是否加有V來實(shí)現(xiàn)光路之通與不通,這就是相當(dāng)一電光開關(guān) 在脈沖激光器中,

10、常用電光開關(guān)來實(shí)現(xiàn)調(diào)Q3、電光偏轉(zhuǎn)、電光偏轉(zhuǎn) 自己看5.1.2 Kerr效應(yīng)效應(yīng)-平方電光效應(yīng)平方電光效應(yīng)在外加電場(chǎng)作用下,各向同性介質(zhì)如硝基苯等會(huì)產(chǎn)生電致雙折射,其折射率變化與所加電場(chǎng)的平方成正比2eonnnKE 式中為真空中波長(zhǎng),K為Kerr常數(shù)o光和e光穿過電場(chǎng)區(qū)后引起的位相延遲為:2222eoVnnlKld半波電壓2dVKl1022.5 10/,5,5,10000Kcm Vlcm dcmV硝基苯:當(dāng)時(shí)伏Kerr盒可作光開關(guān)5.2 磁光效應(yīng)磁光效應(yīng)5.2.1 晶體的旋光效應(yīng)晶體的旋光效應(yīng)1811年Arago發(fā)現(xiàn) 當(dāng)一束線偏振光沿石英晶體光軸傳播時(shí), 其振動(dòng)面會(huì)相對(duì)原方向轉(zhuǎn)過一個(gè)角度 -旋

11、光現(xiàn)象 后來在一些蒸汽中和液態(tài)物質(zhì)中也觀察到了旋光現(xiàn)象 光振動(dòng)方向轉(zhuǎn)過的角度與通過旋光物質(zhì)的長(zhǎng)度 成正比:l-介質(zhì)的旋光本領(lǐng)稱旋光率石英的旋光率是色散的,見圖l在某些液體中,光振動(dòng)旋轉(zhuǎn)角度還與濃度成正比:clc為溶液濃度,由此可以測(cè)量濃度不同的介質(zhì)中,光振動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)的方向還不同, 即有左旋與右旋之分如:葡萄糖為右旋旋光介質(zhì) 果糖為左旋介質(zhì) 石英既可右旋,也可左旋 石英之左旋或右旋與其晶體結(jié)構(gòu)對(duì)稱性有關(guān), 左右旋之結(jié)構(gòu)是鏡像對(duì)稱的菲涅耳解釋:線偏振光可認(rèn)為是由右旋圓偏振光和左旋圓偏振光之組合,在各向同性介質(zhì)中,左右圓偏振光傳播速度L, R相等,不產(chǎn)生旋光現(xiàn)象,在旋光介質(zhì)中, L和 R不相等,即有nL

12、, nR不等, R L ,則有nR nL R nL 通過旋光介質(zhì)厚度 后,各自產(chǎn)生的位相延遲為:22RRLLn ln l離開旋光介質(zhì)后,左右圓偏振光合為線偏振光后產(chǎn)生的偏振面旋轉(zhuǎn)角度,0,0,RLRLRLnnlnnnn則為左旋則為右旋l菲涅耳的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證棱鏡由左、右旋石英交替組成光束在AB面正入射,沿光軸傳播棱鏡1,3:R L ,nR nL 棱鏡2: R nL 折射定律知:在折射介質(zhì)中,折射率小的對(duì)應(yīng)光束折射角大 折射率大的對(duì)應(yīng)光束折射角小由于在棱鏡1中,左右圓偏振光未分束,所以 在AE面上,棱鏡2中, nR nL 右旋光靠近法線,左旋光遠(yuǎn)離法線, 致使左、右旋圓偏振光分離 在CE面上,棱鏡3中

13、, nR 1, nL 1左、右旋圓偏振均遠(yuǎn)離法線,致使左、右旋圓偏 振光分開角度進(jìn)一步加大 此現(xiàn)象稱圓雙折射,以前討論的雙折射為線雙折射/自然圓雙折射5.2.2 Faraday效應(yīng)效應(yīng)Faraday效應(yīng),即磁致旋光效應(yīng)-介質(zhì)在磁場(chǎng)作用產(chǎn)生的的旋光效應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置如圖偏振面產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)角度:VBLV-Verdet常數(shù),見表B-磁感應(yīng)強(qiáng)度應(yīng)用:1、磁光開關(guān)或光隔離器 2、測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度 3、磁光調(diào)制5.3 聲光效應(yīng)(彈光效應(yīng))聲光效應(yīng)(彈光效應(yīng))5.3.1 彈光效應(yīng)概念彈光效應(yīng)概念晶體與一些各向同性介質(zhì),在機(jī)械應(yīng)力、逆壓電效應(yīng)、超聲波等作用下產(chǎn)生應(yīng)變引起介質(zhì)光學(xué)各向異性的現(xiàn)象,稱彈光效應(yīng)處理手法與電光效應(yīng)

14、相同:電光系數(shù)-彈光系數(shù)在應(yīng)變較小時(shí),應(yīng)變引起的折射率變化與應(yīng)變成線性關(guān)系:6321213611ijijijiiijjjiEnP SnSP應(yīng)變分量彈光系數(shù),有個(gè)分量具體處理:略5.3.2 聲光衍射聲光衍射相位光柵:超聲波-機(jī)械應(yīng)力彈性波在介質(zhì)中傳播時(shí)將引起介質(zhì)密度呈周期性交 替變化,從而使介質(zhì)折射率呈現(xiàn)相應(yīng)的變化規(guī)律,可視作一等效的相位 光柵(聲光柵)。光柵條紋間隔等于超聲波長(zhǎng)s超聲行波:超聲行波以速度s傳播,它形成的聲光柵柵面在空間中以同樣的速 度s向前移動(dòng),行波中的折射率分布: ,cosssn z tntk z 最大折射率變化2ssk聲波波數(shù)聲波角頻率超聲駐波:波長(zhǎng)、相位、振幅相同而傳播方

15、向 相反的兩列波之合成,折射率分布為,coscos2coscosssssssn z tntk zntk znk zt 折射率在空間的分布是固定的,聲光柵在空間也固定聲光衍射:當(dāng)光波通過聲光柵介質(zhì)時(shí),光波將產(chǎn)生衍射,這種聲光衍射效 應(yīng)也是彈性波與入射光波相互作用的結(jié)果。 行波聲光柵的衍射光波與駐波聲光柵的衍射光波之頻率結(jié)構(gòu)是不一樣的聲光調(diào)制:衍射光的強(qiáng)度、頻率和方向隨超聲波場(chǎng)的變化而變化, 因此可以用超聲波場(chǎng)來調(diào)制光波 根據(jù)超聲波頻率的高低和聲作用區(qū)的長(zhǎng)度,可以把聲光衍射分為拉曼-奈斯衍射和布拉格衍射1、Raman-Nath衍射衍射 特點(diǎn): Raman-Nath衍射類似于平面光柵衍射,將產(chǎn)生多級(jí)

16、衍射, 以零級(jí)為中心對(duì)稱分布,其強(qiáng)度逐級(jí)遞減 彈性波在介質(zhì)中引起的應(yīng)變:引起的折射率變化:cosssSSk zt21cosssPSk ztn當(dāng)應(yīng)變較小時(shí),則有 0cossn znnk zL=-L/2處,入射光波為L(zhǎng)=L/2處,出射光波為iitinEAe /iit n z L coutEAe時(shí)間延遲入射處光波是平面波,出射處就不再是平面波(n(x)調(diào)制), 方向上遠(yuǎn)處屏幕上P點(diǎn)之光振幅應(yīng)由惠更斯原理確定 /2/2expcosdisdAcik lzL nk zdz 經(jīng)過處理可得第m級(jí)衍射強(qiáng)度極大值為 2mmIJ衍射光柵和駐波光柵的衍射光波見下圖Z方向上的光程差聲光作用長(zhǎng)途因子m級(jí)貝塞爾函數(shù)2、Br

17、agg 衍射衍射Bragg 衍射是用在晶格常數(shù)測(cè)定:晶格是固定、很小的,當(dāng)超聲波頻率很高,作用長(zhǎng)度較長(zhǎng)時(shí),也能產(chǎn)生Bragg 衍射,衍射束能量集中在0級(jí)和+1級(jí)或-1級(jí)上行波:超聲相位光柵沿z軸運(yùn)動(dòng),但超聲波頻率遠(yuǎn)小于光波頻率, 因此對(duì)光波頻而言,超聲場(chǎng)在任一瞬間都是靜止不動(dòng)的駐波:相位光柵是靜止的產(chǎn)生Bragg 衍射的條件有二:1)、同一聲波面上衍射光的光程差 是波長(zhǎng)的整數(shù)倍:coscos,0, 1, 2idACBDxmm 在此方向上得到的衍射極大,B稱Bragg 角,此時(shí)00ACBDm2)、不同聲波面上的衍射光之光程差也為波長(zhǎng)之整數(shù)倍sinsin,0, 1, 2sidBOOCmm 由于d=i=B,即反射條件成立12sinsin1,11sin2sBBBsBraggmm 不能大于只能取其一衍射條件,對(duì)任意x均成立的條件是:diB5.3.3

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