NandFlash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)(精)_第1頁
NandFlash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)(精)_第2頁
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文檔簡介

1、Nand+Flash 存儲管理在 DSP 系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)NandFlash 作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本 低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌 入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管 NandFlash 的每個單元塊相互獨(dú)立,且 每塊一般可擦除次數(shù)高達(dá) 10100 萬次,但是隨著擦寫次數(shù)增加,會有一些單 元塊逐漸變得不穩(wěn)定或失效從而形成永久性壞塊。因此,要避免頻繁地對同一 塊進(jìn)行操作,盡量達(dá)到擦寫次數(shù)均衡;同時,由于擦除操作耗時較多,會 NandFlash 作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本 低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一

2、系列 優(yōu)點(diǎn),已逐步取代 其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌 入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管 Nand Flash 的每個單元塊相互獨(dú)立, 且每塊一般可擦除次數(shù)高達(dá) 10 100 萬次, 但是隨著擦寫次數(shù)增加,會有一些 單元塊逐漸變得不穩(wěn)定或失效從而形成永久性壞塊。因此, 要避免頻繁地對同 一塊進(jìn)行操作,盡量達(dá)到擦寫次數(shù)均衡;同時,由于擦除操作耗時較多,會對系統(tǒng)的實(shí)時性造成影響。為此,本文介紹了一種基于磨損均衡思想的 Nand Flash 存儲管 理方式,并深入討論了該方式在 Ti 公司的 DSFTMS320F28 曲的 程序?qū)崿F(xiàn)。1 器件介紹本文中采用的 Nand Flash 芯片 K9F640

3、8U0(是一塊擁有 8M(8,388,608)x8bit 存儲空間及 256K(262, 144)x8bit 輔用存儲空間的存儲芯片,電源電壓為1.8V 3.3V。芯片內(nèi)部按塊和 頁的方式來組織的,如圖 1 所示,共分成 1024 個塊,每塊包含 16 個頁,每頁內(nèi)有 528 個字節(jié)。F28x 系列 DSP 是美國 TI 公司 最新推出的C2000 平臺上的定點(diǎn) DSP 芯片。圖 1 K9F6408UOC 內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖F28x 系列芯片具有低成本、低功耗和高效能等特點(diǎn),特別適用于有大量數(shù)據(jù) 處理的測控場合。2 Flash 的特點(diǎn)及存儲管理的作用由 K9F6408U0C 勺基本結(jié)構(gòu)可以知道,它

4、的基本單位有塊、頁、字節(jié)等。NandFlash 芯片具有如下特點(diǎn):Flash 寫:通過寫命令將每個字節(jié)存儲單元中的 1 變?yōu)?0;寫操作不能把 0 變?yōu)?。Flash 擦除:擦除命令是 Flash 中存儲單元 0 變?yōu)?1 的唯一途徑,一旦對某一 塊中的某一位寫 0,要再改變成 1,則必須執(zhí)行擦除命令。通常,對于容量較小的 Flash 塊的操作過程是:先把整個塊的數(shù)據(jù)讀到 RAM 中,在RAM 中修改數(shù)據(jù)內(nèi)容,再擦除整個塊,最后寫入修改后的數(shù)據(jù)。顯然, 這樣頻繁復(fù)雜的讀-擦除-寫操作,對于 Flash 的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不 利的,而且微處理器中通常 RAMfc 小有限。因此在硬件條件苛

5、刻的嵌入式系統(tǒng)中就迫切需要一種合理的存儲管理方式以便有效地均衡Flash 各個存儲塊的擦寫次數(shù),提高 Flash 的使用壽命,從而提高數(shù)據(jù)存儲的安全性。3 存儲管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 3.1 建立壞塊管理表Nand Flash 由于生產(chǎn)工藝的問題,不可避免的會存在一些壞塊,這些壞塊在芯 片出廠前 都已被標(biāo)識好。根據(jù) Na nd Flash 數(shù)據(jù)手冊中的介紹,在每一塊的第 一頁與第二頁的 Spare area 的第六個字節(jié)(也就是該頁的第 517 字節(jié))即是 出廠時的壞塊標(biāo)識位,如果某塊的該兩頁的第 517 字節(jié)內(nèi)容不同時為 0 xFF,則代表該塊為廠家標(biāo)識壞塊。這種壞塊的檢測必須在對芯片進(jìn)行擦除前進(jìn)行

6、,因?yàn)閺S家壞塊有可能也能夠被進(jìn)行擦除操作,如使用這種塊將對數(shù)據(jù)安全留下一定的隱患。Nand Flash 在出廠前會保證每塊芯片的第一塊與第二塊是完好的,所以在本文 的設(shè)計(jì)中,采用的方式是將壞塊管理表存放在第一塊的第一頁的前128 個字節(jié)中,每個字節(jié)的一位代表芯片的一塊,如該位為1 剛表明該塊是好的,為 0 則表示對應(yīng)塊為壞塊。壞塊管理表的建立是必需的,而且最好是在芯片進(jìn)行其它 擦寫操作前進(jìn)行。3.2 Flash 存儲空間管理在本文設(shè)計(jì)的 Flash 空間管理中,F(xiàn)lash 的存儲塊被分為空閑塊(Free,即空 白沒寫數(shù)據(jù) 的好塊),有效塊(Valid,即存有有效數(shù)據(jù)的塊,不能被擦 除),無效塊(Invalid,即數(shù) 據(jù)已無效或是寫入錯誤塊,可被擦除),保留 塊(Reserve,用于替換新產(chǎn)生的壞塊),其它的則為壞塊,所有存儲塊的管理 均采用單向鏈表方式進(jìn)行管理。在大部分的 Flash 存儲空間管理系統(tǒng)中可能并不存在保留塊,在本系統(tǒng)中增加 保留塊的作用主要是,當(dāng)部分存儲塊因?yàn)榉磸?fù)擦寫成為新的壞塊時,可以用保 留塊取而代之成為新的空閑塊,從而使得留給用戶的可用存儲塊總數(shù)在一定時期內(nèi)是一定的,這樣做的優(yōu)點(diǎn)是可以增強(qiáng)數(shù)據(jù)的安全性,延長整個 Flash 的使 用周期,缺點(diǎn)是用戶可用的存儲空間相對減少,不過在 Flash 芯片技術(shù)迅速發(fā) 展的今

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