MEMS振蕩器產(chǎn)業(yè)化報(bào)告20140310

1、1MEMS硅振蕩器產(chǎn)業(yè)化報(bào)告Industry Report for MEMS Silicon Oscillator Ziping Yan201403102目錄MEMS硅振蕩器概述 - 04 MEMS硅振蕩器簡介- 05MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)- 13MEMS硅振蕩器規(guī)格說明及應(yīng)用MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)原理MEMS硅諧振器項(xiàng)目規(guī)劃MEMS硅諧振器的投資成本MEMS硅諧振器的財(cái)務(wù)總結(jié)MEMS硅諧振器產(chǎn)品價格分析MEMS硅振蕩器的制造工藝MEMS硅諧振器的制造工藝MEMS硅振蕩器的可靠性MEMS硅振蕩器的優(yōu)缺點(diǎn)MEMS硅振蕩器市場分析 - - 35MEMS硅振蕩器產(chǎn)業(yè)鏈分析MEMS國內(nèi)上游產(chǎn)業(yè)鏈MEMS

2、諧振器和振蕩器國外生產(chǎn)廠家調(diào)查MEMS諧振器和振蕩器國內(nèi)生產(chǎn)廠家調(diào)查3目錄MEMS硅振蕩器全球市場需求MEMS硅振蕩器中國市場需求MEMS硅振蕩器全球市場預(yù)測MEMS硅振蕩器中國市場預(yù)測全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場分析全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測全球MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析全球MEMS產(chǎn)品行業(yè)預(yù)測MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查 - 56國外SiTime公司調(diào)查國內(nèi)中芯國際公司調(diào)查MEMS專利技術(shù) - - 66MEMS的國家政策 - 67康大MEMS硅諧振器技術(shù) - 69MEMS硅振蕩器產(chǎn)業(yè)化的反思 - 85MEMS硅振蕩器產(chǎn)業(yè)化報(bào)告結(jié)論 - 864MEMS硅振蕩器概述一場革命性的洗禮和升級一場革命性的洗

3、禮和升級未來，未來，MEMS硅振蕩器將完全替代晶體硅振蕩器。硅振蕩器將完全替代晶體硅振蕩器。代替代替5MEMS硅振蕩器簡介MEMS硅振蕩器: 通過微機(jī)電系統(tǒng)制作出的一種可編程的硅振蕩器，屬于我們通常所說的有源晶振。MEMS硅振蕩器透視圖, 以SiTime的MEMS硅振蕩器為例，其是由兩個芯片堆棧起來，下方是CMOS PLL驅(qū)動芯片，上方則是MEMS諧振器，以標(biāo)準(zhǔn)QFN IC封裝方式完成.6MEMS硅振蕩器簡介微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System）一種先進(jìn)的制造技術(shù)平臺，以半導(dǎo)體制造技術(shù)為基礎(chǔ)發(fā)展起來的；采用了半導(dǎo)體技術(shù)中的光刻、腐蝕、薄膜等一系

4、列的現(xiàn)有技術(shù)和材料，基本的制造技術(shù)是成熟的；MEMS 有以下4部分組成7MEMS硅振蕩器簡介MEMS 相關(guān)技術(shù)開發(fā)歷程MEMS技術(shù)的首次開發(fā)應(yīng)用，并市場化歷時36年；MEMS 技術(shù)應(yīng)用在振蕩器中，開發(fā)到市場化歷時16年；新技術(shù)出現(xiàn)，替代和應(yīng)用，人們給予研究人員的研發(fā)間在不停地縮短，同時要求研發(fā)人員開發(fā)降成本產(chǎn)品；8MEMS硅振蕩器簡介MEMS 相關(guān)技術(shù)開發(fā)歷程部分公司開發(fā)時間和交付時間，獲得收益最快的是SiTime公司和Discera公司公司產(chǎn)品開發(fā)時間交付3百萬個3百萬是銷售額（$ Million)Freescale汽車加速器8131000Avago Technologies手機(jī)RF-FBA

5、R165210Knowles Acoustics麥克分154150Sitime, DisceraMEMS振蕩器32150Invensense2軸陀螺儀24400Siimple, Varioptic自動對焦34400Infineon, GE,Sensing輪胎壓力探測57750開發(fā)時間816153235交付3百萬個13542447汽車加速器手機(jī)RF-FBAR麥克分MEMS振蕩器2軸陀螺儀自動對焦輪胎壓力探測024681012141618年開發(fā)時間和交付時間9MEMS硅振蕩器簡介MEMS硅振蕩器經(jīng)歷了3個階段，2003年提出到今天納米技術(shù)MEMS振蕩器： 不良的抖動和相位噪音；價格高傳統(tǒng)硅振蕩器：

6、不良的抖動和相位噪音；支持較窄的頻率范圍，如25 -30MHz、50-75 MHz全硅MEMS振蕩器：解決了以上3個問題10 MEMS硅振蕩器簡介MEMS硅振蕩器經(jīng)歷了3個階段，2003年提出到今天11 MEMS硅振蕩器簡介封裝在8寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓片上的MEMS諧振器(晶圓級封裝)和模擬IC(包括PLL，VCO)整合封裝而成，并且采用了低成本可高量產(chǎn)的塑料封裝技術(shù)；雙晶片MEMS硅振蕩器雖然采用了更加標(biāo)準(zhǔn)的封裝技術(shù)，但仍然依賴主流批量CMOS工廠之外的專業(yè)MEMS工廠。此外，它對MEMS諧振器特性更加敏感，因此從系統(tǒng)性能和成本的角度來看不是最佳選擇;得益于Silicon Labs設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在混合信號3

7、D設(shè)計(jì)方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，Silicon Labs專利的CMEMS技術(shù)在單晶片上集成了MEMS諧振器和CMOS硅振蕩器電路，使硅振蕩器具有更小尺寸、更高可靠性、更佳抗老化性以及更高集成度。12MEMS硅振蕩器簡介MEMS硅振蕩器應(yīng)用網(wǎng)絡(luò)通訊存儲電腦消費(fèi)類工業(yè)類13MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)SiTime MEMS硅振蕩器器件規(guī)格14MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)SiTime MEMS硅振蕩器規(guī)格系列化，15MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)SiTime MEMS硅振蕩器類型，16MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)原理頻率信號對于所有電子產(chǎn)品就像是心跳對所有動物的生命一般重要，所有電子電路的動作都以此重復(fù)性且穩(wěn)定

8、的頻率信號作為參考信號源。MEMS硅振蕩器內(nèi)部框圖，含溫度補(bǔ)償功能，備注：晶體諧振器是單只晶體本身，晶體本身就是一種諧振器，晶體硅振蕩器是由晶體諧振器和震蕩電路共同組成！他們的組合電路稱為晶體硅振蕩器！17MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器項(xiàng)目規(guī)劃3年完成MEMS硅諧振器項(xiàng)目，2015年1月啟動，2017年12月份結(jié)束；整個項(xiàng)目完成分5個階段完成，從階段1到階段5.；階段主題201520162017Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3Q4階段1技術(shù)轉(zhuǎn)移項(xiàng)目技術(shù)轉(zhuǎn)移資料 可行性評估階段2立項(xiàng)采購樣品試作50驗(yàn)證評估階段3小批量試作100食品安全測試200驗(yàn)證評估階段4批量400驗(yàn)證評

9、估階段5批量2800驗(yàn)證評估18MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器投資成本2012年，罕王微機(jī)電高科技產(chǎn)業(yè)園介紹 罕王微機(jī)電高科技產(chǎn)業(yè)園總投資30億元,占地面積1200畝，與產(chǎn)能4000個；2002年，中芯國際投資12億美元 ，在北京建8英寸晶圓廠，月產(chǎn)轉(zhuǎn)產(chǎn)后月產(chǎn)能達(dá)到2萬個；如果我們在內(nèi)地投資30畝地，1萬平米的廠房生產(chǎn)MEMS硅諧振器，開發(fā)為期3年，轉(zhuǎn)產(chǎn)后月產(chǎn)能達(dá)到4000個，需要總投資1.79億美金； Category Unit: $ Total People Related Expenses 4,018,065 Total Material & Supplies Expenses

10、32,760 Total Outside Services & Supporting Expenses - Total Capital Expenditure 175,000,000 Total 179,050,825 19MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器產(chǎn)品財(cái)務(wù)總結(jié)For Year Ending December 312015201620172018Market TAM (in millions) （營業(yè)收入）$0.00 $0.44 $8.70 $36.46 Total Units Sold（銷售數(shù)量）075014,80048,000GCICT Target Share(市場份額）0.

11、0%100%100%100%GCICT Total Units（銷售數(shù)量）075014,80048,000Unit DetailsGCICT ASP（銷售單價）$588 $588 $588 Unit Product Cost（產(chǎn)品成本）$276 $265 $254 Income StatementRevenue (in millions)（營業(yè)收入）$0.00 $0.44 $8.70 $36.46 COGS (in millions)(銷貨成本)$0.00 $0.01 $0.40 $6.61 Gross Margin %(毛利率)97%95%82%EBITDA (in millions)(息稅

12、折舊及攤銷前利潤)$6.23 $17.52 $29.06 $46.76 Net Income (Loss) (in millions)(凈收益)($0.37)($0.36)$0.09 $5.68 Business AnalysisCumulative Investment (in millions)(累計(jì)投資額)$42.37 $97.28 $153.32 $215.28 NPV(凈現(xiàn)值)($42.16)($92.30)($136.22)($173.26)20MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器產(chǎn)品銷售價格8“的晶圓生產(chǎn)MEMS硅諧振器，每個晶圓上的合格率為60%，轉(zhuǎn)產(chǎn)后合格率是80%，每個晶

13、圓的成本為$293#$BOM117DL88MOH88OS0Total29321MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器產(chǎn)品銷售價格路線圖項(xiàng)目在啟動時直到量產(chǎn)，這個過程中始終考慮并推動降成本問題，啟動時產(chǎn)品成本是$293,量產(chǎn)后產(chǎn)品成本是$179；假設(shè)產(chǎn)品售價不變，GM%會2016年的從58%升到2017年的70%。#Q214Q314Q414Q115Q215Q315Q415Q116Q216Q316Q416Q117Q217Q317Q417Units Sold0000000501002004008002,00012,00012,000ASP588588588588588588588588BOM Cos

14、t (incl. yield)*117.00117.00113.49110.09106.78103.58100.4797.4694.5391.7088.9586.2883.6971.8769.71DL Cost (incl. yield)*88.0088.0085.3682.8080.3277.9175.5773.3071.1068.9766.9064.8962.9554.0552.43MOH (incl. depreciation)*88.0088.0085.3682.8080.3277.9175.5773.3071.1068.9766.9064.8962.9554.0552.43Unit

15、product cost293.00293.00284.21275.68267.41259.39251.61244.06236.74229.64222.75216.07209.58179.98174.58GM%58.5%59.7%60.9%62.1%63.3%64.4%69.4%70.3% Consider Cost Reduction 22MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的生產(chǎn)工藝主要包括6步，晶圓制作（現(xiàn)成的），晶圓切割，焊接，標(biāo)示，測試和包裝出貨從晶圓切割到包裝生產(chǎn)出貨周期約24周；MEMS硅振蕩器封裝方式亦使用目前半導(dǎo)體封裝廠通用設(shè)備以及標(biāo)準(zhǔn)IC后制封裝流程；封裝必須滿足四大要求

16、：(1)提供極其潔凈的內(nèi)部環(huán)境；(2)提供穩(wěn)定的機(jī)械結(jié)構(gòu)；(3)小型化，適合CMOS集成并能發(fā)揮MEMS的長處；(4)低成本;23 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器工藝步驟用CMOS半導(dǎo)體代工廠的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備以及材料制造全硅MEMS諧振器，核心步驟如下：1. 通過窄信道蝕刻方式，從表面切割一空隙至硅晶氧化絕緣層（SOI），生成一諧振結(jié)構(gòu)。這些諧振結(jié)構(gòu)體在震動時，以水平方向在硅晶面上震動；2. 震動空隙上包覆著一層氧化層、硅晶層以及多晶硅層（Polysilicon），在多晶硅層以通過一些蝕刻的小細(xì)孔將氧化物取出后形成諧振體；3. 硅晶圓被置入1000oC的epitaxial反應(yīng)爐內(nèi)去除雜質(zhì)，并

17、密封之前所蝕刻的小細(xì)孔，以及通過長晶生成較厚的硅晶和一層多晶硅電容層。這個高溫工藝對諧振體而言也是一個退火（anneal）的過程，讓諧振體表面達(dá)到光滑的程度，并將其永久密封在完全真空無污染的空間中。上述所描述的多晶硅電容層結(jié)構(gòu)非常堅(jiān)硬，可承受接下來超過100個大氣壓壓力的塑模成型工藝（Plastic molding)；4. 如何在多晶硅層上生成一導(dǎo)電接點(diǎn)，來連接至內(nèi)部諧振器的驅(qū)動感應(yīng)電極。而后進(jìn)行鋁質(zhì)導(dǎo)電層（Aluminum Layer）長晶過程、完成導(dǎo)線（metal trace）以及打線接點(diǎn)生成工藝,并被覆蓋上一層非導(dǎo)電材質(zhì)鈍化層后（passivation layer），完成整個硅晶圓的生產(chǎn)

18、。24 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)SiTime 硅諧振器工藝步驟(1)在10-20um厚SOI(絕緣體硅)襯底上通過反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)形成諧振器結(jié)構(gòu)圖案；(2)淀積一層氧化物并形成圖案，以覆蓋被選擇的諧振器部分，并提供到驅(qū)動和感應(yīng)電極的電氣接觸；(3)淀積1.5um厚的外延層并形成至氧化物的焊盤；(4)由通孔挖除諧振器結(jié)構(gòu)自由空間上下的氧化物；(5)諧振腔用SiTime的EpiSeal工藝密封于外延環(huán)境，形成潔凈的密封空間；(6)晶圓通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)形成平面，絕緣延伸形成接觸圖案，彎曲成10-20um厚的外延多晶密封層；(7)淀積形成絕緣氧化層、金屬連接和掩膜，或者制作CMOS。2

19、5MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)MEMS硅諧振器的生產(chǎn)工藝名稱和設(shè)備圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶片；光刻：接觸光刻，接近光刻，投影光刻等；刻蝕：濕法腐蝕，干法刻蝕 ；摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等；擴(kuò)散:離子注入，退火等；薄膜技術(shù)：制作各種材料的薄膜；氧化：干氧氧化，濕氧氧化等；化學(xué)氣相淀積法（CVD）：APCVD，LPCVD，PECVD；物理氣相淀積法（PVD）：蒸發(fā)，濺射。26 MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的編程提供不同的頻率，如圖電壓和頻率的組合，27 MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)SiTime的MEMS硅振蕩器可靠性溫漂影響小，全溫度范圍頻率特性穩(wěn)

20、定。28 MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)SiTime的的MEMS硅振蕩器的特性表現(xiàn)硅振蕩器的特性表現(xiàn)Si50 x CMEMS硅振蕩器最顯著的優(yōu)勢在于，它將MEMS架構(gòu)直接構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓上，從而獲得更高的溫度穩(wěn)定性和抗老化性能。這種創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)使得溫度傳感器與MEMS諧振器的接觸更緊密，溫度補(bǔ)償功耗極低，速度更快。傳統(tǒng)的MEMS諧振器有-30至40ppm/ 的頻率漂移，而采用硅鍺合金+氧化硅材料的CMEMS頻率漂移接近+/-1 ppm/。29 MEMS硅振蕩器設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的可靠性測試給出了一種溫補(bǔ)密封MEMS硅振蕩器的初始頻率穩(wěn)定度測試數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)在50溫度下起振幾分鐘后開始收集，結(jié)果顯示

21、超過14天的振蕩漂移小于50ppm。30 MEMS硅振蕩器的可靠性測試MEMS硅振蕩器的可靠性測試硅振蕩器在25溫度下工作8,000小時的長時頻率穩(wěn)定度數(shù)據(jù)，測量到的總漂移2ppm在測量儀器定義的3ppm范圍內(nèi)。31 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的可靠性測試三個不同的晶體振蕩器、三個不同的雙晶片MEMS振蕩器和一個Silicon Labs單晶片Si501 CMEMS振蕩器。從測試結(jié)果看，CMEMS振蕩器變化范圍在1ppm內(nèi)，其他晶體和雙晶片MEMS振蕩器具有顯著的變化，大約在30-150ppm范圍。Si501 CMEMS振蕩器出色的溫度可靠性成為一個佐證，機(jī)械溫度補(bǔ)償和溫度補(bǔ)償電路的

22、補(bǔ)償速度能夠在單體器件中相互作用。32 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的可靠性測試三個不同的晶體振蕩器、三個不同的雙晶片MEMS振蕩器和一個Silicon Labs單晶片Si501 CMEMS振蕩器。從測試結(jié)果看，CMEMS器件表現(xiàn)出顯著的低頻率偏移特性，而傳統(tǒng)晶體和雙晶片MEMS振蕩器的頻率偏移與老化時間相關(guān)，時間越長頻率偏移越大。33 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的優(yōu)勢石英晶體與1st代MEMS硅振蕩器技術(shù)比較，名稱石英晶體MEMS-FirstMEMS-First諧振器尺寸2mm 5mm400um頻率1MHz 80MHz1MHz 50MHz老化(第一年）3ppm 5ppm

23、3ppm補(bǔ)償溫度穩(wěn)定性1ppm 10ppm1ppm 10ppm諧振Q值100k 200k75k 150k抗沖擊/震蕩差好CMOS集成不能能封裝陶瓷或金屬塑料34 MEMS硅振蕩器的設(shè)計(jì)MEMS硅振蕩器的優(yōu)勢MEMS硅振蕩器與石英OCXO（恒溫晶體振蕩器）, TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）相比較；35 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器產(chǎn)業(yè)鏈分析MEMS硅振蕩器在產(chǎn)業(yè)鏈中既可以是上游產(chǎn)業(yè)也可以是中游產(chǎn)業(yè)，但MEMS硅諧振器屬于上游產(chǎn)業(yè)；上游上游中游中游下游下游設(shè)備硅諧振器振蕩器通訊設(shè)備商存儲電腦設(shè)備手機(jī)運(yùn)營商工廠手機(jī)消費(fèi)電子振蕩器汽車CMOS36 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS國內(nèi)上游產(chǎn)

24、業(yè)鏈國內(nèi)MEMS廠商為后起之秀，結(jié)合上下游廠商，打造本土設(shè)計(jì)制造緊密結(jié)合的產(chǎn)業(yè)鏈提供更具性價比的產(chǎn)品，才能在MEMS產(chǎn)業(yè)中贏得一席之地；蘇州納米所納米加工平臺作為蘇州唯一一家微納加工的公共服務(wù)平臺37 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS諧振器和振蕩器國外生產(chǎn)廠家調(diào)查國外主要生產(chǎn)廠家分布在美國和日本，美國4家，日本1家；序號國家公司百分比（%）技術(shù)1美國SiTime80% market share 硅MEMS硅振蕩器2日本Epson Toyocom80% market shareQMEMS硅振蕩器3美國Silicon Labs(收購了Silicon Clocks）CMOS+MEMS4美國Disce

25、ra90% market share in resonator;20% market share in oscillatorCMOS MEMS諧振器, Discera在MEMS諧振器技術(shù)上擁有27項(xiàng)專利;5美國WiSpry50% market share in mobileRFMEMS38 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS諧振器和振蕩器生產(chǎn)廠家調(diào)查國外擬在建廠家主要分布在歐洲和日本歐洲的恩智浦半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體等大企業(yè)都在投資MEMS硅振蕩器的開發(fā)；芬蘭技術(shù)研究中心VTT、MEMS公司VTI；日本精工愛普生（Seiko Epson）在開發(fā)MEMS硅振蕩器。序號國家公司工廠直接客戶1荷蘭恩智浦半

26、導(dǎo)體6座晶圓廠： 漢堡，吉林，曼徹斯特，奈梅亨（2家晶圓廠），新加坡6個封裝測試廠：曼谷，卡布堯，廣東，中國香港，高雄縣，芙蓉(Seremban）最大的10家OEM客戶是:蘋果、博世、大陸、德菲爾、金雅拓、捷德、華為、諾基亞西門子通信、松下和三星2法國意法半導(dǎo)體MEMS麥克分3芬蘭VTI Technologies3D MEMS傳感器4日本Seiko EpsonQMEMS39 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS諧振器和振蕩器生產(chǎn)廠家調(diào)查中國MEMS企業(yè)重點(diǎn)分布40 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS國內(nèi)晶圓市場生產(chǎn)規(guī)模調(diào)查年份2007年2008年2009年2010年2011年2012年總產(chǎn)量（$,m

27、illion)40049051055069089041MEMS硅振蕩器市場分析MEMS諧振器和振蕩器生產(chǎn)廠家調(diào)查中國有主要晶圓廠，3家本土企業(yè)已得到國家資金扶持，4家外資；公司地址公司類型上市（Y/N)產(chǎn)能/月晶圓尺寸工藝投產(chǎn)時間研發(fā)/來料加工1中芯國際集成電路制造有限公司成都民營香港8“0.18um2007研發(fā)和生產(chǎn)2 和艦科技（蘇州）有限公司蘇州外資2.0萬8“0.13um2006研發(fā)和生產(chǎn)3上海華虹NEC電子有限公司上海中日美3.0萬8“0.18um2007研發(fā)和生產(chǎn)4上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司上海臺資4.7萬8“0.15um5寧波中緯半導(dǎo)體公司浙江民營6“coms2004生產(chǎn)與研發(fā)6西

28、安西岳電子技術(shù)有限公司西安民營6“coms2007生產(chǎn)與研發(fā)7罕王集團(tuán)撫順國企0.48”mems2012生產(chǎn)與研發(fā)42 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS諧振器和振蕩器生產(chǎn)廠家調(diào)查國內(nèi)擬在建廠家： 3家公司地址公司類型上市（Y/N)產(chǎn)能/月晶圓尺寸工藝投產(chǎn)時間研發(fā)/來料加工5深圳方正微電子深圳民營2.0萬8“coms正在建設(shè)研發(fā)和生產(chǎn)6上海力芯集成電路制造有限公司上海美資美國1.5萬8“bicoms正在建設(shè)生產(chǎn)7茂德科技臺資臺資臺灣1.5萬8“0.18um正在建設(shè)生產(chǎn)43 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器市場需求硅諧振器遵循摩爾定律備注： 摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登摩

29、爾（Gordon Moore）提出來的;其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。44 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器市場需求Silicon Labs公司資深營銷經(jīng)理James Wilson先生把硅振蕩器市場分為四個層次小批量高端市場：恒溫晶體硅振蕩器OCXO，高端溫度補(bǔ)償晶體硅振蕩器TCXO；高頻市場：頻率大于100MHz的晶體硅振蕩器，壓控硅振蕩器VCXO；大批量低頻市場：頻率小于100MHz的晶體硅振蕩器；更大批量的計(jì)時市場：

30、手機(jī)用TCXO，GPS用TCXO，晶體，諧振器。45 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器全球市場需求2009年到2013年，全球MEMS市場需求從78.2億美元增長到126.88億美元，年平均增長率為13%;2009年到2013年，全球MEMS振蕩器市場需求0.12億美元增長到0.88億美元，年平均增長率為94%，其主要原因是許多領(lǐng)域?qū)⒂肕EMS 振蕩器替換石英振蕩器。#2009年2010年2011年2012年2013年MEMS總市場需求78.289.27101.18114.09126.88MEMS總市場需求增長率14%13%13%11%Oscillators振蕩器需求0.120.240

31、.480.88Oscillators振蕩器需求增長率100%100%83%Oscillators總量占MEMS總量0.13%0.24%0.42%0.69%MEMS總市場需求78.289.27 101.18 114.09 126.88MEMS總市場需求增長率14%13%13%11%2009年 2010年 2011年 2012年 2013年020406080100120140億美元2009年 - 2013年全球MEMS市場總需求Oscillators振蕩器需求0.120.240.480.88Oscillators振蕩器需求增長率100%100%83%2009年 2010年 2011年 2012年

32、2013年00.20.40.60.811.2億美元2009年 - 2013年全球振蕩器市場總需求46 MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器中國市場需求2009年到2013年，假設(shè)中國MEMS市場占全球20%的市場份額，中國MEMS市場需求從15.64億美元增長到25.37億美元，年平均增長率為13%;2009年到2013年，中國MEMS振蕩器市場需求將從0.024億美元增長到0.176億美元，年平均增長率為94%; #2009年2010年2011年2012年2013年MEMS總市場需求15.6417.85420.23622.81825.376MEMS總市場需求增長率14%13%13%11%

33、Oscillators振蕩器需求0.0240.0480.0960.176Oscillators振蕩器需求增長率100%100%83%Oscillators總量占MEMS總量0.13%0.24%0.42%0.69%MEMS總市場需求15.64 17.85 20.23 22.81 25.37MEMS總市場需求增長率14%13%13%11%2009年2010年2011年2012年2013年051015202530億美元2009年 - 2013年中國MEMS市場總需求Oscillators振蕩器需求0.024 0.048 0.096 0.176Oscillators振蕩器需求增長率100% 100%8

34、3%2009年2010年2011年2012年2013年00.20.40.60.811.2億美元2009年 - 2013年中國振蕩器市場總需求47MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器全球市場預(yù)測2014年到2016年，MEMS全球市場預(yù)測將從145億美元增長到209億美元，年平均增長率為13%；2014年到2016年，MEMS振蕩器全球市場預(yù)測將從1.68億美金增長到4.63億美金；年平均增長率為53%;#2014年2015年2016年2017年MEMS總市場需求預(yù)測145.47163.52184.05209.3MEMS總市場需求增長率預(yù)測15%12%13%14%Oscillators振蕩器

35、市場預(yù)測1.682.723.674.63Oscillators振蕩器增長率預(yù)測91%62%35%26%Oscillators預(yù)測總量占MEMS預(yù)測總量1.15%1.66%1.99%2.21%MEMS總市場需求預(yù)測145.47163.52184.05209.3MEMS總市場需求增長率預(yù)測15%12%13%14%2014年2015年2016年2017年050100150200250億美元2014年 - 2017年全球MEMS市場總需求Oscillators振蕩器市場預(yù)測1.682.723.674.63Oscillators振蕩器增長率預(yù)測91%62%35%26%2014年2015年2016年201

36、7年00.511.522.533.544.55億美元2014年 - 2017年全球振蕩器市場總需求48MEMS硅振蕩器市場分析MEMS硅振蕩器中國市場預(yù)測2014年到2016年，假設(shè)中國MEMS市場占全球20%的市場份額，中國MEMS市場預(yù)測將從29億美元增長到41億美元，年平均增長率為15.4%；2014年到2016年，中國MEMS振蕩器市場預(yù)測將從0.336億美金增長到0.926億美金；#2014年2015年2016年2017年MEMS總市場需求預(yù)測29.09432.70436.8141.86MEMS總市場需求增長率預(yù)測15%12%13%14%Oscillators振蕩器市場預(yù)測0.336

37、0.5440.7340.926Oscillators振蕩器增長率預(yù)測91%62%35%26%Oscillators預(yù)測總量占MEMS預(yù)測總量1.15%1.66%1.99%2.21%MEMS總市場需求預(yù)測145.47163.52184.05209.3MEMS總市場需求增長率預(yù)測15%12%13%14%2014年2015年2016年2017年050100150200250億美元2014年 - 2017年中國MEMS市場總需求Oscillators振蕩器市場預(yù)測1.682.723.674.63Oscillators振蕩器增長率預(yù)測91%62%35%26%2014年2015年2016年2017年00.

38、511.522.533.544.55億美元2014年 - 2017年中國振蕩器市場總需求49 MEMS硅振蕩器市場分析全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場分析2010年到2013年，全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域最多的是：Microfluidics微流控技術(shù)，Accelerometers加速器，Inkjet Heads噴墨頭和Pressure Sensors壓力傳感器；2010年到2013年，全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域增長最快的是： Combos 過濾器組合， Microdisplays微顯示， Oscillators振蕩器；MEMS領(lǐng)域2010年2011年2012年2013年2011年2012年2013年平均平均Oth

39、er其他1.982.473.063.7925%24%24%2.83 24%Oscillators振蕩器0.120.240.480.88100%100%83%0.43 94%RF MEMS射頻微機(jī)電系統(tǒng)3.594.194.695.2717%12%12%4.44 14%Microfluidics微流控技術(shù)11.5414.4418.1820.0525%26%10%16.05 20%Optical MEMS 光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)9.6510.6111.6113.1910%9%14%11.27 11%Microdisplays微顯示00.050.120.27140%125%0.11 133%Uncooled

40、IR非制冷紅外3.033.513.794.0516%8%7%3.60 10%Combos 過濾器組合0.360.772.354.61114%205%96%2.02 138%Compassers羅盤儀2.393.644.484.9852%23%11%3.87 29%Gyroscopes陀螺儀10.0612.8714.9916.3428%16%9%13.57 18%Accelerometers加速器14.1115.215.71168%3%2%15.26 4%Microphones麥克分3.224.365.095.8935%17%16%4.64 23%Pressure Sensors壓力傳感器13.

41、5514.0615.0516.424%7%9%14.77 7%Inkjet Heads噴墨頭15.6714.7714.4915.14-6%-2%4%15.02 -1%Total總計(jì)89.27101.18114.09126.8850 MEMS硅振蕩器市場分析全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場分析0204060801001201402010年2011年2012年2013年億美元2010年 - 2013年全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場需求Other其他Oscillators振蕩器RF MEMS射頻微機(jī)電系統(tǒng)Microfluidics微流控技術(shù)Optical MEMS 光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)Microdisplays微顯示U

42、ncooled IR非制冷紅外Combos 過濾器組合Compassers羅盤儀Gyroscopes陀螺儀Accelerometers加速器Microphones麥克分Pressure Sensors壓力傳感器Inkjet Heads噴墨頭51 MEMS硅振蕩器市場分析全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測2014年到2017年，全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測份額最多的是：Microfluidics微流控技術(shù)，Optical MEMS 光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)，Pressure Sensors壓力傳感器和Inkjet Heads噴墨頭；2014年到2017年，全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測增長最快的是： Microd

43、isplays微顯示，Oscillators振蕩器和Combos 過濾器組合；MEMS應(yīng)用領(lǐng)域2014年2015年2016年2017年2014年2015年2016年2017年平均平均Other其他4.746.417.829.910.2506635%22%27%7.22 27%Oscillators振蕩器1.682.723.674.630.9090962%35%26%3.18 53%RF MEMS射頻微機(jī)電系統(tǒng)6.277.628.8710.280.1897522%16%16%8.26 18%Microfluidics微流控技術(shù)25.1331.1838.9347.940.2533724%25%23

44、%35.80 24%Optical MEMS 光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)15.0317.5720.9425.550.139517%19%22%19.77 18%Microdisplays微顯示0.631.081.622.611.3333371%50%61%1.49 79%Uncooled IR非制冷紅外4.655.426.456.520.1481517%19%1%5.76 13%Combos 過濾器組合7.4310.9213.516.920.6117147%24%25%12.19 39%Compassers羅盤儀5.024.854.584.480.00803-3%-6%-2%4.73 -3%Gyrosco

45、pes陀螺儀17.0816.1515.4514.680.04529-5%-4%-5%15.84 -3%Accelerometers加速器16.2116.0915.9315.640.01313-1%-1%-2%15.97 -1%Microphones麥克分6.597.047.528.350.118857%7%11%7.38 9%Pressure Sensors壓力傳感器17.6118.4820.1522.40.072475%9%11%19.66 8%Inkjet Heads噴墨頭17.417.9918.6219.390.149273%4%4%18.35 6%Total總計(jì)145.47163.52

46、184.05209.352 MEMS硅振蕩器市場分析全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測0501001502002502014年2015年2016年2017年億美元2014年 - 2017年全球MEMS應(yīng)用領(lǐng)域市場預(yù)測Other其他Oscillators振蕩器RF MEMS射頻微機(jī)電系統(tǒng)Microfluidics微流控技術(shù)Optical MEMS 光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)Microdisplays微顯示Uncooled IR非制冷紅外Combos 過濾器組合Compassers羅盤儀Gyroscopes陀螺儀Accelerometers加速器Microphones麥克分Pressure Sensors壓力傳感器

47、Inkjet Heads噴墨頭53 MEMS硅振蕩器市場分析全球MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析2008年到2012年，全球MEMS產(chǎn)品在以下4行業(yè)中占70%的比例：消費(fèi)電子，醫(yī)療與生命科學(xué)，汽車和電信；2008年到2012年，全球MEMS產(chǎn)品在以下3行業(yè)中增長速度最快：電信，電信基礎(chǔ)設(shè)施和醫(yī)療與生命科學(xué)；消費(fèi)電子27.35925.07926.75429.83137.784汽車13.38212.34613.33414.3616.768醫(yī)療與生命科學(xué)9.86211.10912.7117.75721.918電信4.766.64110.77315.64523.709電信基礎(chǔ)設(shè)施1.3281.7362.0182.

48、143.784工業(yè)9.78610.04610.86112.53414.844航空0.4850.4960.5080.5170.529國防2.4292.7333.1453.6874.2962008年2009年2010年2011年2012年020406080100120140億美元全球MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析#2008年 2009年 2010年 2011年2012年 2009年 2010年 2011年2012年 平均平均國防2.4292.7333.1453.6874.29613%15%17%17%3.26 15%航空0.4850.4960.5080.5170.5292%2%2%2%0.51 2%工業(yè)9.

49、786 10.046 10.861 12.53414.8443%8%15%18%11.61 11%電信基礎(chǔ)設(shè)施1.3281.7362.0182.143.78431%16%6%77%2.20 32%電信4.766.641 10.773 15.64523.70940%62%45%52%12.31 50%醫(yī)療與生命科學(xué)9.862 11.109 12.71 17.75721.91813%14%40%23%14.67 23%汽車13.382 12.346 13.334 14.3616.768-8%8%8%17%14.04 6%消費(fèi)電子27.359 25.079 26.754 29.83137.784-8

50、%7%12%27%29.36 9%54 MEMS硅振蕩器的應(yīng)用行業(yè)調(diào)查中國MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析未來3年，中國MEMS市場需求將以13%以上的增長；主要應(yīng)用在6個領(lǐng)域，2013年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，汽車電子和網(wǎng)絡(luò)與通信領(lǐng)域占55%的市場；其他14%工業(yè)18%電信與電信基礎(chǔ)設(shè)施28%醫(yī)療與生命科學(xué)8%汽車28%消費(fèi)電子4%2013年中國MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析國防4%航空1%工業(yè)13%電信基礎(chǔ)設(shè)施2%電信14%醫(yī)療與生命科學(xué)17%汽車16%消費(fèi)電子33%2008年 - 2012年 全球MEMS產(chǎn)品行業(yè)分析55 MEMS諧振器的原材料調(diào)查應(yīng)用行業(yè)產(chǎn)品消費(fèi)量預(yù)測(國外）MEMS器件5389126MEMS設(shè)備6.3

51、18.6111.65MEMS材料3.857.7111.72005年2010年2013年020406080100120140160億美金2005年 - 2013年全球MEMS上游產(chǎn)業(yè)鏈分析#2005年2010年2013年復(fù)合增長率MEMS材料3.857.7111.715%MEMS設(shè)備6.318.6111.656%MEMS器件538912612%56MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查SiTime公司（美國企業(yè)）SiTime硅振蕩器和石英振蕩器優(yōu)劣對比勢，57MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查SiTime公司（美國企業(yè)）SiTime公司對上游企業(yè)的管控，曾取消8家供應(yīng)商，由SiTime自己提供，58MEMS硅振

52、蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查SiTimeSiTime 公司副總裁Piyush Sevalia先生說，這個高達(dá)50億美元的時鐘市場有三種產(chǎn)品，共振器、振蕩器和時鐘發(fā)生器。這個市場比較分散，沒有一個供應(yīng)商能夠開發(fā)適應(yīng)三種產(chǎn)品的技術(shù)。SiTime公司有了SiT9103 和 SiT9104時鐘發(fā)生器，成為唯一一家從事三種產(chǎn)品供應(yīng)的硅時鐘產(chǎn)品企業(yè)。2009年2月起，可以獲得該種產(chǎn)品的樣片；SiTime Corporation是一家增長最快的半導(dǎo)體公司，致力于用可取代傳統(tǒng)石英產(chǎn)品的硅MEMS時鐘解決方案改變50億美元的時鐘市場。憑借著80%的市場份額和超過1.5億片器件的出貨量，SiTime正在推動全硅時鐘技術(shù)在電子

53、工業(yè)中的全面普及。 59MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查SiTimeSiTime開發(fā)了30多個重大客戶，如下，60MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查中芯國際中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：981），是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到40納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和三座200mm晶圓廠。在北京建有兩座300mm晶圓廠，在天津建有一座200mm晶圓廠，在深圳有一座200mm晶圓廠在興建中。中芯國際還在

54、美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)提供客戶服務(wù)和設(shè)立營銷辦事處，同時在香港設(shè)立了代表處。此外，中芯國際代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm晶圓廠；中芯國際于2007年開始MEMS技術(shù)的發(fā)展，并已通過許多客戶的認(rèn)證。主要應(yīng)用在MEMS麥克風(fēng)，晶圓堆棧微流體傳感器(micro-fluidic sensor)，微顯示(micro-display)和LED WLP (wafer-level-package)芯片級封裝基座等。中芯除了累積了豐厚的MEMS產(chǎn)品的制造經(jīng)驗(yàn)，同時也建立了強(qiáng)大的微機(jī)電系統(tǒng)的人才庫，以能為客戶量身定制并利用現(xiàn)有的CMOS晶圓工藝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)客戶的組件要求；為使CMOS技術(shù)平

55、臺更容易被使用及整合以制造微機(jī)電器件，中芯國際目前專注在CMOS MEMS技術(shù)的發(fā)展。這種做法的目的是運(yùn)用現(xiàn)有的CMOS技術(shù)平臺，來說明客戶生產(chǎn)各種所需的微機(jī)電器件，如加速度計(jì)，智能傳感器（壓力，語音智能傳感器的）及射頻（無極變速，開關(guān)）等等。61MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查中芯國際中芯國際2009年到2012年利潤表；生產(chǎn)經(jīng)營成果的會計(jì)報(bào)表,也叫損益表；62MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查中芯國際中芯國際2009年到2012年資產(chǎn)負(fù)債表（Statement Of Financial Position(SOFP)；前4年負(fù)載率50%,企業(yè)償還債務(wù)的能力較強(qiáng)；63MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查中芯國際

56、中芯國際2009年到2012年現(xiàn)金流量表現(xiàn)金流量表是反應(yīng)一定時期內(nèi)(如月度、季度或年度)企業(yè)經(jīng)營活動、投資活動和籌資活動對其現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物所產(chǎn)生影響的財(cái)務(wù)報(bào)表；投資性現(xiàn)金流經(jīng)常是負(fù)數(shù)，但這預(yù)示著公司未來業(yè)績可能出現(xiàn)的增長，道理很簡單，若想業(yè)績增長就必須要先投資。相反，如果投資性現(xiàn)金流長期數(shù)額不大，甚至是正值，很可能反映公司沒有業(yè)績擴(kuò)張能力。所以，只要經(jīng)營性現(xiàn)金流保持增長，投資者就不必緊張投資性現(xiàn)金流為負(fù)數(shù)融資性現(xiàn)金流（ Cash flow from financing） 現(xiàn)金流量表的第三項(xiàng)組成部分，反映公司融資活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流狀況。融資性現(xiàn)金流反映企業(yè)和債券等渠道的資金籌集，屬于“接受輸血”

57、的功能。融資性現(xiàn)金流為負(fù)數(shù)很多情況下不僅不是壞事，還是投資者樂于見到的狀款，如減少負(fù)債、發(fā)放股利和回購股票都是有益于增加股東價值的行為。相反，發(fā)行新股或大額舉債都有可能降低現(xiàn)有股東的利益；64MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查（中芯國際)中芯國際股票走勢（2004年，中芯國際3月日和日分別在美國紐約證券交易所和香港聯(lián)合交易所上市）65MEMS硅振蕩器重點(diǎn)企業(yè)調(diào)查罕王集團(tuán)2011年，罕王微機(jī)電傳感器產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目落戶撫順經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)沈撫新城，中國罕王微電子傳感器產(chǎn)業(yè)基地正式動工興建，此舉將推動國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，集聚一大批以傳感器、物聯(lián)網(wǎng)和其配套電子產(chǎn)品為業(yè)務(wù)的企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)帶動效應(yīng)和聚集效應(yīng)?！爱a(chǎn)業(yè)園”項(xiàng)目

58、建成后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年總產(chǎn)值100億元，并可形成千億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。66 MEMS專利調(diào)查中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所關(guān)于半導(dǎo)體專利情況67MEMS的國家政策68MEMS的國家政策69康大MEMS硅諧振器技術(shù)康大MEMS硅振蕩器的專利文獻(xiàn)簡介 TBD70康大MEMS硅諧振器技術(shù)企業(yè)頂層設(shè)計(jì)系統(tǒng)商業(yè)模式資本模式組織模式GICIT企業(yè)頂層設(shè)計(jì)系統(tǒng)“企業(yè)頂層設(shè)計(jì)”就是用科學(xué)的方法論對企業(yè)未來五年的發(fā)展做出系統(tǒng)性的規(guī)劃，即按照“以終為始”的原則，基于對目標(biāo)市場的理解，對用戶需求的把握，對競爭格局的認(rèn)知，通過系統(tǒng)的分 析把經(jīng)營管理目標(biāo)設(shè)定好，把用戶心目中理想的完整產(chǎn)品描述清楚，把實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵要素和 主要挑戰(zhàn)羅列

59、出來，把潛在的問題和風(fēng)險(xiǎn)預(yù)見到，從而根據(jù)目標(biāo)去配置資源，缺什么，補(bǔ)什么，倒排時間表，形成一個通俗易懂的“劇本”，然后讓各個職能的管理者按照“劇本”上的分工扮演好自己的角色。企業(yè)“頂層設(shè)計(jì)“分成三個層面：企業(yè)商業(yè)模式、組織模式、資本模式。71康大MEMS硅諧振器技術(shù)GICIT企業(yè)頂層設(shè)計(jì)系統(tǒng) - 商業(yè)模式商業(yè)模式，又稱盈利模式，是管理學(xué)的重要研究對象之一， MBA、EMBA及CEO必讀12篇等主流商業(yè)管理課程均對“商業(yè)模式”給予了不同程度的關(guān)注。在分析商業(yè)模式過程中，主要關(guān)注一類企業(yè)在市場中與用戶、供應(yīng)商、其他合作伙伴的關(guān)系，尤其是彼此間的物流、信息流和資金流；商業(yè)模式是創(chuàng)業(yè)者創(chuàng)意，商業(yè)創(chuàng)意來自

60、于機(jī)會的豐富和邏輯化，并有可能最終演變?yōu)樯虡I(yè)模式。其形成的邏輯是：機(jī)會是經(jīng)由創(chuàng)造性資源組合傳遞更明確的市場需求的可能性（schumpeter,1934; Kirzner,1973),是未明確的市場需求或者未被利用的資源或者能力；一個好的Business Model，成功就有了一半的保證。價值定位目標(biāo)市場銷售和營銷生產(chǎn)分銷收入模式成本結(jié)構(gòu)競爭獨(dú)特的銷售方案市場大小、增長情況和份額“客戶價值主張”，指在一個既定價格上企業(yè)向其客戶或消費(fèi)者提供服務(wù)或產(chǎn)品時所需要完成的任務(wù)?！百Y源和生產(chǎn)過程”，即支持客戶價值主張和盈利模式的具體經(jīng)營模式。“盈利公式”，即企業(yè)用以為股東實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)價值的過程。10個基本元素三