哈工大課件-微弱信號(hào)檢測-1

1、主講：趙永平主講：趙永平智能測試及信息處理技術(shù)研究所智能測試及信息處理技術(shù)研究所2、戴逸松、戴逸松. 微弱信號(hào)檢測方法及儀器微弱信號(hào)檢測方法及儀器，國，國 防工業(yè)出版社防工業(yè)出版社, 19943、曾慶勇、曾慶勇. 微弱信號(hào)檢測微弱信號(hào)檢測 （第二版），浙（第二版），浙 江大學(xué)出版社江大學(xué)出版社, 19944、中國儀器儀表學(xué)會(huì)、中國儀器儀表學(xué)會(huì). 全國微弱信號(hào)檢測學(xué)全國微弱信號(hào)檢測學(xué) 術(shù)會(huì)議論文集術(shù)會(huì)議論文集5、顧洪濤、顧洪濤. 特殊電量測量特殊電量測量， 機(jī)械工業(yè)出版機(jī)械工業(yè)出版 社社, 2000第一講第一講 干擾噪聲及其抑制技術(shù)干擾噪聲及其抑制技術(shù) 工業(yè)現(xiàn)場干擾會(huì)造成檢測電路失去測量精度甚至

2、測量結(jié)工業(yè)現(xiàn)場干擾會(huì)造成檢測電路失去測量精度甚至測量結(jié)果失常。將討論常見的果失常。將討論常見的干擾類型干擾類型、干擾傳輸途徑干擾傳輸途徑以及以及干擾抑干擾抑制方法制方法。 把那些不需要的電壓和電流，并在一定條件下形成危害電把那些不需要的電壓和電流，并在一定條件下形成危害電路正常工作的電量信號(hào)（干擾電壓和干擾電流），稱為路正常工作的電量信號(hào)（干擾電壓和干擾電流），稱為“噪聲噪聲”，或者或者“干擾干擾”。 通常，以干擾電量為對(duì)象進(jìn)行研究時(shí)，多使用通常，以干擾電量為對(duì)象進(jìn)行研究時(shí)，多使用這這個(gè)詞；以干擾電量所造成的危害作用為對(duì)象進(jìn)行研究時(shí)，多使用個(gè)詞；以干擾電量所造成的危害作用為對(duì)象進(jìn)行研究時(shí)，多使

3、用這個(gè)詞。這個(gè)詞。 我們把設(shè)備或系統(tǒng)中除去有用信號(hào)以外的所有電磁信號(hào)稱我們把設(shè)備或系統(tǒng)中除去有用信號(hào)以外的所有電磁信號(hào)稱為電磁噪聲（簡稱噪聲）。由電磁噪聲引發(fā)不期望得到的結(jié)果，為電磁噪聲（簡稱噪聲）。由電磁噪聲引發(fā)不期望得到的結(jié)果，稱為電磁干擾（簡稱干擾）。稱為電磁干擾（簡稱干擾）。 噪聲是原因，干擾是后果。噪聲是原因，干擾是后果。第第1 1節(jié)節(jié) 環(huán)境干擾噪聲環(huán)境干擾噪聲 一、常見的干擾類型一、常見的干擾類型 （1 1）外部干擾）外部干擾 自然界干擾自然界干擾周圍電氣設(shè)備干擾周圍電氣設(shè)備干擾（2 2）內(nèi)部干擾：）內(nèi)部干擾： 固定干擾固定干擾動(dòng)態(tài)干擾動(dòng)態(tài)干擾二、干擾噪聲源二、干擾噪聲源 尖峰脈沖

4、尖峰脈沖工頻電磁場工頻電磁場電網(wǎng)電壓波動(dòng)電網(wǎng)電壓波動(dòng)（無線通信設(shè)備等）（無線通信設(shè)備等） 如果檢測系統(tǒng)的不同部件采用不同的接地點(diǎn)，則這些接地如果檢測系統(tǒng)的不同部件采用不同的接地點(diǎn)，則這些接地點(diǎn)之間往往存在或大或小的地電位差。點(diǎn)之間往往存在或大或小的地電位差。 （最常見的輝光放電是熒光燈和霓（最常見的輝光放電是熒光燈和霓虹燈。離子碰撞而產(chǎn)生輝光放電。）虹燈。離子碰撞而產(chǎn)生輝光放電。）（最典型的弧光放電是電焊，這是一（最典型的弧光放電是電焊，這是一種金屬霧放電。）種金屬霧放電。） （在電氣設(shè)備觸點(diǎn)通斷的瞬間，觸點(diǎn)（在電氣設(shè)備觸點(diǎn)通斷的瞬間，觸點(diǎn)處的斷續(xù)電流會(huì)引起火花放電。）處的斷續(xù)電流會(huì)引起火花放

5、電。）（當(dāng)高壓輸電線絕緣失效時(shí)會(huì)產(chǎn)生間（當(dāng)高壓輸電線絕緣失效時(shí)會(huì)產(chǎn)生間歇脈沖電流，形成電暈放電。）歇脈沖電流，形成電暈放電。） 雷電發(fā)生時(shí)的一次電流可達(dá)雷電發(fā)生時(shí)的一次電流可達(dá)106A，云與地面之間的感應(yīng)，云與地面之間的感應(yīng)電場可達(dá)電場可達(dá)1-10 kV/m，上升時(shí)間為，上升時(shí)間為s數(shù)量級(jí)。會(huì)產(chǎn)生高強(qiáng)度的數(shù)量級(jí)。會(huì)產(chǎn)生高強(qiáng)度的電磁輻射波，頻率范圍從幾十千赫茲到幾十兆赫茲。此外，電磁輻射波，頻率范圍從幾十千赫茲到幾十兆赫茲。此外，在云與地雷電的附近，大地的地電位差也會(huì)發(fā)生劇烈變化，在云與地雷電的附近，大地的地電位差也會(huì)發(fā)生劇烈變化，可高達(dá)幾千伏。可高達(dá)幾千伏。 由于宇宙射線和太陽黑子的電磁輻射，

6、大氣中普遍存由于宇宙射線和太陽黑子的電磁輻射，大氣中普遍存在天體噪聲。天體噪聲的頻率很高，一般在吉赫茲量級(jí)以在天體噪聲。天體噪聲的頻率很高，一般在吉赫茲量級(jí)以上，對(duì)普通檢測儀表影響不大。上，對(duì)普通檢測儀表影響不大。 例如，電路板、導(dǎo)線和觸點(diǎn)的振動(dòng)，有可能通過某種機(jī)一例如，電路板、導(dǎo)線和觸點(diǎn)的振動(dòng)，有可能通過某種機(jī)一電傳感機(jī)理轉(zhuǎn)換為電噪聲。電傳感機(jī)理轉(zhuǎn)換為電噪聲。 （1）電化學(xué)噪聲）電化學(xué)噪聲（2）溫度變化引起的噪聲）溫度變化引起的噪聲（3）觸點(diǎn)噪聲）觸點(diǎn)噪聲三、干擾噪聲的頻譜分布三、干擾噪聲的頻譜分布圖圖1 干擾噪聲的頻譜分布圖干擾噪聲的頻譜分布圖第第2 2節(jié)節(jié) 干擾的耦合與傳輸途徑干擾的耦合

7、與傳輸途徑 干擾形成的三個(gè)條件：干擾形成的三個(gè)條件： （1 1）干擾源；）干擾源； （2 2）對(duì)干擾敏感的接收電路；）對(duì)干擾敏感的接收電路； （3 3）從干擾源到接收電路之間的）從干擾源到接收電路之間的。經(jīng)導(dǎo)線或經(jīng)導(dǎo)線或不同電路之間存在不同電路之間存在公共阻抗引起的電壓耦合。例如兩個(gè)電路合用一個(gè)電源。公共阻抗引起的電壓耦合。例如兩個(gè)電路合用一個(gè)電源。由供電電源通路引入的干擾噪聲。由供電電源通路引入的干擾噪聲。因寄生電容引起的電荷耦合。因寄生電容引起的電荷耦合。 因兩個(gè)電路的互感引起的磁鏈耦合。因兩個(gè)電路的互感引起的磁鏈耦合。 導(dǎo)體接收空間電磁輻射耦合。導(dǎo)體接收空間電磁輻射耦合。一、傳導(dǎo)耦合與公

8、共阻抗耦合一、傳導(dǎo)耦合與公共阻抗耦合 例如交流電源線會(huì)將工頻電力線噪聲引入到檢測裝例如交流電源線會(huì)將工頻電力線噪聲引入到檢測裝置，長信號(hào)線會(huì)把工頻和射頻電磁場、雷電等感應(yīng)出的噪置，長信號(hào)線會(huì)把工頻和射頻電磁場、雷電等感應(yīng)出的噪聲引入信號(hào)系統(tǒng)，噪聲源和檢測電路之間的電氣連接是噪聲引入信號(hào)系統(tǒng)，噪聲源和檢測電路之間的電氣連接是噪聲藕合的直接途徑。聲藕合的直接途徑。 解決傳導(dǎo)耦合的一種方法是使信號(hào)線盡量遠(yuǎn)離噪聲源，解決傳導(dǎo)耦合的一種方法是使信號(hào)線盡量遠(yuǎn)離噪聲源，另一種方法是在干擾噪聲傳導(dǎo)到檢測系統(tǒng)之前，采取有效另一種方法是在干擾噪聲傳導(dǎo)到檢測系統(tǒng)之前，采取有效的去耦和濾波措施的去耦和濾波措施 。 c

9、nncZIU干擾源電流干擾源電流干擾電壓干擾電壓共有阻抗共有阻抗共阻抗耦合共阻抗耦合等效電路等效電路電源內(nèi)阻引起的共阻抗干擾電源內(nèi)阻引起的共阻抗干擾用合適的接地措施可以有效地用合適的接地措施可以有效地克服公共阻抗耦合噪聲?？朔沧杩柜詈显肼?。使一個(gè)電路的電流使一個(gè)電路的電流在另一個(gè)電路上產(chǎn)在另一個(gè)電路上產(chǎn)生干擾電壓。生干擾電壓。二、電源耦合二、電源耦合圖圖3a 電源濾波器抑制射頻干擾電源濾波器抑制射頻干擾圖圖3b 電源變壓器繞組屏蔽電源變壓器繞組屏蔽電源干擾噪聲抑制方法電源干擾噪聲抑制方法三、電場耦合三、電場耦合電場耦合電場耦合示意圖示意圖等效電路圖等效電路圖nimnimimncEZCjEZ

10、CjZCjU1寄生電容寄生電容干擾電壓干擾電壓干擾源電壓干擾源電壓輸入阻抗輸入阻抗當(dāng)噪聲源為高壓小電流時(shí)，它對(duì)周圍電路元件及設(shè)備當(dāng)噪聲源為高壓小電流時(shí)，它對(duì)周圍電路元件及設(shè)備的干擾主要表現(xiàn)為電容性干擾。的干擾主要表現(xiàn)為電容性干擾。 結(jié)論結(jié)論： （1 1）干擾源的頻率越高，電場耦合干擾越強(qiáng)。）干擾源的頻率越高，電場耦合干擾越強(qiáng)。 （2 2）減小接收電路阻抗）減小接收電路阻抗Z Zi i，有利于抑制電場耦合干擾。，有利于抑制電場耦合干擾。 （3 3）合理布線，減小分布電容）合理布線，減小分布電容C Cm m，有利于抑制電場耦合，有利于抑制電場耦合干擾。干擾。電場耦合電場耦合對(duì)放大器的干擾對(duì)放大器的

11、干擾等效電路圖等效電路圖在干擾頻率在干擾頻率1MHz1MHz，干擾源電壓，干擾源電壓5V5V，寄生電容，寄生電容0.01pF0.01pF的情況下，干擾輸入電壓為的情況下，干擾輸入電壓為31.4mV31.4mV。100100倍倍3.14V3.14V 進(jìn)一步的討論進(jìn)一步的討論 下圖中，表示兩個(gè)平行導(dǎo)線之間的電容耦合，其中下圖中，表示兩個(gè)平行導(dǎo)線之間的電容耦合，其中C12是導(dǎo)線是導(dǎo)線1與導(dǎo)線與導(dǎo)線2之間的雜散電容，電容之間的雜散電容，電容C1g和和C2g分別是導(dǎo)線分別是導(dǎo)線1和和2與地與地之間的總電容，之間的總電容，R為導(dǎo)體為導(dǎo)體2對(duì)地的外接電阻。對(duì)地的外接電阻。 設(shè)干擾源設(shè)干擾源V1加在導(dǎo)線加在導(dǎo)

12、線1上，導(dǎo)線上，導(dǎo)線2為被干擾電路。導(dǎo)線為被干擾電路。導(dǎo)線1在導(dǎo)在導(dǎo)線線2上產(chǎn)生噪聲電壓上產(chǎn)生噪聲電壓VN。212212211212211212211111() 1() 1gNgggSjggRSCVVRRSCSCSCRSCV RSCRS CCj V RCj R CC導(dǎo)線導(dǎo)線1在導(dǎo)線在導(dǎo)線2上產(chǎn)生噪聲電壓上產(chǎn)生噪聲電壓VN 為：為：121NVj C RV1221()gRjCC當(dāng)當(dāng) 時(shí)，時(shí)，上式表明，由電容耦合而產(chǎn)生上式表明，由電容耦合而產(chǎn)生的噪聲電壓與干擾源頻率的噪聲電壓與干擾源頻率、被干擾電路的輸入電阻被干擾電路的輸入電阻R、干、干擾源與被干擾電路之間的雜散擾源與被干擾電路之間的雜散電容電容C

13、12以及噪聲電壓以及噪聲電壓V1成正成正比。若比。若V1、 不變，減小不變，減小R和和C12可以減小電容耦合干擾?？梢詼p小電容耦合干擾。121122NgCVVCV1221()gRjCC當(dāng)當(dāng) 時(shí)，時(shí)，這時(shí)電容耦合產(chǎn)生的噪聲電壓這時(shí)電容耦合產(chǎn)生的噪聲電壓僅取決于僅取決于C12與與C2g的分壓比，的分壓比，與頻率無關(guān)。與頻率無關(guān)。四、磁場耦合四、磁場耦合載有電流載有電流i的單一導(dǎo)線會(huì)在導(dǎo)線周圍產(chǎn)生磁場，對(duì)于長直導(dǎo)的單一導(dǎo)線會(huì)在導(dǎo)線周圍產(chǎn)生磁場，對(duì)于長直導(dǎo)線，在距離導(dǎo)線線，在距離導(dǎo)線r處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為：處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為： 式中，式中，0為空氣的導(dǎo)磁率，為空氣的導(dǎo)磁率， 0 =4X 10-7 H/m；

14、I 為流過導(dǎo)線的電流，單位為為流過導(dǎo)線的電流，單位為A。 702 10/2iBi rr（Wb/m2） 對(duì)于磁場中的導(dǎo)體回路，當(dāng)穿越它的磁通對(duì)于磁場中的導(dǎo)體回路，當(dāng)穿越它的磁通發(fā)生變化時(shí)，在發(fā)生變化時(shí)，在該回路中感應(yīng)出的感應(yīng)電動(dòng)勢為：該回路中感應(yīng)出的感應(yīng)電動(dòng)勢為：v = -d/dt如圖如圖7所示，在回路面積所示，在回路面積A上對(duì)磁上對(duì)磁感應(yīng)強(qiáng)度感應(yīng)強(qiáng)度B進(jìn)行積分，可以計(jì)算進(jìn)行積分，可以計(jì)算得出磁通得出磁通 。A=B.dAAdv = -B.dAdtnncMIjU互感互感干擾電壓干擾電壓干擾源電流干擾源電流電磁耦合電磁耦合示意圖示意圖等效電路圖等效電路圖 互感耦合對(duì)交流電橋的干擾互感耦合對(duì)交流電橋的

15、干擾在干擾頻率在干擾頻率10kHz10kHz，干擾源電流干擾源電流10mA10mA，互，互感感0.10.1H H的情況下，的情況下，干擾電壓為干擾電壓為62.862.8V V。 （a）雙絞線相鄰結(jié)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢相互抵消）雙絞線相鄰結(jié)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢相互抵消（b）利用大面積的地線減少互感）利用大面積的地線減少互感（c）減小干擾源）減小干擾源 di /dt 圖圖11 利用鐵磁物質(zhì)屏蔽抑制磁場干擾利用鐵磁物質(zhì)屏蔽抑制磁場干擾 (a)屏蔽干擾源；屏蔽干擾源； (b)屏蔽敏感電路屏蔽敏感電路 任何載有交變電流的電路都會(huì)向遠(yuǎn)場輻射電磁波，高頻任何載有交變電流的電路都會(huì)向遠(yuǎn)場輻射電磁波，高頻電路的輻射作用

16、更為明顯，因?yàn)楦哳l輻射源波長更短，輻射電路的輻射作用更為明顯，因?yàn)楦哳l輻射源波長更短，輻射源距離其遠(yuǎn)場與近場分界點(diǎn)更近。任何導(dǎo)體都可能接收電磁源距離其遠(yuǎn)場與近場分界點(diǎn)更近。任何導(dǎo)體都可能接收電磁波而產(chǎn)生噪聲。波而產(chǎn)生噪聲。 微弱信號(hào)檢測電路中的任何導(dǎo)體都會(huì)像天線一樣拾取電磁微弱信號(hào)檢測電路中的任何導(dǎo)體都會(huì)像天線一樣拾取電磁輻射噪聲，而且，檢測電路中的非線性器件又可能對(duì)接收到的輻射噪聲，而且，檢測電路中的非線性器件又可能對(duì)接收到的電磁輻射噪聲進(jìn)行解調(diào)或變頻，所以電磁輻射噪聲不但會(huì)影響電磁輻射噪聲進(jìn)行解調(diào)或變頻，所以電磁輻射噪聲不但會(huì)影響高頻電路，還會(huì)影響中頻和低頻檢測電路。高頻電路，還會(huì)影響中頻

17、和低頻檢測電路。 第第3 3節(jié)節(jié) 屏蔽屏蔽p 屏蔽可以用來控制電場或磁場從空間的一個(gè)區(qū)域到另一屏蔽可以用來控制電場或磁場從空間的一個(gè)區(qū)域到另一個(gè)區(qū)域的傳播，這是克服個(gè)區(qū)域的傳播，這是克服電場耦合干擾電場耦合干擾、磁場耦合干擾磁場耦合干擾 以以及及電磁輻射干擾電磁輻射干擾 最有效的手段。最有效的手段。p 屏蔽的目的是利用導(dǎo)電材料或高導(dǎo)磁率材料來減少磁場、屏蔽的目的是利用導(dǎo)電材料或高導(dǎo)磁率材料來減少磁場、電場或電磁場的強(qiáng)度。電場或電磁場的強(qiáng)度。p 屏蔽可以應(yīng)用于噪聲源，屏蔽也可以應(yīng)用于需要抑制噪屏蔽可以應(yīng)用于噪聲源，屏蔽也可以應(yīng)用于需要抑制噪聲的檢測電路。聲的檢測電路。p 屏蔽對(duì)于削弱或切斷電場、

18、磁場和電磁輻射屏蔽對(duì)于削弱或切斷電場、磁場和電磁輻射3種干擾耦種干擾耦合方式都是行之有效的。合方式都是行之有效的。 屏蔽是防止輻射干擾的主要手段，所謂屏屏蔽是防止輻射干擾的主要手段，所謂屏 蔽就是采用一定的技術(shù)手段，把電磁場限蔽就是采用一定的技術(shù)手段，把電磁場限 制在一定的空間范圍之內(nèi)。制在一定的空間范圍之內(nèi)。 、把干擾源置于屏蔽體之內(nèi)，防止電磁能量把干擾源置于屏蔽體之內(nèi)，防止電磁能量 和干擾信號(hào)泄漏到外部空間。和干擾信號(hào)泄漏到外部空間。 、把敏感設(shè)備置于屏蔽體內(nèi)，使其不受外部把敏感設(shè)備置于屏蔽體內(nèi)，使其不受外部 干擾的影響。干擾的影響。 （按場的類型可分為）（按場的類型可分為） 由靜電學(xué)可知

19、，處于靜電平衡狀態(tài)下的導(dǎo)體內(nèi)由靜電學(xué)可知，處于靜電平衡狀態(tài)下的導(dǎo)體內(nèi)部無電力線，部無電力線， 即各點(diǎn)等電位。利用金屬導(dǎo)體的這一即各點(diǎn)等電位。利用金屬導(dǎo)體的這一性質(zhì)，并加上接地措施，性質(zhì)，并加上接地措施， 則靜電場的電力線就在接則靜電場的電力線就在接地金屬導(dǎo)體處中斷，從而起到隔離電場的作用。地金屬導(dǎo)體處中斷，從而起到隔離電場的作用。 電場屏蔽可以防止靜電耦合干擾，用它可消除電場屏蔽可以防止靜電耦合干擾，用它可消除或削弱兩電路之間由于寄生分布電容耦合而產(chǎn)生的或削弱兩電路之間由于寄生分布電容耦合而產(chǎn)生的干擾。干擾。 一、屏蔽技術(shù)一、屏蔽技術(shù) 電磁屏蔽的基本原理是采用導(dǎo)電良好的金屬材電磁屏蔽的基本原理

20、是采用導(dǎo)電良好的金屬材料做成屏蔽罩、屏蔽盒等不同的外形，將被保護(hù)的料做成屏蔽罩、屏蔽盒等不同的外形，將被保護(hù)的電路包圍在其中，利用高頻電磁場對(duì)屏蔽金屬的電電路包圍在其中，利用高頻電磁場對(duì)屏蔽金屬的電磁感應(yīng)作用，在屏蔽金屬內(nèi)產(chǎn)生渦流，用渦流產(chǎn)生磁感應(yīng)作用，在屏蔽金屬內(nèi)產(chǎn)生渦流，用渦流產(chǎn)生的磁場抵消或減弱干擾磁場的影響，從而得到屏蔽的磁場抵消或減弱干擾磁場的影響，從而得到屏蔽的效果。的效果。 它主要用來防止高頻電磁場的影響，對(duì)于低頻它主要用來防止高頻電磁場的影響，對(duì)于低頻磁場干擾的屏蔽效果很小。磁場干擾的屏蔽效果很小。 圖圖12 12 電磁屏蔽電磁屏蔽 圖圖13屏蔽盒的電磁屏蔽作用示意圖屏蔽盒的電

21、磁屏蔽作用示意圖 下面用實(shí)例來分析電磁下面用實(shí)例來分析電磁屏蔽的效果。圖屏蔽的效果。圖13是屏蔽盒是屏蔽盒的電磁屏蔽作用示意圖。屏的電磁屏蔽作用示意圖。屏蔽導(dǎo)體中的電流方向與線圈蔽導(dǎo)體中的電流方向與線圈中的電流方向相反。中的電流方向相反。在屏蔽盒的外部，屏蔽導(dǎo)體渦流產(chǎn)生的磁場與線圈產(chǎn)生的磁場在屏蔽盒的外部，屏蔽導(dǎo)體渦流產(chǎn)生的磁場與線圈產(chǎn)生的磁場抵消，從而抑制了泄露到屏蔽盒外部的磁力線，起到了電磁屏抵消，從而抑制了泄露到屏蔽盒外部的磁力線，起到了電磁屏蔽的作用。若將電磁屏蔽導(dǎo)體看作是匝數(shù)的線圈，其電阻、電蔽的作用。若將電磁屏蔽導(dǎo)體看作是匝數(shù)的線圈，其電阻、電感分別為感分別為rs、Ls，流過的電流

22、為，流過的電流為is；線圈的匝數(shù)為；線圈的匝數(shù)為Wc，電感為，電感為Lc，流過的電流為，流過的電流為ic；線圈與屏蔽導(dǎo)體的互感為線圈與屏蔽導(dǎo)體的互感為M，則，則 c jsssj MIIrL在高頻情況下，可以認(rèn)為在高頻情況下，可以認(rèn)為rsLs，所以，所以 scsj MIIr由上式可知，在低頻時(shí)由上式可知，在低頻時(shí)值很小，故值很小，故I Is s值也很小，這樣一來對(duì)值也很小，這樣一來對(duì)低頻的屏蔽效果就很小，所以電磁屏蔽只適用于防止高頻電磁低頻的屏蔽效果就很小，所以電磁屏蔽只適用于防止高頻電磁場的影響。場的影響。 c j sssj MIIrL 低頻磁屏蔽是用來隔離低頻低頻磁屏蔽是用來隔離低頻( (主

23、要指主要指50Hz)50Hz)磁場或磁場或固定磁場固定磁場( (也稱靜磁場，其幅度、方向不隨時(shí)間變化，也稱靜磁場，其幅度、方向不隨時(shí)間變化，如永久磁鐵產(chǎn)生的磁場如永久磁鐵產(chǎn)生的磁場) )耦合干擾的有效措施。任何通耦合干擾的有效措施。任何通過電流的導(dǎo)線或線圈周圍都存在磁場，它們可能對(duì)檢過電流的導(dǎo)線或線圈周圍都存在磁場，它們可能對(duì)檢測儀器的信號(hào)線或儀器造成磁場耦合干擾。電磁屏蔽測儀器的信號(hào)線或儀器造成磁場耦合干擾。電磁屏蔽對(duì)這種低頻磁通干擾的屏蔽效果是很差的，對(duì)這種低頻磁通干擾的屏蔽效果是很差的，這時(shí)必須這時(shí)必須采用高導(dǎo)磁材料作屏蔽層，以便讓低頻干擾磁力線從采用高導(dǎo)磁材料作屏蔽層，以便讓低頻干擾磁

24、力線從很小的磁屏蔽層中通過，使內(nèi)部電路免受低頻磁很小的磁屏蔽層中通過，使內(nèi)部電路免受低頻磁場耦合干擾的影響。場耦合干擾的影響。 為了有效地進(jìn)行低頻磁屏蔽，屏蔽層材料要選為了有效地進(jìn)行低頻磁屏蔽，屏蔽層材料要選用諸如坡莫合金之類對(duì)低磁通密度有高導(dǎo)磁率的鐵用諸如坡莫合金之類對(duì)低磁通密度有高導(dǎo)磁率的鐵磁材料，同時(shí)要有一定的厚度以減小磁阻。磁材料，同時(shí)要有一定的厚度以減小磁阻。 由鐵氧體壓制成的罐形磁芯可作為磁屏蔽使用，由鐵氧體壓制成的罐形磁芯可作為磁屏蔽使用，并可以把它和電磁屏蔽導(dǎo)體一同使用。為提高屏蔽并可以把它和電磁屏蔽導(dǎo)體一同使用。為提高屏蔽效果可采用多層屏蔽。第一層用低導(dǎo)磁率的鐵磁材效果可采用

25、多層屏蔽。第一層用低導(dǎo)磁率的鐵磁材料，作用是使場強(qiáng)降低；第二層用高導(dǎo)磁率的鐵磁料，作用是使場強(qiáng)降低；第二層用高導(dǎo)磁率的鐵磁材料，以充分發(fā)揮其屏蔽作用。材料，以充分發(fā)揮其屏蔽作用。驅(qū)動(dòng)屏蔽又稱驅(qū)動(dòng)屏蔽又稱“電位跟蹤屏電位跟蹤屏蔽蔽”，就是用被屏蔽導(dǎo)體的電位，就是用被屏蔽導(dǎo)體的電位通過通過1111電壓跟隨器來驅(qū)動(dòng)屏蔽電壓跟隨器來驅(qū)動(dòng)屏蔽導(dǎo)體的電位，其原理如圖導(dǎo)體的電位，其原理如圖1414所示。所示。 圖圖14 驅(qū)動(dòng)屏蔽示意圖驅(qū)動(dòng)屏蔽示意圖 若若1 1電壓跟隨器是理想的，則導(dǎo)體電壓跟隨器是理想的，則導(dǎo)體B與屏蔽層與屏蔽層C二者等二者等電位，于是在二者之間無電力線，各點(diǎn)等電位。電位，于是在二者之間無電

26、力線，各點(diǎn)等電位。 這說明，這說明， 噪聲噪聲源導(dǎo)體源導(dǎo)體A的電場影響不到導(dǎo)體的電場影響不到導(dǎo)體B。盡管導(dǎo)體。盡管導(dǎo)體B與屏蔽層與屏蔽層C之間有之間有寄生電容存在，但因寄生電容存在，但因B與與C等電位，故此寄生電容不起作用。等電位，故此寄生電容不起作用。 因此驅(qū)動(dòng)屏蔽能有效地抑制通過寄生電容的耦合干擾。此電壓因此驅(qū)動(dòng)屏蔽能有效地抑制通過寄生電容的耦合干擾。此電壓跟隨器的輸入阻抗與跟隨器的輸入阻抗與Zi相并聯(lián)，為減小其并聯(lián)作用，則要求電相并聯(lián)，為減小其并聯(lián)作用，則要求電壓跟隨器的輸入阻抗值應(yīng)當(dāng)足夠高，壓跟隨器的輸入阻抗值應(yīng)當(dāng)足夠高，驅(qū)動(dòng)屏蔽屬于有源屏蔽。驅(qū)動(dòng)屏蔽屬于有源屏蔽。 驅(qū)動(dòng)屏蔽的實(shí)用例子

27、很多，圖驅(qū)動(dòng)屏蔽的實(shí)用例子很多，圖1515是對(duì)電容傳感器接收信號(hào)的驅(qū)動(dòng)是對(duì)電容傳感器接收信號(hào)的驅(qū)動(dòng)屏蔽示意圖。這實(shí)際上是一種等電位屏蔽法。由于傳輸電纜的芯屏蔽示意圖。這實(shí)際上是一種等電位屏蔽法。由于傳輸電纜的芯線與內(nèi)層屏蔽等電位，從而消除了芯線對(duì)內(nèi)層屏蔽的容性漏電，線與內(nèi)層屏蔽等電位，從而消除了芯線對(duì)內(nèi)層屏蔽的容性漏電，也就消除了寄生電容的影響。此時(shí)，內(nèi)、外層屏蔽之間的電容便也就消除了寄生電容的影響。此時(shí)，內(nèi)、外層屏蔽之間的電容便成了電纜驅(qū)動(dòng)放大器的負(fù)載，因此，驅(qū)動(dòng)放大器是一個(gè)輸入阻抗成了電纜驅(qū)動(dòng)放大器的負(fù)載，因此，驅(qū)動(dòng)放大器是一個(gè)輸入阻抗很高、具有容性負(fù)載、放大倍數(shù)為很高、具有容性負(fù)載、放大

28、倍數(shù)為1的同相放大器。的同相放大器。 圖圖15 驅(qū)動(dòng)屏蔽法實(shí)例驅(qū)動(dòng)屏蔽法實(shí)例 屏 蔽 機(jī) 理 分 析屏 蔽 機(jī) 理 分 析p 電場屏蔽機(jī)理電場屏蔽機(jī)理 (以例子說明以例子說明)電場感應(yīng)示意圖電場感應(yīng)示意圖211212111BAAj CCVVVCCj Cj C電場屏蔽原理電場屏蔽原理插入屏蔽板插入屏蔽板S之后，就形成了兩個(gè)分布電容之后，就形成了兩個(gè)分布電容C3和和C4，其中，其中C3被短路到地，不會(huì)對(duì)被短路到地，不會(huì)對(duì) B點(diǎn)點(diǎn)的電場感應(yīng)產(chǎn)生影響。的電場感應(yīng)產(chǎn)生影響。B點(diǎn)的感應(yīng)電壓點(diǎn)的感應(yīng)電壓 VB0是是VA被被C10（A、B之間的剩余電容）與并聯(lián)之間的剩余電容）與并聯(lián)電容電容C2和和C4的分壓。

29、的分壓。10420102410421()11()BAACjCCVVVCCCj CjCC 為了抑制為了抑制B上的電場感應(yīng)，可采用的方法有：上的電場感應(yīng)，可采用的方法有： 增大增大A、B之間的距離，可減小之間的距離，可減小A 、B間的分布電容；間的分布電容；盡量使被干擾物盡量使被干擾物B貼近地平面，以增大其對(duì)地電容；貼近地平面，以增大其對(duì)地電容；可以在可以在A 、B之間插入一塊金屬薄板，稱之為之間插入一塊金屬薄板，稱之為屏蔽板屏蔽板。 電場屏蔽原理電場屏蔽原理電場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)電場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn) 屏蔽板盡量靠近受保護(hù)的物體，而且屏蔽板的接地屏蔽板盡量靠近受保護(hù)的物體，而且屏蔽板的接地必須良好，以增大電

30、容必須良好，以增大電容C4值。值。 屏蔽板的形狀對(duì)屏蔽效能有顯著影響。例如，全封屏蔽板的形狀對(duì)屏蔽效能有顯著影響。例如，全封閉的金屬罩有最好的屏蔽效果，而開孔或帶縫隙的屏蔽罩閉的金屬罩有最好的屏蔽效果，而開孔或帶縫隙的屏蔽罩的屏蔽效能會(huì)下降，這主要是剩余電容的屏蔽效能會(huì)下降，這主要是剩余電容C10的值受影響。的值受影響。 屏蔽板的材料以良導(dǎo)體為好，對(duì)厚度無要求，只要屏蔽板的材料以良導(dǎo)體為好，對(duì)厚度無要求，只要滿足強(qiáng)度要求即可。滿足強(qiáng)度要求即可。10420102410421()11()BAACjCCVVVCCCj CjCCp 磁場屏蔽機(jī)理磁場屏蔽機(jī)理載流導(dǎo)體的電場與磁場圖載流導(dǎo)體的電場與磁場圖一

31、根載流導(dǎo)體四周會(huì)同時(shí)產(chǎn)生電場與磁場。若用一個(gè)良好接地的一根載流導(dǎo)體四周會(huì)同時(shí)產(chǎn)生電場與磁場。若用一個(gè)良好接地的非導(dǎo)磁金屬屏蔽體封閉該導(dǎo)線，則電場的電力線終止于該金屬屏非導(dǎo)磁金屬屏蔽體封閉該導(dǎo)線，則電場的電力線終止于該金屬屏蔽體，蔽體，電場得到了有效屏蔽，但對(duì)原磁力線沒有什么影響。電場得到了有效屏蔽，但對(duì)原磁力線沒有什么影響。 磁場屏蔽的目的是消除或抑制直流或低頻交流磁場與被磁場屏蔽的目的是消除或抑制直流或低頻交流磁場與被干擾回路的磁耦合。干擾回路的磁耦合。采用高磁導(dǎo)率材料的屏蔽體實(shí)現(xiàn)磁屏蔽。采用高磁導(dǎo)率材料的屏蔽體實(shí)現(xiàn)磁屏蔽。磁場噪聲源用一個(gè)高磁導(dǎo)率材料屏蔽體封閉起來，由于材料的磁場噪聲源用一

32、個(gè)高磁導(dǎo)率材料屏蔽體封閉起來，由于材料的磁阻很低，磁力線將被封閉在磁屏蔽體內(nèi)，從而起到了磁屏蔽磁阻很低，磁力線將被封閉在磁屏蔽體內(nèi)，從而起到了磁屏蔽的作用。這種屏蔽磁場的方法的作用。這種屏蔽磁場的方法只適合于直流和低頻磁場只適合于直流和低頻磁場，因?yàn)椋驗(yàn)橹挥性诘皖l時(shí)，這些材料才具有高磁導(dǎo)率。只有在低頻時(shí)，這些材料才具有高磁導(dǎo)率。對(duì)磁場進(jìn)行屏蔽主要采取以下方法：對(duì)磁場進(jìn)行屏蔽主要采取以下方法：采用反向電流實(shí)現(xiàn)磁屏蔽采用反向電流實(shí)現(xiàn)磁屏蔽中心載流導(dǎo)線用一個(gè)非導(dǎo)磁材料金屬屏蔽體包圍，并使屏蔽體中心載流導(dǎo)線用一個(gè)非導(dǎo)磁材料金屬屏蔽體包圍，并使屏蔽體中流過與中心載流導(dǎo)線電流大小相等而方向相反的電流。這

33、樣，中流過與中心載流導(dǎo)線電流大小相等而方向相反的電流。這樣，在屏蔽體的外部磁場強(qiáng)度為在屏蔽體的外部磁場強(qiáng)度為0，達(dá)到了屏蔽的目的。這種屏蔽，達(dá)到了屏蔽的目的。這種屏蔽磁場的方法，磁場的方法，適用于利用屏蔽電纜實(shí)現(xiàn)磁屏蔽的場合，這種金適用于利用屏蔽電纜實(shí)現(xiàn)磁屏蔽的場合，這種金屬屏蔽體應(yīng)為良導(dǎo)體。屬屏蔽體應(yīng)為良導(dǎo)體。 利用渦流實(shí)現(xiàn)磁屏蔽利用渦流實(shí)現(xiàn)磁屏蔽 對(duì)于對(duì)于高頻磁場高頻磁場，由于磁場在屏蔽體表層會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)渦，由于磁場在屏蔽體表層會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)渦流，根據(jù)楞次定律，該渦流產(chǎn)生一個(gè)反磁場來抵消穿過該流，根據(jù)楞次定律，該渦流產(chǎn)生一個(gè)反磁場來抵消穿過該屏蔽體的原磁場。屏蔽體的原磁場。 對(duì)于高頻磁場的屏蔽，

34、應(yīng)選用良好的導(dǎo)體材料，如銅、對(duì)于高頻磁場的屏蔽，應(yīng)選用良好的導(dǎo)體材料，如銅、鋁等。隨著頻率的提高，渦流也就越大，磁屏蔽效果就越鋁等。隨著頻率的提高，渦流也就越大，磁屏蔽效果就越好。由于趨膚效應(yīng)，渦流只在材料的表面流動(dòng)，只要用很好。由于趨膚效應(yīng)，渦流只在材料的表面流動(dòng)，只要用很薄的一層金屬材料就足以屏蔽高頻磁場。薄的一層金屬材料就足以屏蔽高頻磁場。磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn) 提高磁場屏蔽效果，屏蔽體的材料和形狀是關(guān)鍵。提高磁場屏蔽效果，屏蔽體的材料和形狀是關(guān)鍵。 選用高導(dǎo)磁材料，如坡莫合金。導(dǎo)磁率很高的材料在強(qiáng)選用高導(dǎo)磁材料，如坡莫合金。導(dǎo)磁率很高的材料在強(qiáng)磁場中會(huì)由于磁飽和而失去屏蔽性能

35、。磁場中會(huì)由于磁飽和而失去屏蔽性能。 盡量縮短磁路的長度，增加屏蔽體的截面積（壁厚），盡量縮短磁路的長度，增加屏蔽體的截面積（壁厚），增加磁屏蔽的效能。增加磁屏蔽的效能。 被屏蔽的物體不要緊貼屏蔽體，以盡量減少通過被屏蔽被屏蔽的物體不要緊貼屏蔽體，以盡量減少通過被屏蔽物體內(nèi)的磁通。物體內(nèi)的磁通。 注意屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，應(yīng)使縫隙或長條通風(fēng)孔順著磁注意屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，應(yīng)使縫隙或長條通風(fēng)孔順著磁場方向分布，這有利于減小磁阻。場方向分布，這有利于減小磁阻。 磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)對(duì)于強(qiáng)磁場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽結(jié)構(gòu)。對(duì)于強(qiáng)磁場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽結(jié)構(gòu)。 對(duì)于要求對(duì)于要求的，屏蔽體外層

36、要選用不易磁的，屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等；而內(nèi)部選用容易達(dá)到磁飽和的高導(dǎo)飽和的材料，如硅鋼等；而內(nèi)部選用容易達(dá)到磁飽和的高導(dǎo)磁材料磁材料，如坡莫合金，如坡莫合金等。等。 反之，如果要反之，如果要時(shí)，則材料的排列次序要時(shí)，則材料的排列次序要倒過來。倒過來。 在安裝內(nèi)外兩層屏蔽體時(shí)，要注意磁路上的在安裝內(nèi)外兩層屏蔽體時(shí)，要注意磁路上的。從屏蔽體能兼有防止電場感應(yīng)的目的出發(fā)，從屏蔽體能兼有防止電場感應(yīng)的目的出發(fā)，p 電磁場屏蔽機(jī)理電磁場屏蔽機(jī)理 對(duì)于電磁波來說，電場分量和磁場分量總是同時(shí)存在的。對(duì)于電磁波來說，電場分量和磁場分量總是同時(shí)存在的。所以在屏蔽電磁波時(shí)，必須同時(shí)對(duì)電場和磁

37、場加以屏蔽，故所以在屏蔽電磁波時(shí)，必須同時(shí)對(duì)電場和磁場加以屏蔽，故通稱為通稱為。 屏蔽體之所以能阻止電磁波的傳播，是因?yàn)殡姶挪ㄔ诖┢帘误w之所以能阻止電磁波的傳播，是因?yàn)殡姶挪ㄔ诖┰狡帘误w時(shí)發(fā)生了能量的越屏蔽體時(shí)發(fā)生了能量的（1 1）反射衰減）反射衰減 當(dāng)電磁波到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣的波阻抗與屏蔽體當(dāng)電磁波到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣的波阻抗與屏蔽體（通常是金屬材料）的特性阻抗不相等，所以對(duì)入射波產(chǎn)生反射，（通常是金屬材料）的特性阻抗不相等，所以對(duì)入射波產(chǎn)生反射，使穿越界面的電磁能量減弱。使穿越界面的電磁能量減弱。反射損耗與屏蔽體的厚度沒有太大關(guān)系。反射損耗與屏蔽體的厚度沒有太大關(guān)系?？諝獠ㄗ?/p>

38、抗與屏蔽體特性阻抗相差越大，引起的損耗也愈大?？諝獠ㄗ杩古c屏蔽體特性阻抗相差越大，引起的損耗也愈大。（2 2）吸收衰減）吸收衰減 有部分電磁波進(jìn)入屏蔽體，并在體內(nèi)繼續(xù)向前傳播。電磁有部分電磁波進(jìn)入屏蔽體，并在體內(nèi)繼續(xù)向前傳播。電磁波在穿越屏蔽體時(shí)，在屏蔽體內(nèi)會(huì)引起渦流。如前所述，感生渦波在穿越屏蔽體時(shí)，在屏蔽體內(nèi)會(huì)引起渦流。如前所述，感生渦流可產(chǎn)生一個(gè)反磁場用以抵消原干擾磁場，同時(shí)渦流在屏蔽體內(nèi)流可產(chǎn)生一個(gè)反磁場用以抵消原干擾磁場，同時(shí)渦流在屏蔽體內(nèi)流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生熱損耗。流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生熱損耗。（3 3）多次反射衰減）多次反射衰減 在屏蔽體內(nèi)未被吸收的電磁波到達(dá)材料的另一面時(shí)，又在屏蔽體內(nèi)未被吸收的電磁

39、波到達(dá)材料的另一面時(shí)，又一次遇到屏蔽體特性阻抗與空氣波阻抗不相等情況，除部分一次遇到屏蔽體特性阻抗與空氣波阻抗不相等情況，除部分會(huì)穿越屏蔽體表面而進(jìn)入被屏蔽的空間外部，余下大部分電會(huì)穿越屏蔽體表面而進(jìn)入被屏蔽的空間外部，余下大部分電磁波會(huì)在屏蔽體表面形成再次反射，再次返回屏蔽體內(nèi)部。磁波會(huì)在屏蔽體表面形成再次反射，再次返回屏蔽體內(nèi)部。因此電磁波在穿越屏蔽體的過程中會(huì)有多次反射，逐漸被屏因此電磁波在穿越屏蔽體的過程中會(huì)有多次反射，逐漸被屏蔽體吸收，只有極少部分存在于被屏蔽的空間內(nèi)。蔽體吸收，只有極少部分存在于被屏蔽的空間內(nèi)。 電磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)電磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn) 屏蔽體的屏蔽效能由兩方面的因素決

40、定：屏蔽體的屏蔽效能由兩方面的因素決定： 所屏蔽的電磁波的特性；所屏蔽的電磁波的特性； 屏蔽體本身的材料與結(jié)構(gòu)。屏蔽體本身的材料與結(jié)構(gòu)。 電磁波除了有頻率之分外，根據(jù)波阻抗分為電磁波除了有頻率之分外，根據(jù)波阻抗分為三種。不管什么樣的電磁波，三種。不管什么樣的電磁波， 對(duì)于同一種屏蔽材料，根據(jù)屏蔽效能的高低排列順序?yàn)椋簩?duì)于同一種屏蔽材料，根據(jù)屏蔽效能的高低排列順序?yàn)椋弘妶霾ㄆ帘涡?、平面波屏蔽效能、磁場屏蔽效能。換言電場波屏蔽效能、平面波屏蔽效能、磁場屏蔽效能。換言之，之， 實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能是由構(gòu)成屏蔽體的材料和屏蔽實(shí)際屏蔽體的屏蔽效能是由構(gòu)成屏蔽體的材料和屏蔽體的結(jié)構(gòu)決定的，這些因素包括：

41、體的結(jié)構(gòu)決定的，這些因素包括： 對(duì)于電場波的屏蔽，以反射衰減為主；對(duì)于磁場的屏對(duì)于電場波的屏蔽，以反射衰減為主；對(duì)于磁場的屏蔽，以吸收衰減為主。蔽，以吸收衰減為主。電磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)電磁場屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)二、場傳播與波阻抗二、場傳播與波阻抗對(duì)于某一種具體情況，主要起作用的究竟是哪種干擾，取決對(duì)于某一種具體情況，主要起作用的究竟是哪種干擾，取決于干擾場的性質(zhì)。場的性質(zhì)是由干擾源的性質(zhì)、傳播介質(zhì)以于干擾場的性質(zhì)。場的性質(zhì)是由干擾源的性質(zhì)、傳播介質(zhì)以及到干擾源的距離確定的。及到干擾源的距離確定的。在靠近干擾源的地方，場的性質(zhì)主要取決于干擾源的性質(zhì)；在靠近干擾源的地方，場的性質(zhì)主要取決于干擾源的性質(zhì)；在遠(yuǎn)

42、離干擾源的地方，場的性質(zhì)主要取決于傳播介質(zhì)。在遠(yuǎn)離干擾源的地方，場的性質(zhì)主要取決于傳播介質(zhì)。傳播介質(zhì)中的電場強(qiáng)度傳播介質(zhì)中的電場強(qiáng)度E和磁場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度H之比稱為波阻抗之比稱為波阻抗ZW，即，即 E/HZW尺寸較小的空氣中的發(fā)射源，波阻抗隨著到干擾源的距離尺寸較小的空氣中的發(fā)射源，波阻抗隨著到干擾源的距離r及及干擾源性質(zhì)而變化的情況示于圖干擾源性質(zhì)而變化的情況示于圖16。當(dāng)距離。當(dāng)距離r /2 時(shí)的場稱為遠(yuǎn)場，時(shí)的場稱為遠(yuǎn)場，或輻射場；或輻射場； r= /2 附近的區(qū)域?yàn)檫^渡區(qū)。附近的區(qū)域?yàn)檫^渡區(qū)。圖圖16 波阻抗隨距離變化的情況波阻抗隨距離變化的情況在以電場為主的情況下，隨著距離的增加，電

43、場強(qiáng)度在以電場為主的情況下，隨著距離的增加，電場強(qiáng)度E以以1/r 3的速率衰減，而磁場強(qiáng)度的速率衰減，而磁場強(qiáng)度H以以1/r 2的速率衰減，所以的速率衰減，所以ZW = E/ H逐漸減少，最后減小為傳播介質(zhì)的特征阻抗逐漸減少，最后減小為傳播介質(zhì)的特征阻抗Z0。而在以磁場。而在以磁場為主的情況下，隨著距離的增加，電場強(qiáng)度為主的情況下，隨著距離的增加，電場強(qiáng)度E以以1/r2的速率衰的速率衰減，而磁場強(qiáng)度減，而磁場強(qiáng)度H以以1/ r3的速率衰減，所以的速率衰減，所以ZW 逐漸增加，最逐漸增加，最后增加為傳播介質(zhì)的特征阻抗后增加為傳播介質(zhì)的特征阻抗Z0。 在近場在近場，波阻抗，波阻抗ZW取決于干擾源的

44、性質(zhì)以及到干擾源的距離。取決于干擾源的性質(zhì)以及到干擾源的距離。波阻抗波阻抗ZW較較高，高，ZW =E/H 377 ，干擾主要由容性耦合引入；，干擾主要由容性耦合引入；波阻抗波阻抗ZW較低，較低，ZW =E/H Z2 反射損耗反射損耗124|20lg|ZRZ 多次反射損耗校正因素多次反射損耗校正因素2 /20lg(1 e)x B薄屏蔽體多次反射薄屏蔽體多次反射 可以看出，?？梢钥闯觯Ｕ驍?shù)正因數(shù)B是一個(gè)是一個(gè)負(fù)值，這表明負(fù)值，這表明由于薄屏蔽體由于薄屏蔽體的多次反射，的多次反射，使實(shí)際的屏蔽使實(shí)際的屏蔽效能降低。效能降低。五、屏蔽效果五、屏蔽效果為了衡量屏蔽體的屏蔽效果為了衡量屏蔽體的屏蔽效果

45、 屏蔽效能是指未加屏蔽時(shí)某一點(diǎn)的場強(qiáng)（屏蔽效能是指未加屏蔽時(shí)某一點(diǎn)的場強(qiáng)（E E0 0，H H0 0）與加屏）與加屏蔽后同一點(diǎn)的場強(qiáng)（蔽后同一點(diǎn)的場強(qiáng)（E Es s，H Hs s）之比，并以分貝（）之比，并以分貝（dBdB）表示）表示對(duì)電場對(duì)電場 0()20lg()EsESEE無屏蔽有屏蔽對(duì)磁場對(duì)磁場 0()20lg()HsHSEH無屏蔽有屏蔽屏蔽效能屏蔽效能SE SE 越大，表示屏蔽效果越好。越大，表示屏蔽效果越好。 BARSER為反射損耗，為反射損耗，A為吸收?qǐng)?bào)耗，為吸收?qǐng)?bào)耗，B為多次反射損耗為多次反射損耗 校正因數(shù)。校正因數(shù)。(1)(1)電場的屏蔽效能電場的屏蔽效能EEESERA(2)(2)磁場的屏蔽效能磁場的屏蔽效能HHHHSERAB(3)(3)屏蔽效能屏蔽效能與頻率的關(guān)系