第3章 氣體間隙擊穿強(qiáng)度-2014

1、高電壓工程基礎(chǔ)高電壓工程基礎(chǔ)（第二版）施圍 邱毓昌 張喬根（西安交通大學(xué)）編著劉青（西安科技大學(xué)）制作1高電壓工程基礎(chǔ)第第3 3章章 氣體間隙的擊穿強(qiáng)度氣體間隙的擊穿強(qiáng)度 3.1 穩(wěn)態(tài)電壓下的擊穿穩(wěn)態(tài)電壓下的擊穿 3.2 雷電沖擊電壓下的擊穿雷電沖擊電壓下的擊穿 3.3 操作沖擊電壓下的擊穿操作沖擊電壓下的擊穿 3.4 大氣密度和濕度對(duì)擊穿的影響大氣密度和濕度對(duì)擊穿的影響 3.5 SF6氣體間隙中的擊穿氣體間隙中的擊穿 3.6 提高氣體間隙擊穿電壓的措施提高氣體間隙擊穿電壓的措施2高電壓工程基礎(chǔ)3.1 穩(wěn)態(tài)電壓下的擊穿穩(wěn)態(tài)電壓下的擊穿 均勻電場(chǎng)中的擊穿均勻電場(chǎng)中的擊穿0.010.1110d/c

2、m110100400Ub/kVeg：高壓靜電電壓表的電極布置 24.226.08()bUdd kV特點(diǎn)：特點(diǎn)：（1） 無極性效應(yīng)；（2） 擊穿所需時(shí)間極短；（3） 擊穿電壓的分散性很小。 3高電壓工程基礎(chǔ) 稍不均勻電場(chǎng)中的擊穿稍不均勻電場(chǎng)中的擊穿（1）球間隙）球間隙 （eg：高壓實(shí)驗(yàn)室中的測(cè)量球隙）dD/4時(shí)，出現(xiàn)極性效應(yīng)；球隙測(cè)壓器的工作范圍dD/2 4高電壓工程基礎(chǔ)（2）同軸圓柱電極）同軸圓柱電極 （eg：高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器、單芯電纜、GIS分相母線）（1）r/R0.1時(shí)時(shí)，稍不均勻電場(chǎng)，當(dāng)r/R 0.33時(shí)擊穿電壓出現(xiàn)極大值（上述電氣設(shè)備在絕緣設(shè)計(jì)時(shí)盡量將r/R選取0.250.4的范圍內(nèi)）。

3、 bmdUEf5高電壓工程基礎(chǔ)（3）其他形狀的電極布置）其他形狀的電極布置 bmdUEf球狀電極的電場(chǎng)不均勻系數(shù)大于相同半徑的圓柱電極；間隙距離增大時(shí)，電場(chǎng)不均勻系數(shù)也增大。 6高電壓工程基礎(chǔ) 極不均勻電場(chǎng)中的擊穿極不均勻電場(chǎng)中的擊穿 不對(duì)稱布置的極不均勻場(chǎng)間隙的極性效應(yīng)很明顯，而且其擊穿的極性效應(yīng)與稍不均勻場(chǎng)間隙相反。 尖板和尖尖空氣間隙的直流擊穿電壓 棒棒和棒板空氣間隙的工頻擊穿電壓（有效值） 7高電壓工程基礎(chǔ)3.2 雷電沖擊電壓下的擊穿雷電沖擊電壓下的擊穿 沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形沖擊電壓的標(biāo)準(zhǔn)波形標(biāo)準(zhǔn)雷電波標(biāo)準(zhǔn)雷電波的波形： T1=1.2s30， T2=50s20對(duì)于不同極性：+1.2/50

4、s或-1.2/50s操作沖擊波操作沖擊波的波形： T1=250s20， T2=2500s60對(duì)于不同極性：+250/2500s或-250/2500s 波前時(shí)間 半峰值時(shí)間 8高電壓工程基礎(chǔ) 放電時(shí)延放電時(shí)延臨界擊穿電壓 統(tǒng)計(jì)時(shí)延：從外施電壓達(dá)Uo時(shí)起，到出現(xiàn)一個(gè)能引起擊穿的初始電子崩所需的第一個(gè)有效電子所需時(shí)間放電形成時(shí)延：從出現(xiàn)第一個(gè)有效自由電子時(shí)起，到放電過程完成所需時(shí)間，即電子崩的形成和發(fā)展到流注等所需的時(shí)間9高電壓工程基礎(chǔ) 50擊穿電壓及沖擊系數(shù)擊穿電壓及沖擊系數(shù) 50擊穿電壓擊穿電壓 多次施加電壓時(shí)有半數(shù)會(huì)導(dǎo)致?lián)舸┑碾妷褐礥b50 。0503bbUU2. 沖擊系數(shù)沖擊系數(shù) 同一間隙的

5、50沖擊擊穿電壓與穩(wěn)態(tài)擊穿電壓Uss之比 。10高電壓工程基礎(chǔ) 伏秒特性伏秒特性伏秒特性：伏秒特性：在同一沖擊電壓波形下，擊穿電壓值與放電時(shí)延（或電壓作用時(shí)間）有關(guān)的特性。 用實(shí)驗(yàn)確定間隙伏秒特性的方法：用實(shí)驗(yàn)確定間隙伏秒特性的方法：保持沖擊電壓的波形不變，逐漸升高電壓使間隙發(fā)生擊穿，并根據(jù)示波圖記錄擊穿電壓U與擊穿時(shí)間t。 擊穿發(fā)生在波前或峰值，取此刻值擊穿發(fā)生在波尾，取峰值未擊穿100%伏秒特性0%伏秒特性50%伏秒特性50%沖擊擊穿電壓11高電壓工程基礎(chǔ)電氣設(shè)備絕緣的伏秒特性和避雷器的伏秒特性（a）正確配合 （b）不正確配合絕緣的絕緣的伏秒特性伏秒特性避雷器的避雷器的伏秒特性伏秒特性12

6、高電壓工程基礎(chǔ)3.3 操作沖擊電壓下的擊穿操作沖擊電壓下的擊穿 操作沖擊電壓下?lián)舸┑牟僮鳑_擊電壓下?lián)舸┑腢形曲線形曲線Eb隨tf 的減小而增大是放電時(shí)延在起作用，與雷電沖擊電壓相似電壓作用時(shí)間增加后空間電荷遷移范圍擴(kuò)大，改善了間隙中電場(chǎng)分布，擊穿電壓提高棒棒棒棒導(dǎo)線板導(dǎo)線板工頻擊穿工頻擊穿場(chǎng)強(qiáng)場(chǎng)強(qiáng)13高電壓工程基礎(chǔ) 操作沖擊電壓的推薦波形操作沖擊電壓的推薦波形a. T1/T2=250(20) / 2500(60) s b.振蕩操作波 長(zhǎng)空氣間隙在操作沖擊電壓下的擊穿強(qiáng)度長(zhǎng)空氣間隙在操作沖擊電壓下的擊穿強(qiáng)度特點(diǎn)：特點(diǎn)：（1）長(zhǎng)間隙的雷電沖擊擊穿電壓遠(yuǎn)比操作沖擊擊穿電壓要高；（2）間隙長(zhǎng)度超過5m

7、時(shí)呈現(xiàn)飽和趨勢(shì)。（3）間隙距離越大，“2”與“3”的擊穿電壓的差別越大。雷電沖擊雷電沖擊操作沖擊操作沖擊最小擊穿最小擊穿電壓電壓min3.4120m81UMVd棒板間隙距離 ：arUkU其它間隙： 14高電壓工程基礎(chǔ)3.4 大氣密度和濕度對(duì)擊穿的影響大氣密度和濕度對(duì)擊穿的影響 大氣校正因數(shù)大氣校正因數(shù)標(biāo)準(zhǔn)大氣條件：t020，p0101.3kPa，h011g/m300/ttUU KUU K12tKK K1mK00273273tppt2WKK1. 空氣密度校正系數(shù)空氣密度校正系數(shù)2. 濕度校正因素濕度校正因素15高電壓工程基礎(chǔ)3. 指數(shù)指數(shù)m和和W500BUgL K16高電壓工程基礎(chǔ)3.6 提高氣

8、隙擊穿電壓的措施提高氣隙擊穿電壓的措施 改善電場(chǎng)分布的措施改善電場(chǎng)分布的措施（1）改變電極形狀）改變電極形狀 長(zhǎng)空氣間隙的交流擊穿電壓棒板棒板棒棒棒棒導(dǎo)線桿塔支柱導(dǎo)線桿塔支柱導(dǎo)線導(dǎo)線導(dǎo)線導(dǎo)線17高電壓工程基礎(chǔ)（2）利用空間電荷對(duì)原電場(chǎng)的畸變作用）利用空間電荷對(duì)原電場(chǎng)的畸變作用 例如利用電暈放電產(chǎn)生的空間電荷來改善極不均勻場(chǎng)間隙中電場(chǎng)分布，從而提高間隙的擊穿電壓。 此種提高擊穿電壓的方法僅在持續(xù)作用電壓下才有效，在雷電沖擊電壓下并不適用。 18高電壓工程基礎(chǔ)（3）極不均勻電場(chǎng)中屏障的使用）極不均勻電場(chǎng)中屏障的使用 正尖板間隙中屏障的作用 屏障靠近尖電極或板電屏障靠近尖電極或板電極時(shí)，屏障效應(yīng)消失

9、，正、極時(shí)，屏障效應(yīng)消失，正、負(fù)極性下出現(xiàn)很大差別。負(fù)極性下出現(xiàn)很大差別。 直流電壓下尖板空氣間隙的擊穿電壓和屏障位置的關(guān)系 屏障應(yīng)靠近尖電極，使比較屏障應(yīng)靠近尖電極，使比較均勻的電場(chǎng)區(qū)擴(kuò)大。但離尖電極均勻的電場(chǎng)區(qū)擴(kuò)大。但離尖電極過近時(shí)，屏障上空間電荷的分布過近時(shí)，屏障上空間電荷的分布將變得不均勻而使屏障效應(yīng)減弱，將變得不均勻而使屏障效應(yīng)減弱，因此屏障有一最佳位置。因此屏障有一最佳位置。 19高電壓工程基礎(chǔ) 高氣壓的采用高氣壓的采用均勻電場(chǎng)中幾種絕緣介質(zhì)的擊穿電壓與距離的關(guān)系12.8MPa的空氣 20.7MPa的SF6 3高真空4變壓器油 50.1MPa的SF6 6大氣20高電壓工程基礎(chǔ) 強(qiáng)電負(fù)性氣體