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文檔簡介

1、 亞微米亞微米CMOS IC 制造廠典型的硅片流程模型制造廠典型的硅片流程模型入劑量入劑量2.0E13劑量劑量3.0E13CMOS器件截面圖器件截面圖寄生寄生BJT等效電路圖等效電路圖場區(qū)寄生場區(qū)寄生NMOS剖面圖剖面圖光刻接觸孔光刻接觸孔 工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線之間的工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線之間的 通道孔通道孔 工藝要求：同第一次光刻工藝要求：同第一次光刻 光刻接觸孔光刻接觸孔（續(xù)）（續(xù)） 工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線之間的工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線之間的 通道孔通道孔 工藝方法：工藝方法：RIE刻蝕、濕法去膠刻蝕、濕法去膠 濺射濺射Si-

2、Al-Cu工藝目的：制作電路元器件的金屬電極工藝目的：制作電路元器件的金屬電極工藝方法：濺射材料工藝方法：濺射材料Si（1）AlCu（0.5），）， 磁控濺射。磁控濺射。工藝要求：厚度工藝要求：厚度1.2m光刻金屬電極光刻金屬電極 形成電路的金屬互連線。形成電路的金屬互連線。光光刻刻7步，步，Cl基氣體基氣體RIE刻蝕，干法氧等離子體去膠刻蝕，干法氧等離子體去膠鈍化鈍化 工藝目的：保護器件表面，防止金屬線劃傷、表工藝目的：保護器件表面，防止金屬線劃傷、表 面面 吸潮、表面吸潮、表面 沾污。沾污。 工藝方法：工藝方法：PECVD生長氧化硅和氮化硅介質(zhì)層生長氧化硅和氮化硅介質(zhì)層 工藝要求：工藝要求

3、：tox300nm左右、左右、tSiN700nm左右左右光刻壓焊窗口光刻壓焊窗口 工藝目的：開出金屬電極窗口以便壓焊鍵合工藝目的：開出金屬電極窗口以便壓焊鍵合 工藝方法：光刻工藝方法：光刻7步步光刻壓焊窗口光刻壓焊窗口（續(xù)）（續(xù)） 工藝目的：開出金屬電極窗口以便壓焊鍵合工藝目的：開出金屬電極窗口以便壓焊鍵合 工藝方法：工藝方法：RIE刻蝕，干法去膠刻蝕，干法去膠 合金合金 工藝目的：金屬與器件有源區(qū)之間形成良好的歐工藝目的：金屬與器件有源區(qū)之間形成良好的歐 姆接觸。姆接觸。 工藝方法：合金爐，工藝方法：合金爐，420 30分（N2H2） CMOS反相器反相器電路圖電路圖 CMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖器件結(jié)構(gòu)剖面圖 CMOS器件截面圖器件截面圖

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