低溫物理與技術-第6章低溫物性測量

1、第第7章章 低溫物性測量低溫物性測量 1908年年Heike Kamerlingh Onnes把最后把最后種種“永久氣體永久氣體”氦液化氦液化后，后，1909年達到了年達到了1.38K，1910年為年為1.04K. 與此同時與此同時Onnes利用萊頓大學低溫實驗利用萊頓大學低溫實驗室優(yōu)良的制冷設備和他高超的實驗技巧室優(yōu)良的制冷設備和他高超的實驗技巧開展低溫物理研究。開展低溫物理研究。19111911年他發(fā)現(xiàn)了汞年他發(fā)現(xiàn)了汞的超導電性、開創(chuàng)了現(xiàn)代低溫物理和低的超導電性、開創(chuàng)了現(xiàn)代低溫物理和低溫技術的新紀元，從而成為當之無愧的溫技術的新紀元，從而成為當之無愧的“低溫之父低溫之父”。由于由于“對物質(zhì)

2、低溫性質(zhì)對物質(zhì)低溫性質(zhì)的研究和制成液氦的研究和制成液氦”而獲得了而獲得了1913年度年度的諾貝爾物理學獎，時年的諾貝爾物理學獎，時年60歲歲。Heike Kamerlingh Onnes7.1 低溫下導體的電阻及其測量低溫下導體的電阻及其測量 Vs=Ig(Rc2+Rc3)+ IgRg =(Is- Ig)Rs V4 = IgRgIf RgRc2, RgRc3, Rg+Rc2+Rc3Rs, IsIg V4Vs直流電阻的測量直流電阻的測量 四引線法四引線法VVs小電阻的精確測量方法小電阻的精確測量方法與兩端或三端法與兩端或三端法的區(qū)別是什么的區(qū)別是什么?Rc2Rc1Rc3Rc4 V=Is(Rc1+R

3、c4)+ IsRs V4 IsRsIf Rc1+Rc4+RsRc1, RoutRc4, Is cons. V4 VsVVsRc2Rc1Rc3Rc4If Rc1+Rc4+Rs Rout, Rc1 or Rc4RsIs? Vg ? 隨著溫度的降低電阻呈半導體行為增加，隨著溫度的降低電阻呈半導體行為增加，當當RsRg時，測量結果是否正確？時，測量結果是否正確？t樣品厚度樣品厚度電極制作電極制作引線材料：引線材料：金、銀、銅、鉑、鍍銀銅絲、超導材料等金、銀、銅、鉑、鍍銀銅絲、超導材料等粘接材料：粘接材料：焊錫、銦、銀膠、金膠、碳膠、銀、環(huán)氧樹脂等焊錫、銦、銀膠、金膠、碳膠、銀、環(huán)氧樹脂等粘接方式：粘接

4、方式：焊接、粘接、壓接（壓銦、機械壓接）、超聲點焊、噴涂焊接、粘接、壓接（壓銦、機械壓接）、超聲點焊、噴涂等等樣品預處理：樣品預處理：去絕緣層、鍍膜、退火去絕緣層、鍍膜、退火/燒結、擦銦燒結、擦銦超聲焊接超聲焊接接觸電阻的兩個來源：勢壘層接觸面收縮金屬電阻率的實驗觀測金屬電阻率的實驗觀測 金屬高電導率的事實早已被發(fā)現(xiàn)和利用，它的電導率溫金屬高電導率的事實早已被發(fā)現(xiàn)和利用，它的電導率溫度關系對材料的應有有著重大影響，所以進行了大量的實驗研度關系對材料的應有有著重大影響，所以進行了大量的實驗研究，得到了不少規(guī)律性的結果，純金屬的電阻率可以明顯地分究，得到了不少規(guī)律性的結果，純金屬的電阻率可以明顯地

5、分成兩個獨立部分之和：成兩個獨立部分之和：0( )lT l 與溫度有關，稱作本征與溫度有關，稱作本征電阻。它隨溫度的降低而減小，電阻。它隨溫度的降低而減小，T0K時，時， l 0。初步判斷。初步判斷它應是因晶格振動引起的。它應是因晶格振動引起的。 更多實驗指出，許多純金屬的電阻率在很寬的溫度范圍更多實驗指出，許多純金屬的電阻率在很寬的溫度范圍內(nèi)，可用下面經(jīng)驗公式描述，內(nèi)，可用下面經(jīng)驗公式描述，其中，其中，A 是金屬的特征常數(shù)，是金屬的特征常數(shù)，M 是金屬原子質(zhì)量，是金屬原子質(zhì)量，TD是德拜是德拜溫度，該經(jīng)驗公式稱為布洛赫溫度，該經(jīng)驗公式稱為布洛赫-格林愛森公式。格林愛森公式。 當當T 0.5

6、TD時，上式簡化為：時，上式簡化為： 24DATTMT這就是熟知的金屬在高溫下電阻率同溫度成正比的關系。這就是熟知的金屬在高溫下電阻率同溫度成正比的關系。 0 0與溫度無關，稱作剩余電阻。與金屬中的缺陷和雜質(zhì)有關。與溫度無關，稱作剩余電阻。與金屬中的缺陷和雜質(zhì)有關。在缺陷濃度不算大時，在缺陷濃度不算大時， l l不依賴于缺陷數(shù)目，而不依賴于缺陷數(shù)目，而 0 0不依賴溫度，不依賴溫度，這個經(jīng)驗性結論被稱為這個經(jīng)驗性結論被稱為 MatthiessenMatthiessen定則。實驗表明：大多數(shù)金定則。實驗表明：大多數(shù)金屬的電阻率在室溫下主要由聲子碰撞所支配，液氦溫度（屬的電阻率在室溫下主要由聲子碰

7、撞所支配，液氦溫度（4K)4K)下，下，由雜質(zhì)和缺陷的散射為主。由雜質(zhì)和缺陷的散射為主。556x0d( )e1 1DTTxDATxxTMTeT當當T /3時時, 電阻隨溫度線性變化電阻隨溫度線性變化;當當T0.5g），高準確度，），高準確度， 逐點測量逐點測量連續(xù)法：連續(xù)法： 小樣品小樣品(0.1g)，測量方便，準確度低，連續(xù)測量，測量方便，準確度低，連續(xù)測量馳豫法：馳豫法： 小樣品（小樣品（1mg 200mg) 分辨率和準確度較高，分辨率和準確度較高，逐點測量逐點測量交流法：交流法： 小樣品（小樣品（0.2g), 高分辨率，連續(xù)測量高分辨率，連續(xù)測量各種比熱測量方法的特點和比較各種比熱測量方

8、法的特點和比較71熱馳豫法測量比熱原理 升溫過程升溫過程平衡時平衡時馳豫過程馳豫過程 tTTCTtP TtP 0tTTCT /00ttCeTeTtTC 樣品室 加熱器 基底 溫度計 導線 72用于測量比熱的Puck 樣品臺 樣品 樣品臺 加熱器 溫度計 導熱油脂 外觀 內(nèi)座 7.6 固體的熱導率及其測量固體的熱導率及其測量TTO測量測量超精細無液氦光學恒溫器超精細無液氦光學恒溫器熱流計法 熱流計法是一種基于一維穩(wěn)態(tài)導熱原理的比較法。如圖所示，將厚度一定的方形樣品插入兩個平板間，在其垂直方向通入一個恒定的單向的熱流，使用校正過的熱流傳感器測量通過樣品的熱流，傳感器在平板與樣品之間和樣品接觸。當冷

9、板和熱板的溫度穩(wěn)定后，測得樣品厚度、樣品上下表面的溫度和通過樣品的熱流量，根據(jù)傅立葉定律即 可確定樣品的導熱系數(shù)：式中：式中：q為通過樣品的熱流量，為通過樣品的熱流量，W/m2 樣品厚度，樣品厚度，m樣品上下表面溫差，樣品上下表面溫差， CC熱流計常數(shù)，由廠家給出，也可用已熱流計常數(shù)，由廠家給出，也可用已知導熱系數(shù)的材料進行標定得出。知導熱系數(shù)的材料進行標定得出。TCq 比熱測量比熱測量 有一面必須平整有一面必須平整 樣品質(zhì)量在樣品質(zhì)量在50mg-100mg之間利于得到好的精度，相對來說用之間利于得到好的精度，相對來說用時中等時中等 高溫測量很費時間，如無必要千萬不要全溫區(qū)測量高溫測量很費時間，如無必要千萬不要全溫區(qū)測量 Apizon N Grease 在在230K和和295K附近有兩個比熱峰，不要誤認附近有兩個比熱峰，不要誤認為來自于樣品。如確有必要在此溫區(qū)測量，可以嘗試使用為來自于樣品。如確有必要在此溫區(qū)測量，可以嘗試使用HGrease。 樣品的熱導必須足夠好。樣品的熱導必須足夠好。 磁性樣品在磁場下會損壞比熱架的細絲磁性樣品在磁場下會損壞比熱架的細絲 熱導測量熱導測量