微機(jī)原理存儲(chǔ)器部分

1、1某計(jì)算機(jī)的主存為某計(jì)算機(jī)的主存為3KB，則內(nèi)存地址寄存器則內(nèi)存地址寄存器需需_位就足夠了。位就足夠了。 12在某一存儲(chǔ)系統(tǒng)中，設(shè)有只讀存儲(chǔ)器在某一存儲(chǔ)系統(tǒng)中，設(shè)有只讀存儲(chǔ)器10KB，隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器54KB，使用使用16位地址來(lái)尋址。其位地址來(lái)尋址。其中，只讀存儲(chǔ)器位于低地址段，其地址范圍中，只讀存儲(chǔ)器位于低地址段，其地址范圍為為_(kāi)。 000027FFH 若若256KB的的SRAM具有具有8條數(shù)據(jù)線(xiàn)，則它具有條數(shù)據(jù)線(xiàn)，則它具有_條地址線(xiàn)。條地址線(xiàn)。 18 2設(shè)存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)為設(shè)存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)為20條，存儲(chǔ)單元為字節(jié)，條，存儲(chǔ)單元為字節(jié)，使用全譯碼方式組成存儲(chǔ)器，該系統(tǒng)構(gòu)成的使用全譯碼方式

2、組成存儲(chǔ)器，該系統(tǒng)構(gòu)成的最大存儲(chǔ)器容量需要最大存儲(chǔ)器容量需要64K1位的存儲(chǔ)器芯片位的存儲(chǔ)器芯片的數(shù)量是的數(shù)量是_片。片。 128 一個(gè)有一個(gè)有16個(gè)字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為個(gè)字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為70A0:DDF6H，那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個(gè)單那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個(gè)單元的物理地址為元的物理地址為_(kāi)。 7E815H 3設(shè)存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)有設(shè)存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)有16條，存儲(chǔ)基本單元為條，存儲(chǔ)基本單元為字節(jié)，若采用字節(jié)，若采用2K4位芯片，按全譯碼方法位芯片，按全譯碼方法組成存儲(chǔ)器，當(dāng)該存儲(chǔ)器被擴(kuò)充成最大容量組成存儲(chǔ)器，當(dāng)該存儲(chǔ)器被擴(kuò)充成最大容量時(shí)，需要此種存儲(chǔ)器芯片的數(shù)量是時(shí)，需要此種存儲(chǔ)器芯片的

3、數(shù)量是_。 64片片 設(shè)某靜態(tài)設(shè)某靜態(tài)RAM芯片的容量為芯片的容量為8K8位，若用位，若用它組成它組成32K8的存儲(chǔ)器，所用芯片數(shù)以及這的存儲(chǔ)器，所用芯片數(shù)以及這種芯片的片內(nèi)地址線(xiàn)數(shù)目是種芯片的片內(nèi)地址線(xiàn)數(shù)目是_。 4片片 13根根 4用用74LS138作譯碼器，如圖所示，若將作譯碼器，如圖所示，若將Y1接接到存儲(chǔ)器的片選信號(hào)上，則存儲(chǔ)器的地址范到存儲(chǔ)器的片選信號(hào)上，則存儲(chǔ)器的地址范圍為圍為_(kāi)。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A124000H4FFFH 5某同學(xué)在做實(shí)驗(yàn)時(shí)，按如圖連接芯片的譯碼某同學(xué)在做實(shí)驗(yàn)時(shí)，按如圖連接芯片的譯碼電路，得知該芯片的地址范圍為電

4、路，得知該芯片的地址范圍為3000H37FFH。試問(wèn)該芯片的試問(wèn)該芯片的CS端應(yīng)接到端應(yīng)接到74LS138的的_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12Y6612. 在如圖所示的電路（與上題同一電路），在如圖所示的電路（與上題同一電路），假設(shè)假設(shè)Y5與電源與電源Vcc短接，則以下四種現(xiàn)象中，短接，則以下四種現(xiàn)象中，肯定會(huì)發(fā)生的是肯定會(huì)發(fā)生的是_。A) 系統(tǒng)仍然正常工作。系統(tǒng)仍然正常工作。B) 系統(tǒng)不能正常工作系統(tǒng)不能正常工作C) Y5端所選擇的地址范圍能被照常訪(fǎng)問(wèn)端所選擇的地址范圍能被照常訪(fǎng)問(wèn)D) Y5端所選擇的地址范圍不能被訪(fǎng)問(wèn)端所選擇的地址范圍不能被訪(fǎng)問(wèn)D

5、) Y5端所選擇的地址范圍不能被訪(fǎng)問(wèn)端所選擇的地址范圍不能被訪(fǎng)問(wèn)7在如圖的譯碼電路中，為了使每個(gè)輸出端接在如圖的譯碼電路中，為了使每個(gè)輸出端接到存儲(chǔ)器芯片的到存儲(chǔ)器芯片的CS端時(shí)，可以選中的地址范端時(shí)，可以選中的地址范圍是圍是4KB，則該圖中則該圖中C,B,A三端與三端與CPU的地的地址線(xiàn)的對(duì)應(yīng)連接可為址線(xiàn)的對(duì)應(yīng)連接可為_(kāi)。A) 僅僅A14, A13, A12B) 僅僅A12, A13, A14C) 僅僅A14, A12, A13 D)A12, A13, A14任意組合任意組合 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12, A13, A14任意組合任意組合8若要求若要求Y

6、4尋址的存儲(chǔ)器范圍為尋址的存儲(chǔ)器范圍為8800H8FFFH，則則B，C端應(yīng)分別接端應(yīng)分別接_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11 上題中，若要求上題中，若要求Y4尋址尋址的的I/O端口地址范圍為端口地址范圍為0800H0FFFH，則須相則須相互調(diào)換的引腳信號(hào)應(yīng)為互調(diào)換的引腳信號(hào)應(yīng)為_(kāi)。 M/IO，A15 9使用使用256KB4的存儲(chǔ)器芯片組成的存儲(chǔ)器芯片組成1MB的存的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其地址線(xiàn)至少需要儲(chǔ)器系統(tǒng)，其地址線(xiàn)至少需要_條條 20 在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，地址線(xiàn)有效和數(shù)在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)時(shí)，地址線(xiàn)有效和數(shù)據(jù)線(xiàn)有效的時(shí)間關(guān)系應(yīng)為據(jù)線(xiàn)有效的時(shí)間關(guān)系應(yīng)為_(kāi)

7、。A) 同時(shí)有效同時(shí)無(wú)效同時(shí)有效同時(shí)無(wú)效 B) 地址線(xiàn)較先有效地址線(xiàn)較先有效C) 數(shù)據(jù)線(xiàn)較先有效數(shù)據(jù)線(xiàn)較先有效 B) 地址線(xiàn)較先有效地址線(xiàn)較先有效10如圖是如圖是8片片4K8位的位的RAM構(gòu)成的一個(gè)隨機(jī)構(gòu)成的一個(gè)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，如果存取存儲(chǔ)器，如果A14A13A12分別為分別為000111時(shí)，則分別被選中的存儲(chǔ)區(qū)域（范圍）的十時(shí)，則分別被選中的存儲(chǔ)區(qū)域（范圍）的十六機(jī)制表示是六機(jī)制表示是_。 RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0A11MEMRA14A13A12000 地址為地址為0000H0FFFH A14A13A12001地址為地址為1000H1

8、FFFH 11現(xiàn)有現(xiàn)有4K8位的位的RAM和和ROM存儲(chǔ)器芯片各存儲(chǔ)器芯片各一片，其地址線(xiàn)連接方法如圖一片，其地址線(xiàn)連接方法如圖P88所示。在所示。在正常情況下，正常情況下，ROM所占的地址空間為所占的地址空間為 _，RAM所占的地址空間為所占的地址空間為_(kāi)。 ROMCSA14A0A11A15MEMRD0D7A0 A11RAMCSMEMRD0D7A0 A11數(shù)據(jù)總線(xiàn)數(shù)據(jù)總線(xiàn)MEMW4000H7FFFH8000HBFFFH12 PROM存儲(chǔ)器是指存儲(chǔ)器是指_。A) 可以讀寫(xiě)的存儲(chǔ)器可以讀寫(xiě)的存儲(chǔ)器B) 可以由用戶(hù)一次性寫(xiě)入的存儲(chǔ)器可以由用戶(hù)一次性寫(xiě)入的存儲(chǔ)器C) 可以由用戶(hù)反復(fù)多次寫(xiě)入的存儲(chǔ)器可

9、以由用戶(hù)反復(fù)多次寫(xiě)入的存儲(chǔ)器D) 用戶(hù)不能寫(xiě)入的存儲(chǔ)器用戶(hù)不能寫(xiě)入的存儲(chǔ)器B) 可以由用戶(hù)一次性寫(xiě)入的存儲(chǔ)器可以由用戶(hù)一次性寫(xiě)入的存儲(chǔ)器13 在在Intel2164動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器中，對(duì)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器中，對(duì)存儲(chǔ)器的刷新方法是的刷新方法是_。A) 每次一個(gè)單元每次一個(gè)單元 B) 每次刷新每次刷新512個(gè)單元個(gè)單元C) 每次刷新每次刷新256個(gè)單元個(gè)單元D) 一次刷新全部單元一次刷新全部單元 B) 每次刷新每次刷新512個(gè)單元個(gè)單元14若用若用1片片74LS138、1片片6116RAM(2K8)及及2片片2732EPROM(4K8)組成存儲(chǔ)器電路，試組成存儲(chǔ)器電路，試問(wèn)：?jiǎn)枺?732的片內(nèi)地址線(xiàn)

10、是的片內(nèi)地址線(xiàn)是_根。根。 要求要求2片片2732的地址范圍為的地址范圍為0000H1FFFH，設(shè)高位地址線(xiàn)接至設(shè)高位地址線(xiàn)接至74LS138，此時(shí)此時(shí)A15及及A12的狀態(tài)是的狀態(tài)是_。 存儲(chǔ)器的總?cè)萘渴谴鎯?chǔ)器的總?cè)萘渴莀。A) A15=1,A12=0 B) A15=0,A12=0或或1C) A15=0, A12=1 D) A15=0,A12=0 10KB12 B) A15=0,A12=0或或115 下述下述EPROM的改寫(xiě)過(guò)程，正確的是的改寫(xiě)過(guò)程，正確的是_。A) 使使WR信號(hào)有效就可以改寫(xiě)信號(hào)有效就可以改寫(xiě)B(tài)) 先用高電壓擦除，再改寫(xiě)新數(shù)據(jù)先用高電壓擦除，再改寫(xiě)新數(shù)據(jù)C) 先用紫外線(xiàn)擦除

11、，再用高電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù)先用紫外線(xiàn)擦除，再用高電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù)D) 先用紫外線(xiàn)擦除，再用先用紫外線(xiàn)擦除，再用5V電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù)電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù) C) 先用紫外線(xiàn)擦除，再用高電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù)先用紫外線(xiàn)擦除，再用高電壓寫(xiě)新數(shù)據(jù)16 在進(jìn)行在進(jìn)行RAM擴(kuò)充實(shí)驗(yàn)時(shí)，某同學(xué)的接線(xiàn)出擴(kuò)充實(shí)驗(yàn)時(shí)，某同學(xué)的接線(xiàn)出現(xiàn)現(xiàn)_，但存儲(chǔ)器還能正常讀寫(xiě)。，但存儲(chǔ)器還能正常讀寫(xiě)。A) D1與與D5交換交換B) WR與與CS線(xiàn)交換線(xiàn)交換C) D1與與A1交換交換D) 5V電源線(xiàn)與地線(xiàn)交換電源線(xiàn)與地線(xiàn)交換 A) D1與與D5交換交換在進(jìn)行在進(jìn)行EPROM擴(kuò)充實(shí)驗(yàn)時(shí)，某同學(xué)發(fā)現(xiàn)讀擴(kuò)充實(shí)驗(yàn)時(shí)，某同學(xué)發(fā)現(xiàn)讀出的所有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即出的所

12、有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即D2位總是為位總是為1，這說(shuō)明發(fā)生了，這說(shuō)明發(fā)生了_。 A) 接至接至D2的線(xiàn)已斷的線(xiàn)已斷B) 電源沒(méi)有接地電源沒(méi)有接地C) D2接至接至A2D) D2與與A2交換交換 A) 接至接至D2的線(xiàn)已斷的線(xiàn)已斷17某微機(jī)系統(tǒng)的部分接線(xiàn)如圖，在某微機(jī)系統(tǒng)的部分接線(xiàn)如圖，在8088系統(tǒng)中系統(tǒng)中, ,（a）應(yīng)接應(yīng)接_，（，（b）應(yīng)接應(yīng)接_，RAM芯芯片片II的地址范圍為的地址范圍為_(kāi)。 M/IO 經(jīng)反相的經(jīng)反相的M/IO FE800HFEFFFH 18若由若由1K1位的位的RAM芯片組成一個(gè)容量為芯片組成一個(gè)容量為8K字（字（16位）的存儲(chǔ)器時(shí)，需要該芯片數(shù)為位）的存儲(chǔ)器時(shí)

13、，需要該芯片數(shù)為_(kāi)。 128片片 某電路用某電路用12根地址線(xiàn)連接根地址線(xiàn)連接4片片RAM，第一第一片片 R A M 至 第 四 片至 第 四 片 R A M 的 地 址 分 別 為的 地 址 分 別 為0000H03FFH, 0400H07FFH, 0800H0BFFH, 0C00H0FFFH, 后發(fā)現(xiàn)存往第二片后發(fā)現(xiàn)存往第二片的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是_。A) A12斷線(xiàn)斷線(xiàn) B) A11斷線(xiàn)斷線(xiàn)C) A10斷線(xiàn)斷線(xiàn)D) A9斷線(xiàn)斷線(xiàn) B) A11斷線(xiàn)斷線(xiàn)19RAM的地址范圍是的地址范圍是_。為了使系統(tǒng)能夠正常工作，為了使系統(tǒng)能夠正常工作，2712

14、8芯片的芯片的A13引腳引腳應(yīng)接應(yīng)接_（高、低）電平。（高、低）電平。8255A口的地址是口的地址是_。D2000HD3FFFH 低電平低電平1101 1110020 已知已知6116RAM(2K8)的地址范圍為的地址范圍為0000H07FFH, 發(fā)現(xiàn)其中低發(fā)現(xiàn)其中低1K字節(jié)與高字節(jié)與高1K字節(jié)的每個(gè)對(duì)應(yīng)單元內(nèi)容相同字節(jié)的每個(gè)對(duì)應(yīng)單元內(nèi)容相同(即即0000H與與0400H內(nèi)容相同內(nèi)容相同,其余依次類(lèi)推其余依次類(lèi)推),其原因是其原因是_.A) 僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)與電源短路僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)與電源短路B) 僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)開(kāi)路僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)開(kāi)路C) 僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)與地短路僅片內(nèi)最高地址線(xiàn)與地短路D

15、) 以上三種情況都可能以上三種情況都可能 D) 以上三種情況都可能以上三種情況都可能 21 若某若某RAM芯片的地址線(xiàn)芯片的地址線(xiàn)A0與地短路，則與地短路，則_。A) 該芯片不能讀寫(xiě)數(shù)據(jù)該芯片不能讀寫(xiě)數(shù)據(jù)B) 會(huì)燒壞芯片會(huì)燒壞芯片C) 只能讀寫(xiě)偶地址單元只能讀寫(xiě)偶地址單元D) 只能讀寫(xiě)奇地址單元只能讀寫(xiě)奇地址單元 C) 只能讀寫(xiě)偶地址單元只能讀寫(xiě)偶地址單元22用用1K4存儲(chǔ)器芯片組成存儲(chǔ)器芯片組成16K8存儲(chǔ)器子系存儲(chǔ)器子系統(tǒng)時(shí)，需用地址線(xiàn)總數(shù)量最少為統(tǒng)時(shí)，需用地址線(xiàn)總數(shù)量最少為_(kāi)。 14根根一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的芯片的引腳有一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的芯片的引腳有A13A0、D3D0、WE、CE、CS、V

16、cc、GND等，等，該芯片的存儲(chǔ)容量是該芯片的存儲(chǔ)容量是_，用該芯片組，用該芯片組成一個(gè)成一個(gè)64KB的存儲(chǔ)器，需要的存儲(chǔ)器，需要_個(gè)獨(dú)立的片個(gè)獨(dú)立的片選信號(hào)。選信號(hào)。 16K4 4 23一個(gè)一個(gè)SRAM芯片，有芯片，有14條地址線(xiàn)和條地址線(xiàn)和8條數(shù)據(jù)線(xiàn)，條數(shù)據(jù)線(xiàn)，問(wèn)該芯片最多能儲(chǔ)存問(wèn)該芯片最多能儲(chǔ)存ASCII字符的個(gè)數(shù)為字符的個(gè)數(shù)為_(kāi)。 16384 采用與上題相同容量的采用與上題相同容量的DRAM芯片，則該芯芯片，則該芯片的地址線(xiàn)條數(shù)為片的地址線(xiàn)條數(shù)為_(kāi)。 7設(shè)某設(shè)某DRAM芯片的容量為芯片的容量為16KN（N為為4或或8），它的地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)分別是），它的地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)分別是_。 A0A6，D0D(N-1) 24A10A9A0A9A11A0D0D3D4D7IOM /譯譯碼碼器器I/O0WRWEI/O3CS2114(1)A9A0I/O0WEI/O3CS2114(2)8088Y2A9A0I/O0WEI/O3CS2114(3)A9