計(jì)算機(jī)組裝維護(hù)與維修電子教案5

1、計(jì)算機(jī)組裝、維護(hù)與維修教案（20152016學(xué)年第2學(xué)期）適用于計(jì)算機(jī)與非計(jì)算機(jī)專業(yè)院系（部）_ 班 級_ 教 師_教案首頁本次課標(biāo)題：內(nèi)存儲器授課日期2016.4.12授課班級2014級課 時(shí)2上課地點(diǎn)教學(xué)目標(biāo)能力目標(biāo)知識目標(biāo)內(nèi)存的分類與性能指標(biāo)內(nèi)存的選購內(nèi)存常見故障及排除了角內(nèi)存的分類與性能指標(biāo)了解內(nèi)存的選購掌握內(nèi)存常見故障及排除教學(xué)任務(wù)講解內(nèi)存的分類與性能指標(biāo)介紹內(nèi)存的選購使學(xué)生掌握內(nèi)存常見故障及排除重點(diǎn)難點(diǎn)內(nèi)存：ROM與RAM內(nèi)存的性能指標(biāo)：單位。存取速度、容量、數(shù)據(jù)寬度與帶寬、校驗(yàn)、電壓、SPD、等待時(shí)間CL、時(shí)鐘周期TCK、存取時(shí)間TAC、時(shí)序（一般存于SPD中由工作人員設(shè)定）內(nèi)存

2、的分類：SDRAM、DDR、DDRII、DDRIII內(nèi)存常見故障：測試軟件檢查軟故障 接觸不良、兼容性、主板參數(shù)設(shè)置問題、內(nèi)存本身質(zhì)量問題作業(yè)或考核課后練習(xí)題參考資料教學(xué)設(shè)計(jì) 步 驟教學(xué)內(nèi)容教師活動（方法與手段）學(xué)生活動時(shí)間分配1內(nèi)存的分類價(jià)紹5分鐘2性能指標(biāo)講解提問103內(nèi)存參數(shù)的技術(shù)指標(biāo)講解提問204故障，測試與排除講授并演示請學(xué)生操作15分鐘教學(xué)內(nèi)容內(nèi)存儲器認(rèn)識內(nèi)存儲器5.1.1 內(nèi)存的分類提問：內(nèi)存儲器包括哪些，它們各自的特點(diǎn)是什么？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：計(jì)算機(jī)存放程序和數(shù)據(jù)的倉庫稱為存儲器.計(jì)算機(jī)的存儲系統(tǒng)分為內(nèi)存和外存.1 隨機(jī)存取存儲器(RAM)：可讀出數(shù)據(jù)，又可寫入數(shù)

3、據(jù)，斷電后RAM中的內(nèi)容會全部丟失。2 只讀存儲器(ROM)：只能讀出數(shù)據(jù)，不能寫入數(shù)據(jù)，斷電后ROM中的內(nèi)容不會丟失。3 高速緩沖存儲器(Cache)： CPU 內(nèi)存5.1.2 內(nèi)存條的組成提問：請同學(xué)們仔細(xì)觀察內(nèi)存，看一看它上面有什么器件？（準(zhǔn)備若干內(nèi)存條）學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：內(nèi)存條主要由印刷電路板、內(nèi)存顆粒、SPD芯片、金手指等組成。 5.1.3 內(nèi)存條的分類提問：在現(xiàn)如今的電腦上還能看到什么類型的內(nèi)存？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：目前計(jì)算機(jī)中常用的內(nèi)存條主要有SDRAM 、DDR SDRAM 、DDR2 SDRAM 等三種類型。SDRAM和DDR內(nèi)存比較DDR和DDR2

4、內(nèi)存的比較5.1.4 內(nèi)存條的封裝提問：為什么看著有的內(nèi)存上面的芯片的外形差異很大？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP 、BGA 、CSP 等三種，封裝方式直接影響著內(nèi)存條性能優(yōu)劣。1TSOP封裝TOSP的特點(diǎn)就是可靠性比較高，是目前主流的封裝方式。2BGA封裝BGA它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。3CSP封裝CSP主要用于高頻DDR 內(nèi)存。5.1.5 內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)提問：內(nèi)存哪些指標(biāo)對電腦整機(jī)的性能影響比較大？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：1.內(nèi)存的品牌2.容量3.類型4.頻率內(nèi)存的頻率是指內(nèi)存工作的時(shí)鐘頻率，單位是赫茲（Hz）。5.延遲時(shí)間標(biāo)簽中的

5、“CL=2.5”表示的是該內(nèi)存的“延遲時(shí)間”。延遲時(shí)間是內(nèi)存的一個(gè)重要指標(biāo)，它主要包括CAS 延遲時(shí)間（簡稱CAS或CL）、RAS到CAS的延遲時(shí)間（簡稱tRCD）、RAS 預(yù)充電時(shí)間（簡稱tRP ）、RAS Active Time （簡稱RAS）等幾種。一般來說，延遲時(shí)間越短，那么內(nèi)存的工作速度越快。具體的排列順序是 “CAS-tRCD-tEcD-tRP-tRAS”。5.2制定選購方案：選購原則及分析提問：選購內(nèi)存時(shí)，如何確定種類、容量大小及速度指標(biāo)？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：一、根據(jù)主板的類型來確定內(nèi)存的種類。二、根據(jù)使用的操作系統(tǒng)及應(yīng)用軟件來確定內(nèi)存的大小。三、根據(jù)主板芯片組來確定

6、內(nèi)存的頻率。5.3 實(shí)戰(zhàn)：內(nèi)存條的選購提問：在購買內(nèi)存時(shí)要注意什么？學(xué)生思考、看書、回答；教師總結(jié)：內(nèi)存質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)地穩(wěn)定性，因此應(yīng)該掌握一些內(nèi)存的辨別方法。內(nèi)存市場的產(chǎn)品市場上常見內(nèi)存條可分為正品新貨、正品舊貨和次品三類。購買時(shí)的辨別看芯片、看PCB、看金手指及防偽標(biāo)貼、看包裝及保修卡 說明書和保修卡齊全。下面來看兩個(gè)典型：創(chuàng)見內(nèi)存標(biāo)簽這是創(chuàng)見內(nèi)存上的標(biāo)簽，只有簡單的“1GB DDR2 800”的字樣。如果這樣的內(nèi)存也能得到用戶的信任，那我就辭職當(dāng)商家去了，就找最便宜的兼容條進(jìn)貨，再印些這樣的標(biāo)簽，隨便貼哪都是個(gè)品牌，至少每根多賺20元吧。G.SKILL內(nèi)存標(biāo)簽正規(guī)的標(biāo)簽應(yīng)該

7、如何？G.SKILL給我們做了一個(gè)好榜樣，頻率、延遲、電壓一清二楚。當(dāng)然，G.SKILL也有不厚道的一面，把顆粒打磨了。內(nèi)存產(chǎn)品的核心顆粒（一）顆粒即是指內(nèi)存條上的RAM芯片，通常在業(yè)內(nèi)也叫做IC芯片或IC顆粒，是內(nèi)存條的核心部件。這里要糾正一個(gè)概念上的誤區(qū)，萌萌見過不少用戶把內(nèi)存品牌當(dāng)作顆粒品牌，這是相當(dāng)嚴(yán)重的錯(cuò)誤。雖然很多內(nèi)存條品牌都將顆粒上的標(biāo)識印刷成自身名稱，但實(shí)際上大部分內(nèi)存條品牌都不出產(chǎn)顆粒（關(guān)于這種remark的行為將在后文詳細(xì)闡述OCER觀點(diǎn)）。目前世界上出產(chǎn)DDR2內(nèi)存顆粒的主要廠家有：（排名不分先后）韓系：Hynix electronic（現(xiàn)代電子）、Samsung Ele

8、ctronic（三星電子）美系：Micron（鎂光）德系：Infineon（英飛凌）/Qimonda（奇夢達(dá)）臺系：Mosel（茂矽）、Nanya（南亞）、PSC（力晶）日系：Elpida（爾必達(dá)）很多品牌為了追求高利潤而掩蓋真相，往往將顆粒表面打磨成自身的品牌，甚至干脆抹去原有標(biāo)識留下一個(gè)黑底。A-DATA采用鎂光D9GMH顆粒的EE版本內(nèi)存眼神好的同學(xué)可以仔細(xì)觀察一下威剛拿來封裝的這批鎂光顆粒的流水線批號（小號），即在芯片左下角的4位字符。圖中展現(xiàn)出的幾個(gè)顆粒小號均不相同，可是顆粒周期卻都是6MD22。這到底寓意著什么呢？既然是超出默認(rèn)工作頻率的產(chǎn)品，廠商在制作前就有必要對其進(jìn)行篩選，那么

9、小號有差異能否證明是經(jīng)過篩選的呢？會不會有另一種可能：為了更低的價(jià)格拿到顆粒而去向晶圓廠訂購UTT或已經(jīng)被更有實(shí)力的大廠篩選過的那些白盤？我們只能替已經(jīng)選購了這款產(chǎn)品的同學(xué)祈禱不是這種可能了，因?yàn)橐磺卸贾皇遣聹y，但這些猜測并不是毫無依據(jù)。畢竟在我們測試過的眾多采用鎂光顆粒的內(nèi)存當(dāng)中，A-DATA的成績總是落后的。祝它一路走好！Y5是默認(rèn)DDR2-667 CL5的芯片以上只是理論真正的呢？更讓同學(xué)們驚訝的是直接加一馬甲通過了：請問，咱還能看到顆粒嗎？內(nèi)存品質(zhì)的體現(xiàn)延遲（一）在上個(gè)世紀(jì)就接觸電腦DIY的同學(xué)應(yīng)該對Rambus內(nèi)存還有印象，具有先進(jìn)串行總線技術(shù)的Rambus內(nèi)存最終只是曇花一現(xiàn)，結(jié)果

10、被DDR SDRAM迅速取代。除去價(jià)格因素，過高延遲導(dǎo)致的非連續(xù)性數(shù)據(jù)讀寫效能的低下，是Rambus落敗的主要原因。從隨機(jī)存儲器原理來說，每個(gè)數(shù)據(jù)的保存是利用晶體管的電容效應(yīng)來發(fā)生作用，而電容本身有充放電的時(shí)間，這就不可避免的出現(xiàn)時(shí)鐘延遲現(xiàn)象。權(quán)威檢測軟件CPU-Z中對Timings的詮釋目前看來，內(nèi)存的參數(shù)主要分為：Timings（基參、主參）與SubTimings（微參、小參）。而CPU-Z中可以體現(xiàn)的主要有：Frequency（頻率）；FSB：DRAM/CPU：DRAM（分頻比值）視Chipset而定；Timings：一、CAS#Latency；這是最重要的內(nèi)存參數(shù)之一，通常說明內(nèi)存參數(shù)

11、時(shí)把它放到第一位，例如4-3-2-5500MHz ，表示CL為4。一般設(shè)置3可以達(dá)到更好的性能，但5或以上能提供更佳的穩(wěn)定性。CAS表示列地址尋址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address

12、 Strobe）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從 CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。 這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。二、RAS# to CAS# Delay；這個(gè)是說明內(nèi)存參數(shù)時(shí)排到第二位的數(shù)值，例如4-3-2-5500MHz，表示tRCD為3。 該參數(shù)可以控制內(nèi)存行地址選通脈沖（RAS，

13、Row address Strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3或4甚至5、6。同樣的，調(diào)高此參數(shù)可以允許內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率上且達(dá)到更佳的性能，在內(nèi)存不穩(wěn)定時(shí)可以嘗試提高tRCD 。內(nèi)存品質(zhì)的體現(xiàn)延遲（二）三、RAS# Precharge；這個(gè)是說明內(nèi)存參數(shù)時(shí)排到第三位的數(shù)值，例如4-3-2-5500MHz，表示tR為2。 tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會導(dǎo)

14、致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。因此，在穩(wěn)定的前提下建議tRP設(shè)為2，萬一不夠穩(wěn)定就必須增加到3或4甚至5、6。四、Cycle Time（Tras）；這個(gè)選項(xiàng)控制內(nèi)存最小的行地址激活時(shí)鐘周期數(shù)（tRAS），它表示一個(gè)行地址從激活到復(fù)位的時(shí)間。tRAS過長，會嚴(yán)重影響性能。減少tRAS可以使得被激活的行地址更快的復(fù)位，然而，tRAS太短也會造成不夠時(shí)間完成一次突發(fā)傳送，數(shù)據(jù)會丟失或者覆蓋。最佳設(shè)置通常是越低越好。通常，tRAS應(yīng)該設(shè)為tCL+tRCD+2個(gè)時(shí)鐘周期。例如如果 tCL和tRCD分別為4和3個(gè)時(shí)鐘周期，則最佳的tRAS值為9。但如果產(chǎn)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)不穩(wěn)定，就必須提高tRAS值了。五、Command Rate；這是內(nèi)存中最重要的參數(shù)，但很多時(shí)候它并不在內(nèi)存時(shí)序中存在，更多是把它放在頻率后面。Intel Chipset主板BIOS中一般默認(rèn)2T，不會提供Command Rate選項(xiàng)說明：選擇2T是在混插不同品牌及型號的內(nèi)存時(shí)增加兼容性的一個(gè)好辦法。不少主板為保證更好的兼容性將其默認(rèn)設(shè)為2T，您可以根據(jù)自己手中內(nèi)存的體制來試著讓它盡量工作在1T下。（Intel平臺部分主板無法設(shè)置1/2T Command