集成運(yùn)放在使用中應(yīng)注意的問題_第1頁
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1、本文格式為Word版,下載可任意編輯集成運(yùn)放在使用中應(yīng)注意的問題 在集成運(yùn)算放大電路的應(yīng)用中,會(huì)遇到一些實(shí)際問題,假如對(duì)這些問題不了解和不設(shè)法解決,使用起來將非常困難,甚至根本不能工作。這些問題主要是,偏差調(diào)整、相位校正、愛護(hù)措施及性能擴(kuò)展等。一、偏差調(diào)整對(duì)一個(gè)單片集成運(yùn)放,總是要求輸入為零時(shí),輸出也為零。但在實(shí)際中往往做不到,主要緣由是運(yùn)放中第一級(jí)差動(dòng)放大電路存在著失調(diào)電壓和失調(diào)電流,以及使用過程中電路上某些不合理之處引起的。為了減小偏差電壓,就要求:(1)失調(diào)電壓、失調(diào)電流盡可能地??;(2)兩個(gè)輸入端的直流電阻肯定要相等;(3)輸入端總串聯(lián)電阻(RS1、RS2)不能過大;(4)偏流應(yīng)盡可能

2、的減小。這幾條減小偏差的要點(diǎn)是使用運(yùn)放中非常重要的問題。實(shí)際運(yùn)放都有偏差調(diào)整端子,如F007中的、端子,圖Z0607中的RW就是凋零電位器。這里要留意偏差調(diào)整電路(調(diào)零電路)僅能人為做到零輸入時(shí)零輸出,而溫度變化產(chǎn)生的失調(diào)溫漂并不能通過調(diào)零電路來消退。二、相位校正由于集成運(yùn)放是一個(gè)高增益的多級(jí)放大器,雖然它是在負(fù)反饋條件下工作的,但由于在高頻區(qū)將產(chǎn)生附加相移,這就可能使負(fù)反饋?zhàn)優(yōu)檎答?,此時(shí),如反饋深度較深,即 1,就會(huì)產(chǎn)生自激振蕩,從而使運(yùn)放無法穩(wěn)定地工作。要保證電路穩(wěn)定地工作,就必需設(shè)法破壞自激振蕩條件,即要做到當(dāng) 1時(shí),總相移小于180°或當(dāng)總相移等于180°時(shí),使

3、1。在電路中人為地加一些"校正網(wǎng)絡(luò)"來轉(zhuǎn)變電路的相頻特性或幅頻特性,破壞自激條件,這就是相位校正或相位補(bǔ)償技術(shù)。相位校正的方法許多,常用的有積分校正,微分校正等。積分校正的主導(dǎo)思想是壓低高頻放大倍數(shù),使發(fā)生自激的那些點(diǎn)四周的放大倍數(shù)壓得很低,從而破壞 1的條件。詳細(xì)方法是在運(yùn)放電路的某一級(jí)加"壓低電容"CX,或加Rc串聯(lián)校正網(wǎng)絡(luò)。RC或CX一般接在集電極與基極之間(如圖Z0607中的8、9端),這時(shí),小電容可以起到大電容的作用,因而可將補(bǔ)償電容集成在整個(gè)運(yùn)放電路之中。一般運(yùn)放出廠時(shí),廠家都己給出相位校正端子及不同閉環(huán)增益下補(bǔ)償元件的數(shù)據(jù),可由產(chǎn)品手冊(cè)上查

4、到。微分校正的主導(dǎo)思想是供應(yīng)一個(gè)超前的相移,以抵消滯后的相移,從而使 1時(shí)總相移小于180°。當(dāng)微分網(wǎng)絡(luò)加在開環(huán)電路里面時(shí),則供應(yīng)一個(gè)超前相移,抵消開環(huán)特性的附加相移;當(dāng)加到反饋支路時(shí),則在反饋系數(shù) 中供應(yīng)一個(gè)超前相移,以抵消滯后相移。三、愛護(hù)措施集成運(yùn)放的電源電壓接反或電源電壓突變,輸入電壓過大,輸出短路等,都可能造成運(yùn)放損壞,因此,使用時(shí)必需實(shí)行適當(dāng)?shù)膼圩o(hù)措施。為了防止電源反接造成故障,可在電源引線上串入愛護(hù)二極管,使得當(dāng)電源極性接反時(shí),二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。為了防止差?;蚬材]斎腚妷哼^高,而產(chǎn)生自鎖故障(信號(hào)或干擾過大導(dǎo)致輸出電壓突然增高,接近于電源電壓,此時(shí)不能調(diào)零,但集成運(yùn)放不肯定損壞),可在輸入端加一限幅愛護(hù)電路,使過大的信號(hào)或干擾不能進(jìn)入電路。為了防止輸出端遇到高壓而擊穿或輸出端短路造成電流過大,可在輸出端增加過壓愛護(hù)電路和限流愛護(hù)電路。四、性能擴(kuò)展實(shí)際運(yùn)放的某些參數(shù)有時(shí)不能滿意實(shí)際電路中的要求,如有時(shí)需要有較高的輸入電阻、有時(shí)需要有較大的輸出功率,有時(shí)需要高速低漂移等,

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