大學物理下公式方法歸納

1、大學物理下歸納總結電學根本要求：1 .會求解描述靜電場的兩個重要物理量：電場強度E和電勢V.2 .掌握描述靜電場的重要定理：高斯定理和安培環(huán)路定理公式內(nèi)容及物理意義.3 .掌握導體的靜電平衡及應用；介質(zhì)的極化機理及介質(zhì)中的高斯定理.主要公式：一、電場強度1 .點電荷場強：E-qer40r計算場強的方法3種1、點電荷場的場強及疊加原理點電荷系場強：E丹i40ri連續(xù)帶電體場強：EQ40r五步走積分法建立坐標系、取電荷元、寫dE、分解、積分2、靜電場高斯定理：表達式:eEdSs物理意義：說明靜電場中,通過任意閉合曲面的電通量電場強度沿任意閉合曲面的面積分,等于該曲面內(nèi)包圍的電荷代數(shù)和除以0.對稱性

2、帶電體場強：用高斯定理求解e%EdS二03、利用電場和電勢關系：,Exx二、電勢l2AqoUqoEdll1電勢及定義：1 .電場力做功:2 .靜電場安培環(huán)路定理：靜電場的保守性質(zhì)表達式：Edl0物理意義：說明靜電場中,電場強度沿任意閉合路徑的線積分為0Po.B3 .電勢：UaEdlUpo0；電勢差：UabEdlAa電勢的計算：1,點電荷場的電勢及疊加原理點電荷電勢：V一一4or點電荷系電勢：U.i4ori連續(xù)帶電體電勢：VdV言四步走積分法建立坐標系、取電荷元、寫dV、積分2.場強分布求電勢：定義法EdllvoEdrp、靜電場中的導體及電介質(zhì)1.弄清靜電平衡條件及靜電平衡下導體的性質(zhì)一乙.一,

3、八.一,一一、v.2 .了解電介質(zhì)極化機理,及描述極化的物理量一電極化強度P,會vvv用介質(zhì)中的高斯定理,求對稱或分區(qū)均勻問題中的D,E,P及界面處的束縛電荷面密度.3 .會按電容的定義式計算電容.典型帶電體系的場強典型帶電體系的電勢均勻帶電球面E0球面內(nèi)E球面外40r均勻帶電球面U340R均勻帶電直線E(cos1cos2)4o無限長：E20r均勻帶電無限長直線lnaU2.Ua0均勻帶電無限大平面E20均勻帶電無限大平面dUEd20磁學恒定磁場非保守力場根本要求：1.熟悉畢奧-薩伐爾定律的應用,會用右手螺旋法那么求磁感應強度方向；3 .掌握描述磁場的兩個重要定理：高斯定理和安培環(huán)路定理公式內(nèi)容

4、及物理意義；并會用環(huán)路定理計算規(guī)那么電流的磁感應強度；4 .會求解載流導線在磁場中所受安培力；5 .理解介質(zhì)的磁化機理,會用介質(zhì)中的環(huán)路定律計算H及B.主要公式：1.畢奧-薩伐爾定律表達式：dB,叫亙4r21有限長載流直與線,垂直距離r處磁感應強度：Bcos1cos24r其中1和2分別是起點及終點的電流方向與到場點連線方向之間的夾角.無限長載流直導線,垂直距離r處磁感應強度：b20I半無限長載流直導線,過端點垂線上且垂直距離r處磁感應強度:2圓形載流線圈,半徑為R,在圓心O處：b0a2R半圓形載流線圈,半徑為R,在圓心O處:BoIB04R3螺線管及螺繞環(huán)內(nèi)部磁場自己看書,把公式記住2 .磁場高

5、斯定理：表達式：m：BdS0無源場由于磁場線是閉合曲線,從閉合曲面一側(cè)穿入,必從另一側(cè)穿出.物理意義：說明穩(wěn)恒磁場中,通過任意閉合曲面的磁通量磁場強度沿任意閉合曲面的面積分等于0.3 .磁場安培環(huán)路定理：口lBdl0I有旋場表達式：Bdl0I物理意義：說明穩(wěn)恒磁場中,磁感應強度B沿任意閉合路徑的線積分,等于該路徑內(nèi)包圍的電流代數(shù)和的0倍.0稱真空磁刀率4 .洛倫茲力及安培力1洛倫茲力：FqvB磁場對運動電荷的作用力2安培力：FlIdlB方向沿IdlB方向,或用左手定那么判定積分法五步走：1.建坐標系；2.取電流元Idl；3.寫dFIdlBsin；4.分解;5.積分.3載流閉合線圈所受磁力矩：M

6、=mB要理解磁矩的定義及意義5 .介質(zhì)中的磁場1介質(zhì)的磁化機理及三種磁介質(zhì)2有磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理：HdlI電磁感應根本要求：1. 理解法拉第電磁感應定律和楞次定律的內(nèi)容及物理意義；2. 會求解感應電動勢及動生電動勢的大小和方向；了解自感及互感；3. 掌握麥克斯韋方程組及意義,了解電磁波.主要公式：1 .法拉第電磁感應定律：L,會用楞次定律判斷感應電動勢方dt向.2 .動生電動勢-Bdl|vBsindlcos是v與B的夾角；是vB的方向與L方向的夾角.注：感應電動勢的方向沿vB的方向,從低電勢指向高電勢.3 .感生電動勢及感生電場：-dldS;Lst4 .麥克斯韋方程組及電磁波：_qi1sEd

7、S-VdV00：BdS0sEdl-BdS變化的磁場產(chǎn)生電場LStHdlJ.dS-ydS變化的電場產(chǎn)生磁場LSSt波動光學根本要求：掌握楊氏雙縫干預、單縫衍射、劈尖干預、光柵衍射公式；理解光程差的含義與半波損失發(fā)生條件及增透膜、增反膜原理；主要公式：1 .光程差與半波損失光程差：幾何光程乘以折射率之差：rvin2r2半波損失：當入射光從折射率較小的光疏介質(zhì)投射到折射率較大的光疏密介質(zhì)外表時,反射光比入射光有的相位突變,即光程發(fā)生鼻的躍變.假設兩束相干光中一束發(fā)生半波損失,而另一束沒有,那么附加-的光程差；2假設兩有或兩無,那么無附加光程差.2 .楊氏雙縫干預：D-縫屏距；d-雙縫間距；k-級數(shù)明

8、紋公式：Xk明kDd暗紋公式：xk暗2k12d相鄰條紋間距：xDd條紋特征：明暗相間均勻等間距直條紋,中央為零級明紋.條紋間距x與縫屏距D成正比,與入射光波長成正比,與雙縫間距d成反比3 .會分析薄膜干預例如增透膜增反膜,劈尖牛頓環(huán)等4.單縫衍射：f-透鏡焦距;a-單縫寬度;k-級數(shù)(2k1)f2a明紋公式:asin2k1一,Xk明2暗紋公式:asink,xk暗ka中央明紋寬度：lo2fa其它條紋寬度：lfa條紋特征：明暗相間直條紋,中央為零級明紋,寬度是其它條紋寬度的兩倍.條紋間距與透鏡焦距f成正比,與入射光波長成正比,與單縫寬度成反比.5 .衍射光柵：dab為光柵常數(shù),為衍射角光柵方程：a

9、bsink,k0,1,2,一,、一,、.,1a為透光局部,b不透光局部,d一,N為每米刻痕數(shù)N光柵明紋公式：dsink,Xk明kd第K級光譜張角：21第K級光譜線寬度：XX2X1ftg2tg1dsin1k1,dsin2k2,1400nm,紫光,2760nm紅光條紋特征：條紋既有干預又有衍射6 .光的偏振：為入射光強度,為兩偏振化方向夾角自然光通過偏振片:I10cos2馬口斯7E律：偏振光通過偏振片：I12布儒斯特角：認為入射角,為折射角,1ioarctgni當入射角滿足上述條件時,反射光為完全偏振光,且偏振化方向與入射面垂直；折射光為局部偏振光,且反射光線與折射光線垂直,即：io900量子物理根底主要內(nèi)容：1 .黑體輻射的實驗規(guī)律不能從經(jīng)典物理獲得解釋.普朗克提出了能量量子化假設,從而成功地解釋了黑體輻射的實驗規(guī)律,并導致了量力學的誕生和許多近代技術.量子概念：Eh2 .光電效應的實驗規(guī)律無法用光的波動理論解釋.愛因斯坦提出了光子假設.用愛因斯坦方程hV=mV/2+w解釋了實驗規(guī)律.康普頓散射也證實了光的量子性.3 .德布羅意波物質(zhì)波假設：任何實物粒子和光子一樣都具有波粒二象性.德布羅意關系