復(fù)習(xí)-固體物理

1、聲子: 晶格振動(dòng)是晶體中諸原子（離子）集體地在其平衡位置附近作振動(dòng)，由于原子間的相互作用力，各個(gè)原子的振動(dòng)不是彼此獨(dú)立的，表現(xiàn)為一系列的格波。格波的能量是量子化的，其最小單位也是hw，稱(chēng)聲子，它是一種玻色子。聲子是格波能量變化的最小單位，它并不是那個(gè)原子所有，而是某個(gè)格波能量的變化單位。聲子的性質(zhì): (1)聲子是一種準(zhǔn)粒子。(2)是一種自旋量子數(shù)為零的玻色子。(3)滿(mǎn)足動(dòng)量守恒與能量守恒定律。(4)聲子間互相碰撞改變狀態(tài)、消滅、形成新的聲子。聲子與聲子的作用：產(chǎn)生或湮滅，倒過(guò)程，產(chǎn)生熱導(dǎo)與熱阻。熱傳導(dǎo)的產(chǎn)生：固體熱傳導(dǎo)的能量載體包括電子，聲子和光子。溫度高處聲子濃度大，聲子將以聲速往溫度低處運(yùn)

2、動(dòng)，這就是聲子導(dǎo)熱過(guò)程。由于晶格作非簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)，聲子間會(huì)發(fā)生散射。倒格矢及其正格子的關(guān)系及其證明設(shè)倒格子的基矢為b1、b2、b3，倒格矢可表示為: 當(dāng)?shù)垢褡踊竍j（j = 1，2，3）與正格子基矢ai（i= 1，2，3）之間符合以下關(guān)系 式（1.1.7）自然滿(mǎn)足。以ai為基矢的格子與bj為基矢的格子，互為正倒格子。晶體中缺陷的產(chǎn)生分類(lèi)及其性質(zhì)缺陷是引起晶體中周期性畸變的區(qū)域。缺陷的形成或消失，都是通過(guò)與其它的缺陷（如位錯(cuò)、晶界、界面等）間相互作用來(lái)完成的，缺陷可以分為原子缺陷與電子缺陷兩大類(lèi)。使晶體中電子周期性勢(shì)場(chǎng)畸變的稱(chēng)電子缺陷；使原子排列周期性畸變的稱(chēng)原子缺陷。根據(jù)原子缺陷的線(xiàn)度可分為：點(diǎn)

3、缺陷、線(xiàn)缺陷、面缺陷、體缺陷、微缺陷、聲子布洛赫函數(shù)與布洛赫波及其性質(zhì)u(k,r)應(yīng)具有與晶格相同的周期性上式稱(chēng)布洛赫函數(shù)或布洛赫波物理意義：電子可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng)；不同點(diǎn)發(fā)現(xiàn)的幾率不同；電子出現(xiàn)在不同原胞的對(duì)應(yīng)點(diǎn)上幾率是相同的，是晶體周期性的反映。布洛赫函數(shù)的狀態(tài)由波矢決定。布洛赫波性質(zhì)這是一個(gè)調(diào)幅平面波。表明晶體中電子是公有化的：不同點(diǎn)發(fā)現(xiàn)的幾率不同；等同點(diǎn)或?qū)ΨQ(chēng)點(diǎn)發(fā)現(xiàn)電子幾率相同。能帶的產(chǎn)生及其性質(zhì)從能量的角度看，如果電子只有原子內(nèi)運(yùn)動(dòng)（孤立原子情況），電子的能量取分立的能級(jí)；若電子只有共有化運(yùn)動(dòng)（自由電子情況），電子的能量連續(xù)取值。由于晶體中電子的運(yùn)動(dòng)介于自由電子與孤立原子之間，既有

4、共有化運(yùn)動(dòng)也有原子內(nèi)運(yùn)動(dòng)，因此，電子的能量取值就表現(xiàn)為由能量的允帶和禁帶相間組成的能帶結(jié)構(gòu)。能帶論是如何處理晶體中電子的運(yùn)動(dòng)的？能帶論在處理晶體中電子運(yùn)動(dòng)時(shí)采用了3大近似：絕熱近似、單電子近似以及周期性勢(shì)場(chǎng)近似。金屬、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)滿(mǎn)帶中能級(jí)被電子占滿(mǎn)，對(duì)導(dǎo)電沒(méi)有貢獻(xiàn)，只有半滿(mǎn)帶才會(huì)做貢獻(xiàn)。金屬的導(dǎo)帶是半滿(mǎn)帶。對(duì)于絕緣體它的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，而導(dǎo)帶是空帶，由于禁帶寬度太大了，以至于價(jià)帶電子不能夠激發(fā)到導(dǎo)帶上。絕緣體不能導(dǎo)電。半導(dǎo)體，在絕對(duì)零度時(shí)，價(jià)帶是滿(mǎn)帶，而導(dǎo)帶是空帶，不能導(dǎo)電，當(dāng)外界條件（光照，熱激發(fā)等）改變時(shí)，半導(dǎo)體的禁帶寬度較小，可以把價(jià)帶頂?shù)碾娮蛹ぐl(fā)到導(dǎo)帶底，于是在導(dǎo)帶底

5、有了電子，價(jià)帶頂有了空穴，可參與導(dǎo)電。能帶圖如下：電阻的來(lái)源，主要的散射有哪些，有何特點(diǎn)實(shí)際晶體總是不完整的，點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)、雜質(zhì)、晶界、表面，聲子、疇（電疇與磁疇）和應(yīng)力，以及晶體中原子的熱運(yùn)動(dòng)，會(huì)使周期性勢(shì)場(chǎng)產(chǎn)生畸變，畸變的勢(shì)場(chǎng)對(duì)電子散射，形成電阻。玻爾茲曼方程的基本物理思想及應(yīng)用條件Boltzmann方程就是從能帶結(jié)構(gòu)出發(fā)，將碰撞的作用與分布函數(shù)相聯(lián)系，成為處理固體中輸運(yùn)現(xiàn)象的出發(fā)點(diǎn)。玻爾茲曼方程是求解穩(wěn)定態(tài)下的分布函數(shù)，當(dāng)求得后就可以對(duì)穩(wěn)定系統(tǒng)求各種物理量統(tǒng)計(jì)平均。玻爾茲曼方程應(yīng)用條件：散射過(guò)程是局部的，并在空間某一點(diǎn)發(fā)生，故散射是局域的。在時(shí)間上也是局域的。散射非常弱，電場(chǎng)也比較弱。考

6、慮的尺度小于電子的平均時(shí)間的事件。傳導(dǎo)電子:金屬在外電場(chǎng)作用下，可以改變狀態(tài)的只是費(fèi)米能級(jí)附近的電子，這些電子在金屬中可對(duì)電流作出貢獻(xiàn)的電子稱(chēng)傳導(dǎo)電子。傳導(dǎo)電子分布特點(diǎn)：外加電場(chǎng)后分布函數(shù)為上式的物理意義是在外電場(chǎng)作用下分布函數(shù)是在原先的費(fèi)米分布函數(shù)在沿著電場(chǎng)反方向發(fā)生一個(gè)整體的平移（Dk）。定性解釋金屬的電阻隨溫度變化實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象電導(dǎo)由載流子濃度和遷移率的乘積決定。在金屬中可以認(rèn)為載流子濃度不隨溫度而變化，因此金屬的電導(dǎo)的改變主要由遷移率決定。根據(jù)馬德森規(guī)則，金屬的遷移率由晶格振動(dòng)（聲子）與其它缺陷所決定，金屬的電阻率r可以表示為 r = rr+ri(T) 其中rr為電子與雜質(zhì)等缺陷散射產(chǎn)生的電

7、阻，與溫度無(wú)關(guān)。在低溫下，當(dāng)ri(T)非常小時(shí)，rr成為電阻的主要部分，一般稱(chēng)為剩余電阻率。ri(T)為電子與聲子間的散射，與溫度有密切相關(guān)：對(duì)于結(jié)構(gòu)完整的晶體，ri(T)總是存在， ri(T)稱(chēng)為理想電阻率。當(dāng)T > 0.5 TD時(shí)，聲子數(shù)正比于溫度,因此，金屬在高溫下電阻率同溫度成正比的關(guān)系。在很低的溫度，即T < 0.1TD，當(dāng)T>>TD，U過(guò)程如電子被聲子q 所散射，導(dǎo)致電子從k 態(tài)到k態(tài)，能量守恒要求正常散射，N 過(guò)程倒逆散射，U過(guò)程散射使聲子傳播方向發(fā)生了倒轉(zhuǎn)，故稱(chēng)為倒逆過(guò)程或U過(guò)程。電子-聲子散射的基本概念及物理圖像只考慮電子聲子相互作用，電子面對(duì)的不是靜

8、止晶格，都在與聲子相互作用中考慮。電阻就是聲子與電子的相互作用的散射機(jī)制;電子散射：電子從外場(chǎng)中吸收能量，受聲子散射，與晶格交換能量,與晶格相互作用，激發(fā)晶格振動(dòng)聲子,電子通過(guò)這種形式，將能量傳遞給聲子；當(dāng)然也可以反過(guò)來(lái)，電子從晶格中吸收能量。能量傳遞不是主要的，主要是通過(guò)改變動(dòng)量，達(dá)到平衡時(shí)，形成穩(wěn)定電流本征、摻雜半導(dǎo)體的基本概念本征半導(dǎo)體中的電子是由價(jià)帶電子往導(dǎo)帶躍遷而來(lái)，故np。半導(dǎo)體和絕緣體都可以通過(guò)摻雜來(lái)提高其電導(dǎo)率。從能帶論的角度來(lái)看，雜質(zhì)可能在禁帶內(nèi)產(chǎn)生一系列的附加能級(jí)，有的離開(kāi)導(dǎo)帶和價(jià)帶比較近的，稱(chēng)淺能級(jí)；也有位于禁帶中間位置（離開(kāi)價(jià)帶頂或?qū)У妆容^遠(yuǎn)）稱(chēng)深能級(jí)。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的能

9、帶特點(diǎn)簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：如果半導(dǎo)體的施主（受主）雜質(zhì)濃度非常高，施主（受主）雜質(zhì)的波函數(shù)發(fā)生明顯的重疊，能級(jí)分裂為能帶，并可能與導(dǎo)帶（價(jià)帶）發(fā)生重疊，這時(shí)費(fèi)米能級(jí)也會(huì)進(jìn)入導(dǎo)帶（價(jià)帶）。稱(chēng)為簡(jiǎn)并（degnerate）半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中的位置可以通過(guò)摻雜來(lái)移動(dòng)。當(dāng)雜質(zhì)濃度非常高時(shí)，就成為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)可能進(jìn)入導(dǎo)帶或價(jià)帶。非平衡載流子、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)基本概念非平衡載流子是外界作用下才存在，外界因素消除后將逐步消失。產(chǎn)生非平衡載流子的方法：光照、注入、激子復(fù)合、從載流子本身來(lái)看，非平衡載流子與平衡載流子無(wú)太大區(qū)別。非平衡載流子是從數(shù)量上考慮的。非平衡載流子濃度隨時(shí)間按指數(shù)的衰減規(guī)律。非平衡載

10、流子復(fù)合過(guò)程大致可以分為兩種：直接復(fù)合。電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間直接躍遷引起電子和空穴的直接復(fù)合；間接復(fù)合。電子和空穴通過(guò)禁帶的能級(jí)(復(fù)合中心)進(jìn)行復(fù)合。根據(jù)復(fù)合的位置，又可區(qū)分為體內(nèi)復(fù)合與表面復(fù)合兩種形式。載流子復(fù)合時(shí)，一定要釋放出多余的能量，放出能量的方式有三種：發(fā)射光子。伴隨著復(fù)合將有發(fā)光現(xiàn)象，常稱(chēng)為發(fā)光復(fù)合；發(fā)射聲子。載流子將多余的能量傳給晶格，加強(qiáng)晶格振動(dòng)；將能量給予其它載流子，增加它們的動(dòng)能，稱(chēng)為俄歇復(fù)合。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：在有非平衡載流子存在時(shí)，系統(tǒng)是一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。從導(dǎo)帶（電子）和價(jià)帶（空穴）來(lái)看，是兩個(gè)子系統(tǒng)。引入準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)后，非平衡狀態(tài)下的載流子濃度也可以用與平衡載流子濃度類(lèi)似的公式來(lái)

11、表示。非平衡載流子越多，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)就偏離EF越遠(yuǎn)。但是EnF及EpF偏離EF的程度是不同的強(qiáng)場(chǎng)下半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)有哪些效應(yīng)、各有何特點(diǎn)和應(yīng)用1.強(qiáng)電場(chǎng)下漂移速度的飽和：在強(qiáng)電場(chǎng)下，載流子的遷移率會(huì)偏離恒定值，漂移速度vd將不再與電場(chǎng)成正比，逐漸趨向飽和。2.熱載流子的產(chǎn)生：強(qiáng)電場(chǎng)下，電子從外場(chǎng)獲得的能量來(lái)不及交給晶格，使得它的能量不斷的增加，此時(shí)電子的溫度Te>T，這些電子就稱(chēng)為熱電子。3.熱載流子對(duì)器件的影響：熱載流子為高速運(yùn)動(dòng)的粒子，所以能使器件的速度與工作頻率增加。熱電子通常能量高，它不再處于導(dǎo)帶底。由于它具有很高的能量，會(huì)產(chǎn)生對(duì)器件不利的影響：穿過(guò)柵極形成柵流；注入SiO2層被陷

12、形成空間電荷；打斷Si-O,Si-H鍵形成界面態(tài)。4.強(qiáng)電場(chǎng)下的能谷電子：在電場(chǎng)作用下，由于有效質(zhì)量不同，不同能谷中的電子將受到不同的“加熱”。在多谷帶材料中，由于各等價(jià)谷的不等效加熱及等價(jià)谷間的電子轉(zhuǎn)移，可導(dǎo)致一些強(qiáng)電場(chǎng)現(xiàn)象。如遷移率各向異性，GaAs中的電子轉(zhuǎn)移效應(yīng)。 6. 動(dòng)量弛豫和能量弛豫 ：動(dòng)量弛豫時(shí)間與能量弛豫時(shí)間對(duì)低能電子是一樣的。但對(duì)熱電子，通常能量弛豫時(shí)間大于動(dòng)量弛豫時(shí)間。一般情況聲學(xué)聲子散射決定動(dòng)量弛豫，對(duì)于能量弛豫來(lái)說(shuō)，光學(xué)聲子散射起主要作用， 7. 漂移速度過(guò)沖：產(chǎn)生速度過(guò)沖的條件為：強(qiáng)電場(chǎng)； tE>>tm；渡越空間小。速度過(guò)沖帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)之一是縮短MOSFE

13、T的渡越時(shí)間。 表面、界面態(tài)，釘扎作用表面（界面）態(tài)是由于交界處周期性勢(shì)場(chǎng)的突然中斷或嚴(yán)重畸變、以及外來(lái)雜質(zhì)在表面界面處的吸附或偏析而產(chǎn)生的附加的一些能級(jí)或能帶。在表面-體內(nèi)平衡時(shí)，材料的體費(fèi)米能級(jí)都是往表面（界面）態(tài)的費(fèi)米靠攏，這種現(xiàn)象稱(chēng)表面（界面）費(fèi)米能級(jí)的釘扎（pinning）作用。當(dāng)金-半的功函數(shù)不等時(shí)，平衡時(shí)的費(fèi)米能級(jí)的位置，主要由 EFS來(lái)決定，半導(dǎo)體表面（金-半界面）的勢(shì)壘高度接近于表面勢(shì)壘f0，此現(xiàn)象稱(chēng)表面（界面）費(fèi)米能級(jí)的釘扎作用，又稱(chēng)表面（界面）態(tài)的屏蔽作用。獲取歐姆接觸的方法金屬-半導(dǎo)體接觸時(shí)，當(dāng)交界處的阻抗比半導(dǎo)體體內(nèi)的串聯(lián)電阻小得多從而可以忽略時(shí)，這種接觸稱(chēng)歐姆接觸。

14、與N-型半導(dǎo)體形成歐姆接觸的條件是：fm < fs，交界區(qū)就形成了一個(gè)電子積累區(qū)。與P-型半導(dǎo)體形成歐姆接觸的條件，為fm > fs，這時(shí)在交界區(qū)形成的是空穴積累區(qū)。接觸時(shí)即使?jié)M足fm < fs（EF m> EFs ）條件，電子要由金屬往半導(dǎo)體中流動(dòng)，這些電子大都被表面界面態(tài)所接受，因而界面區(qū)并不存在什么積累區(qū)，而是有個(gè)高度為f0的勢(shì)壘，會(huì)產(chǎn)生明顯的接觸電阻。要減小接觸區(qū)接觸電阻的最有效方法就是削弱這個(gè)勢(shì)壘的作用。目前通常采用的以下兩種方法：1. 減薄勢(shì)壘，重?fù)诫s形成N+或P+來(lái)制作歐姆接觸。2. 接觸區(qū)形成復(fù)合中心，經(jīng)常對(duì)一些樣品的表面進(jìn)行打磨、噴沙等操作，形成了表面

15、損傷和晶格缺陷，這些都可以產(chǎn)生復(fù)合中心；焊料中的一些過(guò)渡金屬原子，在焊接過(guò)程中，擴(kuò)散到材料的表面區(qū)形成多重能級(jí)，也能有效也起著復(fù)合中心的作用。對(duì)比導(dǎo)電機(jī)制的特點(diǎn)（直接隧穿、FN隧穿、肖特基發(fā)射、PF發(fā)射），注意物理圖像直接隧穿：電場(chǎng)使勢(shì)壘變窄，電子將發(fā)生隧穿效應(yīng)。電子不用越過(guò)勢(shì)壘，可從費(fèi)米能級(jí)直接穿透到半導(dǎo)體。FN隧穿: 電子從金屬的費(fèi)米能級(jí)上的隧穿發(fā)射. 電流隨電場(chǎng)強(qiáng)度e增加作指數(shù)式的增加，而與溫度關(guān)系并不太大。 肖特基效應(yīng)（發(fā)射）:如果存在外電場(chǎng)，它與電像力的共同作用下，能使勢(shì)壘降低。這種情況稱(chēng)。在肖特基發(fā)射的機(jī)理中，電子仍需越過(guò)勢(shì)壘，不過(guò)勢(shì)壘的高度比沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)低。電子的發(fā)射機(jī)理仍是熱電子

16、發(fā)射。故肖特基發(fā)射稱(chēng)場(chǎng)助熱電子發(fā)射。PF發(fā)射:在比較高的溫度下，金屬中可能有相當(dāng)數(shù)量的電子，被激發(fā)到費(fèi)米能級(jí)之上，這些電子在進(jìn)行隧穿時(shí)，遇到的勢(shì)壘寬度將會(huì)下降，電子的隧穿幾率增加，這時(shí)發(fā)射的電子，稱(chēng)熱電子場(chǎng)致發(fā)射?？臻g電荷限電流（SCLC）的J-V關(guān)系特點(diǎn)及其轉(zhuǎn)變當(dāng)材料完整性和純度十分高時(shí)，可以暫不考慮陷阱的影響。在小偏壓下，當(dāng)熱載流子在外場(chǎng)作用下產(chǎn)生的漂移電流比莫特-古夸（child）電流大得多，電導(dǎo)以歐姆型為主，JV；當(dāng)偏壓超過(guò)轉(zhuǎn)變電壓V時(shí)，電流主要是空間電荷限制電流，此時(shí)JV2。在本征半導(dǎo)體或絕緣體中，熱載流子都是比較小，故在較小電壓下就會(huì)產(chǎn)生空間電荷限制電流。有陷阱時(shí)I-V說(shuō)明：當(dāng)陷阱

17、為淺陷阱時(shí)，電壓逐漸增大，注入載流子濃度大于熱激發(fā)載流子濃度時(shí)，仍然會(huì)出現(xiàn)上述無(wú)陷阱規(guī)律中的轉(zhuǎn)變電壓，導(dǎo)電規(guī)律由歐姆導(dǎo)電規(guī)律變成空間電荷限制電流律。有陷阱存在時(shí)，當(dāng)電壓繼續(xù)增大，如果將陷阱全部填滿(mǎn)，此時(shí)為陷阱填充限制壓電壓VTFL,電流就迅速?gòu)牡偷南葳逑拗齐娏魈礁叩臒o(wú)陷阱的空間電荷限制電流值。當(dāng)陷阱為深陷阱時(shí)，全部注入的載流子將首先用于填充陷阱，在VTFL時(shí)全部陷阱都被填滿(mǎn)，因此也可以認(rèn)為VTFL是開(kāi)始從歐姆至空間電荷限制電導(dǎo)過(guò)渡電壓，即V。磁電子學(xué)基本概念磁致電阻效應(yīng)：在通有電流的金屬或半導(dǎo)體上施加磁場(chǎng)時(shí)，其電阻值將發(fā)生明顯變化，這種現(xiàn)象稱(chēng)為磁致電阻效應(yīng)。巨磁電阻效應(yīng)：在一定磁場(chǎng)下電阻急劇

18、變化，其變化的幅度比通常磁性金屬、合金材料的磁電阻約高10余倍，稱(chēng)為巨磁電阻效應(yīng)介觀態(tài)基本概念特點(diǎn)介于宏觀與微觀的狀態(tài)稱(chēng)介觀態(tài)。從尺寸上看，它可以是介于微米到納米的范圍。介觀系統(tǒng)的特點(diǎn)：粒子保持相位相干性，系統(tǒng)的線(xiàn)度小于位相相干長(zhǎng)度；是微觀尺度的1001000倍，包含約1081011個(gè)微觀粒子；電子能級(jí)之間的距離與低溫（例如1K）下的kT的數(shù)量級(jí)相近。自平均的消失，樣品的個(gè)性表現(xiàn)出來(lái)。 通常出現(xiàn)是在低溫與高純度的樣品中?？捎秒妷?，電流表能測(cè)量出物質(zhì)的量子效應(yīng)！ 費(fèi)米面波長(zhǎng)：費(fèi)米面附近的電子的德布羅意波長(zhǎng) 。當(dāng)系統(tǒng)的尺度接近費(fèi)米波長(zhǎng)時(shí)，粒子的量子漲落非常強(qiáng)；而當(dāng)尺度遠(yuǎn)大于費(fèi)米波長(zhǎng)時(shí)，粒子的量子漲

19、落相對(duì)較弱。這時(shí)，它的量子相干性很容易受到破壞。費(fèi)米波長(zhǎng)可用來(lái)表示特征長(zhǎng)度。電子的平均自由程 ：從一個(gè)動(dòng)量本征態(tài)被散射到另一個(gè)動(dòng)量本征態(tài)之間的距離。其物理意義是：電子處于某個(gè)動(dòng)量本征態(tài)的平均時(shí)間，即處在某一動(dòng)量本征態(tài)的電子在被散射到另一動(dòng)量本征態(tài)前所逗留的平均時(shí)間。位相相干長(zhǎng)度:占據(jù)某一本征態(tài)的電子在完全失去位相相干前傳播的平均距離，由非彈性散射決定.相位相干長(zhǎng)度反映了粒子動(dòng)力學(xué)保持相位相干性的最大范圍。L就是電子的非彈性碰撞的自由程。介觀物理與納米物理的區(qū)別介觀態(tài)可作為納米科學(xué)的一個(gè)分支。差異：介觀態(tài)中會(huì)出現(xiàn)電子的波動(dòng)性。而在一些納米材料中，電子的波動(dòng)性并不十分明顯。介觀態(tài)中電子輸運(yùn)的特殊現(xiàn)

20、象：固體中的AB效應(yīng)、弱定域化、普適電導(dǎo)漲落、電導(dǎo)的非定域性、持續(xù)電流。普適電導(dǎo)漲落電導(dǎo)漲落的大小與樣品的維度、幾何形狀、長(zhǎng)度（只要L）和平均電阻（即雜質(zhì)的數(shù)量）無(wú)關(guān)或關(guān)系不大。其特征為與樣品物理參數(shù)幾乎無(wú)關(guān)，只要求樣品為介觀大小，并處于金屬區(qū)，就會(huì)出現(xiàn)。電導(dǎo)漲落具有普適性。到達(dá)某點(diǎn)的載流子在L尺度內(nèi)保持著相位記憶，使電阻具有非定域性質(zhì)。弱定域化：弱定域化是指在低溫條件下金屬中電子在彈性散射占主導(dǎo)時(shí)，電子在傳導(dǎo)途中由于限于閉合路徑但不形成穩(wěn)定定域態(tài)，仍能繼續(xù)參與導(dǎo)電，由于量子相干性，電子更愿意停留在原來(lái)的位置上，其可動(dòng)性比高溫下要差，而使電導(dǎo)率減小、電阻增加的現(xiàn)象。量子阱的能帶特征在量子阱中，電子主要做二維運(yùn)動(dòng)，所以狀態(tài)密度D與能量E之間的關(guān)系是價(jià)梯狀的。比較量子阱、量子線(xiàn)、量子點(diǎn)電子狀態(tài)的特征？在量子阱中，電子主要做二維運(yùn)動(dòng)，所以狀態(tài)密度D與能量E之間的關(guān)系是價(jià)梯狀的量子線(xiàn)電子狀態(tài)特征：量子阱的y方向的厚度也減