Samsung NAND FLASH命名規(guī)則

1、三星的pure nand flash（就是不帶其他模塊只是nand flash存儲芯片）的命名規(guī)則如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F Chip

2、D : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack45. Density（注：實(shí)際單位應(yīng)該是bit，而不是Byte

3、）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE67. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V3.6VB : 2.7V (2.5V2.9V)C : 5.0V (4.5V5.5V)D : 2.65V (2.4V 2.9V)E : 2.3V3.6VR : 1.8V (1.65V1.95V)Q : 1.8V (1.7V 1

4、.95V)T : 2.4V3.0VU : 2.7V3.6VV : 3.3V (3.0V3.6V)W : 2.7V5.5V, 3.0V5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC

5、 : 4th GenerationD : 5th Generation11. ""12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free) G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R

6、: TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sa

7、ndisk BinL : 15 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Sep

8、arately)【舉例說明】K9GAG08U0M-PCB0123456789101112131415161718K9GAG08U0M 詳細(xì)信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal45. DensityAG : 16G (Note: 這里單位是bit而不是byte，因此實(shí)際大小是16Gb=2GB)6. Technology0 :

9、 Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. ""12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整體描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作電壓為2.7V3

10、.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封裝。三星內(nèi)存顆粒 編碼規(guī)則：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含義： 第1位芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。 第2位芯片類型4，代表DRAM。 第3位芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代

11、表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。 第11位連線“-”。 第14、15位芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。 知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一

12、條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。 注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校

13、驗(yàn)碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實(shí)際計算容量的過程中，不計算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。 / Micron內(nèi)存顆粒 Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識相對于三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。 含義： MTMicron的廠商名稱。 48內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8內(nèi)存顆粒容量為128M

14、bits，計算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。 A2內(nèi)存內(nèi)核版本號。 TG封裝方式，TG即TSOP封裝。 -75內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。 其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。 / 西門子內(nèi)存顆粒 目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits

15、的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。 -7.5表示該內(nèi)存的工作

16、頻率是133MHz； -8表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。 例如： 1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。 1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。 / Kingmax內(nèi)存顆粒 Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny&#

17、160;ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。 容量備注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度； KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度； KSV6

18、84T4XXX128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度； KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。 Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標(biāo)識內(nèi)存的工作速率： -7APC133 /CL=2； -7PC133 /CL=3； -8APC100/ CL=2； -8PC100 /CL=3。 例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbit

19、s（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。 內(nèi)存顆粒編號與內(nèi)存品牌知識介紹 通過查驗(yàn)內(nèi)存顆粒的型號，我們就可以計算出內(nèi)存的容量 / HY顆粒編號 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

20、3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2 8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、K DR266A / TOSHIBA&#