半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)

1、1. accept a n c e t e s t i n g ( W A T :waferaccept a n c e t e s t i n g )2. acceptor:受主，如B,摻入Si中需要接受電子3. Acid ：酸4. Activedevice ：有源器件，如 MOSFET (非線性，可以對(duì)信號(hào)放大)5. Alignmark(key)：對(duì)位標(biāo)記6. Alloy ：合金7. Aluminum ：鋁8. Ammonia ：氨水9. Ammoniumfluoride ： NH4F10. Ammoniumhydroxide ： NH4OH11. Amorphoussilicon ：紡S

2、i ,非晶硅(不是多晶硅)12. Analog ：模擬的13. Angstrom ： A (1E-10m )埃14. Anisotropic ：各向異性(如 POLYETCH )15. AQL(AcceptanceQualityLevel) ：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率)16. ARC(Antireflectivecoating) ：抗反射層(用于 METAL 等層的光刻)17. Arg on (Ar) M18. Arsenic(As)碑19. Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二碑20. Arsine(

3、AsH3)21. Asher ：去膠機(jī)22. Aspectration ：形貌比(ETCH中的深度、寬度比)23. Autodoping ：自攙雜(外延時(shí) SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋?層)24. Backend ：后段(CONTACT 以后、PCM 測(cè)試前)25. Baseline ：標(biāo)準(zhǔn)流程26. Benchmark ：基準(zhǔn)27. Bipolar ：雙極28. Boat ：擴(kuò)散用(石英)舟29. CD： ( CriticalDimension )臨界(關(guān)鍵)尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。30. Characterwindow ：特征窗口。用

4、文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。31. Chemical-mechanicalpolish (CMP)：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方 法。32. Chemicalvapordeposition (CVD)：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工 -+- 乙O33. Chip ：碎片或芯片。34. CIM ： computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。35. Circuitdesign ：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來(lái)實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。36. Cleanroom ： 一種在溫度，

5、濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。37. Compensationdoping ：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。38. CMOS ： complementarymetaloxidesemiconductor 的縮寫。一種將 PMOS 和 NMOS 在 同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。39. Computer-aideddesign ( CAD )：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。40. Conductivitytype ：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在 P型材料中多數(shù)載流子是空穴。41. Contact ：孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和

6、硅的孔。42. Controlchart :控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。43. Correlation ：相關(guān)性。44. Cp：工藝能力，詳見 processcapability 。45. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見 processcapabilityindex 。46. Cycletime :圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來(lái)衡量流通速度的快慢。47. Damage ：損傷。對(duì)于單晶體來(lái)說(shuō)，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無(wú)法修復(fù)的變形也可以 叫做損傷。48. Defectdensity ：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。49. Depletioni

7、mplant ：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡 晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)50. Depletionlayer ：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。51. Depletionwidth ：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。52. Deposition ：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一 種方法。53. Depthoffocus ( DOF )：焦深。54. designofexperiments(DOE) ：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的 統(tǒng)計(jì)合理

8、性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。55. develop ：顯影(通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程)56. developer ： I)顯影設(shè)備；U)顯影液57. die ：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上 的部分劃片槽區(qū)域。58. dielectric ： I)介質(zhì)，一種絕緣材料；D)用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電 絕緣功能。59. diffusedlayer ：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形 成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。60. drive-in ：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片

9、中分布擴(kuò)散。61. dryetch ：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物 理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。62. effectivelayerthickness ：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅 錠前端的深度。63. EM ： electromigration ,電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò) 散過程。64. epitaxiallayer ：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長(zhǎng)一層單晶半導(dǎo)體材 料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。65. equipmentdowntime ：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功

10、能的時(shí)間。66. etch ：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。67. exposure ：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。68. fab ：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。69. featuresize ：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。70. field-effecttransistor ( FET )：場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的 多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)控制。71. film ：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。72. flat ：平邊73. flowvelocity ：流速計(jì)74. flowvolume ：流量計(jì)75.

11、 flux ：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)76. forbiddenenergygap ：禁帶77. four-pointprobe ：四點(diǎn)探針臺(tái)78. functionalarea ：功能區(qū)79. gateoxide ：柵氧80. glasstransitiontemperature ：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度81. gowning ：凈化服82. grayarea ：灰區(qū)83. grazingincidenceinterferometer ：切線入射干涉儀84. hardbake ：后烘85. heteroepitaxy ：?jiǎn)尉чL(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延方法86. high-currentimpl

12、anter ：束電流大于 3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)99.97%的大87. hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter ：高效率空氣顆粒過濾器，去掉 于0.3um的顆粒88. host ：主機(jī)89. hotcarriers ：熱載流子90. hydrophilic ：親水性91. hydrophobic ：疏水性92. impurity ：雜質(zhì)93. inductivecoupledplasma(ICP) ：感應(yīng)等離子體94. inertgas :惰性氣體95. initialoxide ： 一氧96. insulator ：絕緣97. isolat

13、edline ：隔離線98. implant:注入99. impurityn:摻雜100. junction:結(jié)101. junctionspikingn:鋁穿刺102. kerf:劃片槽103. landingpadnPAD104. lithographyn 制版105. maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能106. maintenancen:保養(yǎng)107. majoritycarriern: 多數(shù)載流子108. masks,deviceseriesofn:一成套光亥U版109. materialn:原料110. matrixnl:矩陣111. meann:平均值112

14、. measuredleakraten:測(cè)得漏率113. mediann:中間值114. memoryn:記憶體115. metaln:金屬116. nanometer(nm)r)：納米117. nanosecond(ns)r)：納秒118. nitrideetchn ：氮化物刻蝕119. nitrogen(N2)n ：氮?dú)?，一種雙原子氣體120. n-typeadj ： n 型121. ohmspersquaren ：歐姆每平方：方塊電阻122. orientationn ：晶向，一組晶列所指的方向123. overlapn ：交迭區(qū)124. oxidationn ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣

15、與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)125. phosphorus(P)r)：磷，一種有毒的非金屬元素126. photomaskn ：光刻版，用于光刻的版127. photomask,negativen：反亥U128. images ：去掉圖形區(qū)域的版129. photomask,positiven：正亥U130. pilotn ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子131. plasman ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體132. plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n ：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件 下的等離子淀積工藝133. plas

16、ma-enhancedTEOSoxidedepositionn ： TEOS 淀積，淀積 TEOS 的一種工藝134. pnjunctionn ： pn 結(jié)135. pockedbeadn ：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠136. polarizationn ：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語(yǔ)137. polyciden ：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)138. polycrystallinesilicon(poly)r) ：多晶硅，高濃度摻雜(>5E19)的硅，能導(dǎo)電。139. polymorphismn ：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)

17、晶的現(xiàn)象140. probern:探針。在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備。141. processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。142. proximityX-rayn: 近X射線：一種光刻技術(shù)，用 X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從 而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。143. purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。144. quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。145. quartzcarriern:石英舟。146. randomaccessmemory(RAM)r):隨機(jī)存

18、儲(chǔ)器。147. randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。148. rapidthermalprocessing(RTP)r):快速熱處理(RTP)。149. reactiveionetch(RIE)r):反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。150. reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。151. recipen:菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。152. resistn:光刻膠。153. scanningelectronmicroscope(SEM)r): 電子顯微鏡(SEM)。154. scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。155. Schottky

19、barrierdiodesn:肖特基二極管。156. scribelinen:劃片槽。157. sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。158. semiconductorn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。159. sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。160. sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。161. silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片162. smallscaleintegration(SSI): 小規(guī)模綜合，在

20、單一模塊上由2至U 10個(gè)圖案的布局。174.spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。175.sputteretch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177.steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179.stepper:步進(jìn)光刻機(jī)(按 BLOCK來(lái)曝光)18O.stresstest:應(yīng)力測(cè)試，包括特

21、定的電壓、溫度、濕度條件。181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。182.symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。183 .tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊(用于連接蓋子)。184 .Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185 .temperaturecycling:溫度周期變化，測(cè)量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186 .testability:易測(cè)性，對(duì)于一個(gè)已給電路來(lái)說(shuō)，哪些測(cè)試是適用它的。187 .thermaldeposition:熱沉積，在超過

22、950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。188 .thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。189 .titanium(Ti):鈦。190 .toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無(wú)色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191.1,1,1 -trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192 .tungsten(W):鴇。193 .tungstenhexafluoride(WF6):氟化鴇。無(wú)色無(wú)味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中 WF6用于淀積硅化物，也

23、可用于鴇傳導(dǎo)的薄膜。194 .tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195 .totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit) o196 .watt(W)： 瓦。能量單位。197 .waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向， 也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。198 .waferprocesschamber(WPC):對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。199 .well:阱。200 . wetchemicaletch:

24、濕法化學(xué)腐蝕。201 .trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。202 .via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。203 .window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。204 .torr:托。壓力的單位。205 .vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。206 .vacuum:真空。207 .transitionmetals:過渡金屬208 DIAfterdevelopinspection 顯影后檢視209 EI蝕科后檢查210 lignment

25、 排成一直線，對(duì)平211 lloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值212 RC ： anti-reflectcoating 防反射層213 SHER: 一種干法刻蝕方式214 ASI光阻去除后檢查215 Backside晶片背面216 BacksideEtch 背面蝕刻217 Beam-Current電子束電流1.8 BPSG:含有硼磷的硅玻璃1.9 Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵16 .Cassette 裝晶片的晶舟17 .CD： criticaldimension關(guān)鍵性尺寸18 .Chamber 反應(yīng)室19 .Chart 圖表20 .Childlot 子批21 .

26、Chip（die）晶粒22 .CMP化學(xué)機(jī)械研磨23 .Coater光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）24 .Coating涂布，光阻覆蓋25 .ContactHole 接觸窗26 .ControlWafer 控片27 .Criticallayer 重要層28 .CVD化學(xué)氣相淀積29 .Cycletime 生產(chǎn)周期30 . Defect 缺陷31 .DEP:deposit 淀積32 .Descum預(yù)處理33 .Developer 顯影液；顯影（機(jī)臺(tái)）34 .Development 顯影35 .DG:dualgate 雙門36 .Dlwater去離子水37 .Diffusion 擴(kuò)散38 .Doping 摻雜3

27、9 .Dose 劑量設(shè)計(jì)規(guī)則檢查103.PORProcessofrecord104 .PP:p-dopedplus(P+)P 型重?fù)诫s105 .PR:photoresist 光阻106 .PVD 物理氣相淀積107 .PW:p-dopedwellP 阱108 .Queuetime 等待時(shí)間109 .R/C:runcard 運(yùn)作卡110 .Recipe 程式111 .Release 放行112 .Resistance 電阻113 .Reticle 光罩114 .RF 射頻115 .RM:remove. 消除116 .Rotation 旋轉(zhuǎn)117 .RTA:rapidthermalanneal 迅

28、速熱退火118 .RTP:rapidthermalprocess 迅速熱處理119 .SA:salicide 硅化金屬120 .SAB:salicideblock 硅化金屬阻止區(qū)121 .SAC:sacrificelayer 犧牲層122 .Scratch 刮傷123 .Selectivity 選擇比124 .SEM ： scanningelectronmicroscope 掃描式電子顯微鏡125.Slot 槽位125 .Source-Head 離子源126 .SPC 制程統(tǒng)計(jì)管制127 .Spin 旋轉(zhuǎn)128 .SpinDry 旋干129 .Sputter 濺射130 .SRO:Sirich

29、oxide 富氧硅131 .Stocker 倉(cāng)儲(chǔ)132 .Stress 內(nèi)應(yīng)力133 .STRIP: 一種濕法刻蝕方式40 .Downgrade 降級(jí)42 .DryClean 干洗43 .Duedate 交期44 .Dummywafer 擋片45 .E/R:etchrate 蝕刻速率46 .EE 設(shè)備工程師47 .EndPoint 蝕刻終點(diǎn)48 .ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷49 .ET:etch 蝕刻50 .Exhaust 排氣(將管路中的空氣排除)51 .Exposure 曝光52 .FAB 工廠53 .FIB:f

30、ocusedionbeam 聚焦離子束54 .FieldOxide 場(chǎng)氧化層55 .Flatness 平坦度56 .Focus 焦距57 .Foundry 代工58 .FSG: 含有氟的硅玻璃59 .Furnace 爐管60 .GOI:gateoxideintegrity 門氧化層完整性61 .Hexamethyldisilazane, 經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱62 .HCI:hotcarrierinjection 熱載流子注入63 .HDP ： highdensityplasma 高密度等離子體64 .High-Voltage 高壓65 .Hotbak

31、e 烘烤66.ID 辨認(rèn)，鑒定1.1 Implant 植入68 .Layer 層次69 .LDD:lightlydopeddrain 輕摻雜漏70 .Localdefocus 局部失焦因機(jī)臺(tái)或晶片造成之臟污71 .LOCOS:localoxidationofsilicon 局部氧化41.DRC:designrulecheck72 .Loop 巡路73 .Lot 批74 .Mask(reticle) 光罩75 .Merge 合并76 .MetalVia 金屬接觸窗77 .MFG 制造部78 .Mid-Current 中電流79 .Module 部門80 .NIT:Si3N4 氮化硅81 .Non

32、-critical 非重要82 .NP:n-dopedplus(N+)N 型重?fù)诫s83 .NW:n-dopedwellN 阱84 .OD:oxidedefinition 定義氧化層85 .OM:opticmicroscope 光學(xué)顯微鏡86 .OOC 超出控制界線87 .OOS 超出規(guī)格界線88 .OverEtch 過蝕刻89 .Overflow 溢出90 .Overlay 測(cè)量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度91.OX:SiO2 二氧化硅92 .P.R.Photoresisit 光阻93 .P1:poly 多晶硅94 .PA;passivation 鈍化層95 .Parentlot 母批96 .P

33、article 含塵量 / 微塵粒子97 .PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1 、 工藝工程師2、等離子體增強(qiáng)98 .PH:photo 黃光或微影99 .Pilot 實(shí)驗(yàn)的100 .Plasma 電漿101 .Pod 裝晶舟與晶片的盒子102 .Polymer 聚合物135 .TEOS KH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作 LPCVD/PECVD 生長(zhǎng) SiO2 的原料。 又指用 TEOS生長(zhǎng)得到的SiO2 層。136 .Ti 鈦137 .TiN 氮化鈦138 .TM:topmetal 頂層金屬層139 .TORToolofrecord140 .UnderEtch 蝕刻不足141 .USG:undoped 硅玻璃142 .W(Tungsten) 鎢143 .WEE 周邊曝光144 .mainframe 主機(jī)145 .cassette 晶片盒146 .amplifier 放大器147 .e