VCSEL產(chǎn)品介紹20180808

1、VCSEL 敢光器簡介 1、VCSEL 勺定義 VCSEL（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser,垂直腔表 面發(fā)射激光器）是一種垂直于襯底面射出激光的半導(dǎo)體激光器?；窘Y(jié)構(gòu)是一個“三明治”結(jié)構(gòu)，由上下兩個 DB 皈射鏡和有源區(qū)這三部分組成。上下兩個 DB 皈射鏡與有源區(qū)構(gòu)成諧振腔。有源區(qū)由幾個量子阱組成，作為VCSEL 勺核心部分，決定著器件的閾值增益、激射波長等重要參數(shù)。高反射率的 DB 他多層介質(zhì)薄膜組組成，實現(xiàn)對光的反饋。為得到較小的閾值電流，DBRK 射鏡的反射率一般在 99.5%以上。 VCSEL默IS 2、VCSEL 勺發(fā)光原理 VCSE 席用的

2、原材料有碎化錢、磷化錮或氮化錢等發(fā)光化合物半 導(dǎo)體?！疽r底方面，不同材料襯底厚底不同，但總體厚度約 100-150um,在制作時保留 300-600um 厚，方便機器手抓取。外延方面，共 200 多層，總厚度才 8-10um（包括諧振腔），外延片不能太厚，主要原因是 MOCVD 爐的時間效率（10um 需要烤 10 小時）及偏差（越高越容易走形）考慮。發(fā)VGSELSftffl 光原理方面，VCSEUf 其它半導(dǎo)體激光發(fā)光原理一樣，首先要實現(xiàn)是能量激發(fā)，通過外加能量激發(fā)半導(dǎo)體的電子由價帶躍遷到導(dǎo)帶，當(dāng)電子由導(dǎo)帶返回價帶時，將能量以光能的型式釋放出來。然后依靠上下兩個 DBR5 射鏡和增益物質(zhì)組成

3、的諧振腔實現(xiàn)共振放大，諧振腔使激發(fā)出來的光在上下兩個DBR5 射鏡之間反射（諧振腔長 200nm 來回幾千次后，總路徑可長達 4mm,不停地通過發(fā)光區(qū)吸收光能，使受激光多次能量反饋而形成激光。 3、VCSEL 勺優(yōu)點 VCSE 廉具低制造成本、優(yōu)異性能和易集成三大優(yōu)點！經(jīng)過在電信、數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域多年發(fā)展，目前 VCSEE 經(jīng)具備耦合效率高、功耗低、傳輸速率快、制造成本低等優(yōu)良特點。與 LED 和 FP 激光器【法布里-珀羅激光器（FPlaser）】、DFB#光器【分布反饋式激光器（DFBlaser）】相比，具有體積小、圓形輸出光斑、單縱模輸出、閾值電流小、價格低廉、易集成為大面積陣列等優(yōu)點，廣

4、泛應(yīng)用于光通信、光互連、光存儲等領(lǐng)域。 VCSEL 的優(yōu)良特點的優(yōu)良特點 主動感知的 3D 攝像頭技術(shù)通常使用紅外光來檢測目標(biāo)，早期 3D 傳感系統(tǒng)一般都使用 LED 作為紅外光源。在技術(shù)方面，由于 LED 不具 有諧振器，導(dǎo)致光束更加發(fā)散，在耦合性方面也不如 VCSEL 由于 VCSE 在精確度、小型化、低功耗、可靠性全方面占優(yōu)的情況下，現(xiàn)在常見的 3D 攝像頭系統(tǒng)一般都采用 VCSEL 乍為紅外光源。 Itttt VCSEL LED| 2-3mW 3-5mW 枷馬光 好.低發(fā)蚯 套鬲躺性 敏斑 電南 光電特禁效率 川%以上 20%EXT 11 WGbpS OJGbps inett 0.06

5、nm/T 0.25m/r 制HW Inm 2&30nm 半導(dǎo)體激光器按照發(fā)射方向可以分為：邊發(fā)射激光器和面發(fā)射激 光器，其中邊發(fā)射激光器主要有法布里-珀羅激光器(FPlaser)和分布反饋式 發(fā)射角小.具白國對稱的近場和 I近場分布 垂直腔面出射 能夠也按在,而日)上進行工藝制作 有測試J 閾僅電流低， 體枳小吊子效率高 激光器(DFBlaser)兩種【邊發(fā)射發(fā)光效率可達到 70%面發(fā)射最大到 60%平均只有 40%華芯公司目前只有 35 溢右】 ， 面發(fā)射激光器目前主要指 VCSEL結(jié)構(gòu)上 FP 激光器一般由襯底層、波導(dǎo)層、有源層，及金屬導(dǎo)線層組成，普遍采用雙異質(zhì)結(jié)多量子阱有源層；D

6、FB 激光器在 FP 的基礎(chǔ)上沿著共諧振腔外部加一層光柵，依靠光柵的選頻原理來實現(xiàn)縱模選擇，以提升激光的單色性。 典型半導(dǎo)體激尤將 用t博 理霰北區(qū)口卜M澈北XVCSEL 及再虐現(xiàn)：#網(wǎng).隼gxr 與傳統(tǒng)邊發(fā)射激光器相比，VCSE 而光束質(zhì)量、與光纖耦合效率、腔面反射率上都具有較大優(yōu)勢， 且因為 VCSE 發(fā)射光線垂直于襯底而邊發(fā)射激光器發(fā)射光線平行于襯底，因此 VCSElft 夠?qū)崿F(xiàn)二維陣列而邊發(fā)射激光器不行。 征 VCSEL AikriU 出界方向 垂直于村底 平行于材度 AM* 涇向時相:此束 不對濟光束 與光肝的亶提夸姓率 -100% -50% 立面反射幸 98% 30% 0.3um

7、*300um 集成化 易于實網(wǎng)二維陣刖 亞一堆陣列 我們從成本優(yōu)勢、尺寸優(yōu)勢、波長熱穩(wěn)定性、功耗、通訊距離等 方面對三種主流半導(dǎo)體激光器進行比較分析 【目前光通信的干線光線激光器用邊發(fā)射，但支線一般用面發(fā)射, 面發(fā)射的最大極限距離是 300M 目前，光通信帶寬 30G 的，使用 VCSEL 會使得誤碼率跟不上，除非使用 25G 的 VCSE 毆備才行，但目前 25G 的性能還不穩(wěn)定?！?1比較現(xiàn)日 FPW 口FBtfb也 VCSEL 女 尺寸優(yōu)第 玄文 A 女女女 波長熱定饞 會 *玄心 知 -IMA *玄+ 育 功幃優(yōu)磬 他電就 女 從最近上市的具有 3D 攝像頭的產(chǎn)品也能看到，紅外光源由

8、LED 向VCSEL 專變是必定趨勢！從 2016 年意法半導(dǎo)體及 AM 睡 THeptagon 發(fā)布的光學(xué)模塊新產(chǎn)品來看，均采用 VCSEL 乍為紅外線光源，且消費級產(chǎn)品聯(lián)想 Phab2ProAR 手機與 IntelRealSenseSR300 也采用了 VCSEL 乍為紅夕卜光源。 據(jù)了解，目前 3DSensing 有 3 種主流方案，分別是結(jié)構(gòu)光方案、TO 昉案以及雙目立體成像方案。 示意圖 分辨率 中 底 高 精度 高 中 中 真法開發(fā)難度 中 底 高 硬件成本 底 中 集轆而微僖：jiweinel 在這三種 3DSensing3DSensing 技術(shù)對比中發(fā)現(xiàn)， TOFTOF 方案與

9、結(jié)構(gòu)光方案因其使用便捷、 成本較低等優(yōu)點而最具前景。但是結(jié)構(gòu)光方案在精度方面超越了另外 2 2 種方案, 非常適合智能終端采用。 【結(jié)構(gòu)光和 TOFTOF 方案區(qū)別】： 我們進行測距或是 3D3D 建模的話，一般會有三種方法： 1)1)一是傳統(tǒng)的雙目，兩個都是可見光攝像頭，這個大家也比較熟悉。它的劣勢是比較明顯的，就是算法麻煩，計算量大，要實現(xiàn)高的分辨率也比較困難。同時它將會有誤判的情況出現(xiàn)，比如說兩個東西雖然有一前一后的距離，顏色很接近，必然會造成誤判的情況出現(xiàn)。 2)2)還有另外一種，用 TOFTOF 做距離的探測，它的優(yōu)點是利用光的延時來進行 1塔構(gòu)光方案 TOF方案 基礎(chǔ)原理 激光靚斑

10、編碼 反射時差 雙目立體成像方案 雙目匹配，三角測量 具體方法 利用雙撰爆頭拍攝物體，再通道三 角形原理計算物體距離 結(jié)構(gòu)先投附特定的光信息到物體表面后， 由揖像頭果窠。 根據(jù)憫體匿成的光信居的變化來計算物體的位置和親度等信息， 進而復(fù)原整個三縫空間 通過專有傳感器，捕提近紅外光從發(fā)射到接收的飛行時間，判斷物體 理高 距離的測量，可以馬上就可以報出的距離，他們也不需要很多復(fù)雜的計算它有一個很明顯的劣勢，目前來說 TOFTOF 沒辦法做成一個比較精密的成像。在我所了解的信息里，TOFTOF 目前能實現(xiàn)的最高像素是 0.1M0.1M 像素，如果這樣的像素下是比較難用作人臉識別、虹膜識別的，同時他們

11、也會有面臨用紅外光的問題（后面會說），這是 TOFTOF 的劣勢。 3 3）由于上面兩種方法他們有各自的缺點，我們有第三種方式就是我們的結(jié)構(gòu)光，英文叫做 StructuredlightStructuredlight,它為什么叫這個名字？他們打出來的光并不是普通的光源，他們打出來的光是有一定的細節(jié)，最簡單的是打出黑白相間的條紋，去照射我們的物體。黑白條紋打到一個平面，它反射過來其實仍舊是黑白的條紋；但是如果它是打到某些物體上，例如圓柱。黑白條紋有一些畸變，通過這個畸變就可以把它的立體信息提取出來，這是最簡單的一種。比較先進的是打出一種散斑作為結(jié)構(gòu)光，我們可以把大面積的散斑劃分成很多小區(qū)域，如果是

12、 9X9 的九宮格的話，某一些格子可以是亮的，某些格子是暗的，相當(dāng)于是對空間做成了編碼，有了這個編碼就知道這個點是處于我們畫面中的哪些位置。利用這些散 斑我們可以知道，如果沒有物體的情況下它只是一個均勻分布的散斑，有物體的 情況下，我們發(fā)現(xiàn)散斑會產(chǎn)生一定的畸變，根據(jù)編碼我就知道這一點畸變位于什么樣的位置，同時可以把 3D3D 的信息可以提取出來。這是結(jié)構(gòu)光的優(yōu)勢，它不需要用很精準(zhǔn)的時間延時來測量，只需要用普通的紅外攝像頭去收集一些紅外的信息，就可以進行 3D3D 的測算。 但是對于結(jié)構(gòu)光我們會有技術(shù)問題，首先是光源的問題，它還是需要紅外的光源進行，但是我們知道，紅外光源在室外使用是有問題的，因

13、為太陽是連續(xù)波段，一般來說他們有大量的紅外分量在，所以在室外，如果打出這些光照到物體 上再做反射的話，他會淹沒在太陽光的紅外分量里，我們沒辦法探測到。這次傳言蘋果用的波段其實是 940940 波段，這個波段是有講究的，因為太陽光雖然是一 個連續(xù)的光譜，唯獨在這個波段里有一個能量的極小值，因為大氣中的水分子會吸收這部分的能量進行共震，太陽光有這個窗口，也就是說他利用這個窗口在室外打出 940940 的但是 光照到物體作為反射，我們的接受器是能感受到的。一般來說， 我們傳統(tǒng)的硅基紅外探測器是達不到 940940 吸收的波長，一般在 800800 多的波長， 這種波長肯定會淹沒在太陽的紅外分量中。據(jù)

14、我了解，目前能做到 940940 作為吸 收比較強的傳感器的有一個叫 InvisageInvisage 的公司做的量子薄膜可以精確調(diào)節(jié)基礎(chǔ)波長， 可以作為紅外的吸收。他們的基底仍舊是普通的硅基基底，只是把傳統(tǒng) sensorsensor 的吸收層換掉，從而可以實現(xiàn) 940940 波長吸收的探測器，它的分辨率還是挺高的，完全可以滿足成像的需求。 據(jù)目前的信息來看的話，如果蘋果真要采用人臉識別，我覺得他們可以采用 VSCELVSCEL的模組作為發(fā)射器，同時他們可以用一個這種薄膜做成的攝像頭作為紅外的識別，然后再用一個 TOFTOF 的接收器去做 TOFTOF 的接近感應(yīng)測量，再加上普通的 RGBRG

15、B 的攝像頭，這樣的方案來做整體人臉識別+ +前置攝像頭+ +距離探測功能。】 事實上，無論是結(jié)構(gòu)光方案、TOFTOF 方案還是雙目立體成像方案，3DSensing3DSensing 主要的硬件包括四部分：紅外光發(fā)射器（IRLDIRLD 或 VcselVcsel）、紅外光攝像頭（IRCISIRCIS 或者其他光電二極管）、可見光攝像頭（VisCISVisCIS）、圖像處理芯片，窄帶濾色片，另外結(jié)構(gòu)光方案還需要在發(fā)射端添加光學(xué)棱鏡（DOEDOE）與光柵，雙目立體 成像多一顆 IRCISIRCIS 等。 而在 3DSensing3DSensing 產(chǎn)業(yè)鏈的上、中、下游中，上游部分包括：紅外傳感器、

16、紅外激光光源、光學(xué)組件、光學(xué)鏡頭、CMOSCMOS 圖像傳感器；中游包括：傳感器 模組、攝像頭模組、光源代工、光源檢測、圖像算法；下游包括：終端廠商以及應(yīng)用。 其中 3DSens3DSensinging 產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵部件在于：1 1、紅外線傳感器；2 2、紅外激光光源；3 3、光學(xué)組件。產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)紅外線傳感器的上市公司有 STMSTM、AMSAMS HeptagonInfineonHeptagonInfineon、TITI、索尼、豪威等；產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)紅外激光光源的上市公司有 FinisarFinisar、LumentumLumentum、IIII- -VIVI、光迅科技等；產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)光學(xué)組件的上市

17、公司為福晶科技；而提供綜合技術(shù)方案的上市公司有 STMSTM、微軟、英特爾，德州儀器、英飛凌等。此外，3D3D 攝像頭模組的上市公司有歐菲光；濾光片有水晶光電；攝像頭芯片封測有晶方科技；鏡頭有聯(lián)創(chuàng)電子等。 4、VCSEL勺應(yīng)用 VCSEL勺應(yīng)用主要由光通信領(lǐng)域向商業(yè)級應(yīng)用如工業(yè)加熱、 環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療以及消費電子（如 3Dsensing）領(lǐng)域發(fā)展。 850nm 波段 VCSE 嘀用化程度最為成熟，是短距離光纖數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的重要器件； 此后開發(fā)出的長波段產(chǎn)品主要用于長距離光纖通信、光并行處理 以及光識別系統(tǒng)； 隨著工藝、材料技術(shù)改進，VCSE 黑件在功耗、制造成本、集成、散熱等領(lǐng)域的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)，

18、逐漸應(yīng)用于消費電子、工業(yè)加熱、環(huán)境 監(jiān)測、醫(yī)療設(shè)備等商業(yè)級應(yīng)用以及 3D 感知等消費級應(yīng)用 【VCSE 應(yīng)用在光通信和手機方面，區(qū)別如下: 頻率 功率 價格 尺寸 光通信 高 低， 單個 2mWV 單顆 2-3 元（10G 規(guī)格） 250um*250um 手機 低 高，每個 5mW,30c個發(fā)光元件（陣 列）。 17-13 元每顆芯片 1mm*1mm, 5、VCSE 市場容量 2016 年之前，VCSE 住要應(yīng)用領(lǐng)域在光通信領(lǐng)域，受益于 40G 及 100G 通信技術(shù)的發(fā)展，VCSEK 光器的市場需求仍將持續(xù)發(fā)展，但未來最大的市場應(yīng)用將會是智能手機領(lǐng)域。市場研究公司 Light Countin

19、g 發(fā)表報告稱，預(yù)計 2017 年智能手機方面 VCSEK 光器需求量在6000 萬只，2018 年將迅速增加至 1.2 億只，2019 年將會達到 2.4 億只，基本上保持每年翻番增長。遠超光通信不到 5000 萬只的需求。通過下面圖表我們可以看出，2017 年將成為 VCSEL1 光器在 智能手機應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點，而這無疑是蘋果 iPhone8 手機的功勞 6、國內(nèi) VCSEK 光器現(xiàn)狀 在光通訊領(lǐng)域，VCSEK 光器應(yīng)用已經(jīng)成為趨勢，但是目前有能力推出商業(yè)化產(chǎn)品方面的只有：光迅科技（股票代碼：002281）。隨著 5G 以及物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的快速發(fā)展，帶來流量數(shù)據(jù)爆炸式增長，對于高速低功耗器件需求

20、越來越高，因此 VCSEK 光器前景非常廣闊，而國內(nèi)在芯片生產(chǎn)方面還沒有擺脫技術(shù)限制，仍然受制于人。 在消費電子領(lǐng)域，目前國內(nèi)還沒有一家具有量產(chǎn)的能力。【有報 道稱：由陳曉遲帶領(lǐng)的團隊，以硅谷為研發(fā)中心，以國內(nèi)為生產(chǎn)基地，預(yù)計將于 2018 年第二季度實現(xiàn)垂直腔面發(fā)射激光器大批量生產(chǎn)。但據(jù)華芯半導(dǎo)體彭某稱，縱慧自己設(shè)計，然后讓 IQE 做外延，然后再找穩(wěn)懋代工做芯片。目前他們廠房已經(jīng)到位，但設(shè)備暫未到貨（截至 20180805）1 在科研方面，吉林大學(xué)、長春理工大學(xué)、北京郵電大學(xué)、廈門大 學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、華中科技大學(xué)等都對 VCSEK 光器進行了不同層面的研究。但是，其行業(yè)技術(shù)門檻很高，受

21、制于關(guān)鍵技術(shù)壁壘，國內(nèi)仍未實現(xiàn)量U. 5 2 02 01 S0qcnD 產(chǎn)。 值得一提的是，自動駕駛在全球范圍內(nèi)迅速火熱，國內(nèi)外主流汽車廠商基本都在嘗試自動駕駛方案。其中，如何降低激光雷達成本成為該技術(shù)落地的關(guān)鍵。而 VCSEK 光器作為激光雷達光源提供了一種新方案。 7、VCSE 樂來發(fā)展趨勢 VCSE 器件由問世到運用于光通信領(lǐng)域，再到延伸至消費電子領(lǐng)域，本質(zhì)上是其性能、工藝和材料的一部發(fā)展史，從技術(shù)看產(chǎn)業(yè)，我們結(jié)合 VCSE頻域內(nèi)主要玩家產(chǎn)品線變化和 VCSE 發(fā)展歷程探析： (1)、1990-1996:該階段 VCSEU1 剛問世，主要是采用液相外延技術(shù)(LPB 實現(xiàn) In-GaAs/

22、InP 材料。這時它在各方面性能并不具有優(yōu)越性，發(fā)射方式為脈沖激射，中心波長為 1.18um,閾值電流為 900mA(遠大與成熟技術(shù))； (2)、1996-1999:該階段主要是 650850nm 短波段的大范圍應(yīng) 用發(fā)展。業(yè)界主要采用減少諧振腔長度的方法來降低閾值電流，并通 過開發(fā) AlAs 氧化技術(shù)來提升 DB 皈射鏡的反射率，具有高反射率、高熱傳導(dǎo)率和良好的導(dǎo)電特性的 AlAs/GaAs 在這一階段被應(yīng)用于 VCSEL實現(xiàn)在850nm下超過80%勺反射率， 同時閾值電流降低至mA級別。1997 年起 VCSEL 在單通道短距離光學(xué)互連市場占據(jù)了絕對的主導(dǎo)地位， 此外也在 650670nn

23、段被應(yīng)用于基于塑料光纖的數(shù)據(jù)通 信系統(tǒng)（因為塑料光纖在 650nm 處有最小吸收）； （3）、2000-2005:這一階段主要是 1300nm1500nmfe 波段的應(yīng)用發(fā)展，主要解決波長變長帶來的散熱、電流限制、反射鏡制作等問題。首先氧化物限制工藝被引入，這一技術(shù)能夠極大地提升光電轉(zhuǎn)換效率（50 犯上）和光束穩(wěn)定度，使其能夠穩(wěn)定地耦合進單模和多模光纖，同時氧化物限制方案能夠繼續(xù)降低閾值電流至幾百AA,為解 決此后 VCSEL 車列嚴重過熱問題打下基礎(chǔ)。同時直接鍵合工藝在長波段VCSE 的作中得到廣泛應(yīng)用，因為長波長材料 GaInAsP/InP 與 DBR 兩種材料折射率相差小，反射性能差，因

24、此直接鍵合 GaAsSDBRW InP 有源區(qū)來制作長波段 VCSE 成為熱點， 長波段 VCSE 是大容量光通信系統(tǒng)和光互連的關(guān)鍵器件； （4）、2005-2016:這一階段 VCSE 器件開始逐漸由光通信領(lǐng)域延伸至工業(yè)級應(yīng)用及消費電子領(lǐng)域，發(fā)展趨勢為陣列化和小型化。這一階段核心工藝主要為基于 MEMSi 術(shù)的可調(diào)諧 VCSELM 術(shù)、VCSEL 陣列技術(shù)以及電流限制技術(shù)。陣列技術(shù)使得 VCSEL#件向高功率、高速率發(fā)展，得以用于加熱、探測等工業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域。電流限制技術(shù)（離子注入、掩埋隧道結(jié)等）將電流限制在較小區(qū)域內(nèi)，是 VCSE 撤型化的關(guān)鍵工藝。此外金屬鍵合技術(shù)的引入改善了 VCSEL

25、勺散熱問題，使得它能夠更好地應(yīng)用于體感設(shè)備、智能手機等消費電子領(lǐng)域。 綜上，我們認為，VCSE 產(chǎn)品將繼續(xù)向高速度、高效率、低功耗、低成本的方向發(fā)展，消費電子的應(yīng)用將為進一步拓展創(chuàng)造條件。未來 VCSE 的繼續(xù)應(yīng)用在激光雷達、激光投影方面。 8、VCSELfe 頭企業(yè) 目前，全球范圍內(nèi)主要的設(shè)計者包括 Finsar、Lumentum PrincetonOptronics、Heptagon、HVI 等公司，它們在移動端 VCSEL 處于前沿的研發(fā)角色。由 IQE、全新、聯(lián)亞光電等公司提供三五族化合物 EPI 外延硅片，然后由宏捷科（PrincetonOptronics 合作方）、穩(wěn)懋（Hepta

26、gon合作方）等公司進行晶圓制造，再經(jīng)過聯(lián)鈞、矽品等公司的封測，便變成了獨立的 VCSEL 器件。然后由設(shè)計公司提供給 意法半導(dǎo)體、德州儀器、英飛凌等綜合解決方案商，再提供給下游消費電子廠商。 目前 VCSEILM 域主要廠商共有 5 家，分別是 LumentumFinisar、 II-VI、PhilipsPhotonics 和 HLJ 華立捷。我們可以看到，基本上都是來自于光通信芯片的龍頭企業(yè)；可以說正是有了光電子在通信領(lǐng)域的經(jīng)驗，消費級應(yīng)用變得順理成章，兩者產(chǎn)品具備很強的技術(shù)延展性。重點關(guān)注光電子通信龍頭，切入消費電子應(yīng)用的爆發(fā)潛力。 (1) Lumentum 公司作為專業(yè)光學(xué)廠商， 其前身是全球最大的光纖零件供應(yīng)商JDSU(后拆分為 Viavi 和 Lumentum。憑借廣泛的技術(shù)和制造經(jīng)驗，成為 VCSEL 勺全球領(lǐng)先供應(yīng)商，可靠 Ti 高，產(chǎn)能大。公司于 2005 年和 2007 年分別收購Agility 通信和 Picolight 公司， 為公司帶來關(guān)鍵的短波 VCSE 段術(shù)。 根據(jù)公司2017Q2電話會議， 公司3Dsensing產(chǎn)品已