模擬電子題庫

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1、電路如圖1，R = 1k，VREF = 3V，二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解，當(dāng)uI = 6sinwt V時，繪出相應(yīng)的輸出電壓uO的波形。 uIuOuIuOuOuIuIuIuOuO 圖12、如圖2所示電路。試求UI1、UI2為0和+5V時U0的值 。R 10KWU0Vcc +5VUI1UI2D1D2圖2UI1UI2二極管工作狀態(tài)U0D1D20V0V導(dǎo)通導(dǎo)通0V0V5V導(dǎo)通截止0V5V0V截止導(dǎo)通0V5V5V截止截止5V3、試判斷題圖3中的二極管是導(dǎo)通還是截止，為什么？圖3解：分析：在本題的分析中應(yīng)注意二個問題：（1） 電位都是對固定的參考點之間

2、的壓差，參考點就是通常所稱的接地點；（2） 求電位時注意各電壓的方向。圖（a），設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點為C， 則，當(dāng)假設(shè)VD開路時， VD處于反偏而截止圖（b），同樣設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點為C，假設(shè)VD斷開，則： VD處于反偏而截止；圖（c），設(shè)圖中25K與5K的連接點為C，假設(shè)VD斷開，則： VD處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)4、電路如圖4，求：UAB圖4解：取B點作參考點，V1陽=6V，V2陽=0V，V1陰=V2陰，由于V2陽電壓高，因此VD2導(dǎo)通。若忽略二極管正向壓降，二極管VD2可看作短路，UAB = 0 V ，VD1截止。5、在一個放大電路中，三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示

3、，將每只管子所用材料（Si或Ge）、類型（NPN或PNP）及管腳為哪個極（e、b或c）填入表內(nèi)。 管 號 T1 T2 T3 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電極名稱 0 6 10 5 3 3.7 材 料 類 型解：（1）晶體管工作于放大狀態(tài)的條件：NPN管：UC> UB>UE，PNP管：UE>UB>UC；（2）導(dǎo)通電壓：硅管|UBE|= 0.60.7V，鍺管|UBE|= 0.20.3V。 管 號 T1 T2 T3管 號 T1 T2 T3管 腳電 位（V） 0.7 6.2 3 電極名稱BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CCB 材 料

4、SiGeSi 類 型NPNPNPNPN6、已知NPN型硅管T1 T4 各電極的直流電位如下表所示，試確定各晶體管的工作狀態(tài)。晶體管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作狀態(tài)解：NPN管（1）放大狀態(tài)：UBE>Uon，UCE>UBE;（2）飽和狀態(tài)：UBE>Uon,UCE<UBE; （3）截止?fàn)顟B(tài)：UBE<Uon晶體管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作狀態(tài)放大飽和放大截止7、如圖5所示，Rb=50，VCC =12V，RB =70kW，RC=6kW當(dāng)VBB =-

5、2V，2V，5V時，晶體管的靜態(tài)工作點Q位于哪個區(qū)？圖5解：當(dāng)VBB =-2V時：IB=0，IC=0，Q位于截止區(qū) VBB =2V時：IC最大飽和電流：，IC< ICmax (=2mA)，Q位于放大區(qū)。VBB =5V時:，Q位于飽和區(qū)，此時IC 和IB 已不是b倍的關(guān)系。8、若已知UCE=6V時：IB = 40 mA，IC =1.5 mA；IB = 60 mA，IC =2.3 mA。求、。在以后的計算中，一般作近似處理：。9、測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表T1.7所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。表T1.7管 號UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513T243310T34605解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表T1.7所示。解： 表T1.7管 號UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513恒流區(qū)T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)10、已知各場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖6所示。試分析各管子的類型。圖6解: (a) iD>0（或uDS>0），則該管為N溝道； uGS³0，故為JFET（耗盡型）。(b) iD<0（或uDS