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文檔簡介
1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1、電路如圖1,R = 1k,VREF = 3V,二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解,當(dāng)uI = 6sinwt V時,繪出相應(yīng)的輸出電壓uO的波形。 uIuOuIuOuOuIuIuIuOuO 圖12、如圖2所示電路。試求UI1、UI2為0和+5V時U0的值 。R 10KWU0Vcc +5VUI1UI2D1D2圖2UI1UI2二極管工作狀態(tài)U0D1D20V0V導(dǎo)通導(dǎo)通0V0V5V導(dǎo)通截止0V5V0V截止導(dǎo)通0V5V5V截止截止5V3、試判斷題圖3中的二極管是導(dǎo)通還是截止,為什么?圖3解:分析:在本題的分析中應(yīng)注意二個問題:(1) 電位都是對固定的參考點之間
2、的壓差,參考點就是通常所稱的接地點;(2) 求電位時注意各電壓的方向。圖(a),設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點為C, 則,當(dāng)假設(shè)VD開路時, VD處于反偏而截止圖(b),同樣設(shè)圖中電阻25K與5K的連接點為C,假設(shè)VD斷開,則: VD處于反偏而截止;圖(c),設(shè)圖中25K與5K的連接點為C,假設(shè)VD斷開,則: VD處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)4、電路如圖4,求:UAB圖4解:取B點作參考點,V1陽=6V,V2陽=0V,V1陰=V2陰,由于V2陽電壓高,因此VD2導(dǎo)通。若忽略二極管正向壓降,二極管VD2可看作短路,UAB = 0 V ,VD1截止。5、在一個放大電路中,三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示
3、,將每只管子所用材料(Si或Ge)、類型(NPN或PNP)及管腳為哪個極(e、b或c)填入表內(nèi)。 管 號 T1 T2 T3 管 號 T1 T2 T3管 腳電 位(V) 0.7 6.2 3 電極名稱 0 6 10 5 3 3.7 材 料 類 型解:(1)晶體管工作于放大狀態(tài)的條件:NPN管:UC> UB>UE,PNP管:UE>UB>UC;(2)導(dǎo)通電壓:硅管|UBE|= 0.60.7V,鍺管|UBE|= 0.20.3V。 管 號 T1 T2 T3管 號 T1 T2 T3管 腳電 位(V) 0.7 6.2 3 電極名稱BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CCB 材 料
4、SiGeSi 類 型NPNPNPNPN6、已知NPN型硅管T1 T4 各電極的直流電位如下表所示,試確定各晶體管的工作狀態(tài)。晶體管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作狀態(tài)解:NPN管(1)放大狀態(tài):UBE>Uon,UCE>UBE;(2)飽和狀態(tài):UBE>Uon,UCE<UBE; (3)截止?fàn)顟B(tài):UBE<Uon晶體管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作狀態(tài)放大飽和放大截止7、如圖5所示,Rb=50,VCC =12V,RB =70kW,RC=6kW當(dāng)VBB =-
5、2V,2V,5V時,晶體管的靜態(tài)工作點Q位于哪個區(qū)?圖5解:當(dāng)VBB =-2V時:IB=0,IC=0,Q位于截止區(qū) VBB =2V時:IC最大飽和電流:,IC< ICmax (=2mA),Q位于放大區(qū)。VBB =5V時:,Q位于飽和區(qū),此時IC 和IB 已不是b倍的關(guān)系。8、若已知UCE=6V時:IB = 40 mA,IC =1.5 mA;IB = 60 mA,IC =2.3 mA。求、。在以后的計算中,一般作近似處理:。9、測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表T1.7所示,它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)),并填入表內(nèi)。表T1.7管 號UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513T243310T34605解:因為三只管子均有開啟電壓,所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài),如解表T1.7所示。解: 表T1.7管 號UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513恒流區(qū)T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)10、已知各場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖6所示。試分析各管子的類型。圖6解: (a) iD>0(或uDS>0),則該管為N溝道; uGS³0,故為JFET(耗盡型)。(b) iD<0(或uDS
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